【課題】
本発明は、より均一な成膜を実現できる、或いは高精彩なデバイスを製造できる有機ＥＬデバイス製造装置及び製造方法を提供することである。
【解決手段】
本発明は、複数の受けピンを介して基板を水平状態の蒸着ステージで受渡し、前記蒸着ステージを回転させて略直立姿勢または直立姿勢にし、真空チャンバ内で前記基板に蒸着材料を蒸着する有機ＥＬデバイス製造装置または製造方法において、前記複数の受けピンの先端より上方に前記蒸着ステージを移動し、前記基板を前記複数の受けピンから前記蒸着ステージに移載し、その状態で前記回転を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】防着板の再生作業に伴う寸法変化及び変形に左右されにくい成膜装置及び該成膜装置のキャリブレーション方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ内１０１で対向するステージ１０３上の被処理基板Ｗとターゲット１０６との間のスパッタリング空間１０８を囲繞する防着板１０４を備え、少なくとも１種類の反応性ガスと成膜材料とを反応させて被処理基板上に成膜を行う成膜装置において、圧力検知手段により測定されたスパッタリング空間の圧力値に基づいて、スパッタリング空間内に導入されるガス流量と、真空チャンバの内壁と防着板との間の空間に導入されるガス流量との流量比を制御する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ装置の製造に適した真空蒸着装置であり、一台の蒸着装置で複数層の膜を成膜することが可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置（蒸着装置）１は真空室２を有し、真空室２内に、基板保持壁３と、４台の蒸発装置５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄと蒸気チャンバー６及び４個の坩堝設置室（蒸発装置設置部）１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを内蔵している。坩堝設置室１２の外周面には、設置室側電気ヒータ（発生部保温手段）１８が取り付けられている。坩堝設置室１２には設置室側温度センサー２８が設けられている。それぞれの坩堝設置室１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを各層の薄膜材料に適した温度に保温する。蒸気通過部１３は、発生部保温手段の目標温度の中で最も高い最高目標温度以上の温度を目標温度として保温する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属、フッ素等を用いることなしに、耐熱性に優れ、金属配線の層間絶縁膜として用いる低比誘電率ＳｉＯｘ膜を提供する。
【解決手段】上記低比誘電率ＳｉＯｘ膜はアルゴン、ヘリウム及び水素から選ばれる１種以上の非酸化性ガス雰囲気で蒸着し、ＳｉＯｘ（但し、１．８≧Ｘ≧１．０）を主成分とする多孔質物質からなり、１ＭＨｚにおける比誘電率が３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非破壊で圧電薄膜の特性評価を可能にする圧電薄膜付き基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板５上に下部電極層６が形成され、下部電極層６上にペロブスカイト構造の圧電薄膜２が形成された圧電薄膜付き基板１において、下部電極層６上に形成される圧電薄膜２が下部電極層６よりも狭い面積で形成されることにより、圧電薄膜２を除去することなく下部電極層６の一部が圧電薄膜２から露出している下部電極露出部３が下部電極層６に設けられている。 （もっと読む）

