【課題】バリアメタルが薄い場合でもＡｌ配線のモフォロジ及びエレクトロマイグレーションを改善することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、半導体基板１１上にＳｉＯ_２層間膜１３（酸化膜）を形成する。次に、ＳｉＯ_２層間膜１３上にＴｉ膜１８を形成する。次に、Ｔｉ膜１８上にＴｉＮ膜３２を形成する。次に、ＴｉＮ膜３２上にＡｌ配線３３を形成する。ここで、Ｔｉ膜１８を形成する工程において、圧力が０．３Ｐａ以下の雰囲気中で物理気相成長法を用いる。これにより、Ｔｉ膜１８とＳｉＯ_２層間膜１３との間にＴｉＯ_２膜３１が形成される。 （もっと読む）

【課題】基体の表面特性を改善して、優れた臨界電流特性を示す超電導線およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属基板を含む基体１と、この基体上に形成された超電導層を具備する超電導線であって、金属板に９０％以上の圧下率の強圧延加工工程と配向熱処理工程とが施された金属板に研磨を施し、結晶粒界に形成された突起部Ａを除去するとともに、突起部を構成する物質を溝部Ｂ内に堆積させて平坦化した後、基体表面上に超電導層を形成することによって製造される。 （もっと読む）

【課題】高純度、且つ、高密度の有機化合物層を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜室内に配置された基板上に有機化合物材料を蒸着させる成膜方法であって、成膜室内を５×１０^−３Ｔｏｒｒよりも高真空とし、基板に対向して配置した蒸着源から有機化合物材料を蒸着させて基板上に有機化合物層を成膜し、成膜後、基板を大気にふれさせることなく、成膜室とは異なる処理室に搬送し、処理室内を５×１０^−３Ｔｏｒｒよりも高真空とし、且つ、基板を加熱して有機化合物層中のガスを低減する。 （もっと読む）

スパッタリングチャンバのためのスパッタリングターゲットは、スパッタリングプレートが装着されたバッキングプレートを備えている。１つの変形において、バッキングプレートは、環状溝を含む前面を有する円形プレートで構成される。スパッタリングプレートは、スパッタリング面と、バッキングプレートの環状溝に適合する形状及びサイズにされた円形峰を有する裏面とを含むディスクで構成される。 （もっと読む）

【課題】基板サイズの大型化に伴うターゲットサイズの大型化により問題となる膜厚と比抵抗の基板内分布で該特性の良好な薄膜を形成することを可能とするスパッタリング装置のマルチカソード構造を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置のマルチカソード構造は、ターゲット９を備えた裏板１２が絶縁板１９を介して取り付けられた複数の隔壁板１４を有する。隔壁板１４の外周部をフレーム１８に直接固定することにより、膜厚と比抵抗の基板内分布の良好な薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで処理能力の高い真空成膜装置を実現することを可能にする真空成膜装置用のトレイ構造を提供する。
【解決手段】真空成膜装置用のトレイ構造は、基板１９が載置されるマスク２２と、マスク２２を支持するトレイ１８とを有する。トレイ１８のマスク２２を支持している面には、真空成膜装置内でトレイ構造を加熱する際にトレイ構造に照射される電磁波の反射率が少なくともトレイ１８よりも高い反射板２３が備えられている。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性に優れた光情報記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１上には、反射膜２，界面膜３，第１誘電体膜４，記録膜５，第２誘電体膜６，防湿膜７，保護膜８，カバー層９が順に積層されている。カバー層９には情報の記録または再生のためのレーザ光Ｌが入射される。防湿膜７は、インジウム酸化物を含み、少なくとも一部がアモルファスとなっている。防湿膜７は、スズ酸化物とタングステン酸化物とセリウム酸化物との少なくとも１つを含む。スズ酸化物の場合は２０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％未満含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる成膜において、基板２の直径ｄと同等又はこれより小さい直径Ｄのターゲット３を用いて、膜厚分布の小さな成膜を可能とする。
【解決手段】回転可能にセットされた基板２と、ターゲット３とを備えたスパッタリング装置において、前記基板２の法線に対する前記ターゲット３の中心軸線Ａのなす角度をθ、前記ターゲット３の中心軸線Ａと前記基板２の表面を含む平面との交点Ｐと基板２の回転軸線Ｂとの距離をＦ、前記交点Ｐと前記ターゲット３の中心との距離をＬとした時に、前記ターゲット３を、以下の条件を満たすと共に、前記基板２の表面を含む平面への前記ターゲット３の投影面が前記基板２の外側となる位置に設けたスパッタリング装置とする。
ｄ≧Ｄ
１５°≦θ≦４５°
５０ｍｍ≦Ｆ≦４００ｍｍ
５０ｍｍ≦Ｌ≦８００ｍｍ （もっと読む）

