【課題】 ｐｉｎ接合を有する光起電力素子の製造に際し、高いテクスチャー度を有するが吸着サイトが増加している透明導電層を使用した場合においても、ドーピングガス等が実質的に真性なｉ型半導体層に混入して特性が低下するのを防止して良好な特性を有する光起電力素子を製造できるようにする。
【解決手段】 基板上に透明導電層を形成する工程と、第一の導電型を有する半導体層を形成する工程と、前記透明導電層又は半導体層に吸着した前記第一の導電型を決定する元素の少なくとも一部を基板温度１００〜４００℃で熱処理及び／又はプラズマ処理により脱離させる工程と、前記第一の導電型を有する半導体層の上に実質的に真性な第二の半導体層を形成する工程と、前記第一の導電型とは反対の導電型を有する第三の半導体層を形成する工程をこの順に少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クティブマトリクス型の発光装置を作製するにあたり、従来に比べ短時間内で製造でき、且つ、低コストで歩留まりよく製造できる構造及び方法を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型の発光装置の画素部に配置されるＴＦＴの半導体層に接して形成される金属電極、或いは電気的に接続される金属電極を積層構造とし、部分的にエッチング加工する。そして、エッチング加工された金属電極を発光素子の第１の電極とし、その上にバッファ層と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを積層することを特徴とする。 （もっと読む）

スプリットマグネットリング（７０）は、タンタル、タングステン又は他のバリヤ金属をビアへスパッタ堆積し、また、ビアの底部から堆積物質をビア側壁部上へと再スパッタエッチングさせるためのマグネトロンプラズマリアクタ（１０）において特に有用である。このマグネットリングは、同じ軸方向極性からなる２つの環状マグネットリング（７２、７４）を含み、これら２つの環状マグネットリングは、少なくとも１つのマグネット及び関連ポール面の軸方向長さを有する非磁性スペーシング（７６）によって分離されている。小型の非平衡マグネトロン（３６）がターゲット（１６）の周りに回転され、この小型の非平衡マグネトロンは、リングマグネット（７２、７４）と同じ極性の外側ポール（４２）を有し、この外側ポールは、反対極性のより弱い内側ポール（４０）を取り囲んでいる。 （もっと読む）

【課題】建築用ガラス基板へコーティングを行うスパッタ装置の保守、清掃、及びターゲット交換を簡単に短時間で行え、装置稼動率を向上することが可能なシステムの提供。
【解決手段】コーティングシステム１において、一貫した保守と清掃を必要とするすべての部品は、ユニット化してインサート８上に纏められ、インサート８は引き出しのようにチャンバ壁２ａ内の側面開口部１０を通って、チャンバの内部へ摺動して取り付け、また容易に取り外すことができる。取り外されたインサート８は、点検が完了したインサートと直接交換することが出来るため稼働率が向上する。 （もっと読む）

【課題】生産効率を向上させ得る搬送装置を提供する。
【解決手段】中心孔が形成された基材１０１を保持する保持部３３と、中心孔とその装着用突起部とが嵌めあわされて基材１０１が装着されるマスク２０１に対して接離する向きに沿って保持部３３を移動させる移動機構３１と、マスク２０１に対して接離する向きを回転軸として保持部３３を回転させる回転機構３２と、制御部とを備え、制御部は、回転機構３２を制御して保持部３３を回転させつつ移動機構３１を制御して保持部３３を移動させることによって保持部３３に保持されている基材１０１をマスク２０１に対して着脱させる。 （もっと読む）

置換パラシクロファンは、プロセス中の電子デバイスなどの蒸着用基板に架橋可能なポリマーを形成する前駆体として特に有用である。アルキニルなどの架橋可能な置換基を含むパラシクロファン前駆体のフェニル連鎖を分解し、分解した前駆体に基板を接触させる。その結果、基板上に有機ポリマーが形成される。架橋可能な置換基の熱誘導反応などの反応を介してこのポリマーを架橋することによって、熱的に安定した架橋したポリマーを生成する。このような架橋したポリマーの蒸着は、集積回路の製造におけるダマシン法で用いられる超低ｋ誘電材料の封止に特に有用である。また、このポリマーはウエハとウエハを結合する際の接着剤としても有利である。さらに、このポリマーは電子デバイスのバックエンドオブザライン処理において、窒化シリコンおよび炭化シリコンに代わるハードマスクとしても有用である。 （もっと読む）

