【課題】高保磁力を有する希土類磁石を得やすい製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｒ１_２Ｘ_１４Ｂ相（但し、Ｒ１：希土類ランタニド元素から選択される少なくとも１種の元素、Ｘ：ＦｅまたはＦｅの一部をＣｏで置換したもの）を主相とする結晶粒を有し、かつ、結晶粒径が１μｍ以下である希土類磁石の表面にＲ２金属および／またはＲ２系合金（但し、Ｒ２：Ｄｙ、ＴｂおよびＨｏから選択される少なくとも１種の元素）を接触させ、結晶粒径が１μｍを越えないように熱処理を施し、磁石内にＲ２元素を拡散させる。上記Ｒ２系合金は、副元素として、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃｏから選択される少なくとも１種の元素を含んでいると良い （もっと読む）

【課題】部品形状の自由度が高く、部品作製の際必要とするプレスパワーを少なくしてコストを削減することができる、金属ガラス成形体の製造方法を提供する。
【解決手段】金属ガラスを主成分とする基材粒子を加圧成形して、内部に気孔が分散した加圧成形体を得る第１工程と、前記加圧成形体をさらに加熱加圧成形して金属ガラス成形体を得る第２工程と、を含む、金属ガラス成形体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】アークイオンプレーティング等により形成した薄膜にターゲット成分からなるドロップレットが形成しにくいＴｉ−Ａｌ系合金ターゲット及びその粉末冶金法による製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ粉末とＡｌ粉末の混合粉を含む成型体をアルミニウムの融点未満の温度で加熱し、上記成型体中のＡｌをＴｉと反応させ、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物を形成させる熱処理工程と、アルミニウムの融点より高くチタンの融点より低い温度でＴｉと前記Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物を反応させて加圧焼結する加圧焼結工程を有するＴｉ−Ａｌ系合金ターゲットの製造方法。これにより得られたＴｉ−Ａｌ系合金ターゲットは、Ａｌを４５〜６５原子％含有し、Ｘ線回折で分析したときにＴｉ_３Ａｌ，ＴｉＡｌ，ＴｉＡｌ_２，ＴｉＡｌ_３の少なくとも２種以上の相を含み、ＥＰＭＡ分析をしたときに単体の金属Ｔｉ及び金属Ａｌが残存していない。 （もっと読む）

【課題】 強い漏洩磁束が得られる透磁率が低く使用効率が高いＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（（Ｃｏ_ａ−Ｆｅ_{１００−ａ}）_{１００−ｂ}−Ｎｉ_ｂ）_{１００−ｃ}−Ｍ１_ｃ、１０≦ａ≦９０、０＜ｂ≦２０、５≦ｃ≦２０で表され、前記組成式のＭ１元素が（Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｂ）から選ばれる２種以上の元素であるＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、
原子比における組成式がＦｅ_{１００−Ｘ}−Ｍ１_Ｘ、５≦Ｘ≦３０で表され、Ｍ１元素が１種以上含まれるＦｅ合金粉末を粉末Ａ、
Ｃｏおよび／または１種以上のＭ１元素を含有するＣｏ合金粉末を粉末Ｂ、
Ｎｉ粉末を粉末Ｃ、
としたとき、粉末Ａ、粉末Ｂおよび粉末Ｃを前記組成式を満たすように混合した混合粉末を加圧焼結するＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ルテニウムターゲットを代替することができ、かつ、安価なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｄ、Ｃｒ、Ｗを主要成分として含有するＰｄ−Ｃｒ−Ｗ系スパッタリングターゲットとし、該ターゲットの構造を、ＣｒおよびＷのうちの少なくとも１種を含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなる合金マトリックス中に、Ｃｒ相およびＷ相のうちの少なくとも１種の相が分散した構造とし、前記ターゲット全体に対するＣｒの含有量が５〜５０ａｔ％、Ｗの含有量が５〜４０ａｔ％となるようにする。 （もっと読む）

【課題】高保磁力と高残留磁束密度の両立が可能となる希土類磁石及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ(Ｒは希土類元素)系磁石の主相であるＮｄ₂Ｆｅ₁₄Ｂの粒界の一部に層状の粒界相が形成された希土類磁石であって、前記粒界相はフッ素化合物を含み、該フッ素化合物の厚さが１０μｍ以下、或いは、該フッ素化合物の厚さが０.１μｍ以上１０μｍ以下であり、該フッ素化合物の主相粒子被覆率が平均で５０％以上とする。そして、前記粒界相に板状に形成された粉末のフッ素化合物を層状に形成後、所定の温度で真空溶解後、急冷する、或いは、前記主相とフッ素化合物を加熱加圧して該フッ素化合物が前記粒界相に沿って層状に形成させることで製造する。 （もっと読む）

