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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】封止膜の形成工程以後に処理対象物が100℃以上に加熱されても、封止膜の表面にしわ(膜異常)が発生しない封止膜形成方法とリチウム二次電池の製造方法を提供する。
【解決手段】
1,3−ビス(イソシアナートメチル)シクロヘキサンと4,4’−メチレンビス(シクロヘキシルイソシアナート)のいずれか一方又は両方からなるイソシアナート材料と、4,4−メチレンビス(シクロヘキシルアミン)と1,3−ビス(アミノメチル)シクロヘキサンのいずれか一方又は両方からなるアミン材料とを別々に加熱して蒸気を発生させ、蒸気を処理対象物の表面に一緒に到達させてポリ尿素膜16a2を形成し、アルミナのターゲットをスパッタして、アルミナの粒子をポリ尿素膜16a2が表面に露出する処理対象物の表面に到達させて、ポリ尿素膜16a2の表面にアルミナ膜16c2を形成する。 (もっと読む)


【課題】薄膜蒸着用マスクフレームアセンブリーを提供する。
【解決手段】開口部が形成され、開口部を取り囲むマスクフレーム110と、マスクフレーム110上に結合されるマスク120と、マスク120を支持する少なくとも一つの支持台130と、支持台130を固定する複数の固定部140と、を備える薄膜蒸着用マスクフレームアセンブリー。これにより、蒸着用基板のたるみによる蒸着用基板の割れ現象を防止できる。 (もっと読む)


【課題】ターゲット下方空間へのスパッタ粒子の飛散やプラズマの回り込み等を防止するといった機能を損なうことなく、ターゲットの外周縁部まで効率よく侵食領域とできてターゲットの利用効率が一層向上したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタ室1aで基板Wと共に配置されるターゲット3〜3のスパッタ面3a側を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲットの上方にトンネル状の漏洩磁場M1,M2を形成する磁石ユニット4〜4と、ターゲットの長手方向をX方向、このX方向に直交する方向をY方向とし、磁石ユニットをX方向及びY方向の少なくとも1方向にターゲットに対して相対移動させる移動手段6とを備える。ターゲットの外周縁部から所定の隙間を存してターゲットの周囲を囲うように配置される、電気的に絶縁されたフローティングシールド5を更に有する。 (もっと読む)


【課題】物理気相成長中に加工物を支持する方法及び関連する装置を提供する。
【解決手段】吸熱性コーティング(15)でコートされた支持面を有するアルミニウム製支持体(11)が提供される。冷却によって、加工物が350℃〜450℃の温度になるように、支持体は約100℃に冷却されPVDプロセスが実施される。コーティングは、不活性であり及び/または超高電圧に適合できる。 (もっと読む)


【課題】窒化リン酸リチウム膜の成膜速度を高めつつ、該窒化リン酸リチウム膜における膜特性の安定性を高めることの可能な窒化リン酸リチウム膜の成膜方法、該方法を用いて窒化リン酸リチウム膜を成膜する装置、及び該方法によって成膜された窒化リン酸リチウム膜を提供する。
【解決手段】
窒素とアルゴンとが含まれる真空槽11内でリン酸リチウムのターゲット13をスパッタして窒化リン酸リチウム膜を基板Sに成膜する。スパッタ装置のターゲット13には、インジウム層14を介して銅からなるバッキングプレート15が接合され、バッキングプレート15には、インジウム層14を温調する冷却水が循環される。スパッタ時には、真空槽11内の圧力を0.25Pa以上1.0Pa以下とし、ターゲット13に3.5W/cm以上5.7W/cm以下の電力密度で高周波電力を供給し、インジウム層14の温度を20℃以上60℃以下とする。 (もっと読む)


【課題】 スパッタリングを用いて安全・安価な方法で、可視領域において低吸収なフッ化膜を作成する方法を提供すること。
【解決手段】 本願発明は、金属ターゲットと反応性ガスを含む混合ガスを用いて、反応性スパッタにより基板上にフッ化膜を形成するフッ化膜形成方法において、前記混合ガスはOガス及び前記反応性ガスを含み、前記反応性ガスはフルオロカーボン系ガスであることを特徴とするフッ化膜形成方法である。 (もっと読む)


