【課題】複数のアノードを含むイオンビーム蒸着用のイオン源に関する。イオン源は、原材料の複数のゾーンを蒸着し、複数のゾーンのうちの少なくとも２つのゾーンの厚みを異なるようにする。
【解決手段】イオンビーム蒸着で炭素を蒸着する場合、プロセス室の数は制限されるので、２つまたは３つ以上のイオン源を利用することは、スペースの理由で不可能なこと、または費用の理由で現実的でないことが多いが、イオン源として、複数の同心のアノードを含み、異なる電圧が複数のアノードに印加することで、少くとも2つのゾーンの厚みを異ならせることができる。 （もっと読む）

天井にスパッタターゲットを有するＰＶＤリアクタにおいて、回転磁石組立体を取り囲む導電性ハウジングは、回転磁石の軸用の中央ポートを有する。ハウジングの導電性中空シリンダは、スピンドルの外側部分を囲む。ＲＦ電力は、中空シリンダから半径方向に延びる半径方向のＲＦ接続ロッドに結合され、ＤＣ電力は、中空シリンダから半径方向に延びる他の半径方向のＤＣ接続ロッドに結合される。
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【課題】成膜過程においてアノードの温度上昇を抑制し、パーティクルを抑制することが可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、真空槽１、真空槽内に配されたターゲット２、ターゲットに負電圧を印加する第一電源１１、真空槽内にあってターゲットに対向して配された基板台３、真空槽内にあってターゲットと基板台との間に位置する空間Ｓを取り囲むように配されるアノード４、及びアノードに正電位を印加する第二電源１２、を少なくとも備える。アノードは、空間のうち、ターゲット側の近傍に位置する第一電極５、基板台側の近傍に位置する第二電極６、及び第一電極と第二電極との間に位置する第三電極７からなる分割構造を成す。そして、第二電源は、アノードに対して印加する正電位を制御できるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ホールやトレンチなどの凹部を被覆する膜のカバレッジ性を向上し、かつ、平坦な表面をもつ膜を成膜することが可能なスパッタ成膜方法を提供する。
【解決手段】チャンバ２０１内で、金属ターゲットに高周波電力及び直流電圧を印加して、プラズマを発生させるとともにターゲット粒子をイオン化させて金属イオンを発生させる。チャンバ２０１内のステージホルダ３０２上に載置された、表面に凹部を有する基板３０６へ、金属イオンを照射して薄膜を形成する。この際、まず初めに、５乃至１５Ｐａの圧力下でスパッタ成膜を行うことにより第１の層を形成し、次いで、０．５乃至５Ｐａの圧力下でスパッタ成膜を行うことにより第１の層上に第２の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるｏｆｆ時のリーク電流を抑制して、ｏｎ−ｏｆｆ比を高くする。
【解決手段】 ソース領域及び第１ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。 （もっと読む）

【課題】反応容器内を排気するのに要する時間を短縮でき、減圧条件下で行う処理を効率よく行うことができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、反応容器１０１の上方に取り付けられた上部真空ポンプ取り付け室１３４と、反応容器１０１の下方に取り付けられた下部真空ポンプ取り付け室１３５とを有する。上部真空ポンプ取り付け室１３２は、反応容器１０１の天井部に設けられた一対の上部真空ポンプ取り付け壁１３４ａ、１３４ｂを有し、真空ポンプ取り付け壁１３４ａ、１３４ｂの少なくとも一方に真空ポンプ１３０、１３１が取り付けられ、下部真空ポンプ取り付け室１３５は、反応容器１０１の底部に縦置き状態で設けられた一対の下部真空ポンプ取り付け壁を１３５ａ、１３５ｂ有し、下部真空ポンプ取り付け壁１３５ａ、１３５ｂの少なくとも一方に真空ポンプ１３２が取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ用マスクに付着した蒸着物を除去するクリーニングを行うときに、基板に対して完全に非接触状態で蒸着物を除去しつつ、有機ＥＬ用マスクの裏面に遊離生成物が付着しないようにすることを目的とする。
【解決手段】有機ＥＬ用マスク２の表面２Ｓにレーザを照射して蒸着物質ＶＭを破砕して生じる遊離生成物を上方に飛散させて、有機ＥＬ用マスク２の表面から離間した位置に形成した搬送空気流ＣＦにより遊離生成物を除去させる。このとき、有機ＥＬ用マスク２に多数形成した開口部２Ｃに対して裏面２Ｒから表面２Ｓに向けて上昇空気流ＵＦを形成しておき、落下した遊離生成物が有機ＥＬ用マスク２Ｒの裏面に回り込まないようにしている。 （もっと読む）

