【課題】 製造工程の増加を招くことなく、タングステン配線の低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板表面に、微細形状を有する絶縁層を形成した後、この微細形状を含む絶縁層表面に、Ｔａ膜またはＴａＮ膜からなる下地層を形成する工程と、下地層の表面に、タングステンから膜なる配線層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、成膜の効率を向上することができるようにする。
【解決手段】スパッタ装置１を用いて、ターゲット片を、独立に出力設定可能な第１電源１１、第２電源１２の陰極に電気的に接続されたバッキングプレート７上に設置するとともに、ターゲット片のいずれかの近傍に配置され第１電源１１、第２電源１２の陽極にそれぞれ電気的に接続可能に設けられた電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎを設置し、被処理体Ｗを、ターゲット片を横断する移動経路に沿って移動させ、被処理体Ｗの移動位置に基づいて、電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片のうち少なくともいずれかから、選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Ｗの表面に予め定められた一定の膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着レートを正確に計測し、より高精度の膜厚制御を行うことを可能にする真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー５０と、基板保持機構と、蒸着源３０と、モニタ用膜厚センサー２０と、制御系６０と、校正用膜厚センサー１０と、を有し、モニタ用膜厚センサー２０と校正用膜厚センサー１０のうち計測精度を高める方の膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離が、他方の膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離よりも短いことを特徴とする、真空蒸着装置１。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度、非晶質性、結晶化温度および耐食性に優れた熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性合金およびそのスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 ａｔ．％で、Ｆｅ：０〜７０％を含み、かつ下記（Ａ）群の各種元素の１種または２種以上を５〜２０％、残部Ｃｏおよび不可避的不純物からなる磁気記録用軟磁性合金。また、上記に加えて、ａｔ．％で、Ｆｅ：０〜７０％を含み、かつ下記（Ｂ）群元素の１種または２種以上を５〜３０％含有し、かつ（Ａ）群元素と（Ｂ）群元素との和を１０〜３５％とし、残部Ｃｏおよび不可避的不純物からなる磁気記録用軟磁性合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体。
（Ａ）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ、（Ｂ）Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、少ないエネルギー消費・熱負荷で、緻密でバッキングチューブへの密着性が良好な長尺のセラミック溶射円筒ターゲットを製造する方法を提供することにある。
【解決手段】
長尺バッキングチューブを複数の溶射領域に分割して溶射する。 （もっと読む）

【課題】組成式ＴｉＯ_ｘ（１．４≦ｘ≦１．８）で表されるチタン酸化物と同等の性能を持ち、安価で、取り扱い時に微粉が発生しないチタン酸化物系の焼結蒸着材料を提供する。
【解決手段】前記蒸着材料は、組成式ＴｉＯ_ｘ（１．４≦ｘ≦１．８）で表されるチタン酸化物からなる主成分と、ガーネット構造をとる化合物と、を含む焼結体とする。あるいは、組成式ＴｉＯ_ｘ（１．４≦ｘ≦１．８）で表されるチタン酸化物からなる主成分と、酸化イットリウムと、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム及び酸化イッテルビウムから選択される少なくとも一種と、を含む焼結体とする。前記ガーネット構造をとる化合物は、希土類アルミニウムガーネットが好ましい。前記酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム及び酸化イッテルビウムから選択される少なくとも一種は、酸化アルミニウムであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、モリブデンおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、モリブデンが原子数比でＭｏ／（Ｚｎ＋Ｍｏ）＝０．０２以上０．１以下となるよう含有されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率が低下しない表示装置を提供する。
【解決手段】発光部１５が位置する凹部１３が充填膜２７で充填されてから無機膜２８が形成されるので、無機膜２８に亀裂が生じない。無機膜２８はダイヤモンドライクカーボンやＡｌＮのように、気密性と熱伝導性が高い材料で構成されているので、発光部１５に水や酸素が進入し難いだけでなく、発光部１５の熱は無機膜２８に伝達され、発光部１５が高温にならない。更に、第一パネル１０、第二のパネル２０の間の隙間は樹脂膜２９で充填されているので、外部から大気が進入しない。発光部１５は水や酸素や熱によってダメージを受けないので、表示装置１は寿命が長い。 （もっと読む）

