【課題】Ａｌ系のターゲットにおいて、より優れた耐食性を示す高いＣｒの含有量とした場合であっても、ターゲットの成形時に割れが発生することなく、また、スパッタ時においても割れが発生することがないスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子％で、Ｓｉ：５〜２０％、Ｃｒ：５．５〜２５％を含有し、残部：Ａｌおよび不可避不純物からなる組成の素地中に絶対最大長：０．１〜５０μｍの範囲内にあるＡｌリッチの粒子が分散していることにより、前記課題を解決したものである。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための低酸素Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末、およびスパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２００ｐｐｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金粉末。また、原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２５０ｐｐｍ未満、かつ結晶粒径が１０μｍを超え、１００μｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金スパッタリングターゲット材。さらには、上記Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末を原料とし、これを４００〜８５０℃の温度で固化成形するＣｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲットを用いることなく、炭素含有量の多いＦｅＰｔＣ系薄膜を単独で形成できるＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、ＰｔおよびＣを含有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットであって、Ｐｔを４０〜６０ａｔ％含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金相と、Ｃ相とが互いに分散した構造を有するようにし、ターゲット全体に対するＣの含有量を２１〜７０ａｔ％にする。
また、Ｐｔを４０〜６０ａｔ％含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金粉末にＣ粉末を添加し、酸素の存在する雰囲気下で混合して混合粉末を作製した後、作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形する。 （もっと読む）

【課題】均一な組成のＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】Ｃｕ粉末を、水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で１５０℃〜３００℃の温度で撹拌し、撹拌したＣｕ粉末に、Ｇａを１０質量％〜４５質量％の割合で配合した混合粉末を、真空又は不活性雰囲気中で３０℃〜３００℃の温度で攪拌することにより、直接、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を形成する。Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度で熱処理し、熱処理したＣｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度と、５ＭＰａ〜３０ＭＰａのプレス圧力とでホットプレス法により焼結する。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕターゲットの代替として用いることができるＲｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＲｕとＰｄを主要成分として含有するＲｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲットであって、Ｒｕを１〜４０ａｔ％含有して残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＲｕ−Ｐｄ合金相と、不可避的不純物を含むＲｕ相とが互いに分散した構造を有するようにする。
また、Ｒｕを１〜４０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＲｕ−Ｐｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｒｕ−Ｐｄ合金粉末に、粉末全体に対するＰｄの含有量が１〜５０ａｔ％となるように不可避的不純物を含むＲｕ粉末を混合して混合粉末を作製した後、作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形して、Ｒｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】酸素等の不純物の量の少ないＰｄ合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｄを主要成分として含有するＰｄ合金系スパッタリングターゲットであって、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなり、ターゲット全体に対する酸素含有量を２０００質量ｐｐｍ以下にする。
また、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＰｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｐｄ合金粉末を加圧下で加熱して成形してＰｄ合金系スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】摩擦材とバックプレートとが強固に接合された摩擦部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属及びセラミックスを含む摩擦材１０が金属製のバックプレート２０に接合された摩擦部材１であって、摩擦材１０とバックプレート２０とは焼結により接合されており、摩擦材においてバックプレート側の端部近傍部１１では、金属の濃度がバックプレートに向かって徐々に増加している。この摩擦部材１の製造方法は、金属粉末とセラミックス粉末とを所定の第一割合で混合した混合粉末、及び、金属粉末とセラミックス粉末との割合が第一割合とは異なる複数種類の混合粉末を、金属粉末の割合が漸次変化するように積層し、粉末積層体３０を得る積層工程と、粉末積層体において金属粉末の割合が最も高い層をバックプレートと当接させた状態で、粉末積層体とバックプレートとを加圧しながら焼結させて接合する焼成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＨＤＤＲ磁粉を用い、重希土類元素の使用を抑えつつ、高い保磁力をもったＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＤＤＲ法によるＲ−Ｔ−Ｂ系粉末（Ｒは、Ｎｄ及び／又はＰｒをＲ全体に対して９５原子％以上含む希土類元素、ＴはＦｅ又はＦｅの一部をＣｏ及び／又はＮｉで置換した、Ｆｅを５０原子％以上含む遷移金属元素）と、Ｒ’（Ｎｄ及び／又はＰｒをＲ’全体に対して９０原子％以上含み、ＤｙおよびＴｂを含まない希土類元素）と２５原子％以上６５原子％以下のＡｌからなるＲ’−Ａｌ系合金粉末とを準備する。Ｒ−Ｔ−Ｂ系粉末に対するＲ’−Ａｌ系粉末の質量比を１／１０以下とした混合粉末を、Ｒ₂Ｔ₁₄Ｂ相のキュリー点以下の温度で成形した圧粉体を５５０℃以上Ｒ’−Ａｌ系合金粉末の液相滲み出し開始温度Ｔ_p以下で熱間圧縮成形し、不活性雰囲気または真空中において５５０℃以上９００℃以下の温度で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】ＨＤＤＲ磁性粉を用いて異方性ボンド磁石を作製するにあたり、磁気特性を向上させるとともに、寸法精度の良好な異方性ボンド磁石を製造すること。
【解決手段】第１の希土類元素を含む原料に水素化分解・脱水素再結合法による処理を施して、希土類化合物粉末を作製する工程（ステップＳ１２）と、第１の希土類元素とは異なる第２の希土類元素を含む拡散剤を前記第１の希土類元素に混合して、混合粉末を調整する工程（ステップＳ１４）と、混合粉末を磁場中で加圧及び加熱しながら成形して成形体を作製する工程（ステップＳ１５）と、成形体に樹脂を含浸させる工程と（ステップＳ１６）、樹脂を硬化させる工程（ステップＳ１７）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式：｛（Ｆｅ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{（１００−ｙ）}Ａｇ_ｙ｝_{（１００−ｚ）}Ｃ_ｚ、ここで原子比により３０≦ｘ≦８０、１≦ｙ≦３０、３≦ｚ≦６３で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＡｇＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】 バルク金属ガラスハンダ、発泡バルク金属ガラスハンダ、チップパッケージ内の発泡ハンダボンディングパッド、そのアセンブル方法、およびそれを含むシステムを提供する。
【解決手段】 発泡バルク金属ガラス電気接続部が集積回路パッケージの基板に形成される。発泡バルク金属ガラス電気接続部は率が低く、衝撃荷重および動的荷重による亀裂に対する耐性を持つ。発泡バルク金属ガラス電気接続部は、集積回路デバイスと外部構造との間で通信を行うためのハンダバンプとして使用され得る。発泡バルク金属ガラス電気接続部を形成するプロセスは、バルク金属ガラスと発泡剤とを混合することを含む。 （もっと読む）

