チタニアまたは金属チタンターゲットの超高速パルスレーザーアブレーションを使用して結晶二酸化チタン（ＴｉＯ_２）のような酸化金属のナノ粒子またはナノコンポジット（ナノ粒子集合）膜を基板表面に堆積させるワンステップ室温プロセスである。システムには、数フェムト秒から数十ピコ秒の範囲のパルス幅を備えるパルスレーザと、レーザービームを、所定の平均エネルギー密度および所定のエネルギー密度分布でビームがターゲット表面上に焦点を結ぶように処理する光学構成と、ターゲットおよび基板が設置されてバックグラウンドガスおよびその圧力が適切に調整される真空チャンバとが含まれる。
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【課題】基板を保持する保持具における付着物の剥離を十分に抑制することができる積層膜形成システム、そのような積層膜形成システムで使用されるスパッタ装置、および、上記の積層膜形成システムで実行される積層膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板上にスパッタ法によって磁性膜を形成するスパッタ装置と、この磁性膜の表面にカーボン保護膜を形成するＣＶＤ装置とを有し、基板上に磁性膜とカーボン保護膜とからなる積層膜を形成する積層膜形成システムにおいて、スパッタ装置が、磁性膜の形成に際して基板保持具２２０と磁性物質ターゲット２３０との間に位置し、基板保持具２２０において基板Ｐを囲む枠２２１のうち、この基板保持具２２０が立てられるときに基板Ｐの上に位置する部分を除いた部分に限って、磁性物質ターゲット２３０からの磁性物質を遮るシールド２４０を備えた。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置の大型化を回避することができ、かつ、蒸着量の調節が容易な坩堝、蒸着装置及び有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】１つの坩堝５に異なる蒸発材料を収容可能な複数の収容部５ｄ、５ｅが設けられているので、複数種類の蒸着材料を用いる場合であっても坩堝５を２つ以上設ける必要は無い。このため、２つ以上の坩堝を収容する大型の容器は必要なくなる。また、開口部分７又は開口部分８の少なくとも一部を遮蔽可能であると共に、遮蔽する面積を調節可能なシャッタ部材９が当該開口部分７、８に設けられていることとしたので、複数種類の蒸着材料のそれぞれについて蒸発量の調節が容易になる。これにより、蒸着装置の大型化を回避することができ、かつ、蒸着量の調節が容易な坩堝を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによる成膜と、蒸発源を用いる成膜とを、成膜空間を大気圧に開放することなく、連続して行うことのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】蒸発材料８ａが充填される坩堝８ｂの開口には、開閉可能な遮蔽部材８ｃが配置され、遮蔽部材８ｃは、プラズマ源２の陽極を兼用する。これにより、プラズマＣＶＤ工程では、陽極を兼用する遮蔽部材８ｃによって蒸発材料８ａを遮蔽することができるため、蒸発材料８ａに膜が付着しない。また、遮蔽部材８ｃを陽極とすることにより、遮蔽部材８ｃがプラズマの放電に影響を与えない。また、遮蔽部材８ｃを開放し、蒸発材料８ａを蒸発させて蒸着工程を行うことができる。遮蔽部材８ｃがプラズマ５ａで加熱されるため、遮蔽部材８ｃの内側に付着する蒸発物を蒸発させて除去することも可能である。 （もっと読む）