【課題】 磁性材料薄膜の表面を粗雑にすることなく、垂直磁気異方性を増加させることができる磁性材料薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 磁性材料薄膜の製造方法は、磁性材料薄膜を成膜した後、それを試料３として、垂直磁気異方性定数の値がイオンビーム２の照射によって正となるような数値範囲の電流密度でイオンビーム２を試料３に照射する。イオンビーム２の電流密度は、６５μＡ／ｃｍ²以下であることが好ましく、磁性材料薄膜を成膜中にイオンビームを照射してもよい。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板へのスパッタ処理の際のバイアス電圧の印加や、スパッタ法によるエッチング処理の際の給電を良好に行える表面処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明の表面処理装置は、表面処理が施される被処理基板を基板ホルダにより一体的に保持した後に表面処理を行う表面処理装置において、上記基板ホルダに給電可能な突出部が設けられていることを特徴とする。かかる構成とすることによって、基板ホルダを介して被処理基板から外方に離間した位置で給電することが可能となる。それにより、プラズマ生成領域の外で給電出来る。また、被処理基板に給電痕を残さずに該基板の両面をプラズマ処理することが可能となる。 （もっと読む）

ＩｎＮ，ＧａＮ等に代表されるＩＩＩ族の窒化物半導体につき、貫通転位の発生や界面層の発生を抑えつつ良質の窒化物半導体層を成長させるべく、ＩｎＮからなる窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子の作製方法において、イットリア安定化ジルコニア基板（１２）の（１１１）面に対して、上記ＩｎＮを蒸着させる蒸着工程を設けることにより、当該基板（１２）の（１１１）面に対して、六方晶であるＩｎＮのｃ軸が略垂直となるように配向されてなる窒化物半導体層を形成させる。
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【課題】自動調熱色調調和遮光ガラス及び製造方法を提供する。
【解決手段】二酸化バナジウム系調光ガラスの可視光透過率が低いという欠点を逆転の発想により遮光ガラスとして有効利用に転じ、更に、補色原理を活用した独自の色調調和法を採用して作製した、自由に色調調和ができる自動調熱色調調和遮光ガラス、及びその製造方法。
【効果】建築物、車両その他移動体の窓ガラス、特に、省エネルギー、健康快適、プライバシー保護、色調調和等の複数の機能を有する新しいガラス及びその製法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】加熱される蒸発源から発生した熱が隣接した蒸発源に伝達される現象が防止されて、本加熱位置と予備加熱位置が相互近接するように位置されるようにしながら蒸発源の回転を制御して予備加熱の効率性を上昇するようしたマルチ真空蒸着装置及び制御方法を提供する。
【解決手段】ケースの内部にるつぼとこのるつぼを加熱する加熱体が内蔵されてなる蒸発源と、この蒸発源が移動してある位置に停止されると加熱体に電源が供給されて蒸発源が加熱されると共に、収容された蒸着物質が拡散排出されて前方の基板に蒸着されるように前記蒸発源を加熱する加熱装置と、前記蒸発源が加熱される間に外部に伝達される熱が遮断されるように蒸発源に設置された冷却装置とが具備される。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗシリサイド，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＷシリサイドから成るコンタクトバリアー層又はゲート電極層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１６個／ｃｍ^３以下、Ｗ以外の重金属元素の含有量が１×１０^１７個／ｃｍ^３以下およびアルカリ金属の含有量が３×１０^１６個／ｃｍ^３以下に形成することが可能であり、Ａｌ濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｗシリサイド材である。 （もっと読む）

【課題】表面が平滑で高い光線透過率と導電性を有するＩＺＯ膜をスパッタ法で形成するためのターゲットを提供する。
【解決手段】 少なくとも酸化インジウムと酸化亜鉛を含有してなるスパッタリングターゲットにおいて、酸化インジウムがＩｎ_２Ｏ_３−ｘ（０＜ｘ≦０．２５）で表記され、酸化亜鉛がＺｎＯ_１−ｙ（０≦ｙ≦０．１）で表記されることを特徴とするスパッタリングターゲット、および、化学量論組成からなる酸化インジウムと金属インジウムとＺｎＯ_１−ｙ（０≦ｙ≦０．１）で表記される酸化亜鉛との混合物を焼結することを特徴とする上記スパッタリングターゲットの調製方法。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために、Ｔｉ窒化物から成る膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＴｉ窒化物から成るコンタクトバリアー層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１８個／ｃｍ^３以下に形成するためにＴｉ原料からエレクトロンビ−ム溶解法でＡｌを３ｐｐｍ以下に除去することを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｔｉ材の製造方法である。 （もっと読む）

