【課題】 優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方
法を提供する。
【解決手段】 本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、スパッタリング法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを用いる方法である。この形成方法により成膜された透明導電膜は、該透明導電膜中に含まれる亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】基板の面内における原料ガスの供給量を均一にし、成膜される膜の膜質を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部４４と、供給孔７５が形成された供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に原料ガスを供給する供給機構７０と、排気孔８３が形成された排気管８２を含み、排気孔８３を介して成膜容器６０内からガスを排気する排気機構８０と、基板保持部４４と供給機構７０と排気機構８０とを制御する制御部９０とを有する。供給孔７５と排気孔８３とは、基板保持部４４に保持されている基板を挟んで互いに対向するように形成されている。制御部９０は、基板保持部４４に保持されている基板を回転させた状態で、供給機構７０により原料ガスを供給するとともに排気機構８０によりガスを排気することによって、基板に膜を成膜するように制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反射防止膜の中間屈折率膜として用いられる、屈折率１．５〜２．０を示す酸窒化ケイ素膜を形成する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、スパッタリング法により、基材上に希ガス及び反応性ガスからなる混合ガス雰囲気の真空チャンバー内で酸窒化ケイ素膜を形成する方法であり、前記反応性ガスに酸素及び窒素を含む時の放電電圧Ｖ_Ｘと、前記反応性ガスに窒素を含み酸素を含まない時の放電電圧Ｖ_０とが、（Ｖ_Ｘ／Ｖ_０）＞０．９となるように、前記混合ガスに含まれる希ガスを５０〜７０体積％とし、屈折率が１．５〜２．０の酸窒化ケイ素膜を得ることを特徴とする酸窒化ケイ素膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い無機配向膜を低コストで形成する。
【解決手段】プラズマ生成領域を挟むように対向配置された２つのターゲット５を備えるスパッタ粒子放出部３と、基板１０を水平方向に搬送する搬送手段６ａを収容する成膜室２と、を備えるスパッタ装置１を用いて、搬送される基板１０にスパッタ粒子２７を入射させて、１０基板に接する下層配向膜１３２と液晶分子３７に接し液晶分子３７の配向を制御する上層配向膜１３１を含む無機配向膜３１を形成する方法であって、スパッタ粒子２７の基板１０に対する入射角の範囲を入射角範囲と定義した場合において、下層配向膜１３２を形成する工程である第１の工程における入射角範囲である第１の入射角範囲が、上層配向膜１３１を形成する工程である第２の工程における入射角範囲である第２の入射角範囲に比べて広いことを特徴とする無機配向膜３１の形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数のターゲット部材を接合して得られた分割スパッタリングターゲットにおいて、スパッタリングされることにより、バッキングプレートの構成材料が、成膜する薄膜中に混入することを効果的に防止できる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、バッキングプレート上に、複数のターゲット部材を低融点ハンダにより接合して形成される分割スパッタリングターゲットにおいて、接合されたターゲット部材間に形成される間隙に沿って、バッキングプレートに保護体を設けたものであり、
ターゲット部材が酸化物半導体であり、保護体が高分子シートであることを特徴とする分割スパッタリングターゲットとした。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏなどの密着層を省略し、熱処理もすることなく、ガラスなどの絶縁層に直接配線をＣｕ合金により形成でき、また、表面平滑性の良好な配線を形成する技術を提供する。
【解決手段】本発明は、０．０１ａｔ％〜０．５ａｔ％のＢｉと、０．０５ａｔ％〜０．５ａｔ％のＩｎと、残部がＣｕ及び不可避不純物とからなることを特徴とする配線用Ｃｕ合金とした。また、本発明は、絶縁層とＣｕ合金配線とが直接接合された接続構造において、Ｃｕ合金はＢｉ及びＩｎを含有しており、Ｃｕ合金配線は、絶縁層との接合界面側にＢｉ偏析層が形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】プラズマドーピングプロセス中の所定のドーパント濃度での終点検出のための方法を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー内で基板を位置決めするステップと、基板の上にプラズマを生成し、プラズマによって生成される光を基板を通って伝送するステップであって、ここで光は、基板の表側に入り、裏側から出る、ステップと、基板の下に位置決めされるセンサーによって光を受け取るステップとを包含する。さらに、センサーによって受け取られる光に比例する信号を生成するステップと、ドーピングプロセス中にドーパントを基板に注入するステップと、ドーピングプロセス中にセンサーによって受け取られる光の減少する量に比例する多重光信号を生成するステップと、いったん基板が最終ドーパント濃度を有するとセンサーによって受け取られる光に比例する終点信号を生成するステップと、ドーピングプロセスを中止する。 （もっと読む）

