30乃至40原子%の金属、2乃至10原子%の窒素、35乃至50原子%の酸素、並びに燐（P）、ホウ素（B）、ケイ素（Si）、ゲルマニウム（Ge）、ガリウム（Ga）、硫黄（S）、及びアルミニウム（Al）を含む群より選択される少なくとも1つの元素によって構成される、100％までの残部を含む、陰極スパッタリングターゲット。このターゲットからの薄膜の製造方法、並びにこの薄膜を含む電気化学的装置。 （もっと読む）

【課題】基板に成長した薄膜と反り防止部材上に成長した薄膜とがつながっても、両者の間に電流が流れることのない成膜装置を実現する。
【解決手段】真空中でガラス基板１上に成膜材料を堆積させて薄膜を形成する成膜装置であって、ガラス基板１を保持する基板ホルダ３と、基板ホルダ３に保持されたガラス基板１の周縁に、１０ｍｍ未満の間隔で対向する枠状の反り防止部材４とを有する。反り防止部材４は電気的にフローティング状態にある。 （もっと読む）

【課題】ハード磁気ディスクに潤滑剤蒸気を塗布する方法および装置を提供する。
【解決手段】潤滑剤コーティングを、潤滑剤蒸気の状態で、ディスク１８と蒸気になるよう加熱される液体のためのリザーバ２４との間の潤滑剤蒸気の流路内に配置するディスク１８に塗布する。この流路は、リザーバ２４と、開孔を有するディフューザ３０との間における蒸気チャンバ２６と、流路を選択的にかつ同時に開放および遮蔽するシャッタ２８とを備える。シャッタ２８を閉じている間に、潤滑剤蒸気は蒸気チャンバ２６内に閉じ込める。シャッタ２８が開いている間に、潤滑剤蒸気は流路を経てリザーバ２４からホルダ１６に流れる。流路内のディスク１８への塗布における長期間にわたるアイドル期間中、シャッタ２８を閉じ蒸発熱を液体潤滑剤に加え、それにより蒸気チャンバ２６内の圧力がリザーバ２４内の液体の量をほぼ一定を維持するようにする。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＰ基板上のＧａＩｎＮＡｓＳｂの表面平滑性が良好で、結晶欠陥密度の低い半導体積層構造の半導体ウエハ、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１をＭＢＥ装置の基板取付部に取り付ける工程と、ＩｎＰ基板上に該ＩｎＰ基板との格子定数差が−０．５％以上＋０．５％以下の範囲のＧａ_１−ｘＩｎ_ｘＮ_ｙＳｂ_zＡｓ_１−ｙ（０．４≦ｘ≦０．８、０＜ｙ≦０．２、０≦ｚ≦０．１）を、パイロメータで測定の基板表面温度４９０℃超え５３０℃以下の状態で膜厚０．５μｍ以上に成長させる工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜する膜の組成に応じた組成のターゲットと基板とを対向配置させ、スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法によりターゲットの構成元素を放出させて基板上にターゲットの構成元素からなる圧電膜を成膜する圧電膜の成膜方法において、成膜温度Ｔｓ（℃）と、基板−ターゲット間距離Ｄ（ｍｍ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）、又は（３）及び（４）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
４００≦Ｔｓ（℃）≦５００・・・（１）、
３０≦Ｄ（ｍｍ）≦８０・・・（２）、
５００≦Ｔｓ（℃）≦６００・・・（３）、
３０≦Ｄ（ｍｍ）≦１００・・・（４） （もっと読む）

【課題】複数の機能領域を有する有機化合物膜を作製する成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室内に複数の蒸発源を備え、それぞれの有機化合物からなる機能領域を連続的に形成し、さらに機能領域間の界面には混合領域を形成することができる。さらに、成膜室の内壁の表面は電解研磨されている。成膜部内を連続的に移動できる基板搬送手段を有し、基板搬送手段は、成膜部の上方に設けられ、成膜部と同一空間を有しており、成膜室内にある基板を平面方向に搬送する手段を有している。成膜部は、基板搬送手段による基板の搬送空間を含んで設けられ、基板搬送手段に基板が保持された状態で蒸着が行われる。 （もっと読む）

