【課題】性能低下が抑制される干渉フィルターを提供すること。
【解決手段】干渉フィルター５は、ギャップＧを介して対向する２つの反射膜５６，５７と、反射膜５６，５７を支持する基板５１，５２と、を備え、反射膜５６，５７は、純銀膜５６１，５７１と銀合金膜５６２，５７２とを含み、基板５１，５２には、基板５１，５２側から順に純銀膜５６１，５７１、及び銀合金膜５６２，５７２が設けられ、銀合金膜５６２，５７２は、銀（Ａｇ）、サマリウム（Ｓｍ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｓｍ−Ｃｕ合金膜、又は銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、及びネオジム（Ｎｄ）を含有するＡｇ−Ｂｉ−Ｎｄ合金膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットから発生した活性粒子を効率良く前駆体に到達させることができるレーザアブレーション装置を提供する。
【解決手段】 レーザアブレーション装置１では、活性粒子Ａを進入させる粒子進入口１１が設けられた包囲部材８が、チャンバ２内において前駆体Ｐ、支持台６及びヒータ７を包囲している。これにより、ターゲットＴから発生した活性粒子Ａがチャンバ２の内面に付着しても、その粒子が、ヒータ７の熱や、加熱された前駆体Ｐ及び支持台６からの輻射熱によって、再蒸発することが抑制される。さらに、当該熱によってターゲットＴが蒸発することも抑制される。そして、再蒸発によって不活性粒子が発生したとしても、包囲部材８によって遮られて、その不活性粒子が前駆体Ｐに到達し難くなる。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたＭｇＯ薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭｇＯ薄膜の製造方法は、加熱工程と堆積工程からなる、強磁性体上へのＭｇＯ薄膜の製造方法であり、前記加熱工程は、２００℃以上の温度において実施され、前記堆積工程は、ＭｇＯとＭｇＦ_２からなるターゲットをスパッタリングすることにより実施され、前記ターゲットにおいて、前記ＭｇＯに対する前記ＭｇＦ_２の概算仕込み量が、２．３原子パーセント以上、７．０原子パーセント以下であることを特徴とする。本構成により、（１００）配向かつ結晶性に優れたＭｇＯ薄膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ダマシン構造を有するＣｕ配線において、バリア膜の拡散防止機能を低下させずにＣｕ配線内のＣｕの埋め込み性を改善し、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上する。
【解決手段】ダマシン配線を有する半導体装置において、第２層間絶縁膜６に形成した配線溝Ｇ２およびビアホールＶ２のそれぞれの内壁にバリア膜としてＴａＮ膜７およびＣｕと濡れ性の良いＴｉからなるＴｉ膜８とを順に形成することにより、Ｔｉ膜８上に均一にＣｕシード膜９ａを形成することを可能とする。これにより、Ｃｕシード膜９ａを電極として電界メッキ法によりＣｕ膜９を形成した際に、配線溝Ｇ２およびビアホールＶ２内に空隙が形成されることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬデバイスを作製する際、大型の成膜対象物の表面に分布が均一な成膜を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】真空槽２内に設けられたプラズマＣＶＤ装置３と蒸着重合装置４とを備える。プラズマＣＶＤ装置３のプラズマ放出器１０は、原料ガス供給源３Ｂから原料ガスがそれぞれ供給され互いの雰囲気が隔離されたガス分岐ユニット６１〜６４と、ガス分岐ユニット６１〜６４において拡散された原料ガスのプラズマを形成するプラズマ形成室５１とを有する。蒸着重合装置４の蒸気放出器１１０は、原料モノマー供給源４Ｂから原料モノマーの蒸気がそれぞれ供給され互いの雰囲気が隔離された複数の蒸気分岐ユニット１０１Ａ、１０１Ｂと、蒸気分岐ユニット１０１Ａ、１０１Ｂにおいて拡散された複数の原料モノマーの蒸気を混合する蒸気混合室１５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体膜の上に、ＳｒＲｕＯ_３膜を形成し、その上に酸化イリジウム等の電極を従来の方法で形成した強誘電体キャパシタでは、目標とする大きさのＱｓｗを得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、下部電極膜を形成する。下部電極膜の上に、強誘電体膜を形成する。強誘電体膜の上に、ペロブスカイト構造を持つ導電性酸化物からなるアモルファスの中間膜を形成する。中間膜の上に、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなる群より選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなる第１の上部電極膜を形成する。第１の上部電極膜を形成した後、酸化性ガスを含む中で第１の熱処理を行うことにより、中間膜を結晶化させる。第１の熱処理の後、第１の上部電極膜の上に、第１の上部電極膜を形成するときの成長温度よりも低温で、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなる群より選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなる第２の上部電極膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜中のパーティクルを正確に検出することができ、そのパーティクル発生量の変動に合わせた適切なプロセス管理によって、膜中に含まれるパーティクルを管理することができるアークイオンプレーティングを用いた成膜方法及びその成膜装置を提供する。
