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Fターム[4K029AA24]の内容

物理蒸着 (93,067) | 基体 (14,066) | 形状 (5,788) |  (3,910)

Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】耐環境性、特に耐腐食性を高めることを可能とした磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】インライン式成膜装置を用いて、少なくとも非磁性基板の面上に形成された記録磁性層に磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する際に、少なくとも記録磁性層83と磁気記録パターン83aに対応したマスク層とがこの順で積層された非磁性基板80をキャリアに取り付ける工程と、記録磁性層83のマスク層で覆われていない箇所を反応性プラズマ処理又はイオン照射処理することにより、磁気記録パターン83aを形成する工程と、記録磁性層83上からマスク層を除去する工程と、キャリアから非磁性基板80を取り外す工程とを含み、キャリアが各チャンバの間を通過する間に、各チャンバ内を減圧雰囲気とし、大気と遮断された状態で各工程を連続して行う。 (もっと読む)


耐プラズマコーティング材料、耐プラズマコーティング、及びそのようなコーティングをハードウェア部品上に形成する方法。一実施形態では、ハードウェア部品は静電チャック(ESC)であり、耐プラズマコーティングはESCの表面上に形成される。耐プラズマコーティングは、熱溶射以外の方法によって形成され、これによって有利な材料特性を有する耐プラズマコーティングを提供する。
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【課題】有機EL素子の蒸着マスクを低ダメージで効率よく洗浄し、蒸着剤を効率よく回収することで、蒸着マスクの利用回数を上げ、蒸着剤の再利用効率を上げることができる装置を実現する。
【解決手段】蒸着マスク2にパルスレーザ10を照射して、蒸着剤を蒸着マスク2から分離する。吸引ノズル3から蒸着剤を吸引し、サイクロン6で空気と蒸着剤を分離し、サイクロン6の底部に蒸着剤を堆積させる。その後、バルブ12を開き、蒸着剤を蒸着剤回収部7に回収する。その後、バルブ13を開け、蒸着剤精製部8に蒸着剤を移動させて蒸着剤を精製する。バルブ14を開け、精製された蒸着剤を蒸着剤保管部9に保管する。これにより、蒸着マスク2をダメージなく洗浄出来るとともに、蒸着剤を高い効率で回収することが出来る。 (もっと読む)


【課題】成膜用マスクに光を照射して成膜用マスクの位置を認識する際、コントラストの高い画像が得られないためアライメントマーク位置の計測精度の再現性が安定せず、基板とマスクの位置合わせ誤差が生じる。
【解決手段】位置決め用開口106を有するマスクシート103と、マスクフレーム104とを有する成膜用マスク102において、前記位置決め用開口にマスクシートよりも反射率の高い反射部材を配置する。このような成膜用マスクの位置決め用開口に光を照射すると、前記マスクシートで反射される光と前記反射部材で反射される光と強度差が安定するため、再現性よく成膜用マスクの位置を計測することができる。 (もっと読む)


【課題】マスクの材質を問わずに正確なアライメントが可能となるマスクアライメント装置を提供する。
【解決手段】薄膜パターンをパターニングすべき基板とパターン形成用のマスクとを位置合わせするマスクアライメント装置であって、位置決めステージ10と、位置決めステージ10の上部に取り付けられたマスク吸着体20と、マスク吸着体20の上方に配設された上下動可能な基板保持手段30と、マスク上のアライメントマークと基板上のアライメントマークとを撮像して両者の位置合わせ状況を観察できるカメラ40とを具備し、マスク吸着体20は、多孔質体からなるテーブル21とそのテーブル21を下面から真空吸引する機構とからなる。テーブル上に載置されたマスクを真空吸着してその反りを矯正した状態で基板との位置合わせができ、非磁性体のメタルマスク、ガラスやフィルムといったマスクの材質を問わずに正確なアライメントが可能となる。 (もっと読む)


