【課題】放射線像変換パネルとして輝度、鮮鋭性に優れた放射線像変換パネルの製造方法を提供すること。
【解決手段】蛍光体原料を含む蒸着源を加熱し、発生する物質を基板上に蒸着させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、該蛍光体原料の安息角が２０°以上９０°以下であることを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好なＤＬＣ膜を形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部において発生したマクロパーティクルには、ドロップレットとよばれる液状の飛沫の他に固体状のものも含まれている。固体状のマクロパーティクルは湾曲部の内面に衝突しても、そこに付着しにくく、反射されて基板１１に向かってくる。ところが、湾曲部とチャンバ６との間に、表面に多孔質膜が設けられたフィルタ板５が設置されているので、基板１１に向かってきた固体状のマクロパーティクルは、多孔質膜の空隙に入り込み、その内部で衝突を繰り返す。この結果、固体状のマクロパーティクルの多くは運動エネルギを消失し、多孔質膜に捕獲され、基板１１まで到達することができない。 （もっと読む）

【課題】粒径の揃った微粒子膜を形成することができる微粒子膜の製造方法を提供する。
【解決手段】同軸型真空アーク蒸着源１３を用いたナノサイズの粒径の微粒子膜を形成するに際して、アノード電極２１とカソード電極２２（蒸着材料２２Ａ）の間の放電電圧を５０Ｖ以上１００Ｖ未満に設定する。このように放電電圧を制限し、放電時に発生する電磁力の大きさを制限することで、アノード電極２１の開口２１Ａから放出される荷電粒子中に一定以上の粒径の巨大粒子の混在が回避され、一定以下の微細な荷電粒子のみが放出される。このため、アノード電極２１の開口と対向する位置に基板を配置しておけば、荷電粒子が基板Ｗに到達し、基板表面に緻密で膜質の良い薄膜が形成される。 （もっと読む）

本発明は、気相からの酸化チタン層の基板への真空に基づく堆積方法であって、含酸化チタン源から含酸素雰囲気下において５００℃より低い基板温度で、２５ｎｍ／秒より低い堆積速度で堆積が行われ、該堆積後に、少なくとも３０分の間、含酸素雰囲気下で２００℃から１０００℃の間で、コーティングされた基板が熱処理されることを特徴とする方法に関する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスをする必要が少なく、被蒸着材に蒸発材料の良好な膜を形成することができる真空蒸着装置を提供することにある。
【解決手段】真空チャンバと、真空チャンバ内に配置され、蒸発材料を加熱し蒸発させる蒸発源と、蒸発源に対向して配置され、被蒸着材を保持する保持機構と、蒸発源と保持機構との間に配置され、非成膜時に被蒸着材に前記蒸発材料が付着することを防止するシャッタ部と、シャッタ部を加熱する加熱機構を有する構成とすることで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、ＳＯＩ構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ１、電気絶縁性材料を含み、かつ２ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する第一非晶質中間層２、立方晶系Ｉａ−３結晶構造と、（Ｍｅ１₂Ｏ₃）_-1-x（Ｍｅ２₂Ｏ₃）_xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と０％〜５％異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層３を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの利用効率が高いと共に、ターゲットの寿命も長く、その上、所定面積の処理基板に対し、均一な膜厚で所定の薄膜を形成できるマグネトロンスパッタ電極を提供する。
【解決手段】 処理基板Ｓに対向して設けたターゲットの後方に、このターゲットの前方にトンネル状の磁束を形成すべく、線状に配置した中央磁石とこの中央磁石５２の周囲を囲うように設けた周辺磁石５３とから構成される磁石組立体５を設ける。そして、中央磁石の延長線上に位置させて中央磁石と周辺磁石との間に、中央磁石及び周辺磁石を含むターゲット側の極性を交互にかえて少なくとも一対の補助磁石５４を設ける。 （もっと読む）

