【課題】許容可能なコーティング速度を有し、有機材料層の上、例えば、ＯＬＥＤ層の上に、損傷のない又は損傷の少ないスパッタコーティングを与える装置及び方法を提供する。
【解決手段】コーティングチャンバと、有機材料層が堆積した基板１１０ａ，１１０ｂと、該コーティングチャンバに配置された少なくとも１つの回転可能なカソードユニットであって、少なくとも１つの回転可能なターゲット１０２と、該ターゲット１０２の少なくとも１つの表面部分の上に配置された少なくとも１つのプラズマ閉じ込めゾーンを生成するための磁石アセンブリ１０４とを含むユニットと、スパッタ粒子を散乱する散乱ゾーンと、ある比率の該スパッタされた粒子が、該基板表面に移動するのを選択的に防ぐ手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】回転自在に設けられた円筒状ターゲットの長さ方向の端部での局所消耗を抑制し、エロージョン領域を均一化し、その使用寿命を向上させることができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】回転自在とされた円筒状ターゲット１３を有し、前記円筒状ターゲット１３の内側に設けられ、その長さ方向に沿って配置された磁場発生部材１４を有するスパッタ蒸発源２の一対と、前記一対のスパッタ蒸発源２のそれぞれの円筒状ターゲット１３を共にカソードとしてこれらに放電電力を供給するスパッタ電源３を備える。前記一対のスパッタ蒸発源２，２は、それぞれの円筒状ターゲット１３が平行に対向して配置され、それぞれの磁場発生部材１４，１４は円筒状ターゲット１３，１３の表面を通り、互いに引き合う向きの磁力線を形成する磁場を発生させる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ層の成膜ズレを解析した結果を反映させることで色度ムラや輝度ムラを抑制する。
【解決手段】表示パネル４は、下方の短辺に駆動回路チップ６が実装され、その端縁に外部装置（ホスト）と接続するための端子部７が設けられている。表示領域５内の任意の点における副画素の成膜ズレベクトル（矢印）は第１象限内で９０度以内にある。 （もっと読む）

光電荷による誘導加熱を利用してガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような非晶質または多結晶基板の上に形成される結晶性半導体薄膜の製造方法に関して開示する。この結晶性半導体薄膜の製造方法は、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような安価な非晶質または多結晶基板の上に低濃度半導体層を形成する工程と、光電荷を用いた誘導加熱で低濃度半導体層を結晶化する工程とを含む。これにより、一般的な非晶質半導体薄膜や多結晶半導体薄膜より優秀な特性を有する低濃度の結晶性半導体薄膜を、簡単な工程と少ない費用で得ることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜で耐圧特性の優れる透明絶縁膜の製造方法、及び該透明絶縁膜の製造方法により製造される透明絶縁膜を提供し、また前記透明絶縁膜の製造方法に用いられるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｚｎ ５０〜９０重量％、Ａｌ １０〜５０重量％を含有するＺｎ−Ａｌ合金ターゲット３を用いて、不活性ガスとＯ₂ガスの混合ガス雰囲気下でスパッタリングして基板Ｓ上に透明絶縁膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】製造装置への負担を軽くすることができ、ドーピングの制御性や再現性が良くなり、かつ結晶構造を変化させずにｐ型伝導が得られるＺｎＯ系薄膜及びＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系薄膜は、ｐ型化を行うために、基本構造をＭｇＺｎＯ／ＺｎＯ超格子層３の超格子構造とし、この超格子層は、アクセプタドーピングされたＭｇＺｎＯ層３ｂとアクセプタドーピングされたＺｎＯ層３ａとの積層構造で形成されているので、ドーピングの制御性や再現性が良くなり、かつドーピング材料による結晶構造の変化を防止できる。 （もっと読む）

