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Fターム[4K029AA24]の内容

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Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】環境汚染の原因となるCrを含んでおらず、かつ、パーティクルが少ない薄膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Wを5〜30質量%、AlおよびTiの少なくとも1種を合計で0.1〜10質量%含有させ、かつ、酸素量を0.05質量%以下に規制し、残部が実質的にNiであるスパッタリングターゲットを用いる。
前記スパッタリングターゲットにおいて、平均結晶粒径の大きさが100μm以下であり、かつ、表面粗さRaが10μm以下であることが好ましい。
前記スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、得られる膜中の3μm以上のパーティクル数は2個/cm2未満となる。 (もっと読む)


【課題】 蒸着時の基板温度をある程度の高温で制御することを可能とし、さらに蒸着終了後迅速に基板を冷却して取り出すことを可能とする真空蒸着方法及び真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】 基板ホルダは通液可能な中空部を有しており、蒸着中は、所定温度の熱媒体を基板ホルダの中空部に通液し、蒸着終了後は、所定温度より低い温度の冷却媒体を基板ホルダの中空部に通液し基板を冷却する。 (もっと読む)


【課題】現行の厳しい光学特性(位相差、透過率)のばらつきのスペックに対し、光学特性(位相差、透過率)のばらつきを更に低減できる位相シフトマスクブランク等を提供する。
【解決手段】 透明基板上に、露光波長に対し所定の透過率を有する光半透過膜を形成した位相シフトマスクブランクの製造方法であって、
前記透明基板40上に、金属、シリコン、窒素及び/または酸素を主たる構成要素とする光半透過膜41を形成し、該光半透過膜41の熱処理を例えば加熱プレート30等によって行った後、該熱処理を行った直後の光半透過膜41を、面内均一冷却速度で冷却しうる冷却手段であって、かつ強制的に冷却しうる冷却手段(例えば冷却プレート31等)によって冷却処理することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 物理気相堆積法で合金膜を成膜する際に合金膜表面の表面粗さを改善可能な合金膜の製造方法、下電極が合金膜からなる非線形素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子10は、タンタルとニオブとの合金膜からなる下部電極13と、この下部電極13の表面を陽極酸化してなる絶縁体14と、この絶縁体14を介して下部電極13に対向する上部電極15とを備えている。下部電極13をスパッタ法で形成する際、チャンバーに酸素ガスあるいは窒素ガスを導入して、タンタルとニオブとの合金膜の表面粗さを改善する。 (もっと読む)


【課題】 ニオブ酸カリウム層の薄膜を含むニオブ酸カリウム堆積体の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体100の製造方法は,
基板11の上方にニオブ酸カリウム層13を形成する工程と、
少なくともニオブ酸カリウム層13に対して、大気圧より低い圧力下で行う熱処理工程と,を含む。 (もっと読む)


ポンプ・モジュールまたはスパッタリング・モジュールなどのモジュールは、モジュール・コーティング・システムなどのコーティング・システムの、ポンプ区画またはスパッタリング区画などの区画に適合するまたは被覆するのに十分な蓋アセンブリを含む。スパッタリング・モジュールは、電源装置を含み、電気入力を受けるため、およびスパッタリング区画内でスパッタリングのために十分な電気出力を供給するために十分である。ポンプ・モジュールは、少なくとも1つのポンプを含み、ポンプを操作するのに十分な電気入力を受けるために十分である。モジュール、外部源、部品または装置と、区画との様々な接続は、自動的に、および/または手動でなされてもよい。制御接続は、外部コントローラまたは中心コントローラが、コーティング・システムの特有の区画に関連する特有のモジュールを認識することができてもよい。
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【課題】従来の有機電界発光素子の劣化機構そのものに配慮し,特定の元素組成分布を有する金属酸化物電極を用いることによって、寿命を向上させた有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】有機電界発光素子を構成する金属酸化物からなる電極2の化合物組成比が、該電極2から電荷を注入される表面3から該電極2の深層部4まで、ほぼ一定であることにより、電極として化学量論的な安定な組成とし、電極物質の劣化、有機層への拡散を抑止することで、長寿命化を図る。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜を形成するための、セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板及び該単結晶薄膜が形成されている薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子などの電子素子を実現する。
【解決手段】基板としてセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることでその上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも1種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成できる。また、結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を提供できる。さらに、このようなセラミック材料を主成分とする焼結体を用いることで発光効率に優れた発光素子などの電子素子を提供できる。 (もっと読む)


