【課題】ターゲットを小さくすることができ、装置重量やスパッタ電力などの増加を抑制する方法および装置を提供する。
【解決手段】平行平板型スパッタ装置において、ターゲット１１と平行に保持された基板１２を、ターゲット１１の取付面に平行な軸を中心に所定の角度だけ回転させながら、基板１２への成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】 導電性と可視光透過性とを両立させる導電性と可視光透過性とを両立させる金属薄膜の製造方法とその金属薄膜を用いた素子、および、導電性と可視光透過性とを両立させる金属薄膜の層を含む２以上の層からなる積層体の製造方法とその金属薄膜を用いた有機EL素子を提供する。
【解決手段】
基板の表面をプラズマ処理によって清浄化し、その後スパッタリングにより金属薄膜を成膜した。プラズマ処理時間が２分の場合（Dc１）、表面抵抗率が急激に増大する臨界膜厚Dcは非常に大きくなったが、プラズマ処理時間を５分とすると（Dc２）、膜厚極限まで薄くすることができた。さらにプラズマ処理時間を１０分とすると（Dc３）、表面粗さが増大し、Dcは大きくなった。 （もっと読む）

【課題】優れた防曇性を有し、かつ、強度も高い防曇膜の形成方法を提供する。
【解決手段】無機酸化物を主成分とする防曇膜を気相成膜法によって形成するに際し、防曇膜を形成する基板１２の法線と、防曇膜の材料粒子が前記基板に入射する入射方向とが成す角度を２０〜８５°として、防曇膜の形成を行う。さらに基板と材料源との距離を１００〜２０００ｍｍとし、成膜圧力を５ｘ１０-4〜５ｘ１０1Ｐａとし、基板温度を６００℃以下に制御する。 （もっと読む）

【課題】 反応性スパッタリングにより所定の薄膜を形成する際に、処理基板全面に亘って膜厚分布や比抵抗値などの膜質を略均一にできるようにする。
【解決手段】 真空チャンバ１１内のスパッタ室に、所定の間隔を置いて並設した複数枚のターゲット３１ａ乃至３１ｄと、各ターゲットへの電力投入を可能とするスパッタ電源Ｅ１、Ｅ２と、スパッタ室へのスパッタガス及び反応ガスの導入を可能とするガス導入手段６ａ、６ｂとを設ける。反応ガスを導入するガス導入手段６ｂは、各ターゲットの並設方向に延びる少なくとも１本のガス管６１ｂを有し、このガス管は、並設した各ターゲットの背面側で各ターゲットから離間させて配置されると共に、ターゲットに向かって反応ガスを噴射する噴射口６１０を有する。 （もっと読む）

【課題】可逆的非１８０°ドメイン回転による圧電歪が得られ、高い圧電性能を有する圧電体膜を備えた圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電素子１において、圧電体膜１４は、電界印加方向と、自発分極軸と［０１０］軸とのなす面の法線とのなす角θｍが、−４５°＜θｍ＜＋４５°かつθｍ≠０°を充足する強誘電体相（Ｉ）、自発分極軸が電界印加方向に対して垂直であり、かつ、電界印加方向と、自発分極軸と［０１０］軸とのなす面の法線とのなす角θｍが、−４５°＜θｍ＜＋４５°かつθｍ≠０°を充足する強誘電体相（ＩＩ）、［０１０］軸が電界印加方向に対して垂直であり、かつ、電界印加方向と、自発分極軸と［０１０］軸とのなす面の法線とのなす角θｍが、−４５°＜θｍ＜＋４５°かつθｍ≠０°を充足する強誘電体相（ＩＩＩ）のうち、いずれかの強誘電体相を含むものである。 （もっと読む）

