【課題】半導体ウェーハの電気的特性を高精度かつ簡便に評価し得る手段を提供すること。
【解決手段】被蒸着面上に蒸着パターンを形成するための蒸着用マスク。少なくとも１つの開口を有し、かつ厚さ２０μｍ以下の樹脂基材と、該基材の一方の面に接着性層を有する。前記蒸着用マスクを、蒸着用マスクが有する接着性層を介して被蒸着面と貼り合わせた後、被蒸着面に蒸着処理を施す蒸着パターン作製方法。前記マスクを使用する半導体ウェーハ評価用試料の作製方法。前記方法によって半導体ウェーハ表面上に金属パターンを作製し、作製された金属パターンを介して半導体ウェーハの電気的特性を測定する半導体ウェーハの評価方法。前記評価方法を使用する半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＬａとＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素を含み、ＬａがＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素よりも含有割合が高く、Ｌａの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素の含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い精度でc軸が薄膜の面内の一方向に配向したウルツ鉱薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】イオンビームを、少なくともその一部が基板２１の表面に対して10°以下の角度でその基板表面に入射するように照射しつつ、薄膜の原料を基板表面に堆積させる。その際、イオンビームのうち基板表面に入射しない一部のイオンビームを薄膜の原料から成るターゲット２２に入射させることによりターゲット２２をスパッタし、スパッタされた薄膜原料を基板２１の表面に堆積させることもできる。このようなイオンビーム照射により、基板表面へのイオンビームの正射影に沿ってc軸が配向したに薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物がドーピングされるとともに、平坦な膜を形成することができる酸化物薄膜及び酸化物薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】
酸化物薄膜２は、図１（ｂ）に示されるように、ｎ型（電子伝導型）不純物をドーピングしたドープ酸化物層２ａと、ｎ型不純物をドーピングしないアンドープ酸化物層２ｂとが交互に繰り返し積層されている。ｎ型不純物を高濃度にドーピングした酸化物層は、その表面の荒れが大きくなるので、ドープ酸化物層２ａによる表面荒れが非常に大きくなる前に、表面平坦を確保できるアンドープ酸化物層２ｂで覆うことにより平坦な酸化物薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＰｒ、Ｎｄ、Ｐｍ及びＳｍからなる群より選ばれた１種又は２種以上の第１元素と、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の第２元素の双方を含み、第１元素が第２元素よりも含有割合が高く、第１元素の含有割合が０．１〜１４．９質量％、第２元素の含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置によって得られる情報を迅速に解析することが可能なプロセス管理システムを提供すること。
【解決手段】真空プロセス装置１の各部の状態を示す状態情報を取得する第１の取得手段（制御監視部２０）と、真空プロセス装置の制御に関する制御情報を取得する第２の取得手段（制御監視部２０）と、第１および第２の取得手段によって取得された状態情報と制御情報を対応付けする対応付手段（タイマ３４）と、対応付手段によって対応付けがされた状態情報および制御情報を格納する格納手段（ログ格納装置２）と、制御情報を参照して、状態情報に対して解析処理を施す解析手段（解析装置４）と、解析手段の解析の結果として得られた情報を呈示する呈示手段（解析装置４）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】常温時の被蒸着基板に対する蒸着マスクの整合精度を蒸着窯内における昇温時にも良好に担保でき、従って発光層を高精度に再現性良く形成できる蒸着マスク及びその製造方法を得るにある。
【解決手段】蒸着通孔５からなる蒸着パターンを備えるマスク層２に低熱線膨張係数の材質から成る支持層３を蒸着通孔５と重ならないように積層しているため、マスク自体の強度アップはもちろんのこと、熱の影響による形状変化の抑制、つまり、蒸着作業時における高温環境下での蒸着マスク１と被蒸着基板２０との位置ずれを顕著に低減できる。 （もっと読む）