【課題】 マグネトロン・スパッタ・カソードに関し、特に1つの管カソードまたはアレイを形成しているいくつかの管カソードの操作方法を提供すること。
【解決手段】 このようなカソードにおいては、ターゲットは磁界を貫通し、それにより誘導電流がターゲット内を流れ、磁界を歪ませる。これにより、基板のコーティングが不均一になる。磁界とターゲット間の相対運動の方向を交互に逆にすることにより、磁界歪みの影響を補償することができる。これにより、コーティングされる基板のコーティングがより均一になる。 (もっと読む)


【課題】低分子型有機EL素子製造の真空蒸着工程においてマスクに付着する種々の有機材料を、1種類の洗浄液で除去することができる、洗浄液組成物および洗浄方法を提供すること。
【解決手段】低分子型有機EL素子製造時の真空蒸着工程において使用するマスクを、非プロトン性極性溶媒を含む洗浄液組成物を用いて浸漬またはジェット水流により洗浄後、ハイドロフルオロエーテルによってリンスする洗浄方法であって、低分子型有機EL素子構造が、N,N′−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N′−ジフェニル−ベンジジン、銅(II)フタロシアニンおよびトリス(8−キノリノラト)アルミニウムを含み、前記非プロトン性極性溶媒が、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリジノン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1、4−ジオキサンおよびシクロヘキサノンからなる群から選択される1種または2種以上である、前記洗浄方法。 (もっと読む)


相互接続構造において導電性バリヤ層又は他のライナ層を堆積させるための製造法、プロダクトストラクチュア、製造法、及びスパッタリングターゲット。バリヤ層(82)は、アモルファスであってもよいがそうである必要がない、耐火性貴金属合金、例えば、ルテニウム/タンタル合金の導電性金属を含む。バリヤ層は、同様の組成のターゲット(90)からスパッタすることができる。バリヤとターゲットの組成は、耐火性金属と白金族金属の組合わせ、例えば、RuTaから選ばれてもよい。銅貴金属シード層(112)は、誘電体(66)の上のバリヤ層(70)と接触させた銅とルテニウムの合金から形成することができる。 (もっと読む)


フッ化ビニリデンオリゴマー又はフッ化ビニリデンコオリゴマーの強誘電性薄膜を形成するための方法において、オリゴマー材料が、真空室内で蒸着され且つ基板上に薄膜として堆積され、基板は、堆積されたVDFオリゴマー又はコオリゴマー薄膜のプロセスパラメータ及び物理特性によって決定される範囲の温度に冷却される。強誘電性メモリセル又は強誘電性メモリデバイスを製造するための本発明の方法の適用において、強誘電性メモリ材料は、電極構造間に配置されるVDFオリゴマー又はVDFコオリゴマーの薄膜の形態で設けられる。この方法で製造される強誘電性メモリセル又は強誘電性メモリデバイスは、薄膜が、少なくとも1つの電極構造上に又は第1電極構造と第2電極構造との間に設けられるように、少なくとも1つの第1電極構造及び第2電極構造上に設けられたVDFオリゴマー又はVDFコオリゴマーの薄膜の形態のメモリ材料を有する。
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【課題】0.6mm以下のより薄い光ディスク基板を用いても光ディスク基板が変形せず、しかもスループットを低下させることがない光ディスク基板成膜装置および光ディスク基板成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板の面上に薄膜を成膜して光ディスクを作成する光ディスク基板成膜装置において、光ディスク基板1をホルダー部3で固定し、さらにホルダー部3に光ディスク基板1の被成膜領域Sの裏面の少なくとも一部と密着する密着支持面S'を設ける。 (もっと読む)


ライナーを含むスパッタリングチャンバを提供する。ライナーは、チャンバの内部表面からスパッタコーティング(オーバーコート)が剥落することを低減することに適している。ライナーは、チャンバの選択された内部表面に隣接して搭載することができる。ライナーは取り外し可能であることが好ましい。また、本発明のライナーを用いたスパッタリング方法を提供する。 (もっと読む)