【課題】フッ素系ガスを導入せずに基板にフッ素を含む薄膜を簡易に形成する。
【解決手段】真空成膜容器１内を真空に減圧し、真空成膜容器１内に配置した電極３Ａに電力を印加し、真空成膜容器１内に導入した導入ガスＧからプラズマを生成する。電極３Ａには、ターゲット３が配置され、プラズマ中のイオンがターゲット３に衝突し、ターゲット３からスパッタ粒子が放出される。基板４の近傍には、フッ素を含む固体化合物９が配置され、固体化合物９がプラズマに曝されてフッ素が脱離し、フッ素とスパッタ粒子が反応し基板４にフッ素を含む薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、溶射した酸化亜鉛系円筒ターゲットの組織を汚染することなく加工して仕上げる酸化亜鉛系円筒ターゲットの製造方法を提供することにある。
【解決手段】
バッキングチューブの外周面に酸化亜鉛系粉末を溶射して酸化亜鉛系ターゲット層を形成し、該酸化亜鉛系ターゲット層を乾式で切削加工することで、溶射した酸化亜鉛系円筒ターゲットの組織を汚染することなく加工することができる。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、ニオブおよび／またはタンタルおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、ニオブおよび／またはタンタルが原子数比でＸ／（Ｚｎ＋Ｘ）＝０．０２以上０．１以下（式中、Ｘはニオブおよび／またはタンタル）となるよう含有されている。 （もっと読む）

【課題】高品位および高記録密度の記録層を形成する多重酸化物を含有するスパッタターゲット、およびハードディスクの記録材を提供する。
【解決手段】コバルト−白金（ＣｏＰｔ）、コバルト−クロム−白金（ＣｏＣｒＰｔ）または、コバルト−クロム−白金−ホウ素（ＣｏＣｒＰｔＢ）の合金を基本とし、スパッタリングプロセスの間に酸素欠損に対して酸素を提供する酸素供給剤として、シリカ酸化物（ＳｉＯ_２）およびＣｒ_２Ｏ_３を付加したスパッタターゲットで、シリカ酸化物（ＳｉＯ_２）の量は４からの８原子％の範囲であり、酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）の量は０．８原子％から５原子％の範囲である。 （もっと読む）

【課題】長寿命、かつ高い圧電定数を示す非鉛系デバイスを歩留り良く生産できる圧電薄膜素子、圧電薄膜の製造方法、及び圧電薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電薄膜素子１は、基板１０と、基板１０上に設けられ、一般式（Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ）ＮｂＯ_３（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるニオブ酸化物系ペロブスカイト構造を有する圧電薄膜４０とを備え、圧電薄膜４０が、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_２、Ｃ_２Ｈ_４、Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_８、ＣＨ_３ＯＨ、Ｃ_２Ｈ_５ＯＨ、及びＣ_２Ｈ_４Ｏ_２からなる群から選択される有機分子、又は水酸基、アシル基、カルボニル基、アルキニル基、及びカルボキシル基からなる群から選択される基を含む分子、又はＯ−Ｈ結合、Ｃ−Ｏ結合、Ｃ＝Ｏ結合、Ｃ≡Ｃ結合、及びＯ−Ｏ結合からなる群から選択される結合を含む分子を有する。 （もっと読む）

