【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】２桁以上高い固有抵抗値を持った酸化物絶縁膜を提供でき、適量の酸素原子を含有した酸化物半導体材料を半導体層に、酸素原子に加えて適量の炭素原子を含有した酸化物絶縁層材料をゲート絶縁層、チャンネル保護層、パッシベーション層に使った酸化物半導体薄膜トランジスタ素子およびその製造方法を得る。
【解決手段】酸化物半導体層中に、酸素原子に加えて、炭素原子を添加して酸化物絶縁膜を形成する。また、本発明に係る酸化物半導体薄膜トランジスタ素子は、酸化物材料がチャンネル半導体層に使われる酸化物半導体薄膜トランジスタ素子であって、前記酸化物絶縁膜は、前記チャンネル半導体層に使われる酸化物材料と同一材料でなり、ゲート絶縁層、チャンネル保護層、パッシベーション層のいずれかまたはすべてに用いる。 （もっと読む）

【課題】高屈折率でありかつ光メディアの保存性を十分に確保できる光メディアの干渉層をＤＣスパッタリングにより製造可能なスパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ_２と、残部のＺｎＯと、からなり、比抵抗が０．００１Ωｃｍ〜１Ωｃｍである光メディア用スパッタリングターゲットを提供する。また、４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ_２と、残部のＺｎＯと、からなる組成を有する原料粉体を不活性雰囲気中または真空中で焼成する工程を備える光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、向上した防食性を有するマグネシウム部品に関する。
【解決手段】この部品は、Ｘが元素周期律表の第ＩＩＩ族主族の元素、第ＩＩＩ族の遷移元素、または希土類元素からなる群から選ばれた元素であり、Ｙが元素周期律表の第ＩＩＩ族または第ＩＶ族主族の元素、第ＩＩＩ族または第ＩＶ族の遷移元素、または希土類元素からなる群から選ばれた元素である、ガラス質の二元系Ｍｇ−Ｘ合金またはガラス質の三元系Ｍｇ−Ｘ−Ｙ合金が塗布されたものである。塗膜は、陰極線アトマイゼーションのような物理蒸着法により作製される。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶品質を有するＧａＮ層のようなＩＩＩ族−窒化物が得られる方法で形成されたＩＩＩ族−窒化物／基板構造と、少なくとも１つのそのような構造を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板１の上に、例えばＧａＮ層５のような、ＩＩＩ族−窒化物層の堆積または成長を行う方法であり、基板１は、少なくともＧｅ表面３、好適には六方対称を有する。この方法は、基板１を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板１を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面３の上に、例えばＧａＮ層５のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】防塵性能の高い光学物品を提供する。
【解決手段】基板１の上に複数層からなる無機薄膜２を有する防塵ガラス１０であって、無機薄膜２は、複数の酸化ケイ素層２Ａと、複数の金属酸化物の層２Ｂと、が積層され、金属酸化物は、ジルコニウム、タンタルまたはチタンのいずれかを含んだ金属酸化物であり、酸化ケイ素の層２Ａには、低密度の酸化ケイ素層と、この低密度の酸化ケイ素層より密度の高い高密度の酸化ケイ素層とがあり、無機薄膜２の最表層２Ｓは、低密度の酸化ケイ素層であり、無機薄膜２の最表層２Ｓの表面粗さは０．５５ｎｍ以上０．７０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ＬＡＳＥＲスクライブ法を用いてパターニングする際に、好適に除去できるモリブデン層を成膜可能な成膜装置、成膜基板製造方法、及び成膜基板を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜室１１Ｂ内において基板搬送方向Ｄの上流側から下流側にかけて不活性ガスの圧力勾配が生じさせる。この圧力勾配は、上流側の不活性ガスの圧力が高く、下流側の不活性ガスの圧力が低くなるように形成する。このような圧力勾配が生じた成膜室１１Ｂ内でモリブデン層の成膜を実施することで、基板側から表面側にかけて、金属密度勾配が形成されたモリブデン層を成膜することができる。この金属密度勾配では、モリブデン層の膜厚方向において、表面側から基板側へ近づくにつれて、密度が低くなるように密度勾配を形成する。このような密度勾配を有するモリブデン層にＬＡＳＥＲスクライブ法を適用すると、モリブデン層を好適に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】実用上十分な導電性、透過率、を有し、低屈折率であり、且つ低温で成膜可能な結晶構造のＺｎＯ系透明導電膜、及び該ＺｎＯ系透明導電膜をフィルム上に成膜した透明導電膜付き基板を提供する。
