【課題】優れたレジストパターンのＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。


［式（Ｉ）中、Ｑ^Ｉ１及びＱ^Ｉ２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｘ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、ｎが０のとき、Ｘ^１は単結合ではない。Ｗは、特定式（Ｉａ１−１）又は特定式（Ｉａ１−２）で表される構造を表す。Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（高解像力など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（１）感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、（２）前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、（３）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含み、前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、（Ａ）電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（Ｒ）を有する樹脂と、（Ｂ）溶剤とを含有している。 （もっと読む）

【課題】液浸露光プロセスにおいて、露光時にはレジスト膜表面の優れた水切れ性を示すと共に、現像欠陥の発生を抑制できる新規な化合物、この化合物に由来する構造単位を有する重合体、この重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物に由来する構造単位を有する重合体、さらに、［Ａ］酸解離性基を有する重合体、［Ｂ］当該重合体、［Ｃ］酸発生体及び［Ｄ］溶媒を含有するフォトレジスト組成物。式（１）中、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。但し、Ｒ^４及びＲ^５のうち少なくとも１つの基は、フッ素原子を有する。ｎは、１〜４の整数である。
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【課題】感度等の基本性能に加えて、ナノエッジラフネス、解像度、パターン倒れ耐性、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）等に優れると共に、これらのバランスに優れるレジスト膜を形成するために用いられる化合物、それを用いて得られる重合体及びその重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物である。
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【課題】溶出が抑制された高解像性のネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、液浸媒体を介して浸漬露光する工程（２）と、工程（２）の後にベークを行い、露光部において露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、未露光部において、レジスト膜に予め供給された酸の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、アルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法であって、レジスト膜の水に対する後退角が６５°以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】棒状液晶化合物を配向させたときに得られるフィルムのヘイズを低くすることができる、棒状液晶化合物を含む重合性液晶組成物の提供。
【解決手段】少なくとも１つの重合性基を有する棒状液晶化合物と、少なくとも１種のキラル剤と、少なくとも１種の下記式で表されるフルオロ脂肪族基含有モノマー由来の構成単位を含む（メタ）アクリル重合体と、を含む重合性液晶組成物。


（式中、Ｒ⁰は水素原子またはメチル基を表し、Ｘは−Ｏ−または−ＮＲ¹−を表し、Ｘ⁰は水素原子またはフッ素原子を表し、Ｒ¹は水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜６の整数を表し、ｎは１〜１８の整数を表す。） （もっと読む）

【解決手段】置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を含むウレア結合、アミド結合、又はウレタン結合を有する化合物と、ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
【効果】本発明に係るレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】架橋反応を抑制しつつ、ポリマーが有する−ＳＯ_２Ｆ基を、イオン交換基を複数有するペンダント基に簡便に変換して、イオン交換容量が高く、含水率が低いイオン性ポリマーを得る。
【解決手段】ポリマーが有する−ＳＯ_２Ｆ基を−ＳＯ_２ＮＺ^１Ｚ^２基（Ｚ^１およびＺ^２はそれぞれ独立に水素原子、１価の金属元素、およびトリメチルシリル基からなる群から選ばれる基）に変換する工程（Ａ）と、前記工程（Ａ）で得られたポリマーにＦＳＯ_２（ＣＦ_２）_２ＳＯ_２Ｆを反応させる工程（Ｂ）と、工程（Ｂ）で得られたポリマーの側鎖の末端−ＳＯ_２Ｆ基を、−ＳＯ_３Ｈ基等のイオン交換基に変換する工程を有するイオン性ポリマーの製造方法。また、該製造方法により得られるイオン性ポリマー。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明の酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、即ち溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する効果が非常に高い特徴を有する。このレジスト膜を用いてドットパターン又は格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）、及び露光により酸を発生する構成単位（ａ０−２）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^２は２価の連結基である。］。
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【課題】高感度な化学増幅型レジストとして有用な新規な酸分解性をもつ重合性単量体、これを用いて重合または共重合された重合体、およびそれを用いたレジストおよびそのパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される重合性単量体、およびその重合体。


（式（１）中、Ｒ^２〜Ｒ^１４は、水素、炭化水素基。） （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、スカムの低減、及び、現像欠陥の低減を同時に満足したパターンを形成できるネガ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスクを提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位（ａ）、及び、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（ｂ）を有する高分子化合物、並びに、（Ｂ）架橋剤を含有する、ネガ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なネガティブパターン形成用レジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】スルホンアミド基が酸不安定基で置換された式（１）の繰り返し単位ａ１及び／又はａ２を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、露光し、有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
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【課題】レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ¹⁴は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）で、欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】高感度、良好なパターン形状、良好なラフネス特性、及び良好な疎密特性を達成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により分解して酸を生成する基を含有する繰り返し単位（Ａ）と、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を含有する繰り返し単位（Ｂ）とを含んだ樹脂（Ｐ）と、下記一般式（１）により表される化合物（Ｑ）とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。（一般式（１）中の各符号は、特許請求の範囲及び明細書に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】優れた露光マージン及びマスクエラーファクターを有し、且つ欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、酸発生剤及び式（ＩＩ）で表される化合物を含有するレジスト組成物。
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【課題】ＣＤ均一性が良好で、かつ欠陥が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】優れらマスクエラーファクターのレジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位（ａａ）と、式（ａｂ）で表される構造単位（ａｂ）とを有する樹脂及びこれを用いたレジスト組成物。


［式中、Ｒ^aa2は、水素原子又はフッ化アルキル基；Ｒ^aa３はフッ化アルキル基；Ｒ^aa４は、酸により、酸素原子との間の結合〔Ｏ−Ｒ^aa４〕が切断される１価の基 （もっと読む）

【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、欠陥の発生が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ¹⁴は、ハロゲン原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）