【課題】内部チャンバ構成材と基板の張り出し縁部上への処理堆積物の堆積を軽減させる処理キットを提供する。
【解決手段】処理キット２００は処理チャンバ内において基板支持体の周囲に位置されるシールド２０１とリングアセンブリ２０２を備え、シールド２０１はスパッタリングターゲットを取り囲む上壁部と、基板支持体、支持出っ張り部、傾斜段差部、ガスコンダクタンス穴部を有するＵ型チャネルを取り囲む底壁部とを有する円筒状バンド２１４を備える。リングアセンブリ１２０は堆積リング２０８とカバーリング２１２を備え、カバーリングはバルブ型突起部をリングの周縁に有する。 （もっと読む）

【課題】 密着性の確保と抵抗値の上昇を抑制した下地膜あるいはカバ−膜を有する金属薄膜配線を提供する。
【解決手段】 Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜の下地膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。また、Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜のカバー膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を著しく向上させ、かつ良好な結晶状態の化合物膜を形成することのできる膜形成方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる膜形成方法は、スパッタ装置を用いて膜を形成する膜形成方法であって、反応性ガスを前記チャンバ内に導入する工程と、ターゲットから金属をスパッタ蒸発させながら、チャンバ内のプラズマの発光スペクトルを検出する工程と、検出した前記発光スペクトルにおける所定の基準波長の発光ピーク強度が所定の目標値になるように、チャンバ内に導入する前記反応性ガスの導入量を制御する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の材質としてフッ素添加カーボン（ＣＦ膜）を用いた半導体装置において、低誘電率であるフッ素添加カーボン膜の利点を生かすこと。
【解決手段】直鎖構造のＣ_５Ｆ_８ガスを用いてＣＦ膜を成膜し、その表面にハードマスクになる金属を直接形成する。このＣＦ膜は、耐熱性が大きいので金属膜の膜剥れがなく、また機械的強度が大きいのでＣＭＰ加工にも耐えられ、またＣＭＰ加工の後処理を有機酸などで行うことによりＣＦ膜の損傷もなくなる。その結果下層側のＣＦ膜と上層側のＣＦ膜との間にＳｉＣＮなどからなる比誘電率の高いキャップ膜が存在しなくなる。 （もっと読む）

【課題】１以上のアスペクト比を有する多層集積回路のビア、スルーホール又はトレンチにＡｌ電気コンタクトを形成する。
【解決手段】スパッタチャンバと、堆積チャンバと、移送チャンバと、を備え、半導体基板上における薄膜層のアパーチャを充填する充填装置において、スパッタチャンバは、スパッタ堆積材料の供給源となるターゲットカソードと、半導体基板を支持するための基板位置決め部材と、ＤＣ電源装置を具備し、ターゲットカソードからスパッタされた種を生成するために使用される第１のプラズマ発生ユニットと、基板位置決め部材に接続された基板バイアスＲＦ電源装置と、ＲＦ電源装置を具備し、ターゲットカソードと基板位置決め部材との間に位置して、ターゲットカソードから前もってスパッタされた種をイオン化又は再イオン化するために使用される第２のプラズマ発生ユニットと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】気化材料がるつぼ内を移動して、るつぼの各部分を溶かすことや、そのため温度安定性が不十分となることを防止できる金属気化用るつぼを提供する。
【解決手段】気化るつぼは、囲いを形成するための壁を有する電気伝導性で管軸を具備したチャンバ管１２０と、第１電気接続部１６２、１８２と、第２電気接続部と、少なくとも１個の供給開口１３４と、上記チャンバ管の少なくとも１個のディストリビュータ口１７０とを備えており、上記囲いは溶解／気化範囲を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 高い耐久性能が得られつつ、基板と形成膜との密着力を充分に確保することのできる反射膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 基板上に酸化アルミニウムからなる第１のバリア層をイオンアシスト蒸着により形成する第１ステップと、該第１ステップにより形成された前記バリア層の上に金属材料からなる密着層及び反射層を順に形成する、または金属材料からなる反射層を形成する第２ステップと、該第２ステップにより形成された前記反射層の上に屈折力の異なる酸化物膜を積層してなる増反射層をイオンアシスト蒸着により形成する第３ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用の反射防止及び／又はパッシベーションコーティングを製造する。
【解決手段】堆積チャンバに、シリコンウェハ５を提供する工程と、該シリコンウェハを４００℃を超える温度まで予備加熱する工程と、水素含有反射防止及び／又はパッシベーションコーティングをスパッタプロセスにより堆積する工程とを含む方法、並びに、反射防止及び／又はパッシベーションコーティングをＳｉウェハに製造するコーティング装置であって、第１の真空チャンバ１と、第２の真空チャンバ２と、基板５を該第１及び第２の真空チャンバに、この順番で搬送するための搬送手段４とを含み、該第１の真空チャンバは、少なくとも１つの赤外線ヒータ１６を含み、該第２の真空チャンバは、ターゲットを蒸発させるためのスパッタ手段１２及び水素を含む反応性ガスを導入するためのガス入口を含むコーティング装置に関する。 （もっと読む）

