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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ga系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又はβ−Ga基板2上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ga結晶に一定周期で間欠的にSnを添加する工程を含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜3を製造する。 (もっと読む)


【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置10は、Ti層を形成する金属層形成チャンバ13と、Ti層上に、該Ti層を構成するTiClと、NHとを用いてTiN層を形成する窒化金属層形成チャンバ14とを備えている。窒化金属層形成チャンバ14では、TiN層が形成される前に、Ti層の表面が窒化される。 (もっと読む)


【課題】酸素欠損を低減したβ−Ga単結晶膜の製造方法、及びβ−Ga単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、所定の気圧に減圧された真空槽10内にオゾンを含む酸素ガスを供給すると共に第1のセル13aからGa蒸気を供給し、基板ホルダ11に保持されたβ−Ga基板2上にβ−Ga単結晶膜を成長させ、結晶積層構造体を製造する。このように、β−Ga2O3単結晶膜の成長時に酸素の原料としてオゾンを供給することで、酸素欠損の少ない高品質なβ−Ga2O3単結晶膜が得られると共に、活性酸素のみを供給した場合に比較してβ−Ga2O3単結晶膜の成長レートが高まる。 (もっと読む)


【課題】改良された有機材料の気化方法を提供する。
【解決手段】有機材料を気化させて表面に膜を形成する方法であって、所定量の流動化した粉末形態の有機材料を供給し;その粉末化した有機材料を計量し、流動化した粉末流として第1の部材の上に誘導し;その第1の部材を加熱して流動化した上記粉末流を気化させ;気化した有機材料をマニホールド60内に回収し;そのマニホールドに通じている少なくとも1つの開口部90が形成された第2の部材50を用意し、気化した有機材料をその第2の部材によって上記表面に誘導して膜を形成する操作を含む方法。 (もっと読む)


【課題】円筒型スパッタリングターゲット材の外周面側から内周面側までのスパッタ速度の均一化を図る。
【解決手段】純度3N以上の無酸素銅から形成され、円筒形状を有する円筒型スパッタリングターゲット材20であって、外周面21側から内周面22側へ向けて硬さが次第に増加するとともに、外周面21側から内周面22側へ向けて(111)面の配向率が次第に増加する。 (もっと読む)


【課題】ターゲットに局所的な侵食が発生することが抑制できてターゲットの利用効率を高めることができるマグネトロンスパッタカソードを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタカソードは、立体形状の輪郭を有するターゲット1aと、トンネル状の磁場を形成する磁石ユニット2aとを備える。このターゲットの表面の一部をスパッタリングにより侵食されるスパッタ面12a、12cとし、前記磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線が、スパッタ面を跨いでターゲットの周囲を周回するように磁石ユニットが構成される。 (もっと読む)


【課題】厚さが35nm以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板11上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜12を35nm以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板11上にコバルト薄膜12を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜12のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板11の代わりに、少なくとも一主面がSiO2 からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Snを添加しながらβ−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又は前記β−Ga基板上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Sn添加β−Ga結晶膜を形成する工程と、第1の不活性雰囲気中で前記Sn添加β−Ga結晶膜に第1のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】圧電アクチュエータの力を効率よく利用してミラーの回転方向に大きな変位を得るとともに、垂直方向の並進運動を大幅に抑制する。
【解決手段】ミラー部(12)を挟んで両側に一対の圧電アクチュエータ部(14)が配置される。圧電アクチュエータ部(14)の一端(14A)は連結部(16)を介してミラー部(12)の端部(12A)に接続され、圧電アクチュエータ部(14)の他端(14B)は固定部(30)に固定支持される。また、ミラー部(12)は、垂直方向への並進運動する抑制する垂直移動抑制構造(32)を介して固定部(30)に接続されている。回転軸(18)付近に接続されるトーションバー(20)とトーションバー(20)の基端部を支持するトーションバー支持部(22)とにより垂直移動抑制構造(32)を構成できる。 (もっと読む)


【課題】二酸化炭素を効率よく還元することができる処理板及び処理方法を提供する。
【解決手段】二酸化炭素の処理板1は、基板2と、基板2上に形成され(111)面を表面とする酸化マグネシウムからなる処理膜3とを備える。処理膜3は二酸化炭素を吸着し、加熱により還元する属性を有している。基板2は、(111)面を主面とするチタン酸ストロンチウム、(0001)面を主面とするサファイア、又は(111)面を主面とするイットリア安定化ジルコニアのいずれか一つにより構成される。 (もっと読む)


【課題】ZnO膜の成膜時にスプラッシュの発生を防止することができる、ZnO蒸着材を提供する。
【解決手段】ZnO蒸着材は、ZnOの多孔質焼結体からなり、その焼結体が0.2以上3.0%未満の気孔率とすることで、内部に存在するガスを著しく減少させることができ、0.1〜300μmの範囲の平均気孔径をとすることで、蒸発速度を高くすることが可能となり、製造コストを低減することができる。ZnO膜は、上記ZnO蒸着材を用いて形成される。 (もっと読む)