【課題】複数の蒸発源から蒸着材料を蒸発させる蒸着技術において、全ての蒸発源による目標の成膜レートへの制御を迅速に収束させること。
【解決手段】本発明は、蒸着材料Ｍを収納する複数のポッドＰ１〜Ｐ３と、複数のポッドＰ１〜Ｐ３から蒸発する蒸着材料Ｍの被着膜厚を温度によって各々制御する複数の温度制御部１１〜１３とを備えており、複数の温度制御部１１〜１３のうち一の温度制御部による一のポッドの温度制御を行うにあたり、他のポッドから蒸発する蒸着材料Ｍの一のポッドの担当領域に対する影響度合いを反映した温度制御を行う蒸着装置である。 （もっと読む）

【課題】メタル成膜装置のチャンバ内で防着板等の部材から堆積メタル膜の不所望な剥離を防止することができるメタル膜剥離防止構造及び当該構造を用いる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】このスパッタ装置においては、チャンバ１０内でターゲット１２の表面からスパッタされたメタル粒子が、ターゲット正面の半導体ウェーハ２２に向かうだけでなく、その周囲にも拡散または飛散して、シールド部材３０にも付着して堆積メタル膜４０を形成する。シールド部材３０は、たとえばステンレス鋼からなり、その防着表面（内壁面）にはアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるプラズマ溶射膜が形成され、このプラズマ溶射膜の表面が適度に粗面化されている。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させながら斜方よりスパッタ成膜するスパッタリング装置において、高精度な設計・制御が要求されるスタック構造を決める作業に適した成膜技術を提供する。より具体的には、基板の一方向で膜厚が一定の傾斜率で分布している堆積膜が得られる成膜技術を提供する。
【解決手段】基板１０の被成膜面に対してターゲット４，５を傾斜して配置し、基板１０を面内で回転させながら成膜するスパッタリング成膜方法は、成膜開始から基板１０が３６０°×ｎ＋１８０°（ｎは０を含む自然数）回転した時点で成膜を終了する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率が高く、膜厚及び膜質の均一性が高い膜を形成する成膜方法を提供する。
【解決手段】蒸着源基板の一主表面上に蒸着材料を含むバインダ材料層を形成し、該バインダ材料層と一主表面が対向するように被成膜基板を配置し、蒸着源基板の裏面を加熱処理することでバインダ材料層中の蒸着材料を加熱して昇華等させることで、被成膜基板に蒸着材料の層を形成する。蒸着材料を低分子材料とし、バインダ材料を高分子材料とすることで、粘度の調整が容易であり、従来よりも高いスループットで成膜することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】アルカリハライド系の蛍光体層を真空蒸着するに際し、基板や蛍光体層の変質を防止でき、かつ、成膜材料の利用効率が高い真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】蒸発源と基板との間に成膜材料の蒸気を反射するための発熱体を設け、かつ、この発熱体の温度を成膜材料の融点未満で、成膜材料の融点−２００℃以上とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス工数、メンテナンス時間、メンテナンス費用、装置立ち上げ時間などが縮減されたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】独立した複数のカソード４１を備えたスパッタリング処理室４０と、処理室４０内に設けられた基板ステージ４４とを有し、基板ステージ４４上の処理基板を各カソード４１上のターゲット２２と順次対向させてスパッタリング処理を実行する。基板ステージ４４は、各カソード２２と対向する直立状態まで回動可能であり、直立状態となったときに、対向しているカソード４１及び該カソード４１上のターゲット２２を内包する気密な空間２４を処理室４０内に形成する。 （もっと読む）