【課題】高品質の展伸材を安定して得ることができる展伸材用原料を提供する。
【解決手段】本発明の展伸材用原料は、急冷凝固した鋳塊を破砕した破砕片、さらにはその破砕片を加圧成形した成形体からなることを特徴とする。本発明に係る破砕片は、粉末粒子のサイズより相対的に大きいため、取扱性に優れ、コンタミネーションが生じ難く、仮に先の破砕片が残存していても、目視により確認でき、設備の清掃等により容易に除去できる。また微細な破砕片が各設備中に残存していても、後の分級工程で除去可能となる。こうして本発明によれば、コンタミネーションを防止できる高品質な展伸材用原料を、比較的低コストで提供可能となる。また、この破砕片を加圧成形した成形体を押出材ビレット等として用いれば、凝固偏析がなく合金元素が過飽和に固溶した均質的な展伸材用ビレット等を提供でき、高特性の展伸材を安定して提供可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）が０．１〜６．５であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体材料に適合した熱膨張率を有し、かつ高い熱伝導率を有するダイヤモンド含有複合金属を提供する。
【解決手段】金属とダイヤモンド微粒子とを含んでなり、前記ダイヤモンド微粒子が、爆射法で得られたナノダイヤモンドからなる粒子であることを特徴とするダイヤモンド含有複合金属。 （もっと読む）

【課題】湿式粉砕を用いた場合であっても、焼結前に磁石粒子の含有する炭素量を予め低減させることを可能とした永久磁石及び永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】粗粉砕された磁石粉末を、Ｍ−（ＯＲ）_ｘ（式中、Ｍは希土類元素であるＮｄ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｔｂの内、少なくとも一種を含む。Ｒは炭化水素からなる置換基であり、直鎖でも分枝でも良い。ｘは任意の整数である。）に該当する有機金属化合物とともに溶媒中でビーズミルにより粉砕し、磁石粒子表面に対して均一に有機金属化合物を付着させる。その後、圧粉成形した成形体を水素雰囲気において２００℃〜９００℃で数時間保持することにより水素中仮焼処理を行う。続いて、焼成を行うことによって永久磁石１を製造する。 （もっと読む）

【課題】必要量のコバルト酸化物が残存し、スパッタ時のパーティクル発生が少ない十分な焼結密度を有するスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｒが２０ｍｏｌ%以下、残余がＣｏである強磁性合金と非金属無機材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、前記非金属無機材料が占める体積率が４０ｖｏｌ％以下で、前記非金属無機材料が少なくともコバルト酸化物とホウ素酸化物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。金属粉末と少なくともコバルト酸化物とホウ素酸化物を含む非金属無機材料粉末を粉砕・混合して得られた混合粉末を保持温度は８００°Ｃ以下で加圧焼結装置により成型・焼結するスパッタリングターゲット用焼結体の製造法。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング時にパーティクルの発生を抑制して異常放電を防止可能であり、安定してＦｅＰｔ−Ｃ膜を得ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、ＦｅＰｔ合金相中にＣ相が分散している組織を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、アセチレンガスの熱分解により生成されたカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】伸びと０．２％耐力を共に満足することにより、強度および加工性に優れ、しかも表面近傍で更に高い強度を備え、曲げ応力および／またはねじり応力が主として作用する製品に用いて好適な高強度マグネシウム合金線材を提供する。
【解決手段】曲げ応力および／またはねじり応力が主として作用する部材に使用されるマグネシウム合金製の線材であって、線材は、その表層部が最高硬さで１７０ＨＶ以上の部分を有するとともに、内部が５５０ＭＰａ以上の０．２％耐力かつ５％以上の伸びを有する （もっと読む）

【課題】ターゲットに含まれる強磁性金属元素の含有量を減少させずに、マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させることができるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、前記強磁性金属元素を含む磁性相１２と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相１４、１６と、酸化物相１８とを有している。 （もっと読む）