【課題】 従来の金属−チタン酸化物の焼結体ターゲットを用いたＲＦスパッタリングよりも、高速、且つ、安定して金属とチタン酸化物の混合膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 真空チャンバ内に、金属ターゲットをスパッタリングするための第１の成膜領域と、チタン酸化物をスパッタリングするための第２の成膜領域とを設け、各領域において、金属とチタン酸化物とをスパッタリングして金属とチタン酸化物の混合膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インジウム、錫、亜鉛の量を適正化することにより、リン酸系エッチング液に不溶であり、かつ、蓚酸系エッチング液に可溶な非晶質酸化物半導体薄膜や、その製造方法などの提供を目的とする。
【解決手段】画像表示装置１は、ガラス基板１０、光制御素子としての液晶４０、この液晶４０を駆動するためのボトムゲート型薄膜トランジスタ１、画素電極３０及び対向電極５０を備えており、ボトムゲート型薄膜トランジスタ１の非晶質酸化物半導体薄膜２は、キャリア密度が１０^＋１８ｃｍ^−３未満であり、さらに、リン酸系エッチング液に対して不溶であり、かつ、蓚酸系エッチング液に対して可溶である。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜を形成することができると共に、防着板の交換頻度を大幅に少なく
し、製造効率を飛躍的に向上することができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着装置１は、蒸着槽２と、蒸着槽２内に配置され、被蒸着体１０に蒸着さ
れる蒸着物質４１を供給する蒸着源４と、蒸着槽２内に交換可能に取り付けられ、蒸着物
質４１が蒸着槽２の側部隔壁２１に付着することを防止する防着板６と、蒸着時に防着ガ
スを防着板６に略沿って流すように蒸着槽２内に流入する流入口８と、蒸着槽２内から防
着ガスを排出する排出口９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に、少なくとも位相シフト膜とメタル含有膜を有する位相シフトマスクブランクであって、該位相シフト膜と該メタル含有膜の密着性を向上した位相シフトマスクブランクを提供する。
【解決手段】位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜とメタル含有膜との界面にＳｉＯ_ｘ層を具備し、前記位相シフト膜と前記ＳｉＯ_ｘ層の界面に、膜の組成が連続的に変化した層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】短時間で効率よく薄膜５１を形成できる薄膜形成装置１を提供する。
【解決手段】ＶＤＦオリゴマー３３が配置された蒸着源３０と被蒸着基板１０とを離間させた状態で前記蒸着源３０を加熱し、前記被蒸着基板１０と前記蒸着源３０が離間する離間状態から、前記被蒸着基板１０と前記蒸着源３０のとの少なくとも一方を移動させて、前記被蒸着基板１０の薄膜形成面１１と前記蒸着源３０のＶＤＦオリゴマー供給面３２が断熱マスク２０を挟んで対向し近接する近接状態に変化させ、前記近接状態で前記ＶＤＦオリゴマー３３の薄膜５１を前記薄膜形成面１１に蒸着する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によって基板上に透明導電膜を成膜するとき、二次電子が基板に入射することによるダメージを抑制し、且つ成膜時間を短くすることが可能な製造方法及び製造装置を提供すること。プラズマによるダメージを低減した有機ＥＬ素子及び液晶法事装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】開口部を有する磁気シールドをターゲットと基板との間に挿入し、前記ターゲットをスパッタリングすることにより第１の透明導電膜を前記基板上に形成し、前記磁気シールドを前記ターゲットと基板との間から除去し、前記ターゲットをスパッタリングすることにより前記第１の透明導電膜上に第２の透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：２〜１５モル％、Ｃｒ：３〜２０モル％、Ｐｔ：５〜３０モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、素地中に絶対最大長５μｍを超えるクロム酸化物凝集体が５００個/ｍｍ^２以下であって、絶対最大長１０μｍを超えるクロム酸化物凝集体が存在しない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 光学薄膜を成膜する際の真空排気に時間をかけることなく、基材から生じるガスを抑え、高品位な光学薄膜を成膜できる方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー内において、基材上に金属薄膜を成膜する工程と、前記金属薄膜を酸化源により酸化する工程とを繰り返し、酸化された前記金属薄膜を積層することにより光学薄膜を成膜する方法であって、前記基材は樹脂から形成されたものとし、前記金属薄膜を成膜する工程の前に、前記基材の融点以下の温度で前記基材をプラズマ又は高周波により加熱する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属または半金属のドープ量が調整可能であって、機能性材料としての性質を発現するチタン酸ストロンチウム結晶を安価に提供すること。
【解決手段】 原子番号７９以下の金属元素または半金属元素（ただし、Ｎｂ，Ｉｎ，ランタノイドを除く）をドープしたチタン酸ストロンチウム結晶である。これは、気化または昇華させた金属元素または半金属元素を８００℃〜１３００℃の温度の真空雰囲気下にてチタン酸ストロンチウム結晶に付着ないし拡散させることにより得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化膜の形成やプラズマエッチングのような高温の加熱時におけるセラミックス基体の温度の計測を、複数の発熱体に対応した複数の加熱領域で行うことのできる基板加熱装置の提供。
【解決手段】 基板載置面１１ａを有する板状のセラミックス基体１１と、このセラミックス基体１１の基板載置面１１ａとは反対の面１１ｂに接合された中空の支持部材２０と、このセラミックス基体１１の内部に埋設された高融点材料よりなる測温抵抗体１６Ａ、１６Ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】トップエミッション型有機電界発光素子及びその製造方法において、上部透明電極形成時、スパッタリングターゲット表面から基板被成膜面へ入射するプラズマ荷電粒子を捕捉して、発光ポテンシャル低下を抑制することを目的とする。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング装置において、ターゲット４は大径開口部４ａと、小径開口部４ｂと、それら開口部４ａ，４ｂを接続する周面４ｃとを有し、バッキングプレート５には、ターゲット４を、その大径開口部４ａが基板２に向けられた状態で収容する凹部５ａが設けられ、この凹部５ａを構成する内周壁面５ｂは、ターゲット４の周面４ｃが嵌め込まれるすり鉢形状に形成され、この凹部５ａにターゲット４を入れ子式に嵌め合わせる。これにより、基板への副生成荷電粒子の入射も大幅に減少する。 （もっと読む）