【解決手段】アルミニウム又はガリウムの少なくとも一方が１から１０ｗｔ％の範囲で含まれた酸化亜鉛からなり、透明基板上に形成された透明導電膜であって、透明導電膜は、可視光域における透過率が８５％以上であり、波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．７５〜１．８０の範囲にあり、比抵抗が８．０×１０^−４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直配向型及び平行配向型以外の配向を有するウルツ鉱圧電体薄膜であって、その配向により従来にない特性が得られるウルツ鉱圧電体薄膜を提供する。
【解決手段】ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料から成る薄膜であって、該薄膜に対する法線とc軸が成す角である傾斜角が、縦波に関する圧電定数e₃₃がゼロになる臨界傾斜角よりも大きく、且つ90°未満であることを特徴とする。この薄膜は、垂直配向のウルツ鉱型結晶薄膜とは逆位相の縦波振動が生じるという、従来にない特性を有する薄膜共振子に用いることができる。この薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料Ｍを基板Ｓの表面に堆積させつつ、基板Ｓの表面に対して10°を超え40°以下の角度αで入射するようにイオンビームＩＢを照射することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な導電性と表面平滑性、加工性を併せ持つ酸化亜鉛系の透明導電膜を提供する。
【解決手段】基材１上に形成される透明導電性積層膜であり、該透明導電性積層膜は、周期表第III族又は第IV族の元素の化合物を含む下地膜１１と、該下地膜１１上に形成される酸化亜鉛を含む導電膜１２とを含むものであり、該導電膜１２は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法により検出される酸化亜鉛の（００２）面の回折線のうち、回折角２θが３３．００°≦２θ≦３５．００°である回折線の強度Ｉが１０００（ｃｐｓ）以下であり、該強度Ｉと該導電膜の膜厚ｔとのＩ／ｔが０〜１５．０（ｃｐｓ／ｎｍ）であることを特徴とする透明導電性積層膜。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】均一な蒸着膜厚分布と材料利用効率向上を実現し，かつ熱による基板に形成された蒸着膜へのダメージを与えず，ノズルつまりも防止する真空蒸着装置を実現する。
【解決手段】複数のノズル４が第１の方向に配列した蒸発源ユニット３１が複数幅方向に配列して蒸発源３を形成している。ノズル４の出口において、蒸発源３から放射される蒸発物質を左右から挟む形で第１の反射散乱板５と第２の反射散乱板６を配置する。蒸発源３に近い第１の反射散乱板５は加熱手段によって加熱され、蒸発源３から遠く、基板に近い第２の反射散乱板６は加熱手段を有さず、冷却手段を有する。これによって、基板における蒸着膜厚分布を均一化でき、蒸着材料の利用効率を上昇させ、基板に形成された蒸発物質に対する熱によるダメージを抑えることが出来、蒸着ノズル付近における蒸発物質の堆積を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】基材表面の選択的領域に気相から堆積層を形成するための蒸着マスクを用いる薄膜パターン形成工程において、薄膜パターンの位置ズレやパターンエッヂのボケがなく、基材表面へのキズ等の欠陥を与えることのない蒸着マスクおよびそれを用いた薄膜パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】非堆積領域とすべき部分を被覆して基材表面と密着させる材料が可撓性フィルム１１１からなる可撓性貼付フィルム１１０を用いた蒸着マスク１１を使用し、可撓性貼付フィルムを基材１０の成膜側全表面に密着させた後、所望の堆積層１３を形成すべき領域を覆う可撓性貼付フィルムを選択的に除去し、しかる後に堆積層を形成する成膜工程を実施し、最後に基材表面上に残された可撓性貼付フィルムを除去する。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、異なる膜構成を有する薄膜の成膜の効率を向上できるようにする。
【解決手段】スパッタ装置１を用いて、複数の膜構成に応じた材料のターゲット片を、第１電源１１、第２電源１２の陰極に接続されたバッキングプレート７上に設置するとともにターゲット片のいずれかの近傍に配置され第１電源１１、第２電源１２の陽極に接続可能に設けられた電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎを設置し、被処理体Ｗをターゲット片を横断する移動経路に沿って時間差を設けて２個以上移動させ、膜構成と移動位置との情報に基づいて、電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片から選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Ｗの各表面にそれぞれに応じた膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 （もっと読む）