【課題】従来よりも抵抗値の低いIn系酸化物導電膜を形成することができる酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素(In)及びガリウム元素(Ga)を含有し、X線回折において、2θ=12〜18度、21〜24度及び43〜45度に回折ピークを有する酸化物。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Si基板10上に形成されたアンドープGaN層1,アンドープAlGaN層2と、アンドープGaN層1,アンドープAlGaN層2上に形成されたTi/Al/TiNからなるオーミック電極(ソース電極11,ドレイン電極12)とを備える。上記オーミック電極中の酸素濃度を1×1016cm−3以上かつ1×1020cm−3以下とする。 (もっと読む)


【課題】放電電圧を低下させることで、スパッタリング成膜時における下地層へのダメージを減少させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】一対のターゲット21A,21Bへの電圧を交互に供給する交流電源ユニット50を備える構成とし、ACデュアルカソードスパッタリング法において、フィラメント41から熱電子を放出させる。プラズマが形成された領域に、熱電子を供給することで、プラズマの放電電圧を低下させて、スパッタリング成膜時に下地層へ与えるダメージを低減する。 (もっと読む)


【課題】低温でも良好に薄膜形成できるp型ZnO系半導体材料を提供する。
【解決手段】
ZnOとNiOの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることにより、Zn1-xNiO薄膜を基板上に形成する。Zn1-xNixO(xは、ZnとNiの合計モル数に対するNiモル数の比率である)は、ZnOとNiOとが混合した酸化物であり、xの値は0.65以下に設定してZnOに対する価電子帯トップのオフセット量を1eV以内に抑えることが好ましく、xの値は小さい方が好ましい。一方、電気伝導タイプをp型とし、電気抵抗を低く抑えることを考慮すると、Zn1-XNiXOにおけるXの値は0.13以上であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 真空処理装置の処理室内において、マスクに対する基板のアライメントのために両者の位置関係を確実に検出できる簡単な構成で低コストのアライメント装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ1内で相互に対向配置される基板Wとこの基板に対する処理範囲を制限するマスクWとのいずれか一方を保持する固定の保持手段5と、その他方を保持する、固定の保持手段に対して相対移動可能な可動の保持手段2とを備える。固定の保持手段内に、一端側が可動の保持手段で保持された基板またはマスクのいずれか他方に向けて開口し、その他端側が処理室を画成する壁面に向けて開口する光路52R,52Lが形成され、光路の他端側から光を入射する光源61と、この他端側から光路を通して他方を撮像する撮像手段62と、撮像手段からの出力に応じて可動の保持手段を相対移動させてアライメントを行う制御手段Cとを更に備える。 (もっと読む)


【課題】回路規模の拡大に資する新規の半導体素子を提供する。
【解決手段】独立した2つの電気的スイッチを単体の酸化物半導体層を用いて構成することを要旨とする。例えば、当該半導体素子は、当該酸化物半導体層の下面(第1の面)近傍におけるチャネル(電流経路)の形成と、上面(第2の面)近傍におけるチャネルの形成とを独立して制御する。これにより、2つの電気的スイッチを別個に設ける場合(例えば、2つのトランジスタを別個に設ける場合)と比較して、回路面積を縮小することが可能となる。すなわち、当該半導体素子を用いて回路を構成することで、回路規模の拡大に伴う回路面積の拡大を抑制することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】データの保持期間を確保しつつ、単位面積あたりの記憶容量を高めることができる記憶装置を提供する。
【解決手段】複数のビット線を幾つかのグループに分割し、複数のワード線も幾つかのグループに分割する。そして、一のグループに属するビット線に接続されたメモリセルには、一のグループに属するワード線が接続されるようにする。さらに、複数のビット線は、複数のビット線駆動回路102a,102b,102cによってグループごとにその駆動が制御されるようにする。加えて、複数のビット線駆動回路102a,102b,102cと、ワード線駆動回路101とを含めた駆動回路上に、セルアレイ103a,103b,103cを形成する。駆動回路とセルアレイ103a,103b,103cが重なるように三次元化することで、ビット線駆動回路が複数設けられていても、記憶装置の占有面積を小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】新たな構成の不揮発性の記憶素子、それを用いた信号処理回路を提供する。
【解決手段】第1の回路と第2の回路とを有し、第1の回路は第1のトランジスタと第2のトランジスタとを有し、第2の回路は第3のトランジスタと第4のトランジスタとを有する。第1の信号に対応する信号電位は、オン状態とした第1のトランジスタを介して第2のトランジスタのゲートに入力され、第2の信号に対応する信号電位は、オン状態とした第3のトランジスタを介して第4のトランジスタのゲートに入力される。その後、第1のトランジスタ及び第3のトランジスタをオフ状態とする。第2のトランジスタの状態と第4のトランジスタの状態との両方を用いて、第1の信号を読み出す。第1のトランジスタ及び第3のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタとする。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングによるターゲットの消耗を抑えつつ、ターゲット表面に付着する付着物の除去を行うことが可能なロータリースパッタリングカソード、およびロータリースパッタリングカソードを備えた成膜装置を提供すること。
【解決手段】ターゲット21の外表面に付着した付着物を加熱して昇華させて除去する除去手段51、又は、付着物を機械的に除去する除去手段を備える構成とする。これにより、従前のような付着物除去のためのスパッタリングを不要とする。付着物を加熱して昇華させる除去手段としては、例えばフィラメント51を用い、付着物を機械的に除去する除去手段としては、例えばブラシ53を用いることができる。これにより、ターゲットの消耗を抑えつつ、付着物を取り除くことができる。 (もっと読む)


