【課題】製造時に必要とされる光透過性を確保しつつ、十分高い反射率を有し、かつ、光情報記録媒体に用いた場合に再生安定性に優れると共に耐久性にも優れる反射膜を備えた、青色レーザーを使用する読み出し専用の光情報記録媒体（例えば２層ＢＤ−ＲＯＭ）を提供する。
【解決手段】基板上に反射膜および光透過層の積層が複数形成された構造を含み、青色レーザーにより情報の再生が行われる読み出し専用の光情報記録媒体であって、前記反射膜のうち基板に最も近い反射膜が、Ｔｉを０．５〜３．０％（特記しない限り、成分において、％は原子％を意味する。以下同じ。）含有するＡｌ基合金からなり、且つその膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする読み出し専用の光情報記録媒体。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体のＲｕ中間膜の配向性を高め記録媒体のノイズを減らすこと。
【解決手段】
非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を製膜し、その上に組成がＣｕ−Ｇｅからなるスパッタリングターゲットを用いてＣｕとＧｅからなる組成のシード膜を製膜する。Ｇｅが２〜１０ａｔ％の範囲で上記スパッタリングターゲットは（１０．１）面の回折強度と（００．２）面の回折強度との強度比Ｉ（１０．１）／Ｉ（００．２）が１より小さい擬ｈｃｐ結晶構造となり、スパッタ製膜されたシード膜も擬ｈｃｐ構造となる。該Ｃｕ−Ｇｅシード膜の上にＲｕ中間層を製膜することでＲｕ中間膜の配向性を向上させることが可能であり、ひいては記録媒体のノイズを減少できる。Ｃｕ−Ｇｅターゲットは上記強度比を１以下にするためにＣｕ、Ｇｅ以外の不純物元素混入量を２ａｔ％以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 （もっと読む）

作動波長域を軟Ｘ線領域又は極紫外線領域とする、特にＥＵＶリソグラフィにおいての使用のための応力軽減型反射光学素子を製造するために、基材と作動波長域においての高反射率のために最適化された多層系との間に応力軽減型多層系を４０ｅＶ以上の、好適には９０ｅＶ以上の、エネルギーを有する層形成粒子によって蒸着することが提案される。得られる反射光学素子はその低い界面粗さ、応力軽減型多層系における周期数の少なさ及び応力軽減型多層系におけるΓ値の高さにより特徴付けられる。
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【課題】高精細なマスクを効率よく製造する。
【解決手段】本発明のマスクの製造方法は、膜パターンの形成に用いられ、膜材料を通過させるマスク開口２１を有するマスク２０の製造方法であって、表面にシリコン層３３を有する基板のシリコン層３３に凹部２１を形成する凹部形成工程と、基板を裏面３０ｂ側から薄肉化して裏面３０ｂ側に凹部２１を開通させて凹部２１をマスク開口２１にする薄肉化工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ間のゲートバルブを開放するときの衝撃波を抑えると共に真空チャンバ内にガスが供給されるときの粘性力によるパーティクルの剥がれを抑え、これにより基板に対するパーティクル汚染を抑えること。
【解決手段】例えば一方の真空チャンバが基板に対して真空処理を行うための基板処理室、他方が基板搬送装置を備えた搬送室であるとするとゲートバルブを開く前に両方のチャンバ内の圧力が６６．５Ｐａよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の２倍よりも小さいことを条件にゲート弁を開くようにする。この場合、基板処理室内に圧力調整用のパージガスを供給する前に圧力調整用のパージガスの流量よりも大きな流量でパーティクル剥離用のパージガスを供給することが好ましい。また両方のチャンバ内のいずれもが９．９８Ｐａよりも低いことを条件にゲートを開くことも有効である。 （もっと読む）

