【課題】膜内の組成分布が均一で、かつ低屈折率の薄膜を形成することができる低屈折率膜の成膜方法及び該低屈折率膜の成膜方法で成膜される低屈折率膜を提供し、さらに該低屈折率膜を用いた反射防止膜を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング法によりＭｇＦ₂−ＳｉＯ₂からなる低屈折率膜を基板１１上に成膜する低屈折率膜の成膜方法において、ＭｇＦ₂−ＳｉＯ₂の焼結体であるターゲット４Ａを用い、不活性ガスとＯ₂の混合ガス雰囲気下で前記基板１１とターゲット４Ａとの間に周波数２０〜９０ｋＨｚの交流電圧を印加してスパッタ成膜する。 （もっと読む）

プラズマドーピング装置はパルスプラズマを発生するプラズマ源を含む。プラテンがプラズマドーピングのために基板をプラズマ源の近くに支持する。構造部が脱着時に複数のニュートラルを供給する膜を吸着する。バイアス電圧源が、プラズマ中のイオンをプラズマドーピングのために基板に吸引する負電位を有するバイアス電圧波形を発生する。放射源が構造部上に吸着された膜を照射することによって、膜を脱着させて複数のニュートラルを発生させ、イオンが基板に吸引される間これらのニュートラルがプラズマからのイオンを散乱することによってコンフォーマルドーピングが達成される。
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【課題】 内部抵抗を低減した全固相薄膜電池、その製造方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】 固体電解質層３を気相プロセスにより形成する工程、正極層２を気相プロセスにより形成する工程、および負極層４を気相プロセスにより形成する工程を備え、気相プロセスの間の各非処理時間中、全固体薄膜電池の中間品を、真空引きの雰囲気中に保持することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】広い波長範囲において十分に高度な反射防止性能を発揮することが可能な反射防止膜を提供すること。
【解決手段】光学基板と媒質との界面における光線の反射を低減させるために該光学基板の光学面上に形成された反射防止膜であって、
隣接する層同士の屈折率が異なるようにして８層以上の層が積層されてなり、前記媒質と接する最表層の屈折率ｎ_１が設計中心波長λ_０において１．３０以下であり、且つ、波長範囲がλ_０±１２０ｎｍの範囲にある入射光に対する反射率Ｒが、光線入射角０〜１０度の範囲において０．１％以下であることを特徴とする反射防止膜。 （もっと読む）

【課題】基板上に光学特性に応じた膜層を形成する際に、グラデーション層を安定してバラツキなく同時に複数の基板に成膜することの可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ内でターゲットを動作ガスでスパッタリングして基板上に光学特性の異なる少なくとも第１第２の物質から成る複数のターゲットを動作ガスでスパッタリングして誘電体膜層層と金属膜層を積層状に形成する減光フィルタの成膜方法であって、上記誘電体膜層は、誘電性物質若しくは金属物質からなるターゲットを動作ガスでスパッタリングして上記基板上にスパッタ粒子で膜形成した後、形成された膜にプラズマを照射して生成された化合物で膜形成する。また上記金属膜層は、金属物質からなるターゲットを動作ガスでスパッタリングして上記基板上にスパッタ粒子で膜形成され、または形成された膜にプラズマを照射して生成された化合物で膜形成する。 （もっと読む）