【解決手段】真空炉１本体に通じる開口部５１を一端部に備え、他端部を閉塞した筒体５と、筒体５の他端部に取り付けられたパーティクル検出手段６とを備え、筒体５は、その軸芯の延長線上にターゲット表面の一部が位置するように配置され、開口部５１の最小開口径Ｄに対する基準点６０と開口部５１との間の距離Ｌの比率が１２以上３０以下となるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、高品質な酸化物半導体ターゲットを形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタのチャネル層を構成する酸化物半導体の製造に使用する亜鉛錫複合酸化物（ＺＴＯターゲット）の製造工程において、意図的に原材料にＩＶ族元素（Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ）またはＶ族元素（Ｎ、Ｐ、Ａｓ）を添加することによって、ＺＴＯターゲットの製造工程時に混入されたＩＩＩ族元素（Ａｌ）による過剰キャリアを抑制し、良好な電流（Ｉｄ）−電圧（Ｖｇ）特性を有する薄膜トランジスタを実現する。 （もっと読む）

【課題】 下層との密着性の優れた防汚層を形成するための成膜方法を提供することにある。
【解決手段】 被処理基板上にフッ素含有樹脂からなる有機層を形成する成膜方法であって、酸素原子（Ｏ）を含有するプラズマ生成ガス雰囲気中で生成したプラズマに被処理基板を曝し、次いで前記有機層を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置に設けられ基板と成膜用マスクとの位置合わせをするアライメント機構に伝達する可能性がある振動及び変形を低減し、位置ずれを抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板支持体と、マスク支持体と、を室内に備える成膜室と、前記成膜室の室外に設けられている支持体と、前記支持体上に設けられ、前記基板支持体の位置調整手段及び前記マスク支持体の位置調整手段の少なくとも一方と、アライメント用のカメラと、を備えるアライメント機構と、から構成され、前記支持体が、前記アライメント機構を載置する支持板と、脚部と、を有し、前記支持板が、前記脚部により前記成膜室の天板と離間して設けられており、前記支持板の少なくとも一部が、前記支持板に伝わる振動を熱エネルギーに変換して該振動を抑制可能にする制振材料で構成されていることを特徴とする、成膜装置。 （もっと読む）

【課題】基板の外周部の配線回路の損傷・破壊を抑えることが可能な成膜用マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】枠体４０は、開口４１の周囲に、基板１１との対向面４０Ａから厚み方向の一部に段差４２を有している。この段差４２の端４２Ａは、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の端１１０Ｄよりも外側に位置している。基板１１と枠体４０とを密着させる際に、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂと枠体４０との間に、段差４２によるすきまＧが生じる。よって、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂと枠体４０との間に異物が挟みこまれてしまうことが回避される。また、重力で基板１１がたわんでいても、基板１１が開口４１のエッジ４１Ａに最初に接触してしまうことが回避される。よって、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂの損傷・破壊が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】 効率的に且つ十分に非記録部の磁性が失活した磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に磁気記録層を含む磁気記録媒体において、前記磁気記録層は、記録部と非記録部とから成るパターンを有し、前記非記録部は、前記記録部が非磁性化した構造を有し、前記非記録部は、バナジウムおよびジルコニウムから成る群から選択される少なくとも１つの金属元素と、窒素、炭素、ホウ素および酸素から成る群から選択される少なくとも１つの元素とを含み、前記非記録部に含まれる窒素、炭素、ホウ素および酸素から成る群から選択される少なくとも１つの元素の含有量は、前記記録部に含まれる元素の含有量よりも多い磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン元素を含む原料を供給するＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、基板がエッチングされることなく、また、基板の種類に依存せず、薄膜を基板上に成長させることができる薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ハロゲン元素を含む原料を供給するＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、薄膜を基板上に成長させる薄膜製造方法であって、前記薄膜を成長させるとき、前記薄膜を構成する原料とともに、Ｇａ、Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから成る群から選ばれる１種以上を供給することを特徴とする薄膜製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来の皮膜よりも耐酸化性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】（Ａｌ_ａ，Ｍ_ｂ，Ｓｉ_ｃ，Ｂ_ｄ，Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}）（Ｃ_１−ｅＮ_ｅ）からなる硬質皮膜（但し、ＭはＷ及び／又はＭｏ）であって、