【課題】連続的に生産しても蒸着ずれが小さく、画素内の膜厚分布が良好かつ材料の無駄の少ない真空蒸着方法及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内に蒸着源ユニット１００を固定し、蒸着源の蒸気３を横切るように基板４を移動させる間に、該基板４の所定個所に蒸着源の蒸気３を蒸着する。基板４の蒸着源ユニット１００側に蒸着マスク５を設置し、真空チャンバ１内には複数のローラ１３によるマスクフレーム７の移動手段を有し、マスクフレーム７の蒸着源ユニット１００側の面に対して非接触かつ近接して設けた冷却手段を持つ冷却板１１を該マスクフレーム７が移動する軌道上に設ける。冷却板１１には蒸着源ユニット１００の近傍に部分的に開口部６０を設け、蒸着源ユニット１００の冷却プレート１４の開口部７０を通して蒸着源２で発生した蒸気３を蒸着マスク５及び基板４に吹き付ける。 （もっと読む）

本発明の多目的容器は外部容器と、内部充填材と、メッシュ及びワッシャーとを備える。外部容器はステンレススチール、鉄、銅、モリブデン、タングステン又はチタンなどの金属材料からなる。内部充填材は炭素繊維フェルト、炭素繊維又は金属フェルトなどからなる。メッシュ及びワッシャーは、ステンレススチール、鉄、銅、モリブデン、タングステン又はチタンなどの金属材料からなり、内部充填材上に配置される。これらの構成要素は安定した一体型の構造物として組み立てられるか又は溶接される。多目的容器に含浸又は充填された様々な機能を有する各種の蒸着物質は、真空蒸着装置内で電子ビーム加熱方法又は抵抗加熱方法によって超薄膜として均一に蒸着されうる。蒸着物質は粉末及び粒子のような固体状、様々な粘性を有する液体状、及びスラリーのような半固体状のうちのいずれかの状態を有する有機系及び／又は無機系化合物からなる。
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【課題】金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法で、より安定して所望とする特性の状態の酸化亜鉛膜が形成できるようにする。
【解決手段】ＥＣＲスパッタ装置内に対する酸素ガスの供給を開始して金属Ｚｎターゲットの表面に酸化層が形成される状態とし、測定されているターゲット電位の絶対値の減少が停止した状態を確認したら酸素ガスの供給を停止し、次いで、シャッターを開けて基板１０１の上に、ＺｎＯ_1-x透明導電膜（酸化亜鉛膜）１０２が形成される状態とする。この後、測定されているターゲット電位の測定開始時点からの変化量が予め設定されている既定値以下となったら、シャッターが閉じられた状態とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向特性の良好な中間層が設けられ、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体が備えられてなり、優れた発光特性及び生産性を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２が積層され、該中間層１２上に、下地層１４ａを備えるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されてなるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であり、中間層１２の結晶組織中には、中間層１２のＸ線ロッキングカーブをピーク分離手法によって、半価幅が７２０ａｒｃｓｅｃ以上となるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、ブロード成分に対応する無配向成分が含まれ、中間層１２の結晶組織における無配向成分の割合が、中間層１２の面積比で３０％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】
凹凸部を有する透明電極は、デバイス形成時に電流の短絡の原因となる可能性があるが、平坦化処理には非常に高い精度の技術が必要であった。
【解決手段】
「透明基板上に少なくとも２層以上の酸化亜鉛を主成分とする透明導電層を有する透明導電膜であって、透明基板に最も近い第１の透明導電層が透明基板と反対側に凹凸構造を有するものであり、第１の透明導電層上に上記凹凸構造を埋めるようにして形成された第２の透明導電層を有する透明導電膜」を提供する。 （もっと読む）