【解決課題】 反射層を構成する銀合金であって、長期の使用によっても反射率を低下させること無く機能することのできる反射層用の材料を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、添加元素としてインジウム及び錫を含み、残部が銀からなる反射膜用の銀合金であって、添加元素であるインジウム及び錫の一部又は全部が内部酸化されてなる銀合金である。この添加元素の濃度は、0.1〜2.0重量%が好ましく、この範囲で反射率の低下を抑制することができる。また、反射層の熱伝導率を考慮すれば、添加元素の濃度を更に限定し、0.1〜0.5重量%とすることで高熱伝導率の反射層とすることができる。 (もっと読む)


【課題】基材を搬送台に配置した状態でプラズマ処理を施した後、物理的気相蒸着法により二層以上の金属膜を順次成膜する成膜処理を経て基材の表面に金属膜を形成するにあたり、同一の搬送台を繰り返し用いてもプラズマ処理中に搬送台の表面に堆積した金属膜からスパッタリングによる金属原子の基材表面への付着を抑制することができる金属膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基材1を保持した導電体からなる搬送台2をプラズマ処理用の保持電極3上に配置して、前記保持電極3と対向電極4との間に電圧を印加することにより基材1表面にプラズマ処理を施す工程と、前記搬送台2に基材1を保持した状態でこの基材1に対して物理的気相蒸着法により二層以上の金属膜7を順次形成する工程とを含む。前記プラズマ処理を施す工程において前記搬送台2と対向電極3との間に、前記搬送台2上の前記基材1が配置されていない部位を遮蔽する遮蔽体8を配設する。 (もっと読む)


【課題】セラミック体の温度分布を均一化することができる静電チャックを提供すること。
【解決手段】発熱体19は、アルミベース9の貫通孔33のセラミック体7側の投影領域Tを避けるように配置されている。詳しくは、発熱体19は、円形の投影領域Tよりも径方向に1mm以上広い領域(大投影領域DT)内を避けるように配置されている。また、発熱体19は、投影領域Tの上下方向では、左右方向に直線状に伸びているが、投影領域Tの左右方向では、投影領域Tの近傍にて左右対称に(投影領域T側を凸にして)略U字状に曲がって、投影領域Tと重ならないように配置されている。 (もっと読む)


【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ALD法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ALD法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ内の基板ステージ12に対向させて設けたターゲット41cを有するスパッタリング成膜手段4と、化学的成膜手段3とを設けると共に、ターゲットが存する第1空間11aと基板ステージが存する第2空間11bとに仕切る仕切り板5を設ける。ターゲットを、このターゲットの水平方向の位置の変更を可能とする移動手段41aに装着し、仕切り板の所定の位置にターゲットが臨む開口部51を形成する。 (もっと読む)


【課題】 有機ELディスプレイに用いられた場合に、素子としての寿命を十分に長くでき、且つ、基板のフレキシビリティ性、基板の耐久性や強度を同時に十分満足できる有機ELディスプレイ用の基板を提供する。特に、ITO膜の膜質を改善して、素子としての寿命を10万時間を越えるようにできる有機ELディスプレイデバイス用の基板を提供する。
【解決手段】 透明フレキシブル基材にITO層からなる電極層を配設し、その水蒸気透過率が、1×10-2 g/ m2/day 以下であるフレキシブル透明電極基板であって、ITO層は、X線回折法における、その(222)面に相当する2θピークの積分強度Aと(211)面に相当する2θピークの積分強度Bとの積分強度比A/Bが3.0以上であり、且つ、その(222)面に相当する2θピークの積分強度Aと(400)面に相当する2θピークの積分強度Cとの積分強度比A/Cが3未満である。 (もっと読む)


【課題】 スパッタ膜にアウトガスが混入してしまう確率を小さくし、その膜質向上を可能としたスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ10内にターゲット40とウエーハWとが配置され、ターゲット40から飛び出たスパッタ粒子をウエーハWに付着させてスパッタ膜を形成するスパッタ装置100であって、ターゲット40からウエーハWに至るスパッタ粒子の行程を含む空間Sの周りに設けられ、当該空間Sから該チャンバ10の内壁へのスパッタ粒子の飛散を防止するチャンバ内の内部治具60と、内部治具60で仕切られた空間Sにアルゴンガスを導入する流入口65と、内部治具60の底部に設けられた排出口62と、を備えたものである。HO、H等のアウトガスをアルゴンガスの流れに乗せて排出口62から効率良く排出でき、上記空間Sでのアウトガスの滞留を防ぐことができ、スパッタ膜へのアウトガスの混入を少なくできる。 (もっと読む)


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