【課題】 半導体チップを基板に実装するためのＡｕバンプとＡｌ電極との間に形成してＡｕとＡｌとの拡散を防止するため膜であって、良好な拡散バリア性を有すると共に高いエッチングレートのＷ−Ｔｉ系拡散防止膜、並びにこの高いＷ−Ｔｉ系拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用Ｗ−Ｔｉターゲットを提供すること。
【解決手段】 Ｔｉ：５〜２０質量％、Ｆｅ：１５〜２５ｐｐｍ、Ｃｒ：１〜５ｐｐｍを含有し、残部がＷ及び不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするＷ−Ｔｉ系拡散防止膜、並びに同じ成分組成を有するＷ−Ｔｉ系拡散防止膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】プリベーク・ポストベーク工程を経ても弱酸でのパターニング処理が可能な特定の組成の非晶質膜を結晶化することにより、耐候性が高く、高抵抗な透明導電膜を製造できる方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｓｎ、元素Ａ（ただし元素Ａは、Ｄｙ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｈｏ，Ｌｕ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｃ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｙ，Ｙｂから選ばれる１種以上）および酸素からなる非晶質透明導電膜であって、当該膜を構成する元素の原子比を、ｘ＝［元素Ａ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］＋［元素Ａ］）、ｙ＝［Ｓｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］＋［元素Ａ］）としたときに、ｘ＝０．００２〜０．０５、かつ、−０．６１２ｘ＋０．０８０６≦ｙ≦−１．０２ｘ＋０．１５１である非晶質透明導電膜を、酸素共存下で２５０℃から３００℃で加熱し、結晶質透明導電膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の回収手段を備えた蒸着装置において、蒸着材料の回収効率を向上し、生産性の改善を図る。
【解決手段】材料容器９から噴出部５までの第１流路１１と、材料容器９から材料回収容器１０までの第２流路１２に、検出口６，７を設け、該検出口６，７から噴出する蒸着材料の噴出状態を検知する検出器３，４を配置し、材料容器９から検出口６までのコンダクタンスと、材料容器９から検出口７までのコンダクタンスを等しく構成する。 （もっと読む）

【課題】 テスト成膜による成膜の無駄を省き、成膜効率を向上させることが可能な薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット（２９ａ，２９ｂ）をスパッタして回転ドラム（１３）に保持され回転する基板（Ｓ）及びモニタ基板（Ｓ０）に、第１薄膜であるＡ膜を目標膜厚Ｔ１で形成した後、Ａ膜の形成に使用したターゲット（２９ａ，２９ｂ）をさらにスパッタし、Ａ膜と同一組成の別薄膜である第２薄膜であるＣ膜を目標膜厚Ｔ３で形成するための方法であって、膜厚監視工程Ｓ４，Ｓ５と、停止工程Ｓ７と、実時間取得工程Ｓ８と、実速度算出工程Ｓ９と、必要時間算出工程Ｓ２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する酸化物半導体膜を作製する。
【解決手段】酸化物半導体の膜を形成するに際し、基板を第１の温度以上第２の温度未満に加熱しつつ、基板の、典型的な長さが１ｎｍ乃至１μｍの部分だけ、第２の温度以上の温度に加熱する。ここで、第１の温度とは、何らかの刺激があれば結晶化する温度であり、第２の温度とは、刺激がなくとも自発的に結晶化する温度である。また、典型的な長さとは、その部分の面積を円周率で除したものの平方根である。 （もっと読む）

【課題】種々の基板５の表面に分布が均一の成膜等の真空処理を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】基板５が配置される真空槽２と、真空槽２の外部に設けられ処理ガスを供給する処理ガス供給源７と、配管を用いて構成され、処理ガス供給源７から供給された処理ガスを基板５に向って放出する蒸気放出器１０とを備える。蒸気放出器１０は、有機材料の蒸気の導入側から放出側に向って４^n-1（ｎは自然数）の等比級数で段階的に分岐する第１〜第３の分岐配管ユニット１１〜１３を有する分岐配管群１１０〜１３０を備え、最終段の第３の分岐配管群１３０における分岐配管ユニット１３のガス放出側端部に、処理ガスを放出する蒸気放出口１４ａ〜１４ｄがそれぞれ設けられ、これら複数のガス放出口１４ａ〜１４ｄから基板５に向って有機材料の蒸気を放出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】圧電特性が良好なＢｉ系圧電材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。