本明細書中に開示されているのは、使用済みスパッタリングターゲットを修復するための方法である。この方法は、粉末化金属がスパッタではじき出されなかった金属と融合して、修復されたターゲットを生産するように、充分な熱および軸方向の力を、充填されたスパッタリングターゲットに適用して、スパッタリングターゲットを加熱プレスする各ステップを含む。この方法は、ルテニウムターゲット等の高価な金属ターゲット、修復するために使用できる。
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本発明は、固体材料、例えば基板をコーティングするためのセレニウムを蒸発させるための装置に関する。固体材料を、供給源を介して第１坩堝に持ち込む。この坩堝において、材料は、好ましくはその融点より若干高い温度で溶融する。溶融した材料は輸送装置（例えば、パイプ）を介して第２坩堝へと流れ込み、ここで材料は、その沸点より高い温度で蒸発し、基板へと運ばれる。極めて短い時間内で（好ましくは、たった１〜２分以内）蒸発を停止させるために、その融点を越えて材料を冷却するための冷却装置が、輸送装置には配置される。この冷却装置を用いて、輸送装置内の材料を、極めて短い時間でその融点を越える温度にまで冷却することができる。
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【課題】複数の真空チャンバを移動させた基板上に複数の蒸着膜を形成させる場合でも、基板の温度を一定条件で測定することができる基板ホルダを提供することにある。
【解決手段】基板を保持する保持部と、保持部の基板側の面に配置され、基板と接触して基板の温度を測定する温度測定部と、温度測定部で検出された測定信号を出力する信号出力部とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】状況に応じて択一的使用が可能な被処理体の支持機構を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを移載するための被処理体の支持機構において、複数の昇降アクチュエータ４６、４８の昇降ロッド５０、５２に個別に連結されて昇降可能になされた複数の昇降ベース３８、４０と、各昇降ベースより起立されてその先端が被処理体を支持する複数のリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ、４０Ａ〜４０Ｃと、昇降アクチュエータを独立して制御する昇降制御部６８とを備え、各昇降ベースのリフトピンは水平座標における実質的に同一領域にある被処理体を支持可能であり、昇降制御部は各昇降ベースのリフトピンが択一的に被処理体を支持するように昇降アクチュエータを制御する。これにより、リフトピンをグループ毎に状況に応じて択一的使用が可能とする。 （もっと読む）

【課題】金属元素や金属元素の化合物を基板上に形成する場合に、パーティクルが発生しないような薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
金属元素を供給する供給源に対向して配置されている部材表面を粗面化するようにした。図１に示されるように、ウエハ２５を保持する基板ホルダ１１の金属元素供給源と対向する面に凹凸を形成した。このように凹凸を形成すると、金属元素が堆積した場合、平坦な面と比べて、付着性が向上し、粗面化された面からは簡単には剥がれ落ちない。 （もっと読む）

クラスターチャンバーとリニアソースとを組み合わせたシステムおよび方法が説明されている。複数のウェハがパレット上に搭載される。クラスターチャンバー内の中央ロボットは、クラスターチャンバーに接続されたチャンバーの間でパレットを移動する。クラスターチャンバーに接続された少なくとも１つのチャンバーは、リニアデポジションソースを有し、パレットはリニアデポジションソースに対して移動可能である。
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【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】マグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させながら、グネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

Ｓｉ基板上にＳｉＣ含有フィルムを成長させるための方法が開示される。ＳｉＣ含有フィルムは、例えば、プラズマスパッタリング、化学気相成長法または原子層堆積により、Ｓｉ基板上に形成することができる。このようにして成長されたＳｉＣ含有フィルムは、半導体結晶の成長用の高価なＳｉＣウェハーの代わりに提供される。
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【課題】処理装置の構成部分表面の付着膜をクリーニングするための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一態様において、電子装置製造処理チャンバの構成部分をクリーニングするための方法であって、ａ）上記部分の最表面の意図していない被覆層１０６を酸でスプレーしてエッチングし、ｂ）残っている被覆層１０６を脱イオン化水で加圧洗浄し、ｃ）被覆層１０６の下層の意図的被覆層１０４を水酸化カリウムで処理する、ことを含む方法が提供される。その他の態様も提供される。 （もっと読む）