【課題】再生専用光ディスクにおけるレーザーマーキングが容易にできる光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のスパッタリングターゲットを提供を提供する。
【解決手段】(1) Agを主成分とし、Nd，Sn，Gd，Inの少なくとも１種を合計で3.0 原子％超10原子％以下含有すると共にBiを0.03〜10原子％含有することを特徴とする光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット、(2) Agを主成分とし、Nd，Sn，Gd，Inの少なくとも１種を合計で3.0 原子％超10原子％以下含有すると共にSbを0.01〜３原子％含有することを特徴とする光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット、(3) 前記Ag合金スパッタリングターゲットにおいてMn，Cu，La，Znの少なくとも１種を20原子％以下含有するもの等。 （もっと読む）

【目的】成膜対象基板の所望する部位に成膜材料を成膜する際に、マスクの位置合わせや、レーザ走査位置の位置合わせを不要とし、容易な成膜処理を実現する。
【構成】成膜対象となる基板にレーザ光を照射して成膜材料をアブレーションさせて成膜対象基板の成膜対象面に溶射する成膜方法にて、成膜材料から成るターゲット基板と、成膜対象となる基板の成膜面との間にあらかじめ形成すべき成膜パターンに対応した間隙寸法差を形成し、その寸法差による成膜条件の違いを利用して、パターニングを行う。 （もっと読む）

【目的】エッチング残渣を抑制するためにＡｌ合金の成膜時の半導体基板温度を低くして配線間短絡不良問題を解消する場合でも、Ａｌ合金成膜の配向性が優れ、表面平滑性を高くできる、Ａｌを主成分とする合金膜からなるアルミニウム配線の形成方法の提供。
【構成】酸化膜上へのＣｕを含有するＡｌ合金のスパッタ成膜時の半導体基板温度を、好ましくは８０℃以上で１３０℃以下、より好ましくは８０℃以上で１００℃以下とし、Ａｌ合金のスパッタ直前の真空中におけるデガス処理を、成膜時の半導体基板温度以上で１３０℃以下にて行うアルミニウム配線の形成方法とする。 （もっと読む）

【課題】 ビーム電流が不安定でもウェハへの不純物面内分布が均一になるイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン注入装置１０は、イオンビーム発生機構１５、スキャナ部１６、イオン注入室２０を有する。スキャナ部１６は、Ｘ方向静電偏向器１６ｘ、Ｙ方向静電偏向器１６ｙを有する。イオンビームＩＢの走査速度は、信号処理部１７ｘ、１７ｙにおける各三角波電圧の周波数変調によって変更可能である。信号処理部１７ｘ、１７ｙは、非接触ビーム電流計１８の計測値の変動に応じて各三角波電圧を周波数変調する。イオンビームＩＢは、その変動によりビーム電流が通常より減少したときにはその走査速度が小さくなり、通常より増大したときにはその走査速度が大きくなるよう制御される。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁性シート、特にプラスチックフィルムの放電処理工程で発生する、電気絶縁性シートの片面または両面に存在する局所的な帯電を、後工程で欠陥が発生しないレベルまで除去できる放電処理装置ならびに放電処理方法を提供することである。また、特に比較的厚みの厚い電気絶縁性の発泡ポリエステルフィルムにおいて塗布はじきを発生することのないフィルムを提供することにある。
【解決手段】電気絶縁性シートを、表面に誘電体層を有する対極ロールと接触させながら、前記シート表面に放電雰囲気を曝露する放電処理方法にあって、前記対極ロールからの剥離点から見て搬送方向の上流側および下流側のシート表面を除電する上流側除電および下流側除電を行なう。 （もっと読む）

【課題】 大面積基板に対応可能なように、広い面積のターゲット金属の表面上に沿って平行な磁場を形成することを可能とする。。
【解決手段】 マグネトロン型イオンスパッタ用ターゲット電極は、磁性体からなり、表面上に同心状の複数のヨーク磁極部４を立ち上げて設けた板状の磁極ヨーク１と、この磁極ヨーク１の前記複数のヨーク磁極部４の間に磁極を何れも同じ方向に向けて同心状に配列された磁石２とを有する。これら磁石２と磁極ヨーク１との間に放射状に磁場を形成し、この磁場に沿ってスパッタ面が位置するように磁石２と磁極ヨーク１との間にターゲット金属３を配置している。 （もっと読む）

