【課題】フェライト皮膜形成作業が終了するまでに要する時間を短縮できるプラント構成部材の表面へのフェライト皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】プラント構成部材であるＢＷＲプラントの再循環系配管に皮膜形成装置を接続する（ステップＳ１）。皮膜形成装置から、ｐＨ調整剤、鉄（II）イオンを含む薬剤及び酸化剤を含む皮膜形成水溶液を再循環系配管に供給する（ステップＳ４〜Ｓ６）。再循環系配管の皮膜形成水溶液と接触する内面にフェライト皮膜が形成される。皮膜形成装置の皮膜形成水溶液を供給する皮膜形成液配管内に配置された水晶振動子電極装置によって、フェライト皮膜の形成量を計測する（ステップＳ７）。計測されたフェライト皮膜量に基づいて得られたフェライト皮膜の厚みが設定厚みになったかを判定する（ステップＳ８）。皮膜の厚みが設定厚みになったとき、フェライト皮膜形成作業を終了する。 （もっと読む）

【課題】 アンチモンフリーの白色導電性粉末であって、導電性、及び導電性の経時安定性に優れた白色導電性粉末を提供する。
【解決手段】 表面に導電層を有する白色無機粉末基材と、導電層上に表面処理層を有する表面改質白色導電性粉末であって、表面処理層が有機シラン化合物を含むことを特徴とする、表面改質白色導電性粉末であり、好ましくは、有機シラン化合物が、アルキル基含有シラン化合物及びフッ素含有有機シラン化合物からなる群より選択される１種以上の化合物であり、かつ、表面処理層が、基材と導電層の総質量１００ｇに対して、６〜１８ｍｍｏｌである、表面改質白色導電性粉末である。 （もっと読む）

本発明は、感光性の金属含有組成物を基材に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を化学線源にて露光し、及び金属含有組成物を後処理することによって金属含有フィルムを形成する方法に係る。該方法は、また、感光性の金属含有組成物を、マスク又は型を通して化学線源にて露光し、組成物の非露光部分を現像することを含む。本発明の他の具体例は、前記の方法によって形成された金属含有フィルム、三次元の物体又は物品である。本発明は、直接パターン化された金属含有フィルム及び微小デバイスの製造に有用である。 （もっと読む）

ガラス基板を被覆する方法が記載される。被覆は、導電金属酸化物被覆であり、透明でもよい。導電薄膜で被覆されたガラス基板は、例えば、ディスプレイ装置、太陽電池用途および多くの他の急伸する産業および用途において使用できる。
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本発明は、ａ）ＳＡＴＰ条件で固体の少なくとも１つのＺｎＯクバン、及びＳＡＴＰ条件で液体の少なくとも１つのＺｎＯクバンという、少なくとも２つの異なるＺｎＯクバンと、ｂ）少なくとも１つの溶剤とを含む調製物、この調製物からＺｎＯ半導体層を製造する方法、並びに電子部材自体に関する。
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本発明は、チタン又はその他のバルブ金属基体に適用（塗布）される、スズ、ルテニウム、イリジウム、パラジウム及びニオブの酸化物を含有する触媒層を含む電極配合物に関する。タンタル、ニオブ又はビスマスのような他の元素の酸化物で改質された酸化チタンをベースにした保護層を前記基体と前記触媒層との間に間置してもよい。このようにして得られた電極は、塩素製造のための電解セルにおけるアノードとして使用するのに適切である。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン系腐食ガスおよびハロゲン系ガスプラズマでの使用により発生するパーティクルを低減する耐食性部材を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置内、フラットパネルディスプレイ製造装置内または太陽電池製造装置内の様なハロゲン系腐食ガスまたはハロゲン系ガスプラズマ等に曝される面が、ゾルゲル法によって形成された酸化ガドリニウムゾルゲル膜と、酸化ガドリニウムゾルゲル膜上に溶射法によって形成された溶射皮膜で形成された耐食性部材とする。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食ガスおよびハロゲン系ガスプラズマでの使用により発生するパーティクルを低減する耐食性部材を提供すること
【解決手段】半導体製造装置内、フラットパネルディスプレイ製造装置内または太陽電池製造装置内の様なハロゲン系腐食ガスまたはハロゲン系ガスプラズマ等に曝される面が、溶射法によって形成された溶射皮膜と、溶射皮膜上にゾルゲル法によって形成された酸化ガドリニウムゾルゲル膜で形成された耐食性部材とする。 （もっと読む）