【課題】金属の溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度なＩＧＺＯのスパッタリングターゲットが得られる製造方法およびスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】Ｉｎ_２Ｏ_３粉とＧａ_２Ｏ_３粉とＺｎＯ粉とを混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を加圧焼結する工程と、を有し、前記Ｉｎ_２Ｏ_３粉の比表面積をＡ（ｍ^２／ｇ）とし、前記Ｇａ_２Ｏ_３粉の比表面積をＢ（ｍ^２／ｇ）とし、前記ＺｎＯ粉の比表面積をＣ（ｍ^２／ｇ）としたとき、各比表面積を、Ａ≧１０，Ｂ≧１３，Ｃ≧５かつＡ／Ｃ≧２，Ｂ／Ｃ≧２の範囲に設定し、前記混合粉末の金属成分組成比を原子比で、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：Ｘ（０．８≦Ｘ≦５）に設定する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子を作製する際、大型の成膜対象物の表面に分布が均一な有機層の成膜を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】面蒸気放出器１０に、蒸発材料であるホスト材料及びドーパント材料の蒸気が順次拡散される水平方向拡散部１０Ｈ及び鉛直方向拡散部１０Ｖを有する。水平方向拡散部１０Ｈは、蒸発材料の蒸気の導入側から放出側に向って段階的に区分けされ第１〜第４連通口１２〜４２を介して接続された第１〜第４の拡散室１１〜４１を有する。鉛直方向拡散部１０Ｖは、有機材料の蒸気の導入側から放出側に向って段階的に区分けされ第２及び第３連通口１２２、１３２を介して接続された第１〜第３の拡散室１１１〜１３１を有する。最終段の第３の拡散室１３１は、複数の第４連通口１４２を介してそれぞれ蒸気混合室１４１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗で高透過性の透明導電膜積層体及びその製造方法、並びに薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明導電膜（Ｉ）上に、透明導電膜（ＩＩ）が積層された透明導電膜積層体において、透明導電膜（Ｉ）は、アルミニウム及びガリウムから選ばれる１種以上の添加元素を含み、添加元素の含有量が、−２．１８×［Ａｌ］＋１．７４≦［Ｇａ］≦−１．９２×［Ａｌ］＋６．１０で示される範囲内である。透明導電膜（ＩＩ）は、アルミニウム及びガリウムから選ばれる１種以上の添加元素を含み、添加元素の含有量が、−［Ａｌ］＋０．３０≦［Ｇａ］≦−２．６８×［Ａｌ］＋１．７４で示される範囲内である。但し、［Ａｌ］は、Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ）の原子数比（％）で表したアルミニウム含有量であり、一方、［Ｇａ］は、Ｇａ／（Ｚｎ＋Ｇａ）の原子数比（％）で表したガリウム含有量である。 （もっと読む）

【課題】薄膜材料を連続的に供給でき、長時間連続成膜が行える蒸着装置を提供する。
【解決手段】
ガラス基板８を設置可能な真空室２と、薄膜材料１９を蒸発させる発熱部２０を備えた蒸発装置３とを有し、真空室２内にガラス基板８を設置し、蒸発装置３によって蒸発された薄膜材料１９を蒸散させて前記ガラス基板８に所定成分の膜を蒸着する真空蒸着装置１において、
前記発熱部２０は真空室２内又は真空室２と連通する位置にあって薄膜を蒸着する際には真空雰囲気下に配されるものであり、真空室２の外部から前記発熱部２０に薄膜材料１９を送る薄膜材料送り装置１４を有する構成となっている。 （もっと読む）

【課題】基板に薄膜を成膜させるのと同時に、膜厚の制御を行うことが可能な蒸着処理装置を提供する。
【解決手段】蒸着によって基板に薄膜を成膜させる蒸着処理装置であって、材料ガスを供給する減圧自在な材料供給部と、前記基板に薄膜を成膜する成膜部を備え、前記成膜部は前記基板に噴射される材料ガスの蒸気濃度を測定する検知手段を有し、前記検知手段における測定結果に基づいて成膜条件を制御する制御部を設けた、蒸着処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのスイッチング特性に優れており、特に保護膜形成後も良好な特性を安定して得ることが可能な薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｚｎ、ＳｎおよびＳｉを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の構造に拘わらず，所望の位置に高精度で量子ドットを形成する。
【解決手段】定在波を有するレーザ光のレーザ光源Ｌを基板Ｗの側方に配置し，そのレーザ光を基板Ｗの側方からその基板の表面に沿うように照射させることによって，基板表面をそのレーザ光の定在波の半波長間隔で励起させる。その基板に対してその表面を構成する下地膜と格子定数の異なる膜を成長させることによって，上記レーザ光の照射により励起した部位Ｅｘに量子ドットが形成される。 （もっと読む）