【課題】 充分な耐熱性や耐食性を有した低抵抗なＡｇ合金膜と、そのＡｇ合金膜の基板に対する密着性を高いレベルで確保できる新規な積層配線膜を提供する。
【解決手段】 基板上に形成される積層配線膜であって、０．１〜０．５原子％のＳｉおよび／またはＺｒ、０．１〜０．５原子％のＣｕを含有し、残部実質的にＡｇからなるＡｇ合金膜と該Ａｇ合金膜を覆う被覆膜からなり、該被覆膜はＭｏあるいはＭｏを５０原子％以上含有するＭｏ系膜である積層配線膜である。 （もっと読む）

【課題】 製造コストの高騰を招くことなく、既存の成膜用マスクを用いて、成膜工程の処理当初から高品質の成膜パターンを形成する。
【解決手段】 製造装置１０は、基板上に成膜用マスクを用いて自発光素子の構成要素となる成膜パターンを形成する真空成膜室１１、成膜用マスクを真空成膜室１１に配備する前に加温するマスク加温室１２を備えており、ロボットアーム等の搬送手段を配備した真空作業室１３の周りに真空成膜室１１とマスク加温室１２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】大面積、三次元形状に高密度の薄膜の硬質炭素膜の成膜法及び成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板表面に、粒径５００ｎｍ以下の超微粒子を含んだガスクラスターのイオンビームを照射することにより、超微粒子若しくは超微粒子とガスの化合物を形成し、超微粒子がグラファイト、カーボンナノチューブ、Ｃｎ（但し、ｎは６０、７０、７６、８４等より選ばれた整数である。）で表される球状炭素類、ガスがアルゴンから成る硬質炭素膜の成膜方法を用い、ガスクラスターイオンビーム装置において、ガスボンベとガスクラスター発生部の間に、粒径５００ｎｍ以下の超微粒子供給手段を備えるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハを製造する際に、多孔質バッファ層を容易に形成し、安価に半導体エピタキシャル層を形成しうる手段を提供する。
【解決手段】単結晶ウェーハ上に単結晶半導体層を形成する段階と、単結晶半導体層上にナノサイズのドットを有するマスク層を形成する段階と、マスク層と共に単結晶半導体層の表面をエッチングして、ナノサイズの空孔部を有する多孔質バッファ層を形成する段階と、多孔質バッファ層を熱処理する段階と、多孔質バッファ層上にエピタキシャル成長法によりエピタキシャル物質層を形成する段階と、含むエピタキシャルウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 マスクにおける撓み発生を防止ないし抑制し、高精度な蒸着等のマスク成膜を容易に行うことができる成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明の成膜方法は、マスク１を介して被成膜基板４に膜パターンを形成する成膜方法であって、成膜材料の供給源１２側から、前記マスク１と、前記被成膜基板４と、該被成膜基板４との接面が平坦な第１部材５とを順に配設し、前記マスク１と前記第１部材４を磁力吸引しながらマスク成膜を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の薄膜形成装置（１）は、真空容器（１１）内に反応性ガスを導入するガス導入手段と、真空容器（１１）内に反応性ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段（６１）を備える。プラズマ発生手段（６１）は、誘電体壁（６３）と渦状のアンテナ（６５ａ，６５ｂ）を有して構成されている。アンテナ（６５ａ，６５ｂ）は、高周波電源（６９）に対して並列に接続され、アンテナ（６５ａ，６５ｂ）の渦を成す面に対する垂線に垂直な方向に隣り合った状態で設けられている。
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【課題】該中断時間を短縮できる分子線結晶成長装置を提供する。
【解決手段】成長室１３は、窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体を成長するために用いられる。各粒子ビーム源１５は、成長室１３に接続されており、III−Ｖ化合物半導体を成長するための構成元素を提供する。窒素源装置１７は、成長室１３に接続されている。窒素源装置１７は、ラジカルガン１９と、ハウジング２３と、シャッタ２５とを含む。ラジカルガン１９は、窒素ラジカルを発生する。ハウジング２３は、分子線結晶成長装置１１の成長室１３に設けられた開口２１に接続可能であり、またラジカルガン１９を収容する。シャッタ２５は、開口２１とラジカルガン１９との間に設けられ、またラジカルガン１９からの粒子フラックスを調整するためにアパーチャのサイズを変更できる。 （もっと読む）