（式中、ＡはＢｉ元素または３価の金属元素から選択される少なくともＢｉ元素を含む１種類以上の元素を表す。ＭはＦｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｙ、Ｇａ、Ｙｂのうちの少なくとも１種の元素を表す。０．９≦ｘ≦１．２５、０．４≦ｊ≦０．６、０．４≦ｋ≦０．６、０．０９≦ｌ≦０．４９、０．１９≦ｍ≦０．６４、０．１３≦ｎ≦０．４８、ｌ＋ｍ＋ｎ＝１である。） （もっと読む）

【課題】高耐摩耗性を損なうことなくＤＬＣ皮膜に導電性を付与する。
【解決手段】銀やＳＵＳ３０４ステンレス鋼等の基体１を用意する。プラズマＣＶＤ法，スパッタリング法，ＰＢＩＩ法等の皮膜形成方法により基体１表面に絶縁性のＤＬＣ皮膜２を形成する。ＤＬＣ皮膜２表面に適当なエネルギー密度のレーザ光を部分的に照射することにより、レーザ光の照射領域にあるＤＬＣ皮膜を変質させて導電性を有するグラファイト領域３を形成する。 （もっと読む）

【課題】蒸発速度、成膜速度を向上して製造コストを低減する。
【解決手段】ＺｎＯ蒸着材は、ＺｎＯの多孔質焼結体からなり、その焼結体が０．１〜５００μｍの範囲の平均気孔径を有する。その多孔質焼結体は３〜５０％の範囲の気孔率を有することが好ましく、１〜５００μｍの範囲の平均結晶粒径を有する粒子の焼結体であることが更に好ましい。その製造方法は、純度が９９．０％以上あって平均粒径が０．１〜１０μｍであるＺｎＯ粉末とバインダと有機溶媒とを混合してＺｎＯ粉末の濃度が４５〜７５重量％のスラリーを調製する工程と、そのスラリーに気体を吹込んで混入することによりガス含有スラリーを得る工程と、そのガス含有スラリーを噴霧乾燥して平均粒径が５０〜３００μｍの造粒粉末を得る工程と、その造粒粉末を成形して成形体を得る工程と、その成形体を所定の温度で焼結してＺｎＯ多孔質焼結体を得る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】平滑面で高密度かつ大きな強度を有し、バンドギャップについて、シリコンのナノ結晶によるワイドギャップと、シリサイドナノ結晶によるナローギャップで、広範の波長に対応可能な、半導体材料を、低コストで形成する。
【解決手段】金属（Ｍ）とシリコン（Ｓｉ）の合金を、熱処理によってシリコンナノ結晶と金属シリサイド化合物ナノ結晶に相分離させ、直径１０ｎｍ以下のシリコンナノ結晶と金属シリサイドのナノ結晶が凝集しているシリコンナノ結晶と金属シリサイドナノ結晶凝集半導体材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】材料ガスの効率的な使用を可能とするイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオンソースチャンバ２内のアークチャンバ３内に導入された材料ガスをイオン化し、イオン化したイオンを半導体基板に注入する際に、前記イオンソースチャンバ２内のガスを真空ポンプ２０によって排気する。排気されたガスの一部は廃棄ガス流路３１を介して除害装置２１に導き、無害化して大気放出する。残りは環流ガス流路３３を介して前記イオンソースチャンバ２に戻して再使用する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置を実現する成膜装置を提供することを課題の一とする。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことの出来る成膜装置を提供することを課題の一とする。また、上記成膜装置を用いて安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板の搬送機構と、搬送機構が送る基板の進行方向に沿って、酸化物半導体を成膜する第１の成膜室と、第１の熱処理を行う第１の加熱室とを有し、基板は、該基板の成膜面と鉛直方向との成す角が１°以上３０°以内に収まるよう保持され、大気に曝すことなく、基板に第１の膜を成膜した後に第１の熱処理を施すことのできる成膜装置を用いて、酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＢＤ成膜装置を、ＣＢＤ溶液に溶解してしまうような部分を含む基板であっても基板を溶解させることなくＣＢＤ成膜を実施可能なものとする。
【解決手段】ＣＢＤ成膜装置１を、長尺基板２を密着支持するドラム３と、長尺基板２を密着支持するドラムの一部を浸漬するＣＢＤ反応液４で満たされた反応槽５と、ドラム３に密着支持された長尺基板２の短手方向端部と、ドラム３のうち長尺基板２が密着しない部分とをオーバーラップしてＣＢＤ反応液４から保護する保護部材６と、ドラム３の周速に合わせてドラム３に密着させた長尺基板２と保護部材６をＣＢＤ反応液中で共走行させる駆動部とを有するものとする。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物は湿熱耐久性に劣り、湿熱耐久性を向上しようとすると抵抗率が高くなる、すなわち導電性が悪くなるという課題があった。
【解決手段】基板上に形成された透明電極であって、この透明電極が酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物を有し、かつ当該透明導電性酸化物は、さらに酸化ケイ素および１３族元素の酸化物を透明導電性酸化物に対してそれぞれ１〜４重量％含有することを特徴とする透明電極。
（もっと読む）