【課題】種々の部材の高性能化に寄与できる積層体を提供する。
【解決手段】ニッケル源である硝酸ニッケルを含有し、かつ、溶媒としてニッケル酸化物の単結晶２を形成可能な単結晶形成可能溶媒である水、メタノール、エタノールまたはアセトンとジケトン類またはケトエステル類とを含有するニッケル酸化物膜３形成用溶液を、ニッケル酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材１に接触させることにより、前記基材上にニッケル酸化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができる積層体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した多孔質基材に噴射することにより、上記多孔質基材上に金属酸化物膜を形成する積層体の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、上記多孔質基材側に向け、かつ、上記多孔質基材表面の法線方向に対して傾けることを特徴とする積層体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 特に、酒石酸ナトリウムカリウムの濃度を調整して、表面側に数ｎｍの酸化防止膜を形成することが可能なＮｉＦｅＰ系無電解メッキ膜及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 本実施形態のＮｉＦｅＰ系無電解メッキ膜１には、表面１ａ側に、ＣＯＯＨ、ＦｅＯ₂、ＦｅＯ及びＮｉＯを含む数ｎｍの膜厚の酸化防止膜２が形成されている。これにより、メッキ膜中の酸化を抑制でき、磁気特性の経時変化を小さくでき、安定した磁気特性を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】汚れが付き難い、目立ち難い、及び、拭き取り易いという３つの要求のバランスが取れた表面を与える表面処理剤を提供することを目的とする。
【解決手段】下記式（１）で示されるパーフルオロポリエーテル残基含有ポリオルガノシロキサン及びそれを含む表面処理剤である。



［式（１）中、Ｒｆは２価のパーフルオロポリエーテル残基、ＱはＲｆ基とＺとを連結する２価の基、Ｚはシロキサン結合を３個以上有する３〜１１価のポリオルガノシロキサン残基、Ｒは炭素数８〜４０の１価の有機基、ｎは１〜８の整数、Ａは下記式（２）に示した基であり、ｋは１〜９の整数、但し、ｎ＋ｋ＝（Ｚの価数−１）である。



（式（２）中、Ｒ’は炭素数１〜４のアルキル基、又はフェニル基、Ｘは加水分解性基であり、ａは２又は３、ｂは２〜１０の整数である。）］ （もっと読む）

【課題】タービンケーシング内の広い接液面に対し、比較的簡便で安価な手法により薄膜コーティングを施して耐食性を向上させるタービンケーシングの耐食コーティング処理方法を提供する。
【解決手段】タービンケーシングの耐食コーティング処理方法は、タービンケーシングの内表面に金属を分散させた溶液を塗布する塗布工程Ｓ２と、この塗布した金属を乾燥し加熱安定化させてタービンケーシングの内表面にセラミックスの薄膜を形成する焼付け工程Ｓ３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無機酸化物膜中に金属微粒子が層状に配列された新規な配列膜を、簡便な方法により製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反射基板上に、無機酸化物ゾル−ゲル成分と金属成分とを含有する薄膜を製膜する工程（Ａ）と、前記反射基板上の薄膜に、特定の波長の光を照射する工程（Ｂ）とを含むことを特徴とする、配列した金属微粒子を含有する無機酸化物膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ等の金属層の酸化が生じ難く、かつ、結晶性がよく、かつ、クラックの発生し難いＢａ及びＴｉ含有酸化物層の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｂ，２０Ｃを金属層１４上に形成するアモルファス層形成工程と、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｃを結晶化する結晶化工程と、を備える。アモルファス層形成工程では、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物の前駆体層を形成すること、及び、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物の前駆体層に１パルスあたり１〜１００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線パルスレーザ光を照射することの組合わせを１回行う又は複数回繰り返し行うことにより厚みが３００〜６６０ｎｍのＢａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｂ，２０Ｃを形成する。また、結晶化工程では、酸化物のアモルファス層２０Ｃに１パルスあたり６０〜４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線パルスレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を用いることにより、表面抵抗等のばらつきが少ない薄膜形成が可能な金属酸化物薄膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】基材上に、金属酸化物薄膜を形成する金属酸化物の製膜方法において、基材に対して、金属塩を含有する液状物を塗布して金属塩を含有する塗膜を形成する工程と、
塗膜に対してプラズマ処理を行う工程と、を含み、より好ましくは、金属塩を含有する液状物として、亜鉛及びインジウムから選ばれる少なくとも１つを含有する液状物を用いる金属酸化物薄膜の製膜方法である。 （もっと読む）

本発明は、半導体デバイスの製造プロセス中のパターン化もしくは構造化されたＳｉＯ₂層またはＳｉＯ₂ラインの生成に有用であり、インクジェット処理での塗布に適した組成物に関する。また、本発明は、これらの新たな組成物を利用する、半導体デバイス製造の改良プロセスに関する。 （もっと読む）

【課題】鋼構造物の腐食を防ぐ電着被膜を外部電源を用いずに海水中で形成できるようにする。
【解決手段】鋼管杭２の海水中に没している部分に、電着被膜形成用陽極１２を取り付ける。電着被膜形成用陽極１２は、マグネシウムを主成分とする金属塊１４と、鋼管杭２に電気的に接続される芯材１３とで構成されている。
マグネシウムと鉄との電位差が大きいので、実海域３では海水を電解液として電着被膜形成用陽極１２の金属塊１４から鋼管杭２に向けて大量の電子ｅが放出され、電子と酸素の還元反応、並びに水の電気分解反応が起きて水酸イオンが生成される。そして、水酸イオンと海水中に含まれているカルシウムイオン、マグネシウムイオン、炭酸水素イオンにより炭酸カルシウム及び水酸化マグネシウムからなる電着被膜が、鋼管杭２の実海域３に浸かっている部位に形成させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶性の低い金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、金属酸化物膜の結晶性を低下させるホウ素化合物を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属酸化物膜の結晶状態を容易に調製可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、金属酸化物膜の結晶状態を変化させる酸を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）