【課題】 可撓性基材に薄膜を形成してフレキシブルプリント基材とするために、配線の微細化に支障となる接着剤を必要とせずに、製造コストを高めることなく、可撓性基材に高い密着性で薄膜を形成し、更に、得られたフレキシブルプリント基材に皺やカーリング等が生じない製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】 真空槽内において可撓性基材上に金属薄膜層を形成するためのフレキシブルプリント基材の製造装置であって、前記真空槽は、前記可撓性基材の搬送方向に、プラズマ処理手段と、シード層形成手段と、金属薄膜層形成手段と、加熱圧延手段とを順に備え、前記シード層形成手段と、前記薄膜層形成手段とを、前記可撓性基材を巻回して搬送するとともに前記可撓性基材を加熱するためのメインローラーの周方向に沿って設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の大型化に対応するための垂直移動型有機物蒸着装置において、蒸着源から噴射される有機気相物質が真空チャンバ内で飛散して蒸着源を上下方向に移動させる駆動軸に付着することを防止することができる蒸着システム用蒸着源の駆動軸密閉装置及びこれを具備した蒸着システムを提供する。
【解決手段】蒸着システムの真空チャンバに設置された駆動軸に結合する結合部と、連結部を介して前記結合部に連結されて前記真空チャンバで有機気相物質を噴射する蒸着源を支持する支持板を有して前記連結部には貫通口が形成されている支持体；と、前記駆動軸を取り囲んで前記支持体が前記駆動軸にしたがって移動可能になるように一側面が開放されているビーム；と、前記貫通口を貫通する遮断板；とでなる蒸着システム用蒸着源の駆動軸及びこれを具備した蒸着システムを提供する。 （もっと読む）

【課題】 真空工程用鉛直基板固定トレイの平板面上に前記基板が固定支持されるように少なくとも一部分以上基板固定手段を含んでなり、鉛直に配置された基板を固定及び支持して高精密の整列が可能で、かつ安定した蒸着工程がなされる基板固定トレイを提供すること。
【解決手段】 基板固定トレイ６０、これを利用した基板整列システム及びその方法は、蒸着物が蒸着される基板１０と、前記基板１０を収容するように構成されたフレーム７０と、前記フレーム７０を収容するように構成されたトレイ６０と、前記基板１０を前記フレーム７０に固定支持するように少なくとも一つ以上が構成された基板固定手段１１０と、を含んでなる。 （もっと読む）

本発明の薄膜の形成方法は、基板を保持するための基板ホルダ１３の搬送速度を制御しながら、基板ホルダ１３を、中間薄膜形成工程を行う領域と膜組成変換工程を行う領域との間を繰り返し搬送させて、最終的に形成される薄膜の膜組成を調整し、ヒステリシス現象が起きる領域の光学的特性値を有する薄膜を形成する光学的特性調整工程とを備える。
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【課題】比誘電率が低く、機械的強度に優れる絶縁膜を容易かつ安価に形成し得る絶縁膜の形成方法、かかる絶縁膜の形成方法により形成された絶縁膜を備える電子デバイス用基板、この電子デバイス用基板を備える電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】多層配線基板１は、基板２と、基板２上に設けられた第１の配線パターン３と、第１の配線パターン３を覆うように設けられた第１の絶縁膜４と、第１の絶縁膜４上に設けられた第２の配線パターン５と、第２の配線パターン５を覆うように設けられた第２の絶縁膜６とを有している。各絶縁膜４、６を得るのに本発明の絶縁膜の形成方法が適用される。本発明の絶縁膜の形成方法は、シリコーンオイルを気化させる第１の工程と、気化したシリコーンオイルをプラズマ重合して得られた重合体を堆積させて、該重合体を主としてなる絶縁膜を形成する第２の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ＡＤ法を用いて、高温プロセスを経ることなく結晶性の良い膜を作製できるセラミックス膜の製造方法等を提供する。
【解決手段】 この製造方法は、エアロゾルを利用したセラミックス膜の製造方法であって、非結晶性の成分を含有するセラミックス原料粉をガスに分散させることによってエアロゾルを生成する工程（ａ）と、工程（ａ）において生成されたエアロゾルを基板が配置されたチャンバ内に供給して、上記セラミックス原料粉を基板に堆積させることにより膜を形成する工程（ｂ）とを含む。 （もっと読む）

本発明の成膜装置及び方法は、裏面に永久磁石（１０）が配置されたカソード（５）に、ＨＦ電源（１１）から高周波電圧を与えてリアクティブモードのプラズマを発生させ、このプラズマを用いてプラズマ重合成膜を行う。また、真空チャンバ（１）内のプラズマ源ガスの圧力を調整して、リアクティブモードではなくメタリックモードのプラズマを発生させ、このプラズマを用いて、ターゲットたるカソード（５）をスパッタしてマグネトロンスパッタ成膜を行う。
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