説明

Fターム[4K029AA24]の内容

物理蒸着 (93,067) | 基体 (14,066) | 形状 (5,788) |  (3,910)

Fターム[4K029AA24]に分類される特許

221 - 240 / 3,910


【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いた書き込み用トランジスタ162、トランジスタ162と異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ160及び容量素子164を含む不揮発性のメモリセルにおいて、メモリセルへの書き込みは、書き込み用トランジスタ162をオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタ162のソース電極(またはドレイン電極)と、容量素子164の電極の一方と、読み出し用トランジスタ160のゲート電極とが電気的に接続されたノードに電位を供給した後、書き込み用トランジスタ162をオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。また、読み出し用トランジスタ160として、pチャネル型トランジスタを用いて、読み出し電位を正の電位とする。 (もっと読む)


【課題】パワー系半導体のメタル電極製造工程に於いて、薄膜化されたウエハの熱処理等の反りによる搬送ミスやウエハクラックを防止する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ1の裏面研削後に、ウエハを予熱した状態でスパッタリング成膜によりメタル膜を成膜するに際して、ウエハを円環状のサセプタに収容して処理するものであって、その円環の放射状垂直断面は、半導体ウエハの表面の周辺部を重力に対して保持する水平に近い第1の上側表面41と、第1の上側表面に続いて、その外側にあって、半導体ウエハの側面を横ずれに対して保持する垂直に近い第2の上側表面42を有するものである。 (もっと読む)


【課題】 成膜したフッ素含有樹脂からなる有機層と無機層との密着性が高い成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、被処理基板2に成膜された無機物からなる無機層3上にフッ素含有樹脂からなる有機層を形成する成膜方法であって、無機層を形成する際に、反応性ガスとして水蒸気を用いた反応性スパッタリングを行って被処理基板上に無機層を形成し、次いで無機層上に有機層を形成する。成膜装置は、この成膜方法を実施できる。 (もっと読む)


【課題】スパッタ初期のスパッタレートが高く、かつスパッタレートの経時的な低下が小さく、さらに均質な膜が形成できる太陽電池用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム製の鋳塊に物理的応力を加える加工を行って該鋳塊の厚みを元の厚みの70%以下にすることにより得られたターゲット材とバッキングプレートとを、インジウム-スズまたはインジウム-ガリウム合金製のボンディング材により接合することにより形成されたことを特徴とする太陽電池用スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】光情報記録媒体の層数を低減しながら、所定の要求特性(低い記録パワーで記録が可能であること、高い変調度を有すること、低いジッター値を有すること、再生に十分な高い反射率を有すること)をすべて満足し、生産性を高めることのできる光情報記録媒体用記録膜を提供する。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体用記録膜は、レーザー光の照射により記録が行われる光情報記録媒体用記録膜であって、Mnと;Bi、Ag、Co、Cu、In、Sn、およびZnよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と;酸素(O)と、を含み、Mnの少なくとも一部、およびX群元素の少なくとも一部が酸化されている。 (もっと読む)


【課題】不純物を含む表層から基板に不純物を注入するための、実用性に優れるプラズマ処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置10は、不純物を含む基板Wの表層から要求される注入深さへ不純物を注入するプラズマ処理のためのプラズマ処理パラメタ設定部13を備える。プラズマ処理パラメタは、プラズマ処理により不純物濃度が基準値に等しくなる基板表面からの深さを決定づける主パラメタ例えばバイアス電圧と、不純物濃度を基準値に飽和させる飽和範囲をもつ副パラメタ例えばプラズマ処理時間と、を含む。設定部13は、要求される注入深さから主パラメタを設定する第1設定処理と、副パラメタを設定する第2設定処理と、を実行する。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料の利用効率の高い成膜装置を提供する。
【解決手段】
真空槽11と、真空槽11内に配置され、内部に蒸着材料の蒸気が配置される中空の放出容器16aと、真空槽11内に配置され、基板5を保持する基板保持部14と、先端の開口17が基板5表面に向けられて放出容器16aに設けられ、内部が放出容器16aの内部空間と連通する複数の中空の筒15とを有し、各筒15の開口17の法線18は基板5表面と交差され、放出容器16a内の蒸気は各筒15の開口17から放出され、基板5表面に到達して薄膜が形成される成膜装置10であって、筒15には、先端が基板5表面と対面する範囲の外側に配置された筒が含まれる。先端が基板5表面と対面する範囲の外側に配置された筒15の開口17の法線も基板5表面と交差され、開口17から放出された蒸気のうち基板5表面に到達する蒸気の割合が従来より高い。 (もっと読む)


【課題】迅速に成膜速度を算出し、被処理基板へ供給する有機材料ガスの濃度を略一定にして良質な膜を効率良く形成することができ、保守管理も容易である成膜装置、成膜速度算出方法、成膜方法、有機発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜装置1のプロセスコントローラ11は、イオンゲージ10に搬送ガスのみを通流させた場合の(Ii/Ie)0 と、有機材料及び搬送ガスを通流させた場合の(Ii/Ie)との差と、成膜速度D/Rとの関係を示す成膜速度検量線を作成する。プロセスコントローラ11は成膜時に(Ii/Ie)を算出し、前記成膜速度検量線を用いてD/Rを求め、求めたD/Rに基づいてマスフローコントローラ5を制御し、搬送ガスの流量を制御して、成膜処理を行う。 (もっと読む)