基板クリーニング装置を備えたコータを開示する。また、基板クリーニング装置を備えたコータにおける基板の処理方法も開示する。基板クリーニング装置は、イオン銃（つまり、イオン源）を備えている。イオン銃は、コータ内に延びている基板走行路の下方（例えば、基板支持部の下方）に配置され、基板の底主面の処理に適している。一定の実施形態は、基板走行路に沿って、基板クリーニング装置よりも先方に、上向コーティング装置を備えている。この種のいくつかの実施形態において、上向コーティング装置は、基板の底主面に対し、光触媒コーティングを上方に向かって堆積するように構成されている。本発明のある実施形態は、下向コーティング装置を備えており、基板クリーニング装置は、基板走行路に沿って、前記下向コーティング装置よりも先方にある。この種のいくつかの実施形態はまた、基板走行路に沿って、基板クリーニング装置よりも先方に、上向コーティング装置も備えている。
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【課題】 有機ＥＬディスプレイデバイスに用いられた場合に、有機ＥＬ素子としての寿命を十分に長くでき、且つ、基板のフレキシビリティ性、基板の耐久性や強度を同時に十分満足できる有機ＥＬディスプレイデバイス用の基板を提供する。特に、ＩＴＯ膜の膜質を改善して、有機ＥＬ素子としての寿命を１０万時間を越えるようにできる有機ＥＬディスプレイデバイス用の基板を提供する。
【解決手段】 透明フレキシブル基材にＩＴＯ層からなる電極層を配設し、且つ、その水蒸気透過率が、１×１０^-2 g/ ｍ²/day 以下であるフレキシブル透明電極基板であって、ＩＴＯ層は、Ｘ線回折法における、そのＩＴＯ層の（２２２）面に相当する２θピーク位置が３０．４０°以上、３１．４０°以下である。 （もっと読む）

【課題】 基材との密着性に優れ、高硬度で耐摩耗性に優れた水素含有量が５ａｔ％以下の非晶質硬質炭素皮膜を有する摺動部材を提供する。
【解決手段】 基材と、基材表面に形成された中間層と、中間層表面に形成され炭素を主成分とし水素含有量が５ａｔ％以下の非晶質硬質炭素皮膜とを有し、中間層の酸素濃度が表面側から中間層内部に向かって増加し、かつ炭素濃度が表面側から中間層内部に向かって減少している。 （もっと読む）

【課題】メッキゲージに水晶基板をセットした状態で洗浄を行うと、洗浄液が水晶基板の表面とメッキゲージとの間に残留した状態で乾燥されるので、水晶基板の表面に「シミ」が残ってしまうという現象がしばしば発生する。
本発明は、水晶基板をメッキゲージにセットしたまま、メッキゲージごと洗浄液に浸漬して洗浄した場合であっても水晶基板にシミが残らないメッキゲージの構造を提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板の両主面を両側から挟み込む構造のメッキゲージであって、圧電基板の両主面に形成する電極パターンに相当する形状の貫通孔と、該貫通孔と所定の間隙を隔して前記圧電基板側に形成された凹部とを備えていることを特徴とする （もっと読む）

【課題】ドロップレットによる欠陥の無い薄膜を形成する。
【解決手段】
蒸着源３０と成膜対象物５の間に回転翼型のフィルタ装置２０を配置し、回転軸線２５を中心に回転させると、質量が大きく飛行速度が遅い巨大粒子はフィルタ装置２０の羽根部材２２に衝突し、質量が小さく飛行速度が速い微小粒子は羽根部材２２間を通過し、成膜対象物５に到達する。ドロップレットが除去されるので、欠陥のない平坦な薄膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＴａ窒化物から成るコンタクトバリアー層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１７個／ｃｍ^３以下、Ｔａ以外の重金属元素の含有量が１×１０^１７個/ｃｍ^３以下およびアルカリ金属の含有量が３×１０^１６個/ｃｍ^３以下に形成することが可能であり、Ａｌ濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｔａ材である。 （もっと読む）