【課題】電子部品中の電気的接合部の接合層に関し、鉛成分を含有せず先行技術よりもより高い接合強度・破壊靱性が得られる接合材、これを接合層として有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、電子部材同士が接合層を介して電気的に接続されている半導体装置であって、前記接合層は10〜1000 nmの結晶粒からなるAgマトリックス中にAgよりも硬度が高い金属Ｘが分散相を形成した複合金属焼結体であり、前記複合金属焼結体は、前記Agマトリックスと前記金属Ｘ分散相との界面が金属接合し、前記電子部材の最表面と前記Agマトリックスとの界面が金属接合し、前記電子部材の最表面と前記金属Ｘ分散相との界面が金属接合しており、前記金属Ｘ分散相のそれぞれは単結晶体または多結晶体であり、前記多結晶体の金属Ｘ分散相はその内部粒界が酸化皮膜層を介さずに金属接合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有害物質を極力低減させるとともに、成膜時のパーティクルの発生数が少なく、膜厚分布が均一であり、かつ４Ｎ（９９．９９％）以上の純度を持ち、半導体メモリーのキャパシタ用電極材を形成する際に好適なスパッタリングターゲット製造用高純度Ｒｕ粉末、該高純度Ｒｕ粉末を焼結して得たスパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得た薄膜並びに前記高純度Ｒｕ粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の各含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、Ａｌの含有量が１〜５０ｗｔｐｐｍであることを特徴とする高純度Ｒｕ粉末、及び純度３Ｎ（９９．９％）以下のＲｕ原料をアノードとし、溶液中で電解して精製する、同高純度Ｒｕ粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｍｇ、Ｓｎ、Ｓｉの金属からなる単相で優れた熱電特性を備えた一般化学式で示される
Ｍｇ_ＸＳｉ_１−ＹＳｎ_Ｙ
の熱電半導体を焼結して製造するにあたり、ｐ型の熱電特性を有した熱電半導体を高温でも安定をしたものを製造する。
【解決手段】Ｍｇ_ＸＳｉ_１−ＹＳｎ_Ｙの金属間化合物の化学組成において、これを焼結したときの焼結体組成Ｘ、Ｙが、
１．９８≦Ｘ≦２．０１
０．７２≦Ｙ≦０．９５
の範囲のものであって、ドーパントとして、１Ａ属のアルカリ金属、１Ｂ族の銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）の少なくとも何れか一つの金属を添加して高温でも安定した熱電半導体を得る。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】アルミニウム７７〜９４．５質量％、珪素５〜２０質量％及びマグネシウム０．５〜３質量％を含有する金属粉末２０〜４０体積％と、平均粒子径が５０〜３００μｍの炭化珪素粉末６０〜８０体積％を混合した後、離型処理を施した金型に充填し、温度６００〜７５０℃に加熱して、圧力１０ＭＰａ以上で加熱プレス成形することを特徴とする、板厚２〜６ｍｍの板状アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、ＳｉおよびＢを総量として０．１〜１０％含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜を製造するスパッタリングターゲット材。また、上記ＳｉおよびＢの組成比が２：８〜６：４である、スパッタリングターゲット材、および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜にある。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】アルミニウム７７〜９４．５質量％、珪素５〜２０質量％及びマグネシウム０．５〜３質量％を含有する金属粉末１５〜４０体積％、平均粒子径０．５〜３０μｍの炭化珪素粉末２０〜６０体積％、並びに、平均粒子径１〜１０００μｍのコークス系炭素を黒鉛化した黒鉛粉末２０〜６０体積％を混合した後、離型処理を施した金型に充填し、温度６００〜７５０℃に加熱して、圧力１０ＭＰａ以上で加熱プレス成形し、さらに切断及び／又は面加工を行って板厚を２〜６ｍｍにすることを特徴とする、板状アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】磁石製造時における酸化の影響を受けることなく、高電気抵抗と高保磁力の特性を併せ持った希土類磁石を製造すること。
【解決手段】Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類合金粉末に、重希土類元素のフッ化物、酸化物及び無機塩からなる群から選ばれる少なくとも１種である化合物Ａと、アルカリ土類金属の水素化物である化合物Ｂを混合する混合工程と、冷間成形工程と、熱間成形工程と、熱処理工程と、を含むＲ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石の製造方法において、熱間成形工程と熱処理工程によって、化合物Ａと化合物Ｂを反応させて、熱間成形体中のＲ_２Ｆｅ_１４Ｂ結晶近傍のＲリッチ粒界相に重希土類元素を拡散させると共に、アルカリ土類金属のフッ化物、酸化物及び無機塩からなる群から選ばれる少なくとも１種である化合物Ｃを、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系希土類合金粉末間に生成させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】アルミニウムを７７〜９４．５質量％、珪素を５〜２０質量％及びマグネシウムを０．５〜３質量％を含有する金属粉末１５〜４０体積％、平均粒子径０．５〜３０μｍの炭化珪素粉末１０〜５０体積％、平均粒子径１〜３０μｍで結晶化度（ＧＩ値）が３以下の窒化硼素粉末５〜３５体積％、並びに、平均粒子径が１〜１０００μｍのコークス系炭素を黒鉛化した黒鉛粉末５〜３５体積％を混合した後、離型処理を施した金型に充填し、温度６００〜７５０℃に加熱して、圧力１０ＭＰａ以上で加熱プレス成形し、さらに切断及び／又は面加工を行って板厚を２〜６ｍｍとすることを特徴とする、板状アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 強い漏洩磁束が得られる透磁率が低く使用効率が高いＦｅ−Ｃｏ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_100−Ｘ）_100−ＹＭ_Ｙ、２０≦Ｘ≦８０、４≦Ｙ≦２５で表され、前記組成式のＭ元素がＮｂおよび／あるいはＴａであるスパッタリングターゲット材であって、該スパッタリングターゲット材のミクロ組織がＦｅとＣｏを主体とするＢＣＣ相および／またはＦＣＣ相とＭ元素を含有する金属間化合物相とでなる金属組織を有し、ミクロ組織においてＭ元素を含有する金属間化合物相に描ける最大内接円の直径が１０μｍ以下であるＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】
磁性金属とセラミックと貴金属の粉末を均一に混合し、ターゲットの製造工程における貴金属粉末の損失を低減できる、貴金属を含む金属系セラミック複合体ターゲットを製造する方法を提供する。
【解決手段】
貴金属を含む金属系セラミック複合体ターゲットを製造する方法が提供される。この方法は、最初に湿式粉末混合工程により、セラミック粉末を磁性金属粉末の表面に均一に付ける工程と、セラミック−金属複合体粉末を得るためにこれを乾燥する工程と、次いで乾式粉末混合工程により、貴金属粉末をセラミックと金属の粉末と均一に混合する工程と、最後に、成形及び圧縮工程を使用してセラミック−金属複合体粉末を成形体ターゲットにする工程とを含む。本発明の製造方法は、磁性金属とセラミックと貴金属の粉末を均一に混合し、ターゲットの製造工程における貴金属粉末の損失を低減することができ、これにより、ターゲットの品質を改良し、その製造コストを削減する。 （もっと読む）