【課題】磁界形成手段を最適場所に配置し、液滴を混入させずに成膜する。
【解決手段】本発明の真空蒸着装置１は、磁界形成手段４０と、第一、第二の同軸型真空アーク蒸着源１１、１２とを有している。磁界形成手段４０は、Ｎ極平面４３とＳ極平面４４の間に、第一、第二の同軸型真空アーク蒸着源１１、１２の放出口３６が位置するように、第一、第二の同軸型真空アーク蒸着源１１、１２に近づけられているので、真空槽１０内部の他の部材と設置場所が競合せず、成膜に最適な磁界が形成されるように設置することができる。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の利用効率をたかめ、有機化合物を含む層を有する発光装置の製造コストを低減するとともに、発光装置の製造に要する製造時間を短縮させることを課題とする。
【解決手段】成膜室内を減圧下とし、導電表面基板への通電によって、導電表面基板を急速に加熱し、導電表面基板上の材料層を短時間に蒸発させ、被成膜基板に蒸着し、被成膜基板上に材料層を成膜する。なお、急速に加熱する導電表面基板の加熱面積は、被成膜基板と同等のサイズとし、１回の加熱で１枚の被成膜基板への成膜を終了させる。 （もっと読む）

30乃至40原子%の金属、2乃至10原子%の窒素、35乃至50原子%の酸素、並びに燐（P）、ホウ素（B）、ケイ素（Si）、ゲルマニウム（Ge）、ガリウム（Ga）、硫黄（S）、及びアルミニウム（Al）を含む群より選択される少なくとも1つの元素によって構成される、100％までの残部を含む、陰極スパッタリングターゲット。このターゲットからの薄膜の製造方法、並びにこの薄膜を含む電気化学的装置。 （もっと読む）

【課題】基板に成長した薄膜と反り防止部材上に成長した薄膜とがつながっても、両者の間に電流が流れることのない成膜装置を実現する。
【解決手段】真空中でガラス基板１上に成膜材料を堆積させて薄膜を形成する成膜装置であって、ガラス基板１を保持する基板ホルダ３と、基板ホルダ３に保持されたガラス基板１の周縁に、１０ｍｍ未満の間隔で対向する枠状の反り防止部材４とを有する。反り防止部材４は電気的にフローティング状態にある。 （もっと読む）

【課題】ハード磁気ディスクに潤滑剤蒸気を塗布する方法および装置を提供する。
【解決手段】潤滑剤コーティングを、潤滑剤蒸気の状態で、ディスク１８と蒸気になるよう加熱される液体のためのリザーバ２４との間の潤滑剤蒸気の流路内に配置するディスク１８に塗布する。この流路は、リザーバ２４と、開孔を有するディフューザ３０との間における蒸気チャンバ２６と、流路を選択的にかつ同時に開放および遮蔽するシャッタ２８とを備える。シャッタ２８を閉じている間に、潤滑剤蒸気は蒸気チャンバ２６内に閉じ込める。シャッタ２８が開いている間に、潤滑剤蒸気は流路を経てリザーバ２４からホルダ１６に流れる。流路内のディスク１８への塗布における長期間にわたるアイドル期間中、シャッタ２８を閉じ蒸発熱を液体潤滑剤に加え、それにより蒸気チャンバ２６内の圧力がリザーバ２４内の液体の量をほぼ一定を維持するようにする。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＰ基板上のＧａＩｎＮＡｓＳｂの表面平滑性が良好で、結晶欠陥密度の低い半導体積層構造の半導体ウエハ、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１をＭＢＥ装置の基板取付部に取り付ける工程と、ＩｎＰ基板上に該ＩｎＰ基板との格子定数差が−０．５％以上＋０．５％以下の範囲のＧａ_１−ｘＩｎ_ｘＮ_ｙＳｂ_zＡｓ_１−ｙ（０．４≦ｘ≦０．８、０＜ｙ≦０．２、０≦ｚ≦０．１）を、パイロメータで測定の基板表面温度４９０℃超え５３０℃以下の状態で膜厚０．５μｍ以上に成長させる工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】増大して安定した熱吸収係数を具備する炭素に基づく材料を用いたアブソーバ層およびそのようなアブソーバ層を生成するための経済的な方法を提供する。
【解決手段】一実施形態は、基板３００の上面にアブソーバ層３１２を堆積し、基板は第１の温度の下で維持されるステップと、加熱処理チャンバにおいて基板をアニーリングし、基板は第２の温度まで加熱され、第２の温度は第１の温度より高いステップと、基板からアブソーバ層を除去するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】 大気側と成膜チャンバーとの間の搬送の際に一時的に基板が配置されるチャンバーにおいてもトレイを使用することで、形状や大きさの異なる基板についても同じ装置で容易に成膜処理できるようにする。
【解決手段】 成膜チャンバー４とロードロックチャンバー６との間には、未成膜基板用移載機構２４及び成膜済み基板移載機構２５を備えた補助チャンバー７２が設けられている。補助チャンバー７１〜７３及び成膜チャンバー４は、常時真空に維持される。未成膜の基板９は、ロードロック用トレイ１１に載せられてロードロックチャンバー６から補助チャンバー７２に搬送され、ロードロック用トレイ１１から成膜用トレイ１２に移載される。成膜済みの基板９は、成膜用トレイ１２に載せられて成膜チャンバー４から補助チャンバー７２に搬送され、成膜用トレイ１２からロードロック用トレイ１１に移載される。 （もっと読む）