本発明のシリコーン薄膜の製造方法は、基板を提供する段階と；前記基板上にシリコーンソースを供給する段階と；前記シリコーンソースを供給してシリコーン薄膜を形成するとともに、電子ビームとイオンビームを照射したり、シリコーンソースを供給してシリコーン薄膜を形成した後後処理として前記基板上に電子ビームとイオンビームを照射する段階とを含む。本発明によって、前記供給されたシリコーンソースによって前記基板上にシリコーン薄膜が蒸着されながら前記照射された電子ビームが前記蒸着中のシリコーン薄膜にエネルギーを供給してこのシリコーン薄膜を蒸着工程中に（ｉｎ−ｓｉｔｕ）結晶化させたり、非晶質シリコーン薄膜が形成された後後処理として電子ビームとイオンビームを照射することによって結晶化させることができる。また、電子ビームを照射するとともに、イオンビームをともに照射することによって、基板表面に蓄積される電子ビームの電荷がイオンビームの電荷によって中和されるようにして、電子ビームの電荷が基板表面に蓄積されて不必要な表面電流を形成することを防止し、效率的に非晶質シリコーン薄膜を結晶化させることができる。
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【課題】 実用に耐えうる耐摩耗性を備えた撥油性膜を持つ撥油性基材を製造することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、基板１０１の表面にエネルギーを持つ粒子を照射する第１の照射工程と、前記第１の照射工程後の基板１０１の表面に乾式法を用いて第１の膜１０３を成膜する第１の成膜工程と、第１の膜１０３の表面に撥油性を有する第２の膜１０５を成膜する第２の成膜工程とを、有する。
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分散した金属原子を含む酸化セリウムの膜を形成するために、酸化セリウム及び金属物質は、共に、アルゴン大気下で少なくとも一つのターゲットから基板にスパッタされることを特徴とし、酸化セリウム及び、金、白金、パラジウム、スズ、ルテニウムまたはニッケルからなる群より選出される金属を有する酸化触媒を、酸化セリウム及び金属をターゲットから基板までスパッタリングすることによって、調製する方法。特定のＡｕ−ＣｅＯ_２及びＰｔ−ＣｅＯ_２触媒はこの方法を使用することにより調製される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノメーターサイズの三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜を有する積層体を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、上記基材上に形成され、平均細孔径５００ｎｍ以下の三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜と、を有することを特徴とする積層体を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】充放電容量が大きいと共に、電池性能においても充分に満足できる非水電解質電池用正極の製造方法と非水電解質電池用正極および非水電解質電池を提供する。
【解決手段】基材上にリチウム複合酸化物を主体とする薄膜を気相成長法により形成し、形成した薄膜を熱処理した後、水洗する非水電解質電池用正極の製造方法。リチウム複合酸化物の原料粉末を主体とする成形体を焼結して焼結体を作製し、作製した焼結体を水洗する非水電解質電池用正極の製造方法。前記製造方法により製造された非水電解質電池用正極および前記非水電解質電池用正極を用いた非水電解質電池。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗の薄膜の形成が安定して可能な酸化亜鉛系焼結ターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウムを０．２〜３質量％含有する酸化亜鉛系ターゲットであって、焼結密度５．５ｇ／ｃｍ^３以上、且つアルミニウムの内の８原子％以上が、固溶した形態で存在している酸化亜鉛系焼結ターゲットである。本ターゲットは、平均粒径１μｍ以下の酸化亜鉛粉末と、平均粒径１．５μｍ以下の亜鉛とアルミニウムの複合酸化物粉末とをアルミニウムを０．２〜３質量％含有するように調整し混合した後、プレス成形し、次いで酸素濃度１ｐｐｍ以下の窒素気流中で、１２００℃から１５００℃の温度で焼結を行い、焼結密度５．５ｇ／ｃｍ^３以上、アルミニウムの内の８原子％以上を固溶した形態で存在させた焼結体を得ることにより、製造することができる。 （もっと読む）