【課題】 固体ポリマー電解質またはその他のイオン導電性ポリマー表面上に金属、金属酸化物または金属合金を被覆するための新規方法を提供することである。
【解決手段】 薄い金属または金属酸化物のフィルムを備えたイオン導電性の膜を製造するための方法であって、減圧下、イオン導電性膜を低エネルギーの電子ビームに賦して、その膜表面を清浄とし、この清浄とした膜を、減圧下、析出されるその金属のイオンを含有する高エネルギービームに賦して、金属フィルムを形成することを含む方法。この方法によって得られる金属化された膜構造物およびそれを内蔵する燃料電池も、また、本発明の範囲に含まれる。 （もっと読む）

本発明は優れた耐久性及び信頼性の電気的接続を新空室（２２５）の壁（２７）を通って形成するための電気的貫通接続構造（２００）を提供する。電気的貫通接続構造（２００）は、開口端（２１７）及び閉口端（２１８）を持つチューブ状部材を備える。少なくとも１つの導電体（２０１）が閉口端（２１７）を通って伸びており、閉口端（２１７）に真空密閉接合部（２１４）によって固定される。接合部（２１４）は、開口端（２１７）からの視野方向に含まれないように構成されている。このようにすることで、衝突物（２２０）及び直熱放射（２２１）が接合部（２１４）に直接当たることを防ぎ、問題を起こし得る接合部（２１４）の汚染にかかる時間を延ばす。 （もっと読む）

【課題】高温プロセスを行なわず、かつ、モノマーを生成せずに成膜材料を安定な状態で対象物にポリマーの薄膜を形成する。
【解決手段】成膜装置１は、成膜材料５を２００℃以下の温度で加熱して昇華させる加熱部７と、昇華させた成膜材料５をプラズマによって重合反応させる反応部８と、が設けられている。そして、反応部８で重合反応させた成膜材料５を基板３に射出して基板３の成膜面３１に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ヒロック発生を防止し、密着性とバリア性に優れた配線膜を形成する。
【解決手段】成膜対象物２１が配置された真空槽１３に酸素又は窒素を含有する添加ガスを導入し、Ｚｒ等の添加元素を含む銅ターゲット１１をスパッタリングし、アルミニウム膜２３の表面にバリア膜２４を形成する。バリア膜２４は銅を主成分とするため、アルミニウム膜２３と同じエッチング液でエッチング可能であり、添加元素と酸素を含むため、アルミニウム膜２３にヒロックが発生しない。また、配線膜２５の表面にＩＴＯを密着させた場合には、アルミニウム膜２３は直接ＩＴＯに接触しないからコンタクト抵抗も高くならない。 （もっと読む）

