【課題】膜厚の面内ばらつきを抑制でき、圧電特性に優れ、高品質な圧電膜付き基板、圧電膜付き基板の製造方法、及び成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電膜付き基板１０は、平面視にて円形を有し、直径が４インチ以上の基板３と、前記基板３上に設けられた下地層と、前記下地層上に設けられたニオブ酸化物系ペロブスカイト構造を有する圧電材料を用いて構成される圧電膜１とを備え、前記圧電膜１が、０．３μｍ以上１０μｍ以下の厚さを有し、前記圧電膜１の面内における前記圧電膜１の膜厚の標準偏差と前記膜厚の平均値とが、標準偏差／平均値≦０．０３の関係式を満たす。 （もっと読む）

【課題】蒸着ヘッドから噴射された成膜材料が被処理基板と、処理室又は他の蒸着ヘッドとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着したり、各成膜材料噴出部からの蒸気が混じりあい隣接する膜中に不純物として混入する。
【解決手段】被処理基板Ｇを収容する処理室１１と、成膜材料の蒸気を該被処理基板へ向けて噴出する成膜材料噴出部１３とを備える成膜装置１に、成膜材料噴出部１３から噴出され、被処理基板Ｇで反跳した成膜材料を捕捉する捕捉部１６，１６…を処理室１１の内部に備える。 （もっと読む）

【課題】成形する活物質層及び固体電解質層の平面方向の大きさに応じて活物質層及び固体電解質層を成形することを簡略化できる薄膜固体電池製造用スパッタ装置及び薄膜固体電池の製造方法を提供する。
【解決手段】
薄膜固体電池製造用スパッタ装置及び薄膜固体電池の製造方法は、スパッタにより活物質層及び固体電解質層が積層された薄膜固体電池の製造をする製造装置及び製造方法であって、スパッタを行い活物質層の成形をし、成形した活物質層の平面方向とスパッタの方向とがなす最小の角度より、成形した活物質層の平面方向となす最小の角度が小さくなるような方向でスパッタを行い固体電解質層の成形をする。 （もっと読む）

【課題】 アモルファス性、硬さ、耐食性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金及び、この合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 ａｔ．％で、Ｆｅ：Ｃｏの比を１０：９０〜７０：３０とし、かつ下記（Ａ）群から（Ｃ）群の各種元素を、（Ａ）群元素の１種又は２種以上を０．５％以上、（Ｂ）群元素の１種又は２種以上を０．５％以上、（Ｃ）群元素の１種又は２種以上を０〜５％含有し、かつ（Ａ）群元素から（Ｃ）群元素との和を１０〜３０％、残部Ｃｏ及び不可避的不純物からなることを特徴とする磁気記録用軟磁性合金。
（Ａ）Ｔａ，Ｎｂ，Ｖ、（Ｂ）Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ、（Ｃ）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ （もっと読む）

【課題】ワークピースの配置場所を画成する蒸着装置において長期の高出力作動が可能となるシールド組立体を提供する。
【解決手段】複合シールド組立体１０は、ワークピースの配置場所の周囲に置かれる第１シールド要素１３と、第１シールド要素１３の周りに延在して第１シールド要素１３を保持する第２シールド要素１４であって、第１シールド要素１３の熱伝導率が当該第２シールド要素１４の熱伝導率よりも大きく、第１シールド要素１３及び当該第２シールド要素１４が、熱的接触を密接にするように配置される、第２シールド要素１４とを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板上に、高い精度で、形成不良なく電極を形成し得る電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品の製造方法は、平板状の基板１を準備する基板準備工程と、基板１の主面上にレジストパターン２ａを形成するレジストパターン形成工程と、基板１の主面上のレジストパターン２ａが形成されていない部分にＩＤＴ電極４を薄膜技術により形成する電極形成工程と、レジストパターン２ａを除去するレジストパターン除去工程とを含み、電極形成工程は、基板１を、電極が形成される側の主面が凹むように反らせておこなうようにした。 （もっと読む）