【課題】バルクレベルで超伝導状態となる新規な材料系を提供する。
【解決手段】超伝導薄膜１０１は、アモルファス状態の炭素よりなる基質１１１と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ²混成軌道による結合（ｓｐ²結合）の部分からなる微細な複数のナノグラファイト（超伝導領域）１１２と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ³混成軌道による結合（ｓｐ³結合）の部分からなる微細な複数のナノダイアモンド１１３とを備える。隣り合うナノグラファイト１１２は、超伝導近接効果を示す距離離間して形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子から成る磁気ヘッドやＭＲＡＭ等の生産において、通常な構成であって特に半導体デバイスメーカによる磁性多層膜の製作に適した構成を有し、さらに膜性能を高めることができかつ生産性を向上できる磁性多層膜作製装置を用いて実施することができる磁気抵抗デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、第１磁性金属からなる第１膜及び該第１磁性金属以外の金属からなる第２膜を同一の第１チャンバ１７Ａで成膜する工程を用いて、第１多層金属膜を設ける第１工程、該第１工程後の基板の上に、金属酸化物からなる第３膜を、第２チャンバ１７Ｂで設ける第２工程、並びに、該第２工程後の基板の上に、第２磁性金属からなる第４膜及び該第２磁性金属以外の金属からなる第５膜を同一の第３チャンバ１７Ｃで成膜する工程を用いて、第２多層金属膜を設ける第３工程を有する磁気抵抗デバイスの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子のパターン薄膜を画素内に均一かつ高精細に形成することのできる成膜用マスクを実現する。
【解決手段】蒸着基板にマスク成膜するための開口部１を備えた蒸着用マスクにおいて、蒸着基板側と反対側のマスク部材３の表面及び開口部１の側面１ａに金属膜２を形成する。これにより、開口部１の開口径を金属膜２の厚みＨ２分だけ縮小し、パターン薄膜の高精細化を可能にする。また、マスク部材３の蒸着基板側と反対側の表面のみに金属膜２を形成することで、マスク厚みの増加を抑えながらマスク強度を向上させ、耐久性を高める。 （もっと読む）

【課題】軟磁性層で生じる磁気ノイズを低減する。
【解決手段】基材に軟磁性薄膜をスパッタリングにより形成するための複数の第１チャンバ１１と、軟磁性薄膜に非磁性薄膜をスパッタリングにより積層して形成するための少なくとも１つの第２チャンバ１２とを備える。そして、第１チャンバ１１と第２チャンバ１２は、基材の搬送経路に沿って交互に配置されている。 （もっと読む）

【課題】アーキング現象発生を抑制して、被処理物品に良好に目的とする処理を施す。
【解決手段】ホルダ２に被処理物品Ｗを配置した状態で真空容器１内から排気し、容器１内へ加熱用ガスを供給するとともに該ガスを加熱して容器１内に加熱用ガス雰囲気を形成し、該加熱用ガス雰囲気のもとで物品Ｗ等を加熱し、容器１から排気することでアーキング発生促進物質を該物品Ｗ等から脱離させ、加熱用ガスとともに容器１外へ排出する。次いで物品Ｗに目的とする処理（例えば膜形成処理）を施す。 （もっと読む）

【課題】蒸着室内の膜厚検知装置の振動子を蒸着室内において再生することで蒸着装置の稼動効率を向上させる。
【解決手段】複数の振動子５を振動子ホルダー４に設置する。作動位置Ａにおいて膜厚を測定する振動子５の表面にある程度の厚さの蒸着膜が堆積したら、ヒーターブロック８による加熱が可能で、周囲を冷却されたシールド１の壁面で覆われた不作動位置Ｂに振動子５を移動させ、振動子表面の蒸着膜を脱離させて再生する。この間、作動位置Ａにおいては別の振動子５を用いて膜厚の測定を継続する。この工程を繰り返すことで蒸着室を大気開放することなく長期に亘り蒸着を続けることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造系におけるプラズマチャンバのためのスパッタ用コイルを提供する。
【解決手段】前記スパッタ用コイル１０４は、エネルギーをプラズマ中に結合し、そしてまた、ターゲット１１０からワークピース上にスパッタされる物質を補うために、コイル１０４からワークピース上にスパッタされるスパッタ用物質の供給源とする。或いは、複数のコイルを提供して、一つは主としてプラズマ中にエネルギーを結合するためのものとし、そして他の一つは主としてワークピース上にスパッタされるスパッタ用物質の補足の供給源としてもよい。 （もっと読む）

