【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できる、ネガ型レジスト組成物に用いる樹脂成分として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】一般式（ｆ１−１）又は一般式（ｆ１−２）で表される塩基解離性基を含む構成単位（ｆ１）と架橋性基含有基を含む構成単位（ｆ２）とを有する高分子化合物。式中、Ｒは水素原子、炭素原子数１〜５の低級アルキル基、又は炭素原子数１〜５のハロゲン化低級アルキル基であり；Ｘは二価の有機基であり、Ａ_ａｒｙｌは置換基を有していてもよい芳香族環式基であり、Ｘ_０１は単結合又は二価の連結基であり、Ｒ^２はフッ素原子を有する有機基である。
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【課題】優れた形状でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す；環Ｗ^１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜３４のスルトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。環Ｗ^２は置換基を有していてもよい炭素数３〜３４のラクトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基；ｎは１〜３の整数；Ａ¹は式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基、但し、ｓ＝０の時、Ａ^１１は単結合ではない；Ｘ^１０は、酸素原子を含む基を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性（ＣＤＵ）に優れたレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂と、式（Ｂ１）で表される塩と、溶剤とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；ｎは１〜３の整数；Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^b1は単結合又は２価の飽和炭化水素基を表し、該基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｙは置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】半導体の微細加工に利用できるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。［式（Ｉ）中、Ｔ^１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表し、Ｌ^１は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、ｍは０又は１を表し、Ｌ^２及びＬ^３は、単結合又は２価の炭素数１〜６の飽和炭化水素基を表し、環Ｗ^１及び環Ｗ^２は、炭素数３〜３６の炭化水素環を表し、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子等を表し、Ｒ^３及びＲ^４は、ヒドロキシ基等を表し、Ｒ^５は、水素原子又はメチル基を表し、ｔは、０〜２の整数を表し、ｕは、０〜２の整数を表す。］
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【課題】優れた解像度を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）の化合物由来の構造単位を有する樹脂と、式（Ｂ１）の塩と、溶剤とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^２〜Ｒ^４は、独立にアルキル基等；Ａ¹は式（ａ−ｇ１）の基；ｓは０〜２の整数；Ａ¹⁰及びＡ¹¹は、独立に脂肪族炭化水素基；Ｘ¹⁰は、酸素原子等を表す。］ （もっと読む）

【課題】炭素原子数６以下のフッ素化アルキル基を有する界面活性剤であっても、炭素原子数８以上のフッ素化アルキル基を有する界面活性剤と同等以上のレベリング性を有し、かつ優れた消泡性を有するフッ素系界面活性剤を提供する。また、このフッ素系界面活性剤を用いたコーティング組成物及びレジスト組成物を提供する。
【解決手段】炭素原子数６以下のフッ素化アルキル基（酸素原子によるエーテル結合を有するものも含む。）を有する単量体（ｍ１）及び非フッ素系単量体（ｍ２）を必須の単量体成分として、前記単量体（ｍ１）及び（ｍ２）の共存下でリビングラジカル重合することにより製造されたものであることを特徴とするフッ素系界面活性剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基、但し、ｓ＝０の時、Ａ^１１は単結合ではない；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基；環ＷＲ^２は、置換基を有していてもよいラクトン環基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクターを有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；ｒは１又は２；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基、但し、Ａ^１１が単結合の時、ｓ＝１かつＸ^１０は酸素原子である；Ｒ^２は、酸に不安定な基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；環Ｗ^１は、置換基を有していてもよいスルトン環；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基を表す。] （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂と、式（Ｂ１）で表される塩とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ｒ^２は、酸に不安定な基；Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^b1は、単結合又は２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｙは、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基；Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】従来のレジスト組成物では、得られるパターンのマスクエラーファクター（ＭＥ
Ｆ）が必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ｔ１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表す。Ｌ１は、飽和炭化水素基を
表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き
換わっていてもよい。ｍは０又は１を表す。Ｌ２及びＬ３は、単結合又は飽和炭化水素基
を表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置
き換わっていてもよい。環Ｗ１及び環Ｗ２は、炭化水素環を表す。Ｒ１及びＲ２は、水素
原子、ヒドロキシ基又はアルキル基を表す。Ｒ３及びＲ４は、ヒドロキシ基又はアルキル
基を表す。Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。ｔは、０〜２の整数を表す。ｕは、０
〜２の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】 本発明は、短時間でＰＥＢを行うことができ、それによりスループットの向上や、酸拡散距離を短くすることができることによる解像性の向上が達成できるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被加工基板上に波長６００〜２０００ｎｍの範囲の光を吸収する下層膜を形成し、該下層膜上にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を露光した後、波長６００〜２０００ｎｍの光を照射して加熱することでポストエクスポジュアーベーク（ＰＥＢ）を行い、その後現像によってパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】アニオン基を有する水溶性モノマーを重合して前駆体ポリマーを合成し、当該前駆体ポリマーを水で洗浄した後、当該前駆体ポリマーを有機カチオンと塩交換させることを特徴とする、露光により分解して酸を発生する構成単位を有する高分子化合物の製造方法。当該高分子化合物の製造方法により製造された高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】経時の影響による寸法変動が抑制されると共に、リソグラフィー特性とレジストパターン形状に優れたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（ｇ１）又は（ｇ２）で表される一価の基を有する化合物（Ｇ）と、一般式（ｈ１）又は（ｈ２）で表される一価の基を有する化合物（Ｈ）とを含有するレジスト組成物。
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【課題】 レジスト組成物調製時の溶解性並びに安定性を高めると共に、レジスト成膜時の膜厚均一性、線幅均一性、現像時のレジスト膜の密着性等の特性を向上させ、且つ安全性を向上させた硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 （Ａ）脂環式エポキシ基含有重合性不飽和化合物に対応するモノマー単位及び（Ｂ）アルカリ可溶性基を含むモノマー単位を含む共重合体と、ジプロピレングリコールジメチルエーテルを全溶媒中３０〜１００質量％含有する溶媒とを含むことを特徴とする硬化性樹脂組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】解像性に優れ、リソグラフィー特性やパターン形状が良好なレジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、側鎖に−ＳＯ_２−含有環式基を有するアクリルアミド系構成単位（ａ０−１）と、露光により酸を発生する構成単位（ａ０−２）と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）とを有する樹脂成分（Ａ１）を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物用のモノマーとして有用な化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、ならびに該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物。下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）を有する高分子化合物。
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【課題】高感度であること、ＬＥＲが良好であること、露光ラチチュードが良好であること、及びパターン形状が良好であることを同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸アニオンを発生するイオン性構造部位を備えた繰り返し単位（Ａ）と、下記一般式（Ｂ１）で表される繰り返し単位（Ｂ）と、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する繰り返し単位（Ｃ）とを有する樹脂を含有する（一般式（Ｂ１）中、Ｒ_３は、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表し；Ｙは、単結合又は２価の連結基を表し；Ｚは、単結合又は２価の連結基を表し；Ａｒは、芳香環基を表し；ｐは１以上の整数を表す。）。
【化１】
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