【課題】基材との密着性を確保すると共に、非晶質炭素皮膜との密着性も確保できる、中間層の役割を果たすことができる、皮膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】金属ターゲットの金属をアーク放電によりイオン化させると共に、基材にバイアス電圧を印加することにより、前記基材の表面に前記イオン化した金属を付着させて、前記金属からなる皮膜を成膜する工程を少なくとも含む皮膜を成膜する方法であって、該金属皮膜の成膜工程において、前記成膜開始時の前記バイアス電圧の大きさを少なくとも５００Ｖ以上とし、前記成膜終了時の前記バイアス電圧の大きさを少なくとも１００Ｖ以下とし、前記成膜開始時から前記成膜終了時まで、前記バイアス電圧の大きさを傾斜的に減少させながら前記金属皮膜の成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】触媒窒素ドープ酸化チタン薄膜を低温プロセスで高速かつ安価に成膜する。
【解決手段】金属Ｔｉターゲット１５をバッキングプレート１４にセットする。装置内のガスを排気した後、導入口１１からアルゴンガスを導入すると共に、導入口１８から反応性ガスを導入する。電源１２をＯＮとする。ターゲット１５間に発生したプラズマによってターゲット１５がスパッタリングされ、はじき飛ばされたスパッタ粒子は、アルゴンの強制流によって基板１６まで輸送され、反応性ガスと反応すると共に基板１６表面に堆積する。ガスフロースパッタリングでは、成膜時の圧力が高く、かつ、ターゲット表面側から基板側に不活性なキャリヤガスの強制流が流れている。従って、酸素ガスによってターゲット表面が酸化さることが防止され、メタル状態に維持されたターゲット表面をスパッタリングすることになり、高速成膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる機能層の形成時における損傷を軽減しつつ生産性を向上し得る電子素子材料の中間体を提供する。
【解決手段】スパッタリングによって基板１００の表面１００ａに所定の機能層が形成されて構成される電子素子材料の製造に用いられる電子素子材料の中間体であって、スパッタリングの実行時に発生する異常放電を誘導する導電性の放電誘導膜１０２ａが機能層の形成以前における基板１００の外周縁部の所定部位に形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板に対する均一な薄膜の形成と蒸着材料の利用効率の向上とを容易に図ることができる蒸着技術を提供する。
【解決手段】蒸着用坩堝１０であって、底部１１と、側壁部１２３と、該底部１１および該側壁部１２３の内面によって囲まれ且つ所定軸に沿って形成された孔部Ｃｖとを備え、孔部Ｃｖが、底部１１とは反対側に位置する開口部ＯＰと、該孔部Ｃｖの所定軸（例えば軸Ｐ）に対して垂直な面における断面積が底部１１側から開口部ＯＰ側にかけて略一定である第１の領域（例えば下部孔領域１２ａ）と、該孔部Ｃｖの所定軸（例えば軸Ｐ）に対して垂直な面における断面積が底部１１側から開口部ＯＰ側に近づくにつれて増大する第２の領域（例えば上部孔領域１３ａ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置の大型化を回避することができ、かつ、蒸着量の調節が容易な坩堝、蒸着装置及び有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】１つの坩堝５に蒸発材料を収容可能な複数の収容部５ｄ、５ｅが設けられているので、複数種類の蒸着材料を用いる場合であっても坩堝５を２つ以上設ける必要は無い。このため、２つ以上の坩堝を収容する大型の容器は必要なくなる。また、収容部５ｄ及び収容部５ｅの平面視での開口面積が互いに異なっていることとしたので、複数種類の蒸発材料のそれぞれについて蒸発量の調節が容易になる。これにより、蒸着装置の大型化を回避することができ、かつ、蒸着量の調節が容易な坩堝を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】個々の処理対象物に適した張力を付与することができるとともに、複数の処理対象物に適用した場合の作業が容易である引張機構部及び処理装置を提供する。
【解決手段】部材保持装置２は、処理対象物としての細長材２０の一端を把持する固定部１１と、細長材２０の他端を把持し、基端部側が一体に構成されるとともに先端部側が分割されて夫々独立して変位可能な複数の変位部３４ａを構成する変形部材３１と、複数の変位部３４ａに夫々設けられ、一端が固定された前記処理対象物の他端を把持可能な複数のつかみ部３２と、を備える引張機構部３０と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直気化の場合にも、安定して材料が気化するるつぼを提供する。
【解決手段】気化るつぼ１００は、電気伝導性本体１２０およびカバー１５０を含み、上記本体は、上記本体に加熱電流を付加するための第１電気接続部１６２と第２電気接続部１６４を有し、上記本体は、溶解／気化範囲を提供するチャンバを含み、上記チャンバはチャンバ底部とチャンバ壁を含み、上記カバーは上記チャンバと共に囲いを形成し、上記気化るつぼはさらに、材料を供給するための供給開口と、上記囲いの蒸気出口を提供するディストリビュータオリフィス１７０とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対して複数の蒸着エリアで順次、蒸着を行うインライン式蒸着装置、および成膜方法において、特定の蒸着エリアで成膜される薄膜の膜厚のみを容易かつ確実に調整することのできる構成を提供すること。
【解決手段】インライン式蒸着装置１００において成膜を行なった際、各蒸着エリア５１〜５３で被処理基板２０に形成される薄膜の膜厚バランスがずれている場合、被処理基板２０の搬送速度、および坩堝４５での蒸着材料の加熱温度は変更せずに、蒸気流供給量制御用シャッタ１１、１２、１３のスリット状開口部１４の幅寸法を調整する。 （もっと読む）

【課題】長穴形状のマスク開口部を複数、梁部を間に挟んで並列させた場合でも、梁部の側面同士の貼り付きを防止することのできる成膜用マスク部材および該成膜用マスク部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】成膜用マスク部材１０は、ベース基板をなす矩形の支持基板３０に、チップ２０を複数、取り付けた構成を有しており、チップ２０には、成膜パターンに対応する長孔形状のマスク開口部２２が複数一定間隔で平行に並列した状態で形成されている。チップ２０において、マスク開口部２２で挟まれた梁部２７の側面２７ａには、微小な凸部２８が形成されている。このため、チップ２０の製造工程などにおいて洗浄、乾燥を行なった場合でも、梁部２７の側面２７ａ同士が貼り付いて剥がれなくなるという事態を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶に対して任意のプレチルトを与え、かつ安定したアンカリング力を与えることにより高い表示品位を実現することが可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器を提供する。
【解決手段】第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板との間に液晶が挟持されてなる液晶装置において、電極９ａ上に形成されてなり、所定の方向に延在し、かつ所定の間隔で配列された複数の溝部３１を有する下地膜３０と、該下地膜３０上に形成され、前記溝部３１の延在方向に沿って所定の角度θ０だけ傾斜して凸設される複数の柱状構造物により構成された斜方蒸着膜４０とによって構成される配向膜１６を具備する構成とした。 （もっと読む）