【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ga/(Ga+In)が0.001〜0.12であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が80原子%以上であり、Inのビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】非鉛の圧電膜と下部電極とのエッチング選択性を確保するとともに、高精度に加工することができる圧電膜素子、圧電膜素子の製造方法、及び圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電膜素子1は、基板2と、基板2上に形成されたPt又はPtを主成分とする合金からなる第1の下部電極層4と、第1の下部電極層4上に形成されたTi、Cr若しくはこれらのいずれかを主成分とする合金の単層又は積層体からなる第2の下部電極層5と、第2の下部電極層5上に形成されたペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電膜7と、圧電膜7上に形成された上部電極とを備える。 (もっと読む)


【課題】蒸着膜の膜厚の精度が向上する蒸着膜形成体の製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着装置及び被蒸着物が準備される。蒸着装置は、真空槽及び蒸着源を備える。蒸着源は、真空槽内に設置され、蒸着材料を蒸発させる。蒸着装置及び被蒸着物が準備された後に、真空槽内に被蒸着物が収容される。真空槽内に被蒸着物が収容された後に、真空槽内からの排気が開始され、真空槽内が減圧状態にされる。真空槽内が減圧状態にされた後に、蒸着源からの蒸着材料の蒸発が開始させられ、蒸着材料からなる蒸着膜が被蒸着物に形成される。蒸着源からの蒸着材料の蒸発が開始させられた後に、蒸着源からの蒸着材料の蒸発が終了させられる。同時に、真空槽内からの排気が終了させられ、真空槽内へ気体が導入され、減圧状態が解消される。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 (もっと読む)


【課題】コンタクトホール内に良好にAl膜が埋設されたコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の層間絶縁膜内にコンタクトホールを形成する工程と、基板を加熱した状態でコンタクトプラグを形成する工程を有する。コンタクトプラグを形成する工程では、スパッタ装置のチャンバー内のステージ上に、チャックを介して基板を保持し、チャックに印加するESC電圧を第一の電圧、第二の電圧、第三の電圧と、この順に3段階のステップ状に増加させる。チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力を印加してコンタクトホール内に第一のAl膜を成膜する。次に、チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力よりも高い第二のターゲット電力を印加して第一のAl膜上に第二のAl膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】耐食性および導電性に優れる耐食導電性皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電性皮膜は、P、TiおよびOからなるアモルファス相を少なくとも一部に有してなる。この耐食導電性皮膜が基材表面に形成された耐食導電材は、従来になく優れた耐食性および導電性を発現する。特にTi原子比(Ti/Ti+P)が0.5〜0.8である場合やNが導入された場合、その耐食導電性皮膜の耐食性は、導電性を低下させることなく著しく向上する。本発明の耐食導電性皮膜は、腐食環境下で高い導電性が要求される電極等に用いられると好ましい。例えば、本発明の耐食導電性皮膜により表面が被覆された燃料電池用セパレータは、耐食性および導電性に優れて好適である。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料の無駄な使用を防止し、基板表面に質の良い薄膜を形成する。
【解決手段】蒸着装置は、基板6を保持するホルダ13と複数の容器1とエネルギー発生手段5と移動機構2と重量測定機構4とを備えている。複数の容器1は、基板6の表面に形成する薄膜の原料である蒸着材料を収容する。エネルギー発生手段5は、ホルダ13に対して位置決めされており、容器1に収容された蒸着材料を気化させるエネルギーを発する。移動機構2は、複数の容器1から選択した一の容器1を、エネルギー発生手段5から発せられたエネルギーを付与できる蒸着ポジションへ移動させる。重量測定機構4は、容器1内の蒸着材料の重量を測定する。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 (もっと読む)


【課題】触媒金属の混入を抑えることの可能な窒化ガリウム柱状構造の形成方法、及び該方法を用いる窒化ガリウム柱状構造の形成装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム柱状構造を下地層上に反応性スパッタによって形成する。このとき、真空槽11内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合である窒素濃度を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウムの成長速度における極大値の91%以上100%以下の窒化ガリウムの成長速度となるような窒素濃度とする。また、基板Sの温度T、ガリウムのターゲット14に供給される周波数が13.56MHzであるバイアス電力Pが、600≦T≦1200、0<P≦4.63、P<0.0088T−6.60、P≧0.0116T−11.37を満たす条件にて窒化ガリウム柱状構造を形成する。 (もっと読む)


【課題】真性に近い単結晶GaN膜を有し、かつこの膜をn形又はp形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス:基板であって、この基板は、(100)シリコン、(111)シリコン、(0001)サファイア、(11−20)サファイア、(1−102)サファイア、(111)ヒ化ガリウム、(100)ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる;約200Å〜約500Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む;および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 (もっと読む)


【課題】 スパッタ法により良好にNa添加されたGa添加濃度1〜40原子%のCu−Ga膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットのSeを除く金属成分として、Ga:1〜40at%、Na:0.05〜2at%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Naがセレン化ナトリウムの状態で含有されている。このスパッタリングターゲットを用いたスパッタ法により、発電効率の向上に有効なNaを含有したCu−Ga膜を成膜することができる。 (もっと読む)


【課題】耐熱温度の低い樹脂材料などに、膜応力が大きい膜材料を成膜するときに、膜クラックの発生が少なく、環境試験寿命を大幅に長くできるスパッタリング方法を提供することを目的としている。
【解決手段】樹脂基板9などに高屈折率膜15,低屈折率膜16,高屈折率膜17,低屈折率膜18をスパッタする場合に、スパッタの開始前の圧力を10−1Pa台の低真空として、膜応力を引張応力とすることを特徴とする。 (もっと読む)


221 - 240 / 3,910