０．２５≦ａ≦０．６、
０．０５≦ｂ≦０．３、
０．０１≦ｃ＋ｄ≦０．１５、
０．５≦ｅ≦１
（ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅはそれぞれＡｌ，Ｍ，Ｓｉ，Ｂ，Ｎの原子比を示す。）
であることを特徴とする硬質皮膜。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのスイッチング特性に優れており、特にＺｎＯ濃度が高い領域であっても、また保護膜形成後およびストレス印加後も良好な特性を安定して得ることが可能な薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、ＺｎおよびＳｎを含み、Ａｌ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｇａ、および希土類元素よりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素を更に含んでいる。 （もっと読む）

【課題】放電容量を高める等の蓄電装置の性能を向上させることが可能な蓄電装置の作製方法を提供する。また、蓄電装置等に用いることで性能を向上させることが可能な半導体領域の形成方法を提供する。
【解決手段】導電層上に、ＬＰＣＶＤ法により、結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する結晶性半導体領域を形成し、シリコンを含む堆積性ガスを含む原料ガスの供給を停止した後、結晶性半導体領域を加熱処理する結晶性半導体領域の形成方法である。また、当該結晶性半導体領域を蓄電装置の活物質層として用いる蓄電装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間で微細加工することができるとともに、選択的に加工を停止させることができる圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に圧電体薄膜４を備えた圧電体薄膜ウェハ１は、Ａｒを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第１の加工工程と、反応性ガスとＡｒとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第２の加工工程とにより製造される。圧電体薄膜４だけを短時間でエッチングすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】大型の処理対象物の表面に対して分布が均一な処理を安価に行うことができる技術を提供する。
【解決手段】基板５に対して相対移動可能に設けられ、処理ガス供給源８から供給された処理ガスを放電させ、当該処理ガスのラジカルを基板５に向って放出するためのラジカル放出器１０を備える。ラジカル放出器１０は、処理ガス供給源８から処理ガスのプラズマがそれぞれ供給され且つ互いの雰囲気が隔離された第１〜第４の拡散室１１〜４１と、第１〜第４の拡散室１１〜４１にて拡散された処理ガスのプラズマを混合するプラズマ形成室５１とを有する。プラズマ形成室５１には、基板５の相対移動方向に対し直交するスリット状のスリット５３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】グラニュラ構造の垂直磁性層をスパッタリング法で形成するに際し、形成する磁性粒子を微細化し、また磁性粒子の粒界幅を広げ、今まで以上に高記録密度化に対応可能な電磁変換特性に優れた磁性層を形成可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットを、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含み、気孔率が７％以下とする。またターゲットに、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｅＯ₂からなる群から選ばれる何れか１種を含有させる。 （もっと読む）

【課題】正確に膜厚を制御した最小構成元素数の銅酸化物高温超伝導体ＲＥ₂ＣｕＯ₄（ＲＥは希土類元素）の単結晶薄膜をより大きな面積に形成できるようにする。
【解決手段】形成対象の化合物ＲＥ₂ＣｕＯ₄と、面内および面間の少なくとも１つの格子定数が±１％の範囲で一致する単結晶から構成された単結晶基板１０１の上に、希土類元素ＲＥと銅と酸素とを含んで構成された前駆体薄膜１０２を、蒸着法により形成する。蒸着における希土類元素ＲＥおよび銅の供給量を制御することなどにより、形成される前駆体薄膜１０２における希土類元素ＲＥおよび銅の組成比を、化学式ＲＥ₂ＣｕＯ₄の化学量論組成にする。この後、高温、低酸素分圧雰囲気下での固相エピタキシーと低温還元により酸素の組成も化学量論組成に合わせて超伝導化した単結晶薄膜を作製する。 （もっと読む）