【課題】 複数の基板を連続して搬送しながら成膜を行う成膜装置の場合、搬送される複数の基板間の間隙を通って成膜室の内壁に堆積する成膜材料の剥離によって膜欠陥が引き起こされるため、堆積した成膜材料を除去するためのメンテナンスが頻繁に必要となり、装置の稼動率が低下してしまう。
【解決手段】 基板を保持して成膜装置の成膜室内を搬送するための基板保持部材において、複数の基板保持部材を搬送方向に連続して配置した際、それぞれの基板保持部材の搬送方向前方部を、前方に配置される基板保持部材の搬送方向後方部と前記被成膜基板の被成膜面の法線方向に重なり合う形状とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）圧電体層の圧電定数を大きくでき、圧電性を向上させた圧電アクチュエータを提供する。
【解決手段】圧電アクチュエータはキャパシタ構造をなしており、単結晶シリコン基板１、酸化シリコン層２、Ｔｉ密着層３、Ｐｔ_ｍＯ下部電極層４、ＰＺＴ圧電体層５及びＰｔ上部電極層６を積層して形成されている。下部電極層４のＰｔ_ｍＯの組成比ｍは０．６以上、ＰＺＴ圧電体層５のＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘの組成比ｘは０．４３〜０．５５である。 （もっと読む）

【課題】極高真空領域まで真空排気される真空容器のシール材としてエラストマー素材のシール材を使用することができる真空容器を提供する。
【解決手段】２分割される真空容器１２の合せ面にシール材２０を有して気密に保持される真空容器１２であって、合せ面の真空容器の内側にラビリンス形成装置を備え、ラビリンス形成装置２２は、凹部２３が形成された凹部材２３と、凹部２３ａの内面と僅かな隙間を有して配置される凸部２５を有する凸部材２５ａと、凹部材２３ａに凸部材２５ａを近づける方向に動作させる上下動機構２８とを有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜蒸着用マスクフレーム組立体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数個のスティック型分割マスクが採用されるマスクフレーム組立体１００であり、該マスクフレーム組立体１００は、単位画面に対応する蒸着用パターンを具備する複数の分割マスク１１０を具備し、さらに各分割マスクは、複数の部分マスク１１０ａ，１１０ｂが結合され、単位画面に対応する蒸着用パターン１１１を形成するように構成される。これにより、大型画面に対応するパターンを収容した分割マスクをエッチング誤差増大の恐れなく容易に製作することができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚センサの使用寿命が長い真空蒸着装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
真空槽２１と、真空槽２１内を真空排気する真空排気装置２７と、真空槽２１内に露出する放出口１１ａ、１１ｂから蒸着材料の蒸気を放出する放出装置１２ａ、１２ｂと、放出口１１ａ、１１ｂと対面する位置に基板２６を保持する基板保持部２５と、放出された蒸気が入射する位置に配置され、付着した蒸気からなる付着膜の膜厚を測定する膜厚センサ１５ａ、１５ｂとを有し、基板保持部２５に保持された基板２６に薄膜を形成する真空蒸着装置２であって、膜厚センサ１５ａ、１５ｂに向けてレーザーを照射するレーザー照射装置１８ａ、１８ｂを有し、膜厚センサ１５ａ、１５ｂに付着した付着膜にレーザーが照射されると、膜厚センサ１５ａ、１５ｂから付着膜が除去される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに起因する異物低減可能なＥＵＶマスクブランクスの製造方法の提供。
【解決手段】基板１１上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜１２、保護層１３としてＲｕ膜またはＲｕ化合物膜を、イオンビームスパッタリング法を用いて実施し、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２のＳｉ膜成膜時、および、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜時に、ターゲット角度、プロセスガス種類、プロセスガス圧力、イオンソースのＲＦパワー、サプレッサ電圧、イオンビーム電圧、および、イオンビーム電流をほぼ同一とし、Ｓｉ膜成膜に使用したスパッタリングターゲットのエロージョン領域に基づき、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜に使用するスパッタリングターゲットのエロージョン領域、非エロージョン領域を予測し、ＲｕターゲットおよびＲｕ化合物ターゲットの予測される非エロージョン領域に粗面化処理を施してから、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜を実施する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに用いた場合に異常放電を発生せず、比抵抗の小さな透明電極を得ることが出来る程度に緻密な酸化亜鉛系焼結体を得る。