【課題】ファインピッチ化に適した、裾引きが小さい断面形状の回路を良好な製造効率で製造可能なプリント配線板用銅箔及び電子回路の形成方法を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、前記被覆層が、Ｐｔ、Ｐｄ、及び、Ａｕの少なくともいずれか１種を含み、前記被覆層には、Ａｕが２００〜２０００μｇ／ｄｍ²、Ｐｔが２００〜２０００μｇ／ｄｍ²、Ｐｄが１２０〜１２００μｇ／ｄｍ²の付着量で存在し、ＣＣＬ製造工程の熱履歴を受けると、ＸＰＳによる該被覆面表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）のＰｔ、Ｐｄ、及びＡｕのいずれか１種以上の原子濃度（％）をｆ(x)、銅の原子濃度をｇ(x)としたとき、区間［０、５］において０．１≦∫ｆ(x)ｄｘ／∫ｇ(x)ｄｘ≦０．７を満たすプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】小形の蒸着マスク２でも大型の基板４を離間状態で相対移動させることで広範囲に蒸着マスクによる成膜パターンの蒸着膜を蒸着でき、蒸着マスクの温度上昇を十分に抑えて蒸着マスク２を一定の温度に保持ができるため、蒸着マスクの熱による歪みを防止でき、高精度の蒸着が行える画期的な蒸着装置を提供すること。
【解決手段】基板４と蒸着マスク２とを離間状態に配設し、この基板４と蒸発源１との間に、制限用開口部５を設けた飛散制限部を構成するマスクホルダー６を配設し、このマスクホルダー６に前記蒸着マスク２を接合させて付設し、このマスクホルダー６に蒸着マスク２の温度を保持する温度制御機構９を設け、基板４をこの蒸着マスク２に対して相対移動することにより蒸着マスク２より広い範囲に、精度の高い成膜パターンの蒸着膜を形成できる蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】 リニアソースに好適な水晶発振式膜厚モニタ装置と共に、膜厚モニタを用いたＥＬ材料の蒸発源装置や薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 外周端に沿って複数の水晶振動子５０を保持する円盤状の水晶振動子ホルダ１０と、その表面を覆い、かつ、その一個に対応した位置にだけ開口部２１を設けたカバー２０を備えたヘッダと、ヘッダの裏面に設けられた回転機構と、ホルダの回転に伴って開口部から表面を外部に露出する一の水晶振動子の共振周波数を検出する共振周波数検出手段を備えた水晶発振式膜厚モニタ装置では、ヘッダを構成する円盤状のホルダの外周部を円錐状に、内側に角度θだけ窪ませて水晶振動子表面から延長した垂線を円盤状のホルダの回転軸に対して角θだけ傾斜させ、ホルダを回転する駆動部５５０を含む回転機構を、水晶振動子ホルダの回転軸に対して垂直に伸びた方向に設ける。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の導電膜及びｐ型の透明導電膜としての高性能な酸化物膜の、量産性に優れた製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の１つの酸化物膜の製造方法は、酸素を含むガスの雰囲気下で、反応性スパッタリング法により、銅（Ｃｕ）からなる第１ターゲット３０ａ，３０ａとニオブ（Ｎｂ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選択される１種類の遷移元素からなる第２ターゲット３０ｂ，３０ｂとを用いて交互にスパッタを行うことにより、基板１０上に第１酸化物膜（不可避不純物を含み得る）を形成する工程、及びその第１酸化物膜を不活性ガス雰囲気中で加熱焼成することにより第２酸化物膜（不可避不純物を含み得る）を形成する工程を含む。従って、この製造方法によって形成された酸化物膜は、大型基板上への膜の形成が容易になることから、量産性に優れている。 （もっと読む）

【課題】薄い基材上に厚いアルミニウムを被着させても基材が撓むことのない被着方法を提供する。
【解決手段】基材を静電チャック上に配置し、静電チャックにバイアスを印加しない状態でアルミニウムの第１層を被着させ、次に静電チャックにバイアスを印加して基材を支持体に密着し、そして第１層より厚いアルミニウムの第２層を２２℃未満の基材温度で第１層に連続して被着させる。 （もっと読む）

【課題】高い水蒸気バリア性を示す水蒸気バリア膜を提供する。
【解決手段】第１酸化物（Ｘ）からなる蒸着材と第２酸化物（Ｙ）からなる蒸着材を用い、反応性プラズマ蒸着法によって同時に蒸着する共蒸着法で成膜した、２種類の酸化物から構成された水蒸気バリア膜であって、バリア膜の膜厚が３０〜５００ｎｍの範囲内であるとき、θ×ΔＢ≧５０（但し、５０°≦θ≦１２５°、ΔＢ＞０．４）を満たすことを特徴とする。なお、θは成膜後、温度２５℃、相対湿度５０％ＲＨの条件で１日間保持した水蒸気バリア膜における水滴接触角を示し、ΔＢは第１酸化物（Ｘ）の塩基度Ｂ_Xと第２酸化物（Ｙ）の塩基度Ｂ_Yとの差の絶対値を示す。また、水蒸気バリア膜中の第１酸化物（Ｘ）の含有割合をｘモル、第２酸化物（Ｙ）の含有割合をｙモルとするとき、ｘ及びｙは０．０５≦ｘ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５を満たす。 （もっと読む）

【課題】全固体電池等の薄膜電池で使用する薄膜正極を形成するリチウム含有遷移金属酸化物ターゲット及びその製造方法並びにリチウムイオン薄膜二次電池を提供する。
【解決手段】結晶系が六方晶系を示すリチウム含有遷移金属酸化物の焼結体よりなるターゲットであって、相対密度が90％以上、平均結晶粒径が1μm以上50μm以下の焼結体よりなるリチウム含有遷移金属酸化物ターゲット及び結晶系が六方晶系を示すリチウム含有遷移金属酸化物の焼結体よりなるターゲットであって、CuKα線を使用したＸ線回折による(003)面、(101)面、(104)面の強度比が次の(1)及び（2）の条件を満たすリチウム含有遷移金属酸化物ターゲット。(1)(003)面に対する(101)面のピーク比が0．4以上1．1以下、(2)(104)面に対する(101)面のピーク比が1．0以上。 （もっと読む）