【課題】電力の供給が停止した後もデータを保持することができる、新たな構成の記憶素子を提供することを目的の一とする。
【解決手段】記憶素子は、ラッチ回路と、第1の選択回路と、第2の選択回路と、第1の不揮発性記憶回路と、第2の不揮発性記憶回路と、を有する。また、第1の不揮発性記憶回路及び第2の不揮発性記憶回路は、それぞれトランジスタ及び容量素子を有する。第1及び第2の不揮発性記憶回路のそれぞれが有するトランジスタは、チャネルが酸化物半導体膜に形成されるトランジスタである。当該トランジスタは、オフ電流が極めて低いため、トランジスタと容量素子の接続点であるノードにデータが入力された後、トランジスタがオフ状態となり、電源電圧の供給が停止しても、長期間にわたりデータを保持することができる。 (もっと読む)


【課題】短い円筒型のサブターゲットを円筒軸方向に並べて構成される長い円筒型ターゲットを用いて、膜質の変化を抑制して成膜を行うスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板17を第1の円筒ターゲット19の近傍を所定の方向Dsに搬送させながら、中心軸Ax19に沿って延在する第1の円筒ターゲット19からスパッタリングして、当該基板17に薄膜を形成するスパッタリング装置Asであって、前記第1の円筒ターゲット19は、当該第1の円筒ターゲット19より筒長の短い第2の円筒ターゲット18が第1の所定数kだけ前記中心軸Ax19に沿って連結されて構成されると共に、当該中心軸Ax19が前記基板搬送方向Dsに対して第1の所定の角度θを成すように配置され、当該第1の所定の角度θは0°より大きく90°より小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高速動作を実現できる記憶装置、或いは、リフレッシュ動作の頻度が低減できる記憶装置を提供する。
【解決手段】セルアレイ101の内部において、メモリセル100に接続された配線に、駆動回路102から電位の供給が行われる。さらに、駆動回路102上にセルアレイ101が設けられており、セルアレイ101が有する複数の各メモリセル100は、スイッチング素子と、スイッチング素子により電荷の供給、保持、放出が制御される容量素子とを有する。そして、スイッチング素子として用いられるトランジスタは、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を、チャネル形成領域に含んでいる。 (もっと読む)


【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いた書き込み用トランジスタ162、トランジスタ162と異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ160及び容量素子164を含む不揮発性のメモリセルにおいて、メモリセルへの書き込みは、書き込み用トランジスタ162をオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタ162のソース電極(またはドレイン電極)と、容量素子164の電極の一方と、読み出し用トランジスタ160のゲート電極とが電気的に接続されたノードに電位を供給した後、書き込み用トランジスタ162をオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。また、読み出し用トランジスタ160として、pチャネル型トランジスタを用いて、読み出し電位を正の電位とする。 (もっと読む)


【課題】本発明では、成膜処理のスループットの向上を図ることができ、同時に複数種類の処理が可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置1は、被処理材Sをキャリア3に保持した状態で搬送路Rに沿って搬送し、搬送路Rに沿って配置された複数のプロセスチャンバで所定の真空処理を行う装置であり、搬送路Rの角の部分にそれぞれ配置されている複数の方向転換チャンバ内でキャリア3に保持される被処理材Sの交換が行われる。 (もっと読む)


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