【課題】銅めっき工程の電極に用いるＣｕ堆積膜による貫通孔開口の閉塞状態を適切に制御できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、貫通孔が形成された基板３４Ｂおよび銅放出源３５Ｂを格納する真空チャンバ３０と、真空チャンバ３０内を所定の真空度に減圧する真空ポンプ３６と、基板３４Ｂに印加する電力を発生する電源８０と、基板３４Ｂおよび銅放出源３５Ｂ間の距離の設定に用いる駆動機構と、を備える。銅放出源３５Ｂから放出された銅材料を基板３４Ｂの一方の主面に堆積させ、主面における貫通孔の開口を銅材料からなる堆積膜によって閉塞させるとき、堆積膜による開口の閉塞状態が、上記距離および上記電力に基づいて調整される。 （もっと読む）

【課題】相対密度の高く、抵抗値のバラツキが小さいＣｕＧａＮａ系スパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るＣｕＧａＮａ系スパッタリング用ターゲットの製造方法は、ＣｕＧａ合金粉末と１５０μｍ以下の平均粒度を有するＮａ₂ＣＯ₃粉末との混合粉末を作製し、上記混合粉末を加圧焼結する。ＣｕＧａ合金粉末に添加されるＮａ原料としてＮａ₂ＣＯ₃粉末を採用し、そのＮａ₂ＣＯ₃粉末の平均粒度を１５０μｍ以下に制限することで、焼結体の相対密度を例えば９８％以上に高めることができるとともに、抵抗値のバラツキを例えば±６％以下に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性に優れ、かつ高濃度の窒素ドーピングを実現できるＺｎＯ系薄膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】主面の法線が結晶軸から傾斜した酸化亜鉛系基板１上に、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜２を形成するにあたって、少なくとも亜鉛と酸素と窒素を原料ガスとして使用し、これらを７５０〜９００℃の温度条件で基板１に接触させて、基板１表面に、窒素をドープした酸化亜鉛系材料からなる結晶を成長させて窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜２を形成する。原料ガスとしての酸素供給量に対する亜鉛供給量は、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜の亜鉛と酸素のモル比（亜鉛／酸素）が１より大きくなるようにされる。原料ガスとしての窒素は、窒素ガスを高周波で励起することによって発生させた窒素ラジカルを含む。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、光電流／暗電流のＳ／Ｎ比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極（２０，４０）と、一対の電極（２０，４０）に挟持された少なくとも光電変換層３２を含む受光層３０を有する光電変換素子１は、受光層３０の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のＤ５０％で表される平均粒径が５０μm〜３００μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル用構造体として適用された際に透明導電膜の存在に起因して表示装置の視野が妨害される弊害を解消した透明導電膜構造体とその製法等を提供する。
【解決手段】透明基板とこの基板上に設けられた回路パターン形状を有する透明導電膜とで構成される透明導電膜構造体であって、透明導電膜の外縁近傍領域に、透明導電膜を貫通すると共に上記外縁と平行に設けられた複数のスリット群と非スリット群とで構成された屈折率緩衝部を有し、この屈折率緩衝部はその幅方向に亘って上記外縁と平行でかつ幅寸法が互いに同一の単位領域により区画されており、屈折率緩衝部における単位領域の屈折率が、透明基板と略同一の屈折率を有する最外側の単位領域から透明導電膜と略同一の屈折率を有する最内側の単位領域に向かって連続的に変化していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてバンドギャップの異なる少なくとも２層の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層を用いる。酸化物半導体積層には、酸素又は／及びドーパントを導入してもよい。 （もっと読む）

【課題】高コストのインジウムの含有量を抑制しつつ、キャリアが高濃度、安定に存在し、赤外光透過率が低い透明導電膜を提供する。
【解決手段】少なくともインジウム、錫及び亜鉛を含有し、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比が０．２５〜０．６であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比が０．１５〜０．３であり、かつＺｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比が０．１５〜０．５であり、可視領域の光線透過率が７０％以上であり、赤外領域の光線透過率が６５％以下である透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】真空計への成膜材料の付着を抑制し、真空計の機能の低下を回避することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を成膜する成膜装置において、基板が通過する真空環境を形成する真空容器１２３と、真空容器１２３内の真空度を測定する真空計１と、真空計１への付着を抑制する付着抑制手段１０とを備える構成とする。このように、真空計１への成膜材料の付着を抑制する付着抑制手段１０を備える構成とすることで、真空計１への成膜材料の付着を抑制し、真空計１の機能の低下を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接する下地となる膜との界面の電子状態が良好なトランジスタ。
【解決手段】下地となる膜は酸化物半導体膜と同様の原子配列を有し、下地となる膜と酸化物半導体膜とが接している面において、面内の下地膜の最隣接原子間距離と酸化物半導体の格子定数の差を、下地となる膜の同面内における最隣接原子間距離で除した値は０．１５以下、好ましくは０．１２以下、さらに好ましくは０．１０以下、さらに好ましくは０．０８以下とする。例えば、立方晶系の結晶構造を有し（１１１）面に配向する安定化ジルコニアを含む下地となる膜上に酸化物半導体膜を成膜することで、下地となる膜の直上においても結晶化度の高い結晶領域を有する酸化物半導体膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】コーティング付き物品及び製造方法の提供。
【解決手段】コーティング付き物品（20,100）は、基材（22,102）と、ＰＶＤコーティング領域（110）を有するコーティング組織（24,106）とを有する。ＰＶＤコーティング領域（110）は、アルミニウムと、イットリウムと、窒素と、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、およびシリコンからなる群から選択される少なくとも１つの元素とを含む。アルミニウム及びイットリウムの含有量の合計は、アルミニウム、イットリウム及び他の元素の合計の約３原子％〜約５５原子％である。イットリウム含有量は、アルミニウム、イットリウム及び他の元素の合計の約０．５原子％〜約５原子％である。基材を用意するステップと、ＰＶＤコーティング領域を含むコーティング組織を堆積させるステップとを含むコーティング物品の製造方法も開示する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ液晶パネルなどに使用される大型の基板に対してスパッタリング工程で配線を作成する際に、高電力を印加した際も使用中の異常放電の頻度を減少し、スプラッシュ等の発生を抑制する、スパッタリングターゲット用銅材料を提供する。
【解決手段】純度９９．９９％以上の純銅からなり、ターゲット内部のボイドおよび介在物欠陥の平均サイズが３０μｍ以下であり、且つ、欠陥の数が、スパッタリングに供する面の単位面積辺り、１０個／ｍ^２であることを特徴とする、スパッタリングターゲット用銅材料。 （もっと読む）