【課題】蒸着材の加熱時に熱歪みの逃げ場がなく発生する蒸着材中の熱応力により蒸着材にクラックが生じ、このクラックを起点に蒸着材の一部が破損して破損微粒子が飛び散り、スプラッシュが発生する。該スプラッシュの発生しない蒸着材を提供する。
【解決手段】多孔質焼結体からなる円板状のＺｎＯ蒸着材１０で、この蒸着材１０には、中央に断面円形の貫通孔が形成される。この貫通孔１１の直径は蒸着材１０の外径の１０〜５０％である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの特性を高精度かつ簡便に評価し得る手段を提供すること。
【解決手段】被蒸着面上に蒸着パターンを形成するための蒸着用マスク。少なくとも１つの開口を有し、かつ、絶縁性材料からなるマスク基材の一方の面に接着性層を有し、他方の面に一層以上の絶縁性層または金属層を、該基材と剥離可能に有する。前記蒸着用マスクを、蒸着用マスクが有する接着性層を介して被蒸着面と貼り合わせた後、被蒸着面に蒸着処理を施す蒸着パターン作製方法。前記マスクを使用する半導体ウェーハ評価用試料の作製方法。前記方法によって半導体ウェーハ表面上に金属パターンを作製し、半導体ウェーハ上の蒸着用マスク最表面にマスク基材表面を露出させた後、作製された金属パターンを介して半導体ウェーハの電気的特性を測定する半導体ウェーハの評価方法。前記評価方法を使用する半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】膜の成膜時にスプラッシュの発生を防止する。
【解決手段】多孔質焼結体からなる円板状の蒸着材１０は、外周から中央に向かって熱膨張緩和用凹部１１が形成される。熱膨張緩和用凹部１１は頂角θが中央に臨むくさび形状をなすものである場合には、その頂角θは１〜９０度である。熱膨張緩和用凹部が外周から中央に向かうスリットである場合には、スリットが厚さ方向に形成され、スリットの外周から中央に向かう長さＬが外径Ｄの１０〜５０％である。また、中央に貫通孔を形成し、熱膨張緩和用凹部１１の先端を貫通孔に連通して設けても良い。その貫通孔の直径は蒸着材１０の外径Ｄの５〜２０％であることが好ましい。 （もっと読む）

【目的】 スパッタ粒子が基板に付着・堆積されないで無駄になってしまいターゲットも無駄になってしまうことを低減することができるミラートロンスパッタ装置を提供する。
【構成】 真空容器内に、一対のターゲットが所定の間隔を介して対向配置され、前記各ターゲット間の空間を磁場空間とするための磁石が前記各ターゲットの背面側に配置され、被処理物である基板が前記各ターゲット間の磁場空間の側方に配置されて成るミラートロンスパッタ装置において、前記各ターゲット間の磁場空間の前記各ターゲットのスパッタ面と略垂直な方向を成す周辺部の中の前記基板と対向する側の一部の磁束密度を前記周辺部の他の部分よりも低くするための磁性部材を、前記ターゲット及び磁石の前記基板と対向する側に、前記ターゲット及び磁石と対向するように配置したものである。 （もっと読む）

【課題】圧電セラミックスの薄膜、厚膜に関わらず、圧電セラミックスと基板との間で強い密着性が得られる圧電素子と、結晶質セラミックスの成膜方法を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２の上に積層された下部電極４と、下部電極４の上に積層されたセラミックスからなる圧電体６と、圧電体６の上に積層された上部電極７を有する圧電素子において、基板２と下部電極４との間に第１の金属層３が設けられ、下部電極４と圧電体６との間に第２の金属層５が設けられ、第１の金属層３と第２の金属層５とが、イオン化傾向がＣｕ以上の金属、イオン化傾向がＣｕ以上の金属の酸化物およびイオン化傾向がＣｕ以上の金属の合金から選択された金属からなる。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＹとＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素を含み、ＹがＢ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素よりも含有割合が高く、Ｙの含有割合が０．１〜１４．９質量％、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＳｃからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素の含有割合が０．１〜１０質量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング性が良好で低コストなパターニングが可能な下部電極層を備えた圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電素子１は、基板１１上に、下部電極層１２と圧電体層１３と上部電極層１４とが順次積層された積層膜１６を備え、下部電極層１２は、非貴金属及び／又は非貴金属合金を主成分とする金属電極層である。下部電極層１２は、Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｔａ，及びこれらの合金からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属を主成分とするものであることが好ましい。 （もっと読む）