【課題】コバルト前駆体の使用効率の高い、化学気相成長によるコバルト膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】上記方法は、オクタカルボニルジコバルトを含むコバルト前駆体を昇華して基体上に供給し、該基体上で該コバルト前駆体をコバルトに変換して基体表面上にコバルト膜を形成する方法において、コバルト前駆体を炭素数５〜８の脂肪族炭化水素、炭素数５〜８の脂環族炭化水素及び炭素数６〜８の芳香族炭化水素よりなる群から選択される少なくとも一種の溶媒に溶解した溶液を準備し、上記基体上に供給されるコバルト前駆体は上記溶液に由来するコバルト前駆体の昇華物であり、そしてコバルト膜形成後のコバルト前駆体の残存率が１２重量％以下であることを特徴とする方法である。 （もっと読む）

【課題】成膜材料を変更したり、下地膜等の形成を追加することなく、簡便に、（１００）および／または（００１）配向の鉛含有ペロブスカイト型酸化物膜を成膜することができる成膜方法、圧電素子、および液体吐出装置を提供する。
【解決手段】（１００）および／または（００１）配向の結晶配向性を有し、かつ、鉛を主成分とする鉛含有ペロブスカイト型酸化物膜を成膜するに際し、成膜初期には、酸化物膜に含有されるカチオンのうちの鉛以外のカチオンに対する鉛のモル比を表す鉛量が過剰となる初期成膜条件で酸化物膜を成膜し、その後、初期成膜条件より鉛量が少ない基本成膜条件で酸化物膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】被処理体（基板）の処理時間を短縮することができる新たな技術を提供する。
【解決手段】被処理体ＳＴに対して処理を行う処理部10と、被処理体を保持する基台20と、前記基台を連結する構造体30と、回転軸32の周りで前記構造体を回動させることで前記被処理体の処理位置を変更する駆動部40と、を有する処理装置であって、前記処理部は、前記被処理体に前記マスクを密着させて前記基台に固定する固定処理と、前記基台における前記被処理体と前記マスクとの固定を解除する解除処理とを同一位置で行う操作部12と、前記被処理体に成膜処理を行う成膜処理部14とを含み、前記処理装置は、前記固定処理及び前記解除処理の少なくとも一方と前記成膜処理とが並行して行われるように、且つ、並行して行われる処理の終了後に前記構造体を回動させるように、前記駆動部、前記操作部及び前記成膜処理部を制御する制御部50を更に有する。 （もっと読む）

【課題】特性が異なる２つの領域が膜の表面に露出した有用性の高い炭素系薄膜を提供する。
【解決手段】炭素系非晶質薄膜１５の表面からこの膜の一部に金属元素のイオン３２を注入することにより、薄膜１５に、金属元素を含む第１領域と金属元素を含まない第２領域とを形成する工程と、少なくとも第１領域にエネルギーを供給することにより、第２領域におけるグラファイトクラスターの成長を当該クラスターの粒径が２ｎｍ以下となる程度に抑制しながら、第１領域に粒径が２ｎｍを超えるグラファイトクラスターを形成する工程と、を実施して、炭素系薄膜を得る。好ましい金属元素はＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕである。好ましいエネルギーの供給方法は電子線照射である。 （もっと読む）

【課題】ゼーベック係数を大きくしてエネルギーの変換効率の高い熱電変換材料を得る。
【解決手段】熱電変換材料は、金属元素からなる金属層２が、二次元的な三角格子を形成する２つのＣｏＯ_２層１，１間に挟まれ、厚みが結晶構造の単位格子のｃ軸長と一致する層状構造を有している。 （もっと読む）

【課題】 成膜工程で加熱された保持装置を冷却し、蓄熱による熱変形の影響を軽減して、基板とマスクとを高精度に位置合わせることが可能な技術を提供すること。
【解決手段】 基板、及び、基板の上に配置されるマスクパターンが形成されているパターン形成部と、パターン形成部の周囲を支持するマスク枠とを有するマスクを保持する保持装置は、基板と、マスク枠とを、保持面で保持する基台と、保持面に沿って配置され、磁気吸着によりマスクを吸着することにより、基板とマスクとを基台に固定する永電磁石と、保持面の裏面側で、冷却媒体により冷却された冷却体を基台と接触させて基台を冷却する冷却機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 マスクを被処理対象物に対して位置合わせ後、基台にマスクを設置固定する際に、高精度にマスクと被処理対象物の相対的な位置のずれを無くすること。
【解決手段】保持装置は、基板が載置される基台と、マスクを支持する為に、基板が載置される保持面の外側の周辺部に少なくとも３個配置され、マスクが基板の上に載置されるときには保持面から突き出ているマスク支持部材と、マスク支持部材により支持されているマスクの位置を調整する調整機構と、調整機構により位置が調整されたマスクを基台に固定する固定機構と、を有する。 （もっと読む）