【課題】スパッタ開始から終了までの成膜レートや放電電圧等のスパッタ特性が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ターゲットの一方の表面から他方の表面にかけてターゲットの厚さ方向に延びる柱状晶組織を有し、柱状晶組織の体積含有率が９０〜１００％であるインジウムターゲット。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ基合金スパッタリングターゲットやＣｕ基合金スパッタリングターゲットを用いたときのプレスパッタリング時、及び続いて行われる基板等へのスパッタリング時の成膜速度が高められ、且つスプラッシュなどのスパッタリング不良を抑制し得る技術を提供すること。
【解決手段】Ａｌ基合金またはＣｕ基合金スパッタリングターゲットの最表面から１ｍｍ以内の深さのスパッタリング面法線方向の結晶方位＜００１＞±１５°と、＜０１１＞±１５°と、＜１１１＞±１５°と、＜１１２＞±１５°と、＜０１２＞±１５°との合計面積率をＰ値としたとき、下記（１）および／または（２）の要件を満足するスパッタリングターゲット。
（１）前記Ｐ値に対する、＜０１１＞±１５°の面積率ＰＡ：４０％以下、
（２）前記Ｐ値に対する、＜００１＞±１５°と＜１１１＞±１５°との合計面積率ＰＢ：２０％以上 （もっと読む）

【課題】基板毎に成膜の目標膜厚を設定でき、ひいては電極線幅に対応した膜厚を形成することができる成膜システム及び成膜方法を提供する。
【解決手段】基板１８上に形成された複数箇所のレジスト１９を測定する測定室１０２と、基板１８を１枚ずつ成膜して基板１８上に電極２１を形成する枚葉式成膜室１０４と、を有する成膜システム１００であって、基板１８上にて隣接するレジスト１９のレジスト間距離またはレジスト線幅を測定する測定手段１１６を測定室１０２に有し、測定手段１１６によって測定したレジスト間距離またはレジスト線幅に基づいて、基板１８から作製される電気素子が所定の周波数を得るための最適な電極膜厚を算出する制御手段１１４を有し、枚葉式成膜室１０４は、基板１８の電極膜厚が制御手段１１４で算出された最適な電極膜厚となるように、基板１８に電極を形成する成膜手段１０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面における不純物濃度の低下を防止する。
【解決手段】シリコンウェーハを反応炉内で水素ベークする第１の工程（ステップＳ３）と、反応炉にシリコン原料ガス及びドーパントガスを導入することにより、水素ベークされたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する第２の工程（ステップＳ４）とを備える。第１の工程においては、反応炉内にドーパントガスを導入し、外方拡散により低下するシリコンウェーハ表層の不純物濃度を補う。これにより、シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面における不純物濃度の低下が抑制されたエピタキシャルウェーハを製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の内部に設けられる治具、及び成膜装置の内壁に付着した蒸着材料を大気解放しないで除去するためのクリーニング方法およびそのクリーニング方法
を行うための機構を備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】このクリーニングの際には、蒸着マスク１３０２ａと対向する位置に電極１３０２ｂを移動させる。さらに、成膜室１３０３にガスを導入する。成膜室１３０３に導入するガスとしては、Ａｒ、Ｈ、Ｆ、ＮＦ3、またはＯから選ばれた一種または複数種のガスを用いればよい。次いで、高周波電源１３００ａから蒸着マスク１３０２ａに高周波電界を印加してガス（Ａｒ、Ｈ、Ｆ、ＮＦ3、またはＯ）を励起してプラズマ１３０１を発生させる。こうして、成膜室１３０３内にプラズマ１３０１を発生させ、成膜室内壁、防着シールド１３０５、または蒸着マスク１３０２ａに付着した蒸着物を気化させて成膜室外に排気する。 （もっと読む）

【課題】少ない処理室で効率よくバリア層及び埋込層を形成する小型の真空処理装置を提供する。
【解決手段】バリア層は、Ｔｉ製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第１金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第１金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。更にターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成する。他方、埋込層は、Ａｌ含有の金属製のターゲットを用い、スパッタ粒子をプラズマ中の荷電粒子と衝突するように所定圧力に調節すると共に、当初投入したバイアス電力を、成膜中に停止し、処理室の圧力も低下させると共に、加熱手段により処理対象物Ｗを、処理対象物表面に付着、堆積した金属粒子が流動する温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎを含み、酸化物に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、および［Ｉｎ］としたとき、下記式（１）〜（３）を満足するものである。
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）≧−０．５３×［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＋０．３６ ・・・（１）
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）≧２．２８×［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）−２．０１ ・・・（２）
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）≦１．１×［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）−０．３２ ・・・（３） （もっと読む）