【課題】金属カルコゲナイド膜の積層体を有する相変化メモリにおいて、読み書き動作の速度を高めることのできる相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法を提供する。
【解決手段】GeTe膜とSbTe膜とを基板上にて交互に積層することによって相変化メモリを形成する際に、処理基板Sの温度を250℃以上350℃以下の所定温度に維持する。加えて、互いに異なる組成を有する二つのターゲットであるGeTeターゲット22aとSbTeターゲット22bの各々を互いに異なるタイミングでアルゴンガスによりスパッタする。このとき、互いに異なる組成を有した二つ以上の金属カルコゲナイド膜であるGeTe膜とSbTe膜とを毎秒3nm以上10nm以下の速度で前記基板上に積層する。 (もっと読む)


【課題】導電性が高くIII族窒化物結晶との接合強度が高いとともに光透過性が高い複合体を提供する。
【解決手段】本複合体100は、III族窒化物結晶110とIII族窒化物結晶110上に配置された酸化物膜120とを含み、酸化物膜120はドーパントの濃度が互いに異なる第1領域121と第2領域122とを含み、第2領域122は第1領域121に比べてドーパントの濃度が高い。 (もっと読む)


【課題】 大型の基板に小さなマスクで蒸着すると時間がかかる。
【解決手段】 基板上に行列をなして配置された複数の区画の各々に形成されるEL発光装置の製造方法であって、
列方向の全ての区画の蒸着パタンを開口として有するマスクを前記基板に対向して保持し、前記マスクを通して前記基板に蒸着物質を蒸着する工程を有し、
前記基板を前記区画の行方向に1列ずつ移動し、前記工程を繰り返すことを特徴とするEL発光装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】蒸着装置及び薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】大型基板の場合にも、均一な薄膜を形成し、基板のサイズが変更される場合にも、装備の変更なしに容易に適用するためのものであって、直線動するように備えられた第1蒸着源と、第1蒸着源から離隔され、第1蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた第2蒸着源と、第1蒸着源及び第2蒸着源と被蒸着体との間に位置し、第1蒸着源及び第2蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた補正部材とを含み、補正部材は、第1蒸着源に対応する位置に備えられた第1補正板及び第2蒸着源に対応する位置に備えられた第2補正板を備える蒸着装置である。 (もっと読む)


【課題】相変化膜の組成が変わることを抑えつつ、基板の凹部に対する相変化膜の埋め込み性を高めることのできる相変化メモリの形成方法、及び相変化メモリの形成装置を提供する。
【解決手段】相変化メモリの形成に際し、金属カルコゲナイドターゲットをスパッタして絶縁膜23の上面23s及びホール23h内に相変化膜24を形成する。次いで、相変化膜24を覆うキャップ膜25を形成する。更に、相変化膜24を加熱して、相変化膜24によってホール23hを埋め込むリフローを行う。キャップ膜25は、絶縁膜23よりも相変化膜24に対する濡れ性が低い材料で形成される。 (もっと読む)


【課題】所望の表面組成を有する酸化物導電性薄膜の処理方法、並びに該酸化物導電性薄膜の処理方法を用いて製造した電子デバイス、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】一般式ABOで示されるABO型酸化物導電性薄膜を少なくとも水を含む液体で処理し、ABO型酸化物導電性薄膜の表面の原子比A/Bを化学量論比に近づける。液体は少なくとも水を含むものであり、純水と有機溶剤との混合液、あるいは純水であることが好ましい。有機溶剤としては、少なくともアルコール類の1種を含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置に関し、より詳しくは、イオンビームを基板に照射して、基板にイオンを照射する基板処理を行う基板処理装置、それを有する基板処理システムに関する。
【解決手段】基板処理装置が、一つ以上の基板が安着されたトレーが移送される移送経路の設けられた工程チャンバーと、前記移送経路に沿って移送される基板にイオンビームを照射する、一つ以上のイオンビーム照射部と、を含む。 (もっと読む)


【課題】近赤外線から遠赤外線までの広帯域における赤外線遮断機能を有する低コストの赤外線光学フィルタを提供する。
【解決手段】800nm〜20000nmの波長域の赤外線を制御する赤外線光学フィルタであって、半導体基板1と、当該半導体基板1の一表面側に形成された広帯域遮断フィルタ部2と、当該半導体基板2の他表面側に形成された狭帯域透過フィルタ部3とを備えている。広帯域遮断フィルタ部2は、屈折率が異なる複数種類の薄膜2a,2bが積層された多層膜からなり、当該複数種類の薄膜2a,2bのうち1種類の薄膜2aが遠赤外線を吸収する遠赤外線吸収材料(Al、Ta、SiOの群から選択される酸化物もしくはSiからなる窒化物)により形成され、残りの1種類の薄膜2bが上記遠赤外線吸収材料よりも屈折率の高い高屈折率材料であるSiにより形成されている。半導体基板1は、Si基板である。 (もっと読む)


【課題】摩擦接触面に、形状や高さが均一でエッジ部分が丸みを帯びたセグメントで構成される無機質膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】成膜面にマスク形成用の金属層40を形成するステップと、金属層40にエッチングを施して、セグメントを区画する溝位置に金属層40の突起部を形成するステップと、突起部40を形成した成膜面が露出するように陰極を構成する基板ホルダ上に載置し、プラズマCVD法を用いて突起部40の間の成膜面に、突起部40に対向するエッジ部分が丸みを帯びたセグメント7から成る無機質膜を成膜するステップと、突起部40を除去するステップとを備える。セグメントのエッジ部分が丸みを帯びているため、予圧された接触部材と接触したときの接触圧力がセグメント全体で均一化し、エッジ部分の破損が生じない。 (もっと読む)


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