【課題】結晶層の結晶性や均一性を向上させることができるIII族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】成長用下地基板１０上に、クロム層２０を形成する成膜工程と、該クロム層２０を、所定の条件で窒化することによりクロム窒化物層３０とする窒化工程と、該クロム窒化物層３０上に、バッファ層４０を介して、少なくとも１層のIII族窒化物半導体層５０をエピタキシャル成長させる結晶層成長工程とを具えるIII族窒化物半導体素子製造用基板９０の製造方法であって、前記クロム層２０は、スパッタリング法により、スパッタリング粒子飛程領域における成膜速度が７〜65Å/秒の範囲で、厚さが50〜300Åの範囲となるよう成膜され、前記クロム窒化物層３０は、炉内圧力6.666kPa以上66.66kPa以下の、温度1000℃以上のMOCVD成長炉内において、アンモニアガスを含むガス雰囲気中で形成される。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、凝集粒子が壊れやすいという特徴を有する新たな酸化ガリウム粉末を提供する。
【解決手段】鱗片体が積層してなる構造を有する酸化ガリウム粉末粒子を含有する酸化ガリウム粉末を提案する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、基板等の破損を低減し、稼働率の高い有機ＥＬデバイス製造装置及び製造方法を提供することである。
【解決手段】
本発明は、基板を載置する蒸着ステージとマスクを相対的に移動させ、前記基板と前記マスクを密着させ、真空中雰囲気において前記基板に蒸着材料を蒸着する有機ＥＬデバイス製造装置または製造方法において、前記密着は、前記駆動源の負荷を状態量として監視し、前記状態量の変化に基づいて前記移動を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度に膜厚を均一化することができるカソードユニットおよび成膜装置を提供する。
【解決手段】スパッタ室１３内に配置されたターゲット材１７と、ターゲット材が取り付けられる裏板１９と、裏板の裏面側に所定距離離間して配置された磁石２９と、を備えたカソードユニット１５において、磁場強度調整機構１００を有している。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板とモリブデン層との密着力の向上が図られた成膜基板を製造する方法、成膜基板、及び成膜装置を提供すること。
【解決手段】所定量の酸素を含有する第１の雰囲気中で、ガラス基板２の表面に第１のモリブデン層３ａを成膜し、第１の雰囲気よりも酸素の含有率が低い第２の雰囲気中で、第１のモリブデン層３ａの表面に第２のモリブデン層３ｂを成膜する。これにより、酸化モリブデンを含む密着層３ａをガラス基板２上に成膜し、この密着層３ａの上にモリブデン層３ｂを成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】５００℃以下の低温で、カーボンナノ構造体を製造できるカーボンナノ構造体形成用基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材表面に、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＡｌ合金膜を有し、前記Ａｌ合金膜に含まれる前記元素の合計量は０．１０〜２０原子％であり、前記基材側とは反対側のＡｌ合金膜表面に、前記元素の少なくとも一部を含む析出物を有しており、その析出物の平均粒径が５〜１００ｎｍであるカーボンナノ構造体形成用基板。 （もっと読む）