【課題】 深さ方向の元素組成が均一であり優れた圧電特性を有するニオブ酸カリウムナトリウム薄膜を用いた圧電薄膜素子及び圧電薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に少なくとも下部電極、一般式（Ｋ_ｘＮａ_１−ｘ）ＮｂＯ_３（０＜ｘ＜１）で表されるペロブスカイト構造を有し、膜厚が０．２μｍ以上かつ１０μｍ以下である圧電薄膜、及び上部電極を配した構造を有する圧電薄膜素子であって、前記圧電薄膜の上部電極側から下部電極側の深さ方向組成プロファイルにおけるにおけるＮａの組成比１−ｘ＝Ｎａ／（Ｋ＋Ｎａ）の最大値と最小値の差が０．０５以下という関係を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成膜する前に、成膜装置の真空容器内の汚損状態を把握する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】
成膜装置の真空容器内の汚損物質を検知する方法は、真空容器内に、検知用基材を配置する工程（ステップＳ１００）と、真空容器内を所定の真空状態にする工程（ステップＳ１２０、Ｓ１６０）と、真空容器内を所定の真空状態に維持して、検知用基材を、所定の時間前記真空容器内に放置する工程（ステップＳ１８０）と、ステップＳ１８０の後の検知用基材の表面に付着している物質を分析する工程（ステップＳ２２０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 磁気ヘッドと記録層との距離であるスペーシングの減少に伴う製造プロセス上の諸課題を解決する。
【解決手段】 磁性膜作成チャンバー１４で磁性膜が作成された基板９は、大気に晒されることなく潤滑層形成チャンバー２５に搬送される。磁性膜作成チャンバー１４から潤滑層形成チャンバー２５に搬送される間、基板９は、保護膜作成チャンバー１５で保護膜が作成され、第一クリーニングチャンバー２２でプラズマアッシングによりクリーニングされ、第二クリーニングチャンバー２３でガスブローによりクリーニングされ、バーニッシュチャンバー２４で真空中でバーニッシュされる。潤滑層形成後に基板９は後処理チャンバー２６に搬送され、潤滑層の付着性及び潤滑性を調節する後処理が真空中で行われる。 （もっと読む）

【課題】 形成する膜の物性を容易に制御でき、また、生産性良く膜の形成が可能な制御性の良い成膜装置を提供する。
【解決手段】 膜を形成すべき基板５をアノード電極３に載置し、反応室１中に原料ガスを供給し、前記アノード電極３と、該アノード電極３に対向して配置してあるカソード電極４との間に高周波電圧を印加して原料ガスのプラズマを発生させ、制御部９を用いて駆動部８を制御することによって、成膜中にカソード電極４をアノード電極３に接近又は離隔させる。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】装置コストが低く、形成される薄膜の結晶性が高くなるようなエピタキシャル薄膜の形成方法、半導体基板の製造方法、半導体素子、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】ターゲットをパルス電圧によって間欠的にスパッタし、基板上に金属原子を間欠的に供給することにより、安定した格子位置の金属窒化物を基板上に成長させることができる。これにより、結晶性の極めて良好な半導体薄膜を形成することができる。加えて、本実施形態の一連の製造工程はスパッタ装置によって行うことが可能であるため、装置コストを低く抑えることができる。 （もっと読む）