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 （もっと読む）

【課題】流動体を付着させて熱処理を行う工程を繰り返し行うことにより微細パターンの膜を所望の膜厚で精密に作製可能とするパターン形成用基板と、パターン形成用基板を用いた圧電アクチュエータの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の流動体を特定領域に付着させて熱処理を行うことによりパターン化された膜を形成するためのパターン形成用基板１０で、特定領域を親和性とし、それ以外の領域を非親和性とする表面改質をおこなう。パターン形成用基板１０の表面改質処理対象となる金属膜はＰｔ膜５３を積層し、基体として、Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１つの金属元素、酸素元素および炭素元素から構成されるＭＯＣ膜５２を用いる。 （もっと読む）

【課題】有機層蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着工程中に基板と有機層蒸着装置との精密な整列の可能な有機層蒸着装置である。有機層蒸着装置は、第１マーク及び第１整列パターンを撮影する第１カメラアセンブリーと、第２整列マーク及び第２整列パターンを撮影する第２カメラアセンブリーと、を備え、前記第１カメラアセンブリーにより撮影された前記第１整列パターンの映像が同一であり、前記第２カメラアセンブリーにより撮影された前記第２整列パターンの映像が同一であるように、前記基板の移動速度と前記第１カメラアセンブリー及び前記第２カメラアセンブリーの撮影速度とを同期化する。 （もっと読む）

【課題】透明性および導電性に優れる透明導電膜を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜は、Ｔｉ、Ｐ、ＯおよびＮを必須元素とし、任意元素として、Ｖ、ｎ、Ｓｉ、Ｆｅ等を含むものでもよい。この透明導電膜が基材表面に形成された導電部材は、従来になく優れた透明性および導電性を発現する。特にＴｉ原子比（Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｐ））が０．５〜０．８である場合にその傾向が顕著である。本発明の透明導電膜は、従来の透明導電膜に必須であったＩｎやＮｂ等の希少元素を含まない。従って本発明によれば、資源的リスクがなく、低コストな透明導電膜の提供が可能となる。このような透明導電膜は、各種の薄型ディスプレイ、タッチパネル、太陽電池、バイオ刺激電極などの部材に利用可能である。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気を維持したまま、多数の基板の薄膜の膜厚を成膜中に測定する。
【解決手段】真空槽１２内に複数のサンプル板１６を配置し、基板の成膜面に薄膜を成長させる際に、サンプル板１６の検出面６１にも薄膜を成長させ、サンプル板１６表面に測定光を照射して薄膜の膜厚測定を行うことができる。サンプル板１６には金属電極が不要であり、高温に加熱することができるので、検出面６１に形成された薄膜を加熱して除去し、サンプル板１６を再使用することができる。その結果、真空雰囲気を維持したまま、多数枚数の基板に対する薄膜の膜厚測定を行うことができる。真空雰囲気内に複数のサンプル板１６を用意し、薄膜が形成されたサンプル板１６を加熱する間に別のサンプル板１６によって膜厚測定を行うと、薄膜除去の待ち時間は生じない。 （もっと読む）

【課題】エッチング残渣が少なく信頼性が良好であり、かつリーク電流を抑制することができる強誘電体素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０の上に順に、振動板１１、下部電極２０、強誘電体層３０、上部電極４０を形成し、強誘電体層３０の側面の傾斜角はθ２＝３０°、上部電極４０の側面の傾斜角はθ１＝３０°としている。これにより、エッチングガスやプラズマ粒子の衝突角度が平面に近づき、傾斜面でのエッチング残渣の除去率が向上する。 （もっと読む）

【課題】有機層蒸着装置及びこれを用いる有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被蒸着用基板を固定させる静電チャックと、真空に維持されるチャンバ及びチャンバの内部に配されて静電チャックに固定された基板に薄膜を蒸着する薄膜蒸着アセンブリーを備える蒸着部と、基板が固定された静電チャックを蒸着部内に移動させる第１循環部と、を備え、第１循環部は、蒸着部を通過する時にチャンバ内部に貫通し、第１循環部は、静電チャックが一方向に移動可能に静電チャックを収容する収容部を備えるガイド部を備える有機層蒸着装置及びこれを用いる有機発光表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、Ｍｏの分散性が良い、均一微細な組織をもったＭｏＴｉターゲット材の製造方法およびＭｏＴｉターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本発明は、（１）Ｍｏ一次粒子が凝集したＭｏ凝集体を平均粒径１０μｍ以下に解砕してＭｏ粉末を作製する工程と、（２）前記Ｍｏ粉末と平均粒径５０μｍ以下のＴｉ粉末とを混合して混合粉末を作製する工程と、（３）前記混合粉末を加圧焼結してＭｏＴｉ焼結体を作製する工程とを有するＭｏＴｉターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）