【課題】透明な基板上に光学特性に応じた複数の膜層を形成する際に、膜厚さが漸減するグラデーション領域の濃度勾配を膜層毎に設定することの可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】減光膜は、光学特性の異なる少なくとも第１第２の物質から成る複数のターゲットを動作ガスでスパッタリングして第１物質、第２物質の順に積層状に成膜し、この減光膜は膜厚さが略々等しい等濃度領域と、膜厚さが直線的に漸減するグラデーション領域とを有する。上記グラデーション領域は、上記基板とマスク開口を有するマスク板との間に形成された所定の成膜ギャップ内に生ずるスパッタ粒子の拡散で膜厚さが漸減するように生成し、上記グラデーション領域は上記ターゲットをスパッタリングする際に動作ガスの成膜圧力の差、又は上記基板に印加するバイアス電圧の差、又は動作ガスの質量によって上記第１物質の濃度勾配と上記第２物質の濃度勾配が異なるように生成する。 （もっと読む）

【課題】構造を簡略化することができると共に、短時間で均一な厚みに蒸着物質を基板に蒸着することができる蒸着装置の提供。
【解決手段】本発明の蒸着装置は、フレーム上に往復移動可能に取り付けられた移動プレート、基板上に蒸着できるように蒸着材料を蒸発させ、前記移動プレートに前記移動プレートの移動方向と交差する方向に配設けられた複数の蒸発源、及び、前記移動プレートを往復駆動させるための駆動ユニットを含む。 （もっと読む）

【課題】 蛍光体の結晶粒径を微細化することで、薄膜化・表面平滑化を実現することのできる蛍光体の成膜方法を提供することを解決課題とする。
【解決手段】 電子を照射することにより発光する蛍光体を基板上に成膜する方法であって、前記蛍光体の成膜をスパッタリング法により前記基板にバイアス電力を印加しつつ行うことを特徴とする蛍光体の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度が低く、ホール移動度が高く及びエネルギーバンドギャップが大きい結晶酸化物半導体を提供する。
【解決手段】インジウム及び１種以上の金属元素Ｍを含み、Ｘ線吸収分光法により求められる動径分布関数（ＲＤＦ）において、原子間距離が０．３ｎｍから０．３６ｎｍの間のＲＤＦの最大値をＡ、原子間距離が０．１ｎｍ〜０．２ｎｍの間のＲＤＦの最大値をＢとした場合に、０．１＜Ａ／Ｂ＜１の関係を満たす結晶酸化物半導体。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線膜をガラス基板に強固に密着させるための銅合金下地膜およびその膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸素：６越え〜２０モル％を含有し、さらにＭｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種または２種以上を合計で０．２〜５モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金膜からなる配線下地膜並びに同じ成分組成を有する配線下地膜形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】２層型位相シフト膜の膜厚を薄くし、膜中の欠陥低減とフォトマスクとしてのパターン解像度の改善を可能とすること。
【解決手段】透過率調整膜中を伝播する光の位相シフト量（透過率調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φ_ｔと、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を透過率調整膜と同じ「厚さ」（距離）だけ伝播した光の位相変化量δ_０＝φ_０の位相差δφ_ｔ＝φ_ｔ−φ_０）と位相調整膜中を伝搬する光の位相シフト量（位相調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φ_ｐと、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を位相調整膜と同じ「厚さ」（距離）だけ伝播した光の位相変化量δ_０＝φ_０の位相差δφ_ｐ＝φ_ｐ−φ_０）の「符号」が「同符号」となるように「２層型」の位相シフト膜を設計することとした。これにより、位相シフト膜の薄膜化が図られ、膜中欠陥が抑制され、かつ、パターン解像度を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 周辺表面を殆ど汚染又は乱さずに、スパッタリングされたキャリア／バリヤ層を堆積させて所望の形状に刻設する方法を提供する。
【解決手段】 堆積層のイオンの衝突により浸食・汚染されないように、刻設された層の適用された表面が保護される、イオン堆積スパッタリング法を用いて刻設された材料層を半導体の特徴表面に適用する方法であり、刻設された層の第１の部分を、その層の適用される表面が浸食又は汚染されない程度に基板バイアスを十分低くして適用するステップと、刻設された層の次の部分を、さらなる層材料を堆積させながら、第１の部分からの形状を刻設可能な程度に基板バイアスを十分高くして適用するステップとを含む。この方法は、半導体の特徴表面上にバリヤ層、ウェッティング層及び導電層等を刻設するのに特に適しており、導電層が銅である場合は特に有益である。 （もっと読む）

【課題】ガリウム窒化物化合物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化でき、効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）