【課題】１平方センチあたり１テラビット以上の面記録密度を実現するのに十分な垂直磁気異方性エネルギーと結晶粒径を有し、量産性に優れた垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に基板温度制御層２、下地層３、磁気記録層４を順次形成する。磁気記録層は、基板を加熱チャンバで加熱する第１工程と、Ｃ，Ｓｉ酸化物からなる群から選ばれた少なくとも一種の非磁性材料を添加したＦｅＰｔを主とする合金からなる磁気記録層を製膜チャンバで製膜する第２工程とからなる磁性層積層工程をＮ回（Ｎ≧２）繰り返して形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な操作により基板ｓと基板ホルダ１の急速冷却を可能とし、基板処理のスループットの向上を図る。
【解決手段】基板加熱冷却装置は、基板ホルダ１とこれに装着された基板ｓを加熱するヒータ５と、このヒータ５から発射される熱を基板ホルダ１と基板ｓ側に反射する反射鏡６とを有し、前記反射鏡６に基板ｓが配置される真空チャンバ２４の外側で冷却される冷媒を流通させる冷媒通路８を設け、前記基板ｓを装着した基板ホルダ１を移動させ、同基板ホルダ１を弾性部材１１を介して押し上げ、前記反射鏡６に当接し、離間する移動機構を備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ液晶パネル等に使用される大型の基板に対してスパッタリング工程で配線膜を製膜する際に、従来以上に均一に粒子を発生し、かつ、使用中においてもその粒子の発生頻度の変化が起こりにくいスパッタリングターゲット用銅材料を提供する。
【解決手段】純度が９９．９９％以上である高純度銅からなり、スパッタリング面において、隣接する結晶の方位差が１５°以上である結晶粒界の平均長さＬｇに対し、隣接する結晶の方位差が６０°である双晶境界の平均長さＬｔの比Ｌｔ／Ｌｇが、０．６≧Ｌｔ／Ｌｇ≧０．２を満たす。さらに、スパッタリング面における平均結晶粒径が、５０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ラジカル源によるラジカルの照射によって成膜するＭＢＥ装置において、成膜速度を向上させること。
【解決手段】ＭＢＥ装置は、真空容器１と、真空容器１の内部に設けられ、基板３を保持し、基板３の回転、加熱が可能な基板ステージ２と、基板３表面に分子線（原子線）を照射する分子線セル４Ａ〜Ｃと、基板３表面に窒素ラジカルを供給するラジカル源５と、を備えている。ラジカル源５は、ＳＵＳからなる供給管１０と、供給管１０に接続するプラズマ生成管１１を有している。プラズマ生成管１１の外側には、円筒形のＣＣＰ電極１３が配置されていて、ＣＣＰ電極１３よりも下流側には、プラズマ生成管１１の外周に沿って巻かれたコイル１２を有している。供給管１０とプラズマ生成管１１との接続部における供給管１０の開口には、セラミックからなる寄生プラズマ防止管１５が挿入されている。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットから発生した活性粒子を効率良く前駆体に到達させることができるレーザアブレーション装置を提供する。
【解決手段】 レーザアブレーション装置１では、活性粒子Ａを進入させる粒子進入口１１が設けられた包囲部材８が、チャンバ２内において前駆体Ｐ、支持台６及びヒータ７を包囲している。これにより、ターゲットＴから発生した活性粒子Ａがチャンバ２の内面に付着しても、その粒子が、ヒータ７の熱や、加熱された前駆体Ｐ及び支持台６からの輻射熱によって、再蒸発することが抑制される。さらに、当該熱によってターゲットＴが蒸発することも抑制される。そして、再蒸発によって不活性粒子が発生したとしても、包囲部材８によって遮られて、その不活性粒子が前駆体Ｐに到達し難くなる。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたＭｇＯ薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭｇＯ薄膜の製造方法は、加熱工程と堆積工程からなる、強磁性体上へのＭｇＯ薄膜の製造方法であり、前記加熱工程は、２００℃以上の温度において実施され、前記堆積工程は、ＭｇＯとＭｇＦ_２からなるターゲットをスパッタリングすることにより実施され、前記ターゲットにおいて、前記ＭｇＯに対する前記ＭｇＦ_２の概算仕込み量が、２．３原子パーセント以上、７．０原子パーセント以下であることを特徴とする。本構成により、（１００）配向かつ結晶性に優れたＭｇＯ薄膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバー内で被接合物どうしを接合する技術を提供する。
【解決手段】表面活性化された接合表面を有する被接合物どうしを接合するときに、真空チャンバー内において、少なくとも一方の被接合物に金属をスパッタして金属膜を形成することにより、金属膜により当該被接合物の表面活性化された接合表面を形成して、被接合物どうしを接合する。 （もっと読む）

【課題】バッチ処理することが可能で、スル−プットの向上が可能で、しかも、コンパクト化と省エネルギ−化が可能な加熱・冷却装置
【解決手段】互いに非連通の複数の基板収容室２３、３５と、これら複数の基板収容室に加熱ガス又は冷却ガスを導入する加熱冷却制御手段５０とを備え、加熱冷却制御手段は、複数の基板収容室の各々を個別に温度制御可能である。 （もっと読む）