【課題】 割れ難く機械加工ができる程度まで密度を向上させることができるＣｏ、Ｔａおよび希土類金属を含有する膜を形成するためのスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。
【解決手段】 希土類金属をＲとしてＲ：５〜１０原子％、Ｔａ：５〜１０原子％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなるターゲット組成となる割合で、ＣｏとＲとの合金粉末であるＲ−Ｃｏ合金粉と、Ｔａ粉と、の混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 組織のさらなる微細化が可能であると共にコンタミネーションが少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなるターゲットの製造方法であって、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔの各元素を単体として又はこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末にした原料粉末と非磁性酸化物の原料粉末との各原料粉末が混合された一次混合粉末を焼結させて一次焼結体を得る一次焼結工程と、一次焼結体を粉砕して一次焼結体粉末を得る粉砕工程と、前記各原料粉末が混合された二次混合粉末１と一次焼結体粉末２とを混合および粉砕後、焼結させる二次焼結工程と、を有し、二次混合粉末１の平均粒径が０．０５〜３０μｍであり、一次焼結体粉末２の最大粒径が２００μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】ＦｅＲＡＭやＤＲＡＭなどに使用されるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜などの成膜用のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ａｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。このようなＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、ターゲットのＣｕ含有量を１０ｐｐｍ以下およびＡｇ含有量を１ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】金属化合物を含有するセラミックパウダーからなる焼結材料の強度と硬度を、合せて向上する。
【解決手段】実質的に式ＭａＸｂを有する第１の金属化合物を含有するコア粒子に、(Ｍはチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ホウ素およびシリコンからなる群より選択される金属であり、一方Ｘは窒素、炭素、ホウ素および酸素からなる群より選択される１以上の元素を表し、文字ａおよびｂはゼロより大きく４を含む数。)、第１の金属化合物と異なる第２の金属化合物を中間層としてコートした粒子を形成し、(中間層の材料はコア粒子を構成する材料より高い相対破壊靭性を有している。）、このコートしたコア粒子(複合粒状材料)を、鉄、コバルトまたはニッケルで結合した焼結材料。 （もっと読む）

【課題】 高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｇａを２９〜４０％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる粉末冶金ターゲット材において、Ｘ線回折においてＣｕベースのｆｃｃ相の（１１１）面とＣｕ９Ｇａ４相の（３３０）面からのＸ線回折ピーク強度比が、０．０５≦Ｃｕ［Ｉ（１１１）］／Ｃｕ９Ｇａ４［Ｉ（３３０）］≦０．８０、かつＣｕＧａ２相の（１０２）とＣｕ９Ｇａ４相の（３３０）面からのＸ線回折ピーク強度比が、ＣｕＧａ２［Ｉ（１０２）］／Ｃｕ９Ｇａ４［Ｉ（３３０）］≦０．１０であり、さらに相対密度が９５％以上であることを特徴とした高強度Ｃｕ−Ｇａ系ターゲット材、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】坑壁からの面圧を低減、かつ振動発生を抑制することができるロックビットを提供する。
【解決手段】第１の発明は、ジャーナル部を有するビットボディと、ビットボディに対して回転可能なコーン部と、コーン部とジャーナル部の間の軸受部と、コーン部とジャーナル部の間に設けられ、軸受部を密封するためのシールとを備えるロックビットにおいて、コーン部は坑井の側壁と接触するゲージサーフェイスを有し、このゲージサーフェイスに、ダイヤモンド複合材料を設置、好ましくは広く滑らかに設置した。第２の発明においては、ビッドボディの外周部にリングビットが設けられている。また、トリコンビットのコーン部には坑井の側壁と接触するゲージチップおよびサーフェイスチップが設けられておらず、坑井の底部と接触する超硬チップのみが設けられている。 （もっと読む）

【課題】セラミックス回路基板と金属ベース板の放熱性が高く信頼性に優れた、安価なパワーモジュール構造体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス回路基板１の熱膨張係数をα（×１０^−６／Ｋ）、応力緩和板２の熱膨張係数をβ（×１０^−６／Ｋ）、金属ベース板３の熱膨張係数をγ（×１０^−６／Ｋ）とした時、（α＋γ）／２−４＜β＜（α＋γ）／２＋４を満たす熱膨張係数を有し、板厚が０．５〜３．０ｍｍで温度２５℃の熱伝導率が１００Ｗ／(ｍ・Ｋ)以上、３点曲げ強度が５０ＭＰａ以上の応力緩和板２の表面に金属層を形成した後、セラミックス回路基板１と金属ベース板３との間にはんだ付け又はロウ付けしてなるパワーモジュール構造体。 （もっと読む）