【課題】 無機ＥＬ素子のＥＬ発光層の形成において、反応性スパッタリング法に用いるバリウムアルミニウム系スパッタリングターゲットについて、大気中に長期間放置しても強度が低下することのない、高強度のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 ２４〜４３質量％のＡｌと、１〜１０質量％のＥｕと、残部のＢａとからなるホットプレス体からなるバリウムアルミニウム系スパッタリングターゲットについて、不可避不純物として含まれる水素の量を５０ｐｐｍ以下に制御する。このスパッタリングターゲットの製造は、原料粉末をホットプレスする際に、差圧０.１ＭＰａでの窒素ガスのガス透過率が１×１０^−３ｃｍ^２／ｓ以上のホットプレス型を用いて行う。 （もっと読む）

【課題】性能の高い熱電半導体材料を高い歩留りで得ることが可能な熱電半導体材料の製造方法を提供する。
【解決手段】熱電半導体の原材料からなり、比重が５以上のインゴットを粉砕して、原材料の特定の結晶面を表面に有する板状の板状粉砕粒子を得る板状粉砕粒子作製工程Ｓ１と、得られた板状粉砕粒子と、バインダーと、分散媒とを混合して、板状粉砕粒子の体積割合が３０体積％以上となるスラリーを調製するスラリー調製工程Ｓ２と、得られたスラリーを、テープ状に成形して成形体を得る成形工程Ｓ３と、得られた成形体を、不活性雰囲気で熱処理して、脱脂体を得る脱脂工程Ｓ４と、得られた脱脂体を還元処理して脱脂還元体を得る還元工程Ｓ５と、得られた脱脂還元体を焼結して焼結体を得る焼結工程Ｓ６と、得られた焼結体を切断加工して熱電半導体材料を得る切断加工工程Ｓ７と、を含む熱電半導体材料の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の光吸収層を形成するためのカルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末として、Ｃｕ−Ｓｅ二元系銅合金粉末、Ｃｕ−Ｉｎ二元系銅合金粉末、Ｃｕ−Ｇａ二元系銅合金粉末およびＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系銅合金粉末を用意し、前記Ｃｕ−Ｓｅ二元系銅合金粉末に前記Ｃｕ−Ｉｎ二元系銅合金粉末、Ｃｕ−Ｇａ二元系銅合金粉末またはＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系銅合金粉末をＣｕ_ａＩｎ_ｂＧａ_ｃＳｅ_ｄ（但し、単位は原子％、２５≦ａ≦６５、０≦ｂ≦５０、０≦ｃ≦３０、３０≦ｄ≦５０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００）からなる成分組成を有するように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレスしてホットプレス体を作製し、このホットプレス体の表面を切削することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クラスレート化合物をその構成成分の溶融物から製造するための方法を提供する。
【解決手段】目的の元素を目的の比率で含有する均質な溶融物を急速冷却、すなわちクエンチすることによって前記溶融物を固化させてクラスレート化合物を得ることで製造される。好ましいマトリクスまたはケージ成分は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎおよび遷移元素から選択された１以上の元素であり、好ましい包接成分は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド元素およびアクチノイド元素を含む遷移元素から、より好ましくは、アルカリ土類金属、ランタノイド元素および時おりまたアクチノイド元素から、選択された１以上の元素である。これらの元素は、熱電気および半導体用途のクラスレートの製造に好ましい。 （もっと読む）