【解決手段】低原子価チタンを２モル％超、１０モル％以下含有する酸化亜鉛焼結体であって、相対密度９５％以上で、かつ複合酸化物の含有割合が１０％以下である。この酸化亜鉛焼結体は、酸化亜鉛粉末と、亜鉛と低原子価チタンの複合酸化物粉末とを、低原子価チタンが２モル％超、１０モル％以下含有するように混合した後、成形し、次いで８００〜１５００℃の温度で焼結を行うことによって得られる。 （もっと読む）

【課題】真空槽内の真空雰囲気を維持しながら振動子から付着膜を除去できる真空蒸着装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
真空排気された真空槽１１内に蒸着材料の蒸気を放出させ、ホルダ３２ａ、３２ｂに接触して保持された振動子３１ａ、３１ｂの表面に蒸気を付着させ、付着膜の膜厚を測定しながら、基板１６に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、付着膜の蒸発温度より融点の高い振動子３１ａ、３１ｂとホルダ３２ａ、３２ｂと、ホルダ加熱装置３３ａ、３３ｂとを用いて、真空槽１１内の真空雰囲気を維持しながら、ホルダ３２ａ、３２ｂの融点と振動子３１ａ、３１ｂの融点の両方より低い温度でかつ付着膜の蒸発温度以上の温度にホルダ３２ａ、３２ｂを加熱し、ホルダ３２ａ、３２ｂからの熱伝導により振動子３１ａ、３１ｂを加熱し、振動子３１ａ、３１ｂから付着膜を気化させて除去する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングを用いて電池部材を成膜する際に、正負極が短絡することがなく、さらに、未成膜部分が生じることがない薄型電池の製造方法を提供する。
【解決手段】１つの電極を備えた積層体の表面を、所定形状の開口部を有するマスクでマスキングした後、スパッタリングにより、開口部内に電池部材を成膜して、前記積層体に積層する薄型電池の製造方法であって、マスクは、絶縁材料により形成された絶縁体部と、絶縁体部の上面側に設けられた第１の導体部と、成膜された電池部材が接する開口部の壁面部に設けられた第２の導体部と、を備えており、第１の導体部および第２の導体部が、接地されている薄型電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）前記の（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、４００℃以下で、活性酸素により酸化して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と、（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）を繰り返して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を積層する工程とを有するＺｎＯ系半導体層の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 複数のスリット状の開口を持つ蒸着マスクにおいて、隣接するスリット状の開口間の箔が互いに接触して密着し、スリット状開口部が塞がって成膜パターンの不良を引き起こしてしまう。
【解決手段】連続して配置された少なくとも３つの前記開口の少なくとも一方の端部を、前記開口の長手方向に互いにずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）が０．１〜６．５であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング成膜時の発塵を抑制して高品質な珪素含有薄膜の成膜を可能とするスパッタリング成膜用珪素ターゲットを提供すること。
【解決手段】ｎ型の珪素ターゲット材１０と金属性バッキングプレート２０はボンディング層４０を介して貼り合わされている。珪素ターゲット材１０のボンディング層４０側の面には、珪素ターゲット材１０よりも仕事関数の小さな材料からなる導電性層３０が設けられている。つまり、珪素ターゲット材１０は、導電性層３０とボンディング層４０を介して、金属性バッキングプレート２０に貼り合わされる構成となっている。珪素が単結晶の場合、ｎ型珪素の仕事関数は一般に４．０５ｅＶであるとされているから、導電性層３０の材料の仕事関数は４．０５ｅＶよりも小さい必要がある。このような材料としては、ランタノイド元素、希土類元素、アルカリ金属元素、およびアルカリ土類金属元素を主成分とするものがある。 （もっと読む）