【課題】相対的に低い温度の熱処理によっても、比抵抗、抵抗温度特性、高温安定性、耐塩水性のいずれにも優れた薄膜抵抗器、およびその製造のための抵抗体材料および製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒ、ＡｌおよびＹから選択される１種以上の添加元素を１０〜６０質量％含有し、残部がＮｉと不可避不純物からなるＮｉ合金に、ＳｉＯ₂を主成分とし、Ｂ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｚｒおよびこれらの酸化物から選択される１種以上を０〜９０質量％含有するシリケート系ガラスが３〜２０質量％添加されている抵抗体材料を使用する。 （もっと読む）

残留圧縮応力状態にある第一の領域、および該第一の領域に隣接する残留引張応力状態にある第二の領域を備えるＰＣＤ構造体であって、第一および第二の領域がそれぞれ個別のＰＣＤグレードで形成され、ダイヤモンド粒の相互成長によって互いに直接的に結合されてなり、ＰＣＤグレードが少なくとも１，２００ＭＰａの抗折力（ＴＲＳ）を有する、ＰＣＤ構造体。残留圧縮応力状態にある第三の領域も、第二の領域が第一および第三の領域の間に配置されて、第一および第三の領域にダイヤモンド粒の相互成長によって結合されるように提供されてもよい。
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内燃機関用のスパークプラグは、プラチナ（Ｐｔ）ベースの合金の電極材料を用いた１つ以上の電極を有する。合金は、アルミニウム（Ａｌ）と、ニッケル（Ｎｉ）、レニウム（Ｒｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびタングステン（Ｗ）を含む群から選択される１つ以上の耐熱金属とを含む。開示された合金のうちの少なくともいくつかでは、アルミニウムは、電極材料の表面上への酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）層の形成に寄与する。
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【課題】種々の金属材料などからなるスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化などに伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。具体的には、スパッタ膜の膜厚分布や膜組成の均一化、各種機能材料として用いられる膜の諸特性の向上および均一化、ダスト発生数の低減などを図る。
【解決手段】Ｍｎを主成分とし、各部位の酸素量を全体の酸素量の平均値に対して±２７％以内の範囲にあるスパッタリングターゲット、またはＭｎを主成分とし、各部位の窒素量を全体の酸素量の平均値に対して±７５％以内の範囲にあるスパッタリングターゲットを製造する方法において、Ｍｎを主成分とする粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程と、前記溶解材に所定の処理および加工を施して所定の形状に成形する工程とを有する。 （もっと読む）

超硬合金基材に結合されたＰＣＤ構造を備える多結晶ダイヤモンド（ＰＣＤ）複合成形体要素であって、基材の少なくとも周辺領域が、少なくとも約０．１ミクロン、かつ、多くとも約０．７ミクロンの平均自由行程（ＭＦＰ）特性および少なくとも約１．９ＧＰａの弾性限界を有する超硬合金材料を備える、多結晶ダイヤモンド複合成形体要素。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などに用いられるＣｕ配線のバリア層の形成に好適なスパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】粗金属Ｔａをエレクトロンビーム溶解して高純度Ｔａインゴットを精製する工程と、得られた高純度Ｔａインゴットに対して鍛造、圧延による塑性加工を施す工程と、塑性加工を施した前記高純度Ｔａインゴットに熱処理を施す工程と、を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法、及びパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＰターゲットの利用効率を高めるため、厚くても漏れ磁束が大きいＣＣＰターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】 非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔの各元素を単体として又はこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末にした原料粉末と非磁性酸化物の原料粉末との各原料粉末が混合された一次混合粉末を焼結させて一次焼結体を得る一次焼結工程と、前記一次焼結体を粉砕して一次焼結体粉末を得る粉砕工程と、前記各原料粉末が混合された二次混合粉末と一次焼結体粉末とを混合後、焼結させる二次焼結工程と、を経て製造され、二次混合粉末の焼結体からなる組織中に、一次焼結体粉末の焼結体からなる組織が分散している。 （もっと読む）

