【課題】 準結晶粒子分散構造を有する合金粉末を固化成形して、安定的に準結晶粒子分散合金成形体を製造できる方法を提供する。
【解決手段】 準結晶相を含む合金粉末からなる準結晶粒子分散合金成形体の製造方法において、前記準結晶相を含む合金粉末を２００〜８００ＭＰａの圧力で、前記準結晶相の分解温度より低く、前記準結晶相の分解温度より２００℃低い温度以上の温度範囲で、加圧成形する。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する板状焼結スパッタリングターゲットであって、面内方向比透磁率が５０以下、かつ面内方向比透磁率が厚み方向比透磁率より小さい漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、素地中に絶対最大長５μｍを超えるクロム酸化物凝集体が５００個/ｍｍ^２以下であって、絶対最大長１０μｍを超えるクロム酸化物凝集体が存在しない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 高周波帯域において優れた磁気特性、優れた熱的安定性、高い歩留まりを有する高周波磁性材料の製造方法を提供する。
【解決手段】 磁性金属元素を含む塩と酸化物相と添加酸化物相のもととなる金属元素を含む塩が、アルコキシド、水酸化物塩、硫酸塩、硝酸塩、炭酸塩、カルボン酸塩、の少なくとも一部からなる塩であり、その組み合わせが、磁性金属粒子の標準生成ギブスエネルギーと絶縁性酸化物の標準生成エネルギーの差が100℃から800℃の温度範囲において100kJ/mol以下の範囲にある系である前駆体を還元して合成する。 （もっと読む）

【課題】焼結摩擦材の基地組織をフェライトとオーステナイトとの混合組織に保つことで、耐熱性と耐食性に優れ、且つブレーキディスク等の相手材への攻撃性を低めて相手材摩耗量を少なくできる等のブレーキ制動時の性能に優れた焼結摩擦材を提供する。
【解決手段】本の焼結摩擦材は、主成分として高融点の還元鉄粉にオーステナイト形成元素のニッケル、マンガンを単独又は併用添加し、また黒鉛化傾向（Ａｌ＞Ｓｉ＞Ｔｉ＞Ｃ）の大きい黒鉛化促進元素を添加して焼結されており、基地組織がオーステナイトとフェライトの混合組織に保たれている。これにより、還元鉄粉中にパーライトの形成が抑制されて基地組織がオーステナイトとフェライトの混合組織となり、そのために主成分の融点の低下がなく、高温特性・耐食性に優れており、しかもパーライトより軟らかいために相手材摩耗畳が少ない焼結摩擦材を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
実装プロセス中の接合過程において接合温度の低温化を達成でき、接合後の有機物残渣が少ない接合プロセスを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、被接合部材の接合界面に酸素を含む酸化物層を形成し、接合界面に平均粒径が１ｎｍ以上５０μｍ以下の金属化合物粒子と有機物からなる還元剤とを含む接合用材料を配置した後、被接合部材間を加熱、加圧することにより被接合部材を接合することを特徴とする。また、前記金属化合物が金属酸化物、金属炭酸塩、又はカルボン酸金属塩の粒子から選ばれる１種以上の金属粒子であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高硬度で強靱なマルテンサイト系ナノ結晶合金鋼粉末及びそのバルク材並びにそれらの製造方法の提供。
【解決手段】超微細なフェライト基のナノ結晶合金鋼粒子をオーステナイト温度域まで昇温して得られた超微細なオーステナイト基ナノ結晶合金鋼粒子の集合体に、焼き入れのような急冷または適当な速度での冷却操作あるいは強加工処理などの調質処理を施して超微細なマルテンサイト系ナノ結晶合金鋼粒子の集合体からなる高硬度で強靱なマルテンサイト系ナノ結晶合金鋼粉末を得る。 超微細なフェライト基のナノ結晶合金鋼粒子の集合体よりなる合金鋼粉末を、空気中又は酸化抑制雰囲気中あるいは真空中で、冷間プレス成形、放電プラズマ焼結等の固化成形処理をし、次いで同固化成形体に焼なまし、溶体化処理等の調質処理を施すことにより、マルテンサイト系ナノ結晶合金鋼粒子の集合体よりなるナノ結晶合金鋼バルク材となす。 （もっと読む）