ナノ構造は、1つの縁が基板上に配置された複数の金属ナノブレードを含む。複数の金属ナノブレードの各々は、大きい表面積対質量比および長さより小さい幅を有する。水素を貯蔵する方法は、複数のマグネシウムナノブレードを水素貯蔵触媒でコーティングする工程、および複数のマグネシウムナノブレードを用いて水素化マグネシウムを化学的に生成することにより水素を貯蔵する工程を含む。

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【課題】大面積の基板を用いた場合でも、蒸着距離を大きくすることなく、配向の均一性を確保可能な膜の形成方法を提供する。
【解決手段】被蒸着基板上に膜を形成する方法であって、蒸着源からの蒸着種が該被蒸着基板の膜を形成する面に向かう方向が、該被蒸着基板の法線方向に対して傾斜するように被蒸着基板を保持する工程と、該被蒸着基板の膜を形成する面に面内の位置によって異なるエネルギーを与える工程と、該蒸着源から蒸発させた蒸着種を該被蒸着基板上に付着させ膜を形成する工程とを有する膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】有機発光素子の製造装置において、長時間の蒸着においても膜厚の均一性を失うことなく高い材料利用効率を実現する。
【解決手段】電極を有する基板１上に有機化合物層を備えた有機発光素子を製造する蒸着装置において、蒸着源２０と基板１の間に配置した膜厚補正板２３を蒸着源２０とともに基板１に対してＸ方向に相対的に移動させる。膜厚補正板２３の開口２３ａが、Ｘ方向と直交するＹ方向に沿って開口幅が変化する太鼓形状を有することで、開口端部における蒸着材料の斜入射成分の蒸着時間を増大させて膜厚を均一化する。また、膜厚補正板２３の開口２３ａの周縁に傾斜面２３ｂを備えることにより、蒸発物が開口２３ａの周縁に付着することによる開口寸法の変化を抑制する。これにより安定して所定の膜厚分布を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ含有膜の製造における幾つかの問題を解決すること。
【解決手段】 シリコン合金およびドープシリコン膜が、ＩＩＩ族およびＶ族の原子の供給源としてＳｉを含有する化学前駆体を用いたイオン注入法によって調製される。好ましいドーパント前駆体には、（Ｈ_３Ｓｉ）_３−ｘＭＲ_ｘ、（Ｈ_３Ｓｉ）_３Ｎ、および（Ｈ_３Ｓｉ）_４Ｎ_２（ここで、ＲはＨまたはＤであり、ｘは０、１または２であり、ＭはＢ、Ｐ、ＡｓおよびＳｂからなる群の中から選択される）が含まれる。好ましいイオン注入法によって、結晶膜を含めて、水素非添加のシリコン合金膜およびドープシリコン膜が製造される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で容易且つ確実に触媒材料を均一で高密度の微粒子状態に形成し、直径が均一に制御されたムラのない高密度の炭素元素からなる線状構造体の成長を可能とする。
【解決手段】下地材料をＴｉＮとし、シリコン基板１１上に、例えばレーザーアブレーション法によりＴｉＮ微粒子１２を、直径３ｎｍ程度に設定して堆積した後、ＴｉＮ微粒子１２が堆積されたシリコン基板１１上に、例えばレーザーアブレーション法によりＣｏ微粒子１３を、ＴｉＮ微粒子１２と同等或いは小さい大きさ、ここでは直径１ｎｍ程度に設定して堆積する。 （もっと読む）

【課題】高精度な蒸着処理が可能であり、かつ、安全性および量産性に優れた蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着用物質２０を収容する坩堝２と、被蒸着基板２１を保持する基板ホルダ９と、坩堝２と被蒸着基板２１との間に位置し坩堝２から被蒸着基板２１へ向かう蒸着用物質２０の通過を制御するシャッター５と、シャッター５によって坩堝２から遮られることのない位置に設けられ、蒸着用物質２０の蒸発レートを観測する第１のモニタ６と、第１のモニタ６によって観測された蒸着用物質２０の蒸発レートが蒸着用物質２０の放出開始から所定時間内に目標値に達した場合にシャッター５を開状態として蒸着用物質２０を透過させる一方、所定時間内に目標値に達しなかった場合には蒸着用物質２０の放出を停止させる機能を有する制御回路系１３とを備えた電子ビーム蒸着装置である。 （もっと読む）