【目的】 スパッタ粒子が基板に付着・堆積されないで無駄になってしまいターゲットも無駄になってしまうことを低減することができるミラートロンスパッタ装置を提供する。
【構成】 真空容器内に、一対のターゲットが所定の間隔を介して対向配置され、前記各ターゲット間の空間を磁場空間とするための磁石が前記各ターゲットの背面側に配置され、被処理物である基板が前記各ターゲット間の磁場空間の側方に配置されて成るミラートロンスパッタ装置において、前記各ターゲット間の磁場空間の前記各ターゲットのスパッタ面と略垂直な方向を成す周辺部の中の前記基板と対向する側の一部の磁束密度を前記周辺部の他の部分よりも低くするための磁性部材を、前記ターゲット及び磁石の前記基板と対向する側に、前記ターゲット及び磁石と対向するように配置したものである。 （もっと読む）

【課題】圧電セラミックスの薄膜、厚膜に関わらず、圧電セラミックスと基板との間で強い密着性が得られる圧電素子と、結晶質セラミックスの成膜方法を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２の上に積層された下部電極４と、下部電極４の上に積層されたセラミックスからなる圧電体６と、圧電体６の上に積層された上部電極７を有する圧電素子において、基板２と下部電極４との間に第１の金属層３が設けられ、下部電極４と圧電体６との間に第２の金属層５が設けられ、第１の金属層３と第２の金属層５とが、イオン化傾向がＣｕ以上の金属、イオン化傾向がＣｕ以上の金属の酸化物およびイオン化傾向がＣｕ以上の金属の合金から選択された金属からなる。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＹとＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素を含み、ＹがＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素よりも含有割合が高く、Ｙの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素の含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】青色波長領域（３５０〜５００ｎｍ）のレーザ光、特に４０５ｎｍ近傍の波長のレーザ光で良好な記録再生特性を示し、高密度記録可能で、記録感度が従来品に比べて高い記録層を有する追記型光記録媒体、及び該記録層を形成するためのスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】（１）基板上に、少なくとも、Ｂｉの酸化物と、記録再生レーザ光に対する光吸収機能を増強する１種以上の元素Ｍ（但し、Ｂｉ、Ｃ、Ｎを除く）の単体とを主成分として含有する記録層を有し、青色波長領域のレーザ光で記録再生可能である追記型光記録媒体。
（２）基板上に、少なくとも、Ｂｉの酸化物と、記録再生レーザ光に対する光吸収機能を増強する１種以上の元素Ｍ（但し、Ｂｉ、Ｃ、Ｎを除く）の単体と、該元素Ｍの酸化物とを主成分として含有する記録層を有し、青色波長領域のレーザ光で記録再生可能である追記型光記録媒体。 （もっと読む）

【課題】複数種類の基板保管棚を１箇所に集約することで装置のレイアウトの設計が容易な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】
搬入出ポート４１に載置されたキャリアＣ内から搬送室４２内の基板搬送手段４２ａにより基板Ｗを取り出して処理モジュール４５ａ〜４５ｄに受け渡し、基板の処理を行う基板処理装置４において、基板搬送室４２に基板搬送口を介して接続された基板保管室１は、異なる目的で各々複数の基板を保管するための第１の保管棚２１と第２の保管棚３１とを備え、移動機構２２、３２は選択された保管棚２１、３１の基板保管領域を、基板搬送手段４２ａとの間で前記搬送口を介して基板Ｗの受け渡しができるように位置させる。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＡｌの双方の元素を含み、ＣｅがＡｌよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ａｌの含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）