【課題】ガス開閉器に用いられるアーク接触子の表面直下に発生する内部クラックの横方向への進展を抑制し、表面の脱落による損耗を低減するアーク接触子を得る。
【解決手段】固定アーク接触子および可動アーク接触子の少なくとも一方に、銅とタングステンとの合金で構成された基材に、この基材よりも熱伝導性が高い熱伝導部を薄板状および芯状の少なくとも一方の形状でアークに曝される面から深さ方向に向かって埋設したものである。 （もっと読む）

【課題】金属ナノ粒子を用いた接合方法において、必要な接合強度を得る。
【解決手段】比較的初期段階では、比較的低圧Ｐ１の加圧力で被接合部材１０Ａ、１０Ｂ同士を加圧する。この、比較的低圧Ｐ１の加圧条件下（ガス抜き工程）では、接合材料１２が加熱されることで有機保護膜１６が蒸発し、接合材料１２の、金属ナノ粒子１８及びバインダー２０により構成されるポーラス構造の空孔部分が、加圧によって必要以上に押し潰されることがない。よって、ポーラス構造の空孔部分が、気化した有機保護膜１６の脱ガス経路として機能し、被接合部材１０Ａ、１０Ｂの間からガスが円滑に放出される。接合材料１２の温度が所定の温度に到達した時点で、比較的低圧の加圧力Ｐ１から比較的高圧の加圧力Ｐ２へと増圧する（増圧工程）。そして、高圧の加圧力Ｐ２で被接合部材１０Ａ、１０Ｂ同士を接合することにより、接合強度を向上させる（接合工程）。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｆｅ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｆｅ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｆｅ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｃｏ_Ｘ−Ｆｅ_{１００−Ｘ}）_{１００−（Ｙ＋Ｚ）}−Ｚｒ_Ｙ−Ｍ_Ｚ、２０≦Ｘ≦７０、２≦Ｙ≦１５、２≦Ｚ≦１０で表され、前記組成式のＭ元素が（Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ）から選ばれる１種または２種以上の元素であるスパッタリングターゲット材であって、該スパッタリングターゲット材のミクロ組織がＣｏを主体とする合金相とＦｅを主体とする合金相とからなる焼結組織を有し、前記Ｆｅを主体とする合金相中にＦｅ_２Ｍの非磁性ラーベス相金属間化合物が存在するＣｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時のアーキングやスプラッシュの発生を効果的に防止することができ、とくにアーキングについては事実上皆無とすることができるスパッタリングターゲット材を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材は、（Ａ）少なくともＣｏを含有する金属相、（Ｂ）長軸粒径１０μｍ以下の粒子を形成してなるセラミックス相、および（Ｃ）少なくともＣｏを含有してなるセラミックス−金属反応相を有し、前記（Ｂ）セラミックス相が前記（Ａ）金属相内に散在されてなり、かつ、前記（Ｂ）セラミックス相と前記（Ａ）金属相との間に、前記（Ｃ）セラミックス−金属反応相により形成される層が介在してなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】均一な組織を持ち、酸素を低減できるＡｌＲｕスパッタリングターゲットを安定してかつ低コストで製造できるようにするとともに、パーティクルの発生を防止又は抑制し、成膜の製品歩留りを上げることにより、ハードディスク用の膜形成に好適なＡｌＲｕスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】原料となるＡｌとＲｕを高周波溶解し、Ａｌ１３Ｒｕ４金属間化合物を主成分とする粉末とし、Ｒｕ粉を混合した後焼結する。また、９５ｖｏｌ．％以上のＡｌＲｕ金属間化合物からなる焼結体であるＡｌＲｕスパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ないＴｉＳｉ_x膜を得るためのチタンシリサイドスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】薄膜形成用チタンシリサイドターゲットにおいて、ターゲット組成がＴｉＳｉ_x（ここでｘ＝2.0〜2.7）と表され、ターゲット中のＷ含有量が50ppm未満であり、かつＷ化合物の析出物を含まないことを特徴とするチタンシリサイドターゲットによって、パーティクル発生の少ないＴｉＳｉ_x膜をスパッタリングによって得る。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性、かつ、耐熱衝撃性に優れており、半導体・液晶製造装置特に、プラズマ処理装置において導電性が求められる箇所に好適に使用することができるプラズマプロセス装置用部材を提供する。
【解決手段】イットリアに、タングステンおよび／またはモリブデンデンがイットリアに対して５０重量％以上３００重量％以下分散し、開気孔率が０．２％以下、２５℃での体積抵抗率が１０^-6Ω・ｃｍ以上１０^-1Ω・ｃｍ以下であり、かつ、耐熱衝撃温度が１５０℃以上であるイットリアセラミックス焼成体からなる部材を用いる。 （もっと読む）