【課題】４００℃〜６００℃の作動温度においても、原子の透過性を向上させることができる金属薄膜を提供する。
【解決手段】金属組成物と、前記金属組成物の結晶粒界に分散させた酸化物とを含有する。前記金属組成物を構成する金属ターゲットと、前記酸化物を構成する酸化物ターゲットとを同時にスパッタリングして形成した。前記酸化物が、ジルコニア、ランタンガレート、セリアのうちいずれか一つの元素で構成した。前記金属組成物が、銅、銀、白金、パラジウム及び金のうちいずれか一種、又は二種以上を主体とした合金で構成した。 （もっと読む）

【課題】バルクに匹敵する低抵抗のＳｒＲｕＯ_３結晶膜を量産性に優れたスパッタ法で成膜する方法及びバルクに匹敵する低抵抗のスパッタＳｒＲｕＯ_３結晶膜を提供すること。
【解決手段】ターゲットと基板を対向させたスパッタ法で、酸素含有雰囲気、８Ｐａ以上３００Ｐａ未満、好ましくは１６〜１３０Ｐａの範囲内の圧力下で、基板上にＳｒＲｕＯ_３を堆積する、ＳｒＲｕＯ_３膜の製法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、効率よくウェットエッチング法により製造され、遮光膜の端部の形状に荒れのない階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上にパターン状に形成された遮光膜と、上記遮光膜上および上記透明基板上にパターン状に形成された半透明膜とを有し、上記透明基板が露出した透過領域、上記透明基板上に上記遮光膜が設けられた遮光領域、および上記透明基板上に上記半透明膜のみが設けられた半透明領域を有する階調マスクであって、上記遮光膜および上記半透明膜の結晶構造が、いずれも柱状である、またはいずれも粒状であることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内のパーティクルに起因する不具合の発生を確実に防止することのできる真空成膜装置、真空成膜方法および、この真空成膜を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ１１内で素子基板２に成膜を行うマスク蒸着装置１０において、パーティクルモニタ１７によって真空チャンバ１１内のパーティクルを監視し、パーティクル量が所定値未満のときには真空チャンバ１１内で成膜処理を行う。これに対して、パーティクル量が所定値以上のときには、ガス導入装置１４による真空チャンバ１１内への窒素ガスの導入と、低真空用真空引き装置１５による真空チャンバ１１内の真空引きとを行う清浄化処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ外周部のスルーホールやトレンチ内における被覆性を向上できるマグネトロンスパッタ装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ３に接続された高周波電源８と、スパッタ室２の外側であって、ターゲットの中心軸Ｃ１と同軸のプレート９と、中心軸を中心Ｃにプレートを回転させる回転移動手段と、プレートの一面においてＳ極端をターゲットに向けたＳ極マグネット１０Ｓと、プレートの一面においてＮ極端をターゲットに向けた第１及び第２のＮ極マグネット１０Ｎと、を備え、第１のＮ極マグネットと第２のＮ極マグネットとの磁束密度がＳ極マグネットの磁束密度より大きい。 （もっと読む）

【課題】無溶媒で均質なフッ素系高分子薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基材表面に、フッ素系モノマーと架橋剤とを真空蒸着させてなるフッ素系高分子薄膜である。フッ素系モノマーと架橋剤を同時に蒸発させ、両者あるいはその一方の蒸気に電子線あるいは紫外線を照射し、前記フッ素系モノマーと架橋剤を同時に基板表面に堆積させて形成することができる。また、フッ素系高分子薄膜はフッ素系モノマーを２個または３個のアクリル基を有する化合物で架橋結合してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化型メモリ素子の抵抗変化の安定性と抵抗変化比を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１を酸化物チャンバＦ３に搬入し、チタンを主成分とする第一ターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタさせてチタン酸化物からなる酸化物層を形成し、酸化物層を有する基板１１を照射チャンバＦ４に搬入し、酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して可変抵抗体を形成した。 （もっと読む）

【課題】被処理基板とのアライメントマークと、支持基板とチップとを接合する際のアライメントマークとを高い位置精度で形成することのできる成膜用マスク部材、およびこの成膜用マスク部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】マスク開口部２２が形成されたチップ２０を支持基板３０に対して固定することにより形成される成膜用マスク部材１０において、チップ２０の上面２０ｘには、支持基板との位置合わせ用の第１アライメントマーク２４と、被処理基板との位置合わせ用の第２アライメントマーク２５とが形成されている。第１アライメントマーク２４は貫通穴である。 （もっと読む）

【課題】産業上有益な高効率光変換可能な太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上の主面側に形成され受光した光を電力に変換する発電層と、前記主面側に形成され該発電層に光が入射する側と反対側に形成された裏面電極層と、前記発電層に光が入射する側に形成された透光性電極とを具備する太陽電池であって、前記透光性電極が結晶性ＩＺＯ（インジウム亜鉛オキシド）を含む透光性電極であることを特徴とする太陽電池。 （もっと読む）