【課題】残留磁束密度を低下させることなく、保磁力の向上を図ること。
【解決手段】以下の構成を備えた磁気異方性磁石素材及びその製造方法。（１）前記磁気異方性磁石素材は、Ｐｒ：１２．５〜１５．０原子％、Ｂ：４．５〜６．５原子％、及びＧａ：０．１〜０．７原子％を含み、残部がＴ及び不可避的不純物からなるＰｒ−Ｔ−Ｂ−Ｇａ系の成分組成を有する。但し、Ｔは、Ｆｅ又はＦｅの一部をＣｏで置換したものである。（２）前記磁気異方性磁石素材は、残留磁束密度（Ｂｒ）／飽和磁束密度（Ｊｓ）で規定される磁気配向度が０．９２以上である。（３）前記磁気異方性磁石素材は、結晶粒径が１μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 熱間塑性加工により結晶粒を特定の方向に配向させて磁気的に異方性を付与した永久磁石を製作する際に、残留磁束密度及び保磁力を効果的に向上させることができる低コストの永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の永久磁石の製造方法は、熱間塑性加工により製作された磁石Ｓを所定温度にて熱処理する熱処理工程と、前記磁石を処理室７０内に配置して所定温度に加熱すると共に、同一または他の処理室内に配置したジスプロシウム、テルビウムの少なくとも一方を含む蒸発材料ｖを蒸発させ、この蒸発したジスプロシウムやテルビウムの金属原子の磁石表面への供給量を調節してこの金属原子を付着させ、この付着した金属原子を焼結磁石の結晶粒界及び／または結晶粒界相に拡散させる蒸気処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ＺＴ値が「２」以上の熱電材料の製造を可能にする。
【解決手段】 高密度化高性能ナノ結晶バルク熱電材料の製造方法は、（１）ナノパウダーの生成ステップにおいて、原料として対応する元素材料を使用し、融解または機械的合金化法により融点温度T_mを有する熱電合金を生成し、不活性雰囲気あるいは真空下で合金をボール製粉して、５−３０ｎｍの平均粒径を有する合金パウダーを生成し、（２）高圧焼結ステップにおいて、不活性雰囲気あるいは真空下で製粉したパウダーをプレスしてプリホームを成形し、高圧金型にプリホームを入れ、０．８−６．０のＧＰａの圧力、０．２５−０．８T_mの温度で１０−１２０分間プリホームを焼結し、９０−１００％の相対密度および１０−５０ｎｍの平均粒径を有するナノ結晶バルク熱電材料を取得する。 （もっと読む）

複合材料を作製するためのプロセス及び熱電特性を有する複合材料。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド複合耐摩耗部材に圧力と熱の衝撃に対して強靭な特性を付与する事。
【解決手段】ダイヤモンド粒及びＷＣ粒からなる硬質粒子、と燐（Ｐ）を含有する鉄族金属の結合材と、分散して単独で存在する銅を含む材料の、燐の割合を調整して焼結適正温度を９００℃〜１０８０℃とする工程と、ホットプレス焼結または放電焼結をする工程を含む、複合耐摩耗部材の製造方法であり、ダイヤモンド粒とＷＣ粒からなる硬質粒子と、燐を含有する鉄族金属の結合材と、銅とを含む材料を備え、燐の重量％はＷＣ粒と結合材の合計重量に対し０．０１％〜１．０％である複合耐摩耗部材である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属支持板と冷却フィンの接合が高い機械的特性・放熱性が得られる配線基板冷却機構及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体チップや電子部品等の発熱体を搭載する配線基板と、前記配線基板を支持する金属支持板と、前記金属支持板に設けられ、前記発熱体が発生した熱を放熱する冷却フィンを有する冷却装置、ないし冷却ユニットを含む冷却機構が備わる配線基板冷却機構において、前記金属支持板と前記冷却フィンを接合する接合部位に介在する接合材料としての金属焼結体は１０〜１０００ｎｍの結晶粒からなる銀および／または銅を主体とし、かつ金属焼結体の内部粒界が酸化皮膜層を介さずに金属接合していることを特徴とする配線基板冷却機構および配線基板冷却機構の製造方法を提供する。 （もっと読む）