モジュラクラスタツールが開示される。一実施形態に従って、システムはウエハ移送ステーションを備え、該ウエハ移送ステーションは、複数の半導体ウエハを格納する第１の真空チャンバを含む。システムはまた、機器フロントエンドモジュールインターフェース、および２つ以上のシャトルロックインターフェースを含む。４つのリニアウエハドライブ１１１ａ〜１１１ｄおよびＥＦＥＭ１１５は、スロット弁１２２ａ〜１２２ｅを介して、ウエハ移送ステーション１０１に接続される。各リニアウエハドライブ１１１ａ〜１１１ｄはまた、スロット弁１２３を介して、プロセッシングモジュール１１２に接続される。
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【課題】被処理基板以外に堆積する蒸着材料を減らすとともに、被処理基板以外に堆積した蒸着材料を容易に回収、再利用することのできる蒸着装置および蒸着方法を提供すること。
【解決手段】真空蒸着装置１００では、蒸着源１２における蒸気出口１２ａの開口方向の周りを囲む遮断壁１７１、およびこの遮断壁１７１において蒸気出口１２ａと対向する位置で開口する貫通穴からなる蒸気流放出口１７０を備えた蒸着材料回収具１７を蒸気出口１２ａを覆うように配置した状態で蒸着を行う。遮断壁１７１の内面は凹球面になっており、その天頂部に蒸気流放出口１７０が形成されている。真空蒸着後、蒸着材料回収具１７を蒸着室１１から外部に取り出して、遮断壁１７１に堆積している蒸着材料を回収し、再利用する。 （もっと読む）

【課題】セルシャッタに蒸着材料が分厚く堆積することを防止することにより、セルシャッタからの蒸着材料の剥離を防止することのできる蒸着装置を提供すること。
【解決手段】真空蒸着装置１００は、蒸着材料の蒸気流を放出する開口部１２ａを備えた蒸着源１２と、開口部１２ａを上方で覆って蒸気流の被処理基板２０への供給を停止する遮断面１５４を備えたセルシャッタ１５と、セルシャッタ１５が開口部１２ａを開閉するようにセルシャッタ１５を駆動するセルシャッタ駆動装置とを有している。シャッタ板１５３は、下方に向けて開口する半球状に形成され、遮断面１５４は、被処理基板２０側に向けて凹む凹球面になっている。従って、同一体積の蒸着材料が堆積した場合でも、遮断面１５４への蒸着材料の堆積層１７の厚さが薄く、堆積層１７が剥離しにくい。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどの絶縁基板やその他半導体、金属などの基板上にＳｉ結晶半導体薄膜をＳｉの融点以下の温度で形成する方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＺｎ−Ｓｉ二元合金系を出発材料とし、その液体もしくは過冷却液体の状態から熱平衡状態でのＳｉの析出、残存Ｚｎの冷却固化、そしてエッチング等による該Ｚｎの除去を経て基板に支持されたＳｉ薄膜４−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、可視域の透過率が高く、導電性や近赤外域の遮断性が良好であり、耐湿性や耐薬品性にも優れた、酸化物膜と金属膜とから構成される透明導電膜を提供することを課題とする。
【解決手段】透明導電膜が、主としてガリウムおよびインジウムおよび酸素からなる非晶質酸化物膜（ａ−ＧＩＯ膜）と、銀若しくは銀を主成分とする合金からなる金属膜（Ｍｅ膜）で構成され、金属膜を非晶質酸化物膜にて挟持する３層構造を有している。そして、この透明導電膜を含む多層膜を透明基板上に設けて透明導電性基板、透明導電性フィルムや近赤外遮断フィルターを作製する。 （もっと読む）

【課題】ワーク自公転方式の優れた特徴を活かし、高均一膜と高生産性を同時に達成することが可能な薄膜処理装置を提供すること。
【解決手段】ワークを自公転させる歯車機構を１つの搬送できるモジュールとすることにより、モジュールをロードロック室からスパッタ室へ搬送する機構及び、スパッタ室にてモジュール内の固定ステージを固定する外串と、回転ステージに回転駆動を伝達する回転部を設置することにより、ワークを高速自公転することを特徴とする。 （もっと読む）