【課題】基板面に対して、均一な温度制御が可能な磁気記録媒体の製造技術を提供する。
【解決手段】スパッタ装置は、基板に成膜するための第1ターゲット42aを収納する第1ターゲット収納部と、第1ターゲット42aの周囲を包囲するように設けられ、基板を加熱する第1加熱手段と、第1加熱手段の周囲を包囲するように設けられ、基板に成膜するための第2ターゲット43aを収納する第2ターゲット収納部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 より高いイオンアシスト効果を得ることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜装置1は、真空容器10内に回転可能に配設され、基板14を保持するための基板ホルダ12と、この基板ホルダ12に保持される基板14に対して成膜材料を供給し、これを基板14の成膜面に堆積させる蒸着源34と、イオンビームを基板14の一部に対し部分的に照射可能に配置されたイオン源38とを備える。
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【課題】膜厚が均一で付着強度の高いアナターゼ型酸化チタン薄膜を提供する。
【解決手段】成膜対象物11表面にスパッタリングによりルチル型酸化チタン薄膜12’を形成し、この表面にレーザー光線88を照射すると、ルチル型酸化チタン薄膜12’はルチル型からアナターゼ型に変換されるので、光触媒活性の高い、アナターゼ型酸化チタン薄膜13を得ることができる。また、反射手段85と配置手段52を移動させ、ルチル型酸化チタン薄膜12’表面のレーザー光線88の照射位置を移動させると、ルチル型酸化チタン薄膜12’全体をアナターゼ型に変換することができる。 (もっと読む)


【課題】基材と密着性に優れる中間層と、耐摩耗性に優れる表面層であるDLC層とを備え、DLC層最下部と中間層との間でも剥離を生じることがなく、耐摩耗性にも優れる硬質多層膜成形体、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】超硬合金材料または鉄系材料からなる基材の表面に多層の膜を形成してなる硬質多層膜成形体1であって、上記多層の膜は、(1)この多層の表面層5として形成される、炭素供給源として固体ターゲットのグラファイトのみを使用し、水素混入量を抑えて成膜したDLCを主体とする膜と、(2)この表面層5と基材2との間に形成される、少なくともクロムまたはタングステンを主体とする中間層3と、(3)この中間層3と表面層5との間に形成される炭素を主体とする応力緩和層4とからなり、応力緩和層4は、その硬度が中間層3側から表面層5側へ連続的または段階的に上昇する傾斜層である。 (もっと読む)


【課題】永電磁石を有するキャリヤの状態を検知することにより確実な基板操作可能な基板保持装置を提供する。
【解決手段】基板保持装置は、磁性材料を含むマスク200を基板300を介して磁気吸引することによりマスクおよび基板を保持するキャリヤと、永電磁石101から出る磁界を検知する磁気センサ180によりキャリヤの状態を検知する検知部185とを備える。キャリヤは、永電磁石を含み、永電磁石は、極性が可変の極性可変磁石と、極性可変磁石の極性を変更するための磁界を発生するコイルと、極性が固定された極性固定磁石とを含み、キャリヤの状態は、コイルが発生する磁界によって極性可変磁石の極性を制御することによって、極性可変磁石および極性固定磁石が発生する磁界によってマスクおよび基板を保持する第1状態と、マスクおよび基板を保持しない第2状態とのいずれかに設定される。 (もっと読む)


【課題】弊害なくたわみを回避できる蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】被蒸着体であるウェハと接するウェハ対向面と、該ウェハ対向面と反対の面であり蒸着源と対向する蒸着源対向面15と、該ウェハ対向面と該蒸着源対向面15とを貫通する開口を有するマスク開口領域14と、該開口の形成されない領域である無効領域12とを有する。そして、該蒸着源対向面15の該無効領域12に付加された線状の補強部材16を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 基板面に対して、均一な温度制御が可能な磁気記録媒体の製造技術を提供すること。
【解決手段】 搬送手段により搬送された基板に対して、接続された複数のチャンバにより、前記基板の両面に薄膜を形成するための処理を施す薄膜形成装置において、第1スパッタチャンバは、基板の第1の面に対して、スパッタ成膜処理を施す第1スパッタ成膜部と、基板の第1の面に対して反対側の第2の面を加熱する第1加熱部と、を有し、第2スパッタチャンバは、第1スパッタチャンバによりスパッタ成膜処理が施された基板の第1の面を加熱する第2加熱部と、第1スパッタチャンバにより加熱された基板の第2の面に対して、スパッタ成膜処理を施す第2スパッタ成膜部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 複数の透明基材に対して、連続して蒸着が行われる防護層への不純物の混入を抑え、膜質の優れた防護層を提供する。
【解決手段】 成膜室内において、無機材料により構成される密着層を備えた透明基材に対してフッ素系樹脂により構成される防護層を蒸着するための方法であって、前記透明基材と前記蒸着源との間に前記防護層の蒸着量を制御するための蒸着量制御手段を設け、前記蒸着量制御手段を閉じた状態で前記蒸着量制御手段を前記フッ素系樹脂の沸点以上の温度まで加熱した後、前記防護層を蒸着する工程を複数の前記透明基材に対して繰り返し行い、複数の前記透明基材に連続して前記防護層を蒸着することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 スパッタリングガスに酸素を含有させ酸素流量を大きくしたとしても、バイアスを印加しない場合と同等又はそれ以上の結晶子サイズを有する酸化亜鉛薄膜を得ることができる酸化亜鉛薄膜の成膜方法、該成膜方法により得られた酸化亜鉛薄膜、該酸化亜鉛薄膜を用いた半導体素子、該酸化亜鉛薄膜を成膜するための成膜装置を提供する。
【解決手段】 酸素と不活性ガスからなるスパッタリングガスを含む雰囲気下で酸化亜鉛ターゲットを用いてスパッタリングすることにより、酸化亜鉛薄膜を基板上に成膜する成膜方法であって、前記基板にパルスバイアスを印加しつつ成膜することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の成膜方法である。 (もっと読む)