【課題】表面が滑らか若しくは平面的な状態に保たれた密な一次元構造配列又はクロスバー構造を容易に作製できる方法を提供する。
【解決手段】一次元構造配列又はナノクロスバー構造を基板上で、以下のようにして作製する。(i) 基板をセット；(ii) 前記基板上に近接して、スリットを有するシャドーマスク５をセット；(iii) 前記基板上に、第一層を堆積させるための原料を供給； (iv)前記シャドーマスクを、前記基板との平行性を保ちながら、前記基板に対して所定の距離だけ、前記スリットの長さ方向に対する直角方向に移動； (v) 前記基板上に、第二層を堆積させるための別の原料を供給；(vi) 前記シャドーマスクを、前記基板との平行性を保ちながら、前記基板に対して所定の距離だけ、前記スリットの長さ方向に対する直角方向に移動；(vii) シャドーマスク又は基板の総移動距離がスリットピッチに達するまで、上記工程(iii)-(vi)を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ガスを有効に利用することができるとともに、製造コストを低減させることのできる電極を提供すること。
【解決手段】被処理基板を支持するヒータカバーと製膜カバー１２との間に配置され、前記ヒータカバーと前記製膜カバー１２とで囲繞された空間内にガスを供給し、かつ、上部ガスヘッダー１０ａと、下部ガスヘッダー１０ｂと、これら上部ガスヘッダー１０ａおよび下部ガスヘッダー１０ｂの間に接続された複数本のガス管６０ｃ，６０ｃ’とを具備した電極６０であって、前記被処理基板と対向する位置よりも外側に位置する前記ガス管６０ｃ’には、前記ガスを前記空間内に吹き出すために設けられたガス吹き出し孔６０ｄが設けられていないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容易に結晶化でき、高温環境下において金属基板が歪んだ際に起こりやすい絶縁膜の亀裂、剥離を防止することができ、金属基板と薄膜ヒータとの間の電気的絶縁の信頼性を高めることができる絶縁膜を備える反応装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】反応物の反応を起こすマイクロリアクタ１は、金属基板である上板２及び底板３等から構成されてなり、底板３とその表面に設けられる薄膜ヒータ３２との間に絶縁膜３１として、Ｇｄ₂Ｏ₃膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】より短いフラッディング時間、それをもってより短いクロック周期が達成され得る、コーティング装置のためのフラッディングチャンバの提供。
【解決手段】フラッディングチャンバ３８の中に二つのフラッディング手段４１−４５，４６−５０が用いられ、その間に基板５３が対称的に配置される。フラッディング手段４１−４５，４６−５０は、ガスジェット６９−７２を基板５３に直進させる。それにより基板５３はフラッディング手段４１−４５，４６−５０の間に固定される。 （もっと読む）

【課題】膜厚均一性に優れた薄膜を蒸着法によって形成可能とする。
【解決手段】 蒸着装置において蒸着材料を蒸発させるのに使用する蒸着ボートＥＢであって、非金属材料によって形成され蒸着材料が供給されるべき凹部ＲＳが上面ＴＳに設けられた抵抗発熱体ＨＲと、抵抗発熱体ＨＲの凹部ＲＳを挟むように配置された一対の電極ＥＤ１及びＥＤ２と、金属材料によって形成され抵抗発熱体ＨＲの上面ＴＳにおいて凹部ＲＳと少なくとも一方の電極ＥＤ１との間に配置された被覆体ＣＢと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】必要とされるメンテナンスエリアが可及的に小さな成膜装置を実現する。
【解決手段】トレイ２３に搭載された基板２０ａに膜付けを行う成膜チャンバ１２と、成膜チャンバ１２に送り込まれるトレイ２３の進行方向が変換される第１の方向変換チャンバ１０とを有する。成膜チャンバ１２から送り出されたトレイ２３の進行方向が変換される第２の方向変換チャンバ１４を有する。各チャンバ１０、１２、１４の間でトレイ２３を循環させる無端搬送路１５を有する。ゲートバルブ２１を介して大気側と無端搬送路１５とに連通する搬出入チャンバ１６と、搬出入チャンバ１６内の膜付け前の基板２０ａをトレイ２３に搭載し、トレイ２３に搭載されている膜付け後の基板２０ｂを回収する搬出入手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の加熱を要する工程を有する製造方法によって製造された半導体装置の、歩留まりの向上を実現させる。
【解決手段】半導体ウェハ１を加熱する工程を要する半導体装置の製造方法において、主面Ｓ１に複数の素子を形成し、主面Ｓ１と反対側の裏面Ｓ２に機械的な研削を施すことで薄くした半導体ウェハ１を処理室Ｒ内に載置する工程と、半導体ウェハ１の裏面Ｓ２に金属２からなる導体膜を形成する工程と、半導体ウェハ１の主面Ｓ１に沿うように設置された赤外線遮蔽板８を、処理室Ｒに備えられた駆動部１０によって移動させ、所望の位置に設置する工程と、主面Ｓ１側からランプヒータ６によって半導体ウェハ１を加熱する工程とを有する。 （もっと読む）