【課題】耐還元性に優れた半導体薄膜及びその製造方法、チャネル層上に酸素透過性膜等のバッファー層を設けなくても安定したＴＦＴ特性が得られる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】１種以上のアモルファス金属酸化物を含有し、前記金属酸化物の少なくとも一部の金属原子にＯＨ基が結合している半導体薄膜。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輝度を低下させずに高精細化を図ることを目的とする。
【解決手段】複数の画素電極２４を有する回路基板１０に、複数の貫通穴４０を有する蒸着マスク３８を使用した蒸着によって、有機材料からなる複数の発光層３０を形成する蒸着工程を含む。複数の画素電極２４は、複数の列をなすように配列されている。複数の貫通穴４０は、複数の列をなすように配列され、列に沿った方向に長くなる形状を有し、各列で２つ以上の貫通穴４０が並んでいる。各列に並ぶ画素電極２４の数は、少なくとも、各列に並ぶ貫通穴４０の数の２倍以上ある。蒸着工程で、それぞれの貫通穴４０の内側に、いずれかの列に並ぶ２つ以上の画素電極２４を配置して、複数の画素電極２４上に複数の発光層３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成で、膜厚の均一性とターゲットの利用率を向上させたマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタ装置１００は、処理チャンバ２０と、基板を搬送する基板搬送手段２と、平板状のターゲット３を設置するためのターゲットホルダー４と、ターゲットホルダーの裏側に配置された磁石ユニット５と、ターゲットホルダー４に電力を供給するための電力供給手段２４と、電力供給手段、および基板搬送手段を制御するための制御手段２５と、ターゲットホルダーの表面に略平行な面内でターゲットホルダーを移動させるターゲットホルダー移動手段１０と、を備え、制御手段は、電力供給手段によりターゲットホルダーに電力を供給しながら、基板搬送手段を駆動して基板を搬送するとともに、ターゲットホルダー移動手段を駆動してターゲットホルダーを移動させるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム以外の金属についても、固相反応させることにより、色中心含有金属酸化物を得て、色中心発光特性を有する発光媒体を提供する。
【解決手段】カチオンが電子を受け取って金属原子となる際の標準電極電位が−２．８７〜−２．２（Ｖ）で、かつ、アルカリ金属，マグネシウムを含むアルカリ土類金属、もしくは、スカンジウムを除く希土類元素のいずれかに属する金属と、酸化物を構成する金属の標準電極電位が−１．７〜＋０．４（Ｖ）である酸化物とを、所定の雰囲気下で、所定の温度で加熱する固相反応工程と、固相反応工程で得られる金属の昇華物を回収する工程とから成る。得られる昇華物は、酸素空孔を多量に導入させた金属酸化物であり、色中心由来の発光特性を有する。金属と固相反応させる酸化物のバリエーションを増やして、工業的生産の利便性を図る。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ及びオボニック閾値スイッチを備えるカルコゲニド含有半導体を提供する。
【解決手段】カルコゲナイド含有半導体デバイス１０は、第１の組成層１２と、第２の組成層１６と、薄膜１２及び１６の組成の混合物で形成された中間勾配薄膜１４とを含んでもよい。勾配薄膜１４は、カルコゲナイド薄膜から離れるにつれ、カルコゲナイド濃度が減少してもよく、その一方で、他の薄膜材料の濃度は、勾配薄膜厚にわたって、カルコゲナイド薄膜から離れるにつれ増加する。 （もっと読む）

【課題】膜を形成する基板の温度制御を安定して行なう真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置１００は、基板２０の上に膜を形成する真空蒸着装置であって、基板ホルダ１０３と、ホルダ加熱部１０５と、基板２０上に形成する膜の原料をその内部に収容する原料保持部と、第１遮断部１１１と、第２遮断部１１２と、を備えている。第１遮断部１１１は、前記原料保持部側から見て、基板ホルダ１０３よりも外周が外側に位置することが可能である。第２遮断部１１２は、第１遮断部１１１と選択的に、前記原料保持部側から見て、基板ホルダ１０３よりも外周が外側に位置することが可能であり、開口部１１２ａを有する。第２遮断部１１２の開口部１１２ａの内接円の半径は、基板２０の外接円の半径の１．５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】成膜条件（成膜中の圧力、成膜に用いるガス種等）を変更しなくても、成膜された銅膜中の引張残留応力を低減できるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材、ＴＦＴ用銅膜、及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材は、銅材からなり、銅と不可避的不純物とからなる無酸素銅、又は銅合金からなるスパッタ面を備え、かつ、（１１１）面と、（２００）面と、（２２０）面と、（３１１）面との総和に対する、（１１１）面の占有割合が、１５％以上であるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）