【課題】基板（例えば、大面積ガラス基板）上に膜を塗布するための方法およびコータを提供する。
【解決手段】シート状基板上に薄膜を塗布するためのコータ及び、基板をコータを通って延びる基板走行路に沿って搬送するよう適合させた移送システムであり、基板移送システムは、基板走行路の所望の一部に沿って搬送される際、コーティング材料を、上方向に、ギャップを通って基板の底主面上に供給するよう適合させたコーティング材料源を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、成膜に用いる真空槽を大型化することなく、効率よく容易に多元系の薄膜の成膜を行うことができるようにする。
【解決手段】真空槽２内で被処理体３上に多元系の薄膜を成膜する成膜方法であって、構成元素あるいは組成が異なる２種類以上のターゲット片を有するターゲット組立体６を、独立に出力調整可能な複数の電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの陰極に電気的に接続されたバッキングプレート７上に設置し、２種類以上のターゲット片のそれぞれに対して電圧印加するため、電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの陽極に個別の配線を介して電気的に接続された電極を配置して、電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの各出力電力をそれぞれ０％〜１００％の範囲で個別に調整して、ターゲット片からの原子または分子の放出量を変化させて、前記被処理体上に多元系の薄膜を成膜する方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】蒸着レートを正確に計測し、より高精度の膜厚制御を行うことを可能にする真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー５０と、基板保持機構と、蒸着源３０と、モニタ用膜厚センサー２０と、校正用膜厚センサー１０と、制御系６０と、を有し、蒸着源３０の開口部３２の中心から校正用膜厚センサー１０までの距離Ｌ₁と、蒸着源３０の開口部３２の中心からモニタ用膜厚センサー２０までの距離Ｌ₂との間にＬ₁≦Ｌ₂の関係が成り立ち、かつ、蒸着源３０の開口部３２の中心から基板４０の成膜面に下ろした垂線と、蒸着源３０の開口部３２の中心と校正用膜厚センサー１０とを結ぶ直線とでなす角度θ₁と、蒸着源３０の開口部３２の中心から基板４０の成膜面に下ろした垂線と、蒸着源３０の開口部３２の中心とモニタ用膜厚センサー２０とを結ぶ直線とでなす角度θ₂との間にθ₁≦θ₂の関係が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】大型のサイズであっても真直度に優れ、表面が平滑である高品質な円筒状ターゲット材を提供することを目的とするとともに、たとえ大型の円筒状ターゲット材を製造する場合であっても、曲がりや歪が発生することがなく、表面に疵が発生することのない円筒状ターゲット材の製造方法、及び、円筒状ターゲット材のシート被覆方法を提供することを目的とする。
【解決手段】無酸素銅からなるターゲット材料に対して調質処理を施すターゲット材料調質処理工程Ｓ１０と、該工程により形成した調質処理済ターゲット材に対して追加工を施す調質処理済ターゲット材追加工工程Ｓ２０とを行い円筒状ターゲット材を製造する製造方法において、前記ターゲット材料調質処理工程Ｓ１０では、所定の焼鈍工程、及び、引抜き抽伸工程を行った後、ターゲット材料仕上げ工程Ｓ１５を行い、該ターゲット材料仕上げ工程Ｓ１５において、仕上げ焼鈍工程Ｓ１５Ａを行い、その後、仕上げ引抜き抽伸工程Ｓ１５Ｂを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型基板に偏りなく均一に多品種の積層膜を成膜可能な成膜装置若しくは成膜方法を提供することを課題の一とする。また、複数の材料で形成される薄膜の組成を精密に制御することが可能な成膜装置若しくは成膜方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半径方向に並べて配置された複数の蒸着源を有する蒸着源群を、回転軸に対して放射状に複数配置する。成膜は回転軸に対して基板が公転、または蒸着源群を配置したテーブルが自転、若しくはその両方をさせながら行う。その際、回転半径の小さい箇所と大きい箇所とでは線速度が異なるため、成膜速度を均一にするために、テーブルに半径方向に並べた蒸着源は、外側に向かうほど気化速度が速くなるよう制御すればよい。 （もっと読む）

【課題】 製造工程の増加を招くことなく、タングステン配線の低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板表面に、微細形状を有する絶縁層を形成した後、この微細形状を含む絶縁層表面に、Ｔａ膜またはＴａＮ膜からなる下地層を形成する工程と、下地層の表面に、タングステンから膜なる配線層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）