【課題】波長２５０〜２７０ｎｍの深紫外域で発光する光源として使用可能な高機能性Ｇａ₂Ｏ₃単結晶薄膜を、簡便な手段で作製する。
【解決手段】光学式浮遊帯域溶融法を用いて作製したβ‐Ｇａ₂Ｏ₃単結晶ウエハを基板とし、この基板の（１００）面上に分子線エピタキシー法を用いて８００℃以上の温度でβ‐Ｇａ₂Ｏ₃単結晶膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 ハーフトーン型位相シフトマスクにおける露光波長、レジスト描画波長、及び検査波長等の推移に伴う再設計を適切かつ迅速に行えるようにするべく、遮光膜の反射率波長依存性を容易にかつ正確に調整できる技術を提供する。
【解決手段】 透明基板１上に、露光光に対して所定の透過率及び位相シフト量を有する半透光膜２と、この半透光膜２上に形成された遮光膜３とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおける遮光膜３の反射率波長依存性の調整方法であって、遮光膜３の最上層部分を、クロム、炭素、酸素、及び窒素を含有してなる反射率調整部３ａとし、この反射率調整部３ａにおける窒素の含有率によって、遮光膜３全体としての反射率波長依存性を調整する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによって膜を形成する際に、スパッタ時に発生するパーティクルやノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり９０％以上の高密度を備えた硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体並びに該ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】硫化亜鉛を主成分とし、さらに導電性酸化物を含有することを特徴とする膜の屈折率を２．０〜２．６の範囲に調整できるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 サーモクロミック特性を有する酸化バナジウム層を低温でガラス上に形成する方法を提供する。
【解決手段】 酸化バナジウムのシード層として、酸化ジルコニウム／酸化錫の積層体を用いることで、サーモクロミック特性を有する酸化バナジウムの成膜に適した結晶質層および配向性を有する酸化ジルコニウム／酸化錫シード層を非加熱成膜で形成することを可能にし、そのシード層に酸化バナジウム層を形成したサーモクロミック体を得る。 （もっと読む）

【課題】配向性の高いＡｌ膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。また、配向性の高いＴｉ膜を成膜可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】スパッタリングを行う成膜室内に、Ｈ_２ガスを導入してから、または、Ｈ_２ガスを導入しながら、Ｔｉ膜の成膜を行う。成膜中におけるＨ_２ガスの分圧は、１×１０^−４Ｐａ〜１×１０^−２Ｐａであることが好ましい。また、Ｔｉ膜の成膜は、半導体基板を２００℃〜２５０℃の温度に加熱した状態で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】成膜中の浮遊分子や浮遊原子によって搬送機構等に膜が付着したり、搬送機構等に付着した膜が剥がれて生じるパーティクルによって、基板に形成された薄膜に欠陥が生じるのを抑える。
【解決手段】基板２に薄膜を形成するための成膜手段５を有する成膜チャンバー４１と、基板２を搬送する基板搬送ローラ６２、トレイ搬送ローラ６１を有し基板２を成膜手段５に対向する成膜位置に移動させる搬送機構と、基板２の外周部が載せられる枠状のトレイ１を有し基板２が載せられたトレイ１を上方に位置する成膜位置に移動させる昇降機構とを備える。そして、成膜チャンバー４１は、成膜位置に移動された基板２およびトレイ１によって、成膜手段５が配置された成膜空間と、搬送機構および昇降機構が配置された搬送空間とが仕切られて分断される。 （もっと読む）

【課題】磁界形成部からの磁界を外周側に広げ、プラズマの高密度領域をターゲットの外縁部周辺にまで形成することが可能な、ターゲット利用効率の高いマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るマグネトロンスパッタリング装置によれば、磁界形成部を、第２磁石と第１磁石とで構成し、更に第１磁石が形成する磁界の強度を第２磁石の形成する磁界の強度よりも強く、またターゲット面から第２磁石の磁極面までの距離を第１磁石の磁極面よりも離すことで、磁界形成部により生じる磁界をターゲットの外周側に向かって広げることができる。これにより、プラズマの高密度領域をターゲットの外縁部周辺を含むほぼ全面に亘って生じさせるもしくは移動させることが可能となり、ターゲットの利用効率の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】放射線像変換パネルとして輝度、鮮鋭性に優れた放射線像変換パネルの製造方法を提供すること。
【解決手段】蛍光体原料を含む蒸着源を加熱し、発生する物質を基板上に蒸着させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、該蛍光体原料の安息角が２０°以上９０°以下であることを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。 （もっと読む）