【課題】成膜性に優れる金属酸化物の大型スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、第1の組成を有する金属酸化物焼結体からなる、被スパッタ面を有する複数の板状のターゲット片を準備することを含む。これらの複数のターゲット片は、各々の被スパッタ面が面一となるように並べられる。これらの複数のターゲット片は、その境界部分に、第1の組成と構成原子種が同一である第2の組成を有する合金材料を充填されることで連結される。境界部分は、被スパッタ面に合わせて平滑化される。
これにより、成膜性に優れる金属酸化物の大型スパッタリングターゲットを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】磁性材料を含むマスクを基板を介して磁気吸引することにより前記マスクと前記基板を保持するキャリヤの状態をより確実に制御する。
【解決手段】基板保持装置500は、キャリヤ410と、前記キャリヤ410を制御する制御部420とを備える。前記キャリヤ410は、永電磁石101と第1接点120aとを含む。前記永電磁石101の極性可変磁石の極性を制御することによって、前記マスク200および前記基板300を保持する第1状態と、保持しない第2状態とのいずれかに設定される。前記制御部420は、前記第1接点120aと前記第1接点120aに接触して永電磁石101のコイルに電流を供給するための第2接点121aとの接触状態を検知する検知部と、前記第1接点120aと前記第2接点121aとを介して前記コイルに電流を供給する電流供給部151とを含む。 (もっと読む)


【課題】装置設計や部材配置の煩雑さを回避することができ、量産性に優れたスパッタリング装置及び膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板Wを収容可能に設けられ、前記基板Wを成膜する成膜室2と、対向配置されスパッタ粒子5Pを発生可能な一対のターゲットを有し、前記一対のターゲットから生じる前記スパッタ粒子を前記基板側へ向けて放出するスパッタ粒子放出部3と、前記基板Wと前記スパッタ粒子放出部3との間に設けられ、前記スパッタ粒子を選択的に通過させるスリット開口Sを有するスリット部材と、前記基板Wが前記スリット開口S上を通過するように前記成膜室内の前記基板Wを所定方向に搬送する搬送機構と、前記スリット開口S上において、前記基板Wを移動させる基板移動モードと前記基板Wの移動を停止させる基板停止モードとを交互に繰り返すように前記搬送装置に前記基板Wを搬送させる制御部とを備える。 (もっと読む)


プラズマ浸漬イオン注入プロセスにより基板内に材料を注入する方法が提供される。一実施形態では、基板内に材料を注入する方法は、材料層が形成された基板表面を備える基板を処理チャンバに供給するステップと、非ドーパント処理ガスの第1のプラズマを発生させるステップと、非ドーパント処理ガスのプラズマに材料層を露出するステップと、ドーパントイオンを生成するように適合された反応ガスを含むドーパント処理ガスの第2のプラズマを発生させるステップと、プラズマから材料層内にドーパントイオンを注入するステップとを含む。この方法は、洗浄プロセス又はエッチングプロセスを更に含んでもよい。
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【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを他の目的の一とする。
【解決手段】InMO(ZnO)(M=Ga、Fe、Ni、Mn、Co及びAlから選ばれた一又は複数の元素、mは1以上50未満の非整数)である。この場合において、Znの濃度がIn及びM(M=Fe、Ga、Ni及びAlから選ばれた一又は複数の元素)よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有している。ここでmの値は、好ましくは1以上50未満の非整数、より好ましくは10未満の非整数とする。 (もっと読む)


本発明は、可視域から近紫外域にかけてまで(すなわち、220nmの波長まで)であるスペクトル領域において、高い屈折率並びに良好な光学特性(すなわち、低い吸収と散乱)及び低い内部応力を有する光学コーティング(3,3')に関する。本発明によるコーティング(3,3')は、1at%〜10at%、殊に1.5at%〜3at%のケイ素割合(y)を含有する、ハフニウム又はジルコニウムを含むHfxSiyzもしくはZrxSiyzから成る。
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