【課題】異方性を有するアモルファス金属成形体、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】アモルファス金属成形体は、複数の偏平状粒子が層状に積み重なって形成された積層構造を有するアモルファス金属成形体であって、偏平状粒子は、その厚み方向に対してほぼ平行な方向に積層されており、且つそのアスペクト比が２以上である。
アモルファス金属成形体の製造方法は、複数の偏平状粒子が層状に積み重なって形成された積層構造を有するアモルファス金属成形体であって、偏平状粒子は、その厚み方向に対してほぼ平行な方向に積層されており、且つそのアスペクト比が２以上であるアモルファス金属成形体の製造方法であって、アモルファス金属粉末を配置する工程とその工程より後に実施され、アモルファス金属粉末を伸展させつつ成形する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性、かつ、耐熱衝撃性に優れており、半導体・液晶製造装置等、特に、プラズマ処理装置において導電性が求められる部材に好適に使用することができる耐プラズマ性を有する導電性セラミックス焼成体を提供する。
【解決手段】イットリアに、タングステンまたは／およびモリブデンがイットリアに対して５０重量％以上３００重量％以下分散し、開気孔率が０．２％以下、２５℃での体積抵抗率が１０^-6Ω・ｃｍ以上１０^-1Ω・ｃｍ以下であり、少なくとも１個の通気孔を有するように構成されたセラミックス焼成体を用いる。 （もっと読む）

【目的】磁束密度の低下を抑えつつ保磁力が高い希土類磁石及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】希土類磁石Ｍは、Ｒ１_２Ｔ_１４Ｂ相（Ｒ１は希土類元素（但し、Ｄｙ及びＴｂを除く）から選ばれる少なくとも１種、Ｔは遷移金属元素から選ばれる少なくとも１種）を主相とする結晶粒１からなり、結晶粒１は、その結晶粒界近傍３にＲ２_２Ｔ_１４Ｂ相（Ｒ２は重希土類元素から選ばれるいずれか１種）が形成され、結晶粒１の粒径が１μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、ＡＩＰ法、ＭＳ法で用いるターゲット材であって、機械的強度が改善されるとともに、ドロップレットの生成が著しく抑制される、品質の高い皮膜を形成するために好適なターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本願発明は、ＳｉとＭ成分、但し、Ｍ成分は周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属、Ｂ、Ｓから選択される１種以上の元素を有するターゲット材において、該ターゲット材は、ＳｉとＭ成分及びＳｉの窒化物を有していることを特徴とする窒化物含有ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】永久磁石や電力トランス用のコア等になどに用いることのできる磁性材料であって、高密度で電気抵抗率の高い磁性材料を提供することを可能にする。
【解決手段】粒径と厚さとの比をアスペクト比と呼ぶときに、このアスペクト比５を超える鱗片状で且つＮｄ−Ｆｅ−Ｂ相の金属相の磁性粉１１と、鱗片状の白雲母、金雲母若しくは合成雲母の中から選択した雲母１２と、からなる磁性材料１０であって、磁性粉１１を８５〜９９重量％、雲母１２を１５〜１重量％の割合で構成した。 （もっと読む）

【課題】摩擦材の表面全体を均一に焼くことで表面の平面度を向上させることができる摩擦材表面焼き用治具を提供する。
【解決手段】ディスクロータと摺接するブレーキパッド２の摩擦材３の表面３ａを焼く摩擦材表面焼き用治具１であって、表面３ａに略直角な摩擦材３の外周面３ｄに密着する密着面１ａ１，１ｂ１と、密着面１ａ１，１ｂ１から垂直に摩擦材３の表面３ａ側に延在する上面１ａ３と、密着面１ａ１，１ｂ１から垂直にブレーキパッド２の裏板４側に延在する下面１ａ４とを備えている。そして密着面１ａ１，１ｂ１は、摩擦材３の外周面３ｄに密着して外周面３ｄを取囲んでいる。 （もっと読む）