【課題】反射膜表面が基板に形成されたグルーブやピット等を精度よく再現して光情報記録媒体のノイズの低減を図れると共に、高い反射率を有するＡｌ基合金反射膜、およびこうした反射膜を形成するために有用なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体用反射膜は、光情報記録媒体に用いられる反射膜であって、この反射膜は、希土類元素を２．０〜１５．０％含むＡｌ基合金からなり、反射膜の厚み方向における結晶子サイズが３０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】均質で絶縁性が高く、良好な特性を有する、導電性複合酸化物膜を得るための絶縁性ターゲット材料を提供する。
【解決手段】絶縁性ターゲット材料は、一般式ＡＢＯ₃で表される導電性複合酸化物膜を得るための絶縁性ターゲット材料であって、Ａ元素の酸化物と、Ｂ元素の酸化物と、Ｓｉ化合物およびＧｅ化合物の少なくとも一方と、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板とその上に形成される窒化物半導体単結晶層との間に、ＳｉＮ_x層を生成することなく、低抵抗であり、窒化物半導体単結晶層の結晶性に優れた窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板１上に、ＴｉおよびＶのいずれか１種以上からなる金属膜を形成する工程と、前記金属膜を窒化して、ＴｉＮ、ＶＮおよび両者の化合物のいずれか１種以上からなる窒化物中間層２を形成する工程と、前記窒化物中間層上に、ＧａＮ（０００１）、ＡｌＮ（０００１）およびＩｎＮ（０００１）のうちの少なくともいずれか１種以上からなる窒化物半導体単結晶層３を形成する工程とを経て、窒化物半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】反りの少ない薄膜付きガラス基板を容易に製造することができる薄膜付きガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成後の最終状態においてガラス基板１０の主面１０ａが平坦となるように、ガラス基板１０を塑性変形させることによりガラス基板１０の主面１０ａを湾曲した形状とする変形工程と、塑性変形させたガラス基板１０の主面１０ａ上に薄膜１１を形成する薄膜形成工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】 結晶性に優れ、パターン化されたＢｉＴｅ系薄膜、その作製方法、および赤外線センサを提供する。
【解決手段】 本発明のＢｉＴｅ系薄膜は、基板と、基板上に位置するＢｉＴｅ系薄膜とを備える。そのＢｉＴｅ系薄膜は、パターニングされており、かつ、Ｘ線回折における（００１）面のピーク値と（０１５）面のピーク値との比であるｃ軸配向度が、１．０以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空内を機構が簡単で基板の蒸着面を上面にして搬送ができ、前記上面搬送においても高精彩に蒸着可能な有機ＥＬデバイス製造装または同製造方法あるいは成膜装置または成膜方法を提供することである。
【解決手段】真空内を基板の蒸着面を上面にして搬送し、少なくとも前記基板が移動する場合には前記基板の搬送面が摺動しないように保持し、前記真空チャンバ内で前記基板を受渡し、その後前記基板を垂直にたてて蒸着する。 （もっと読む）

【課題】皺等の発生が少なく、かつ低濃度の際も光の散乱も少ない光学フィルタを得る。
【解決手段】ポリエーテルサルホンから成る透明樹脂基板３１上に、反射率を低下させるための反射防止層であるＡｌ₂Ｏ₃層４１ａと、透過率を低下させるための光吸収層であるＴｉＯｘ層４１ｂを交互に積層している。最上層には反射防止膜として低屈折材料のＭｇＦ₂層４１ｃを成膜することによりＮＤ膜４１を形成している。ＮＤフィルタ１０は高濃度化のため必要な膜厚が厚くなり、その分蒸着時間が長くなり、透明樹脂基板３１の温度が部分的に１７０℃にまで達することがある。この場合でも、ポリエーテルサルホンから成る透明樹脂基板３１はガラス転移温度は２００℃以上であることから、皺やうねりの発生を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高い金属酸化物層をバッファ層として意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な保護層の形成を可能とし、もって良好な画像表示を行うプラズマディスプレイパネルの実現を可能とする成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜装置が備えるハース２０３への成膜材料２０２の供給がシューター２１２を通じて行われる成膜装置であって、シューター２１２の先端とハース２０３に存在している成膜材料２０２の表面とのクリアランスＨが、成膜材料の最大長Ｌの３倍以上である成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用することにより、処理容器自体や被処理体を保持する保持手段にダメージを与えることなく不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給手段２６と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４とを備える。これにより、処理容器内をクリーニング処理するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】アンダーコート層をウェットプロセスで形成することにより不具合が生じる。
【解決手段】プラスチック基材の表面に乾式メッキ処理によりプライマー層を形成する工程と、該プライマー層の平滑な表面をボンバード処理する工程と、ボンバード処理後のプライマー層の表面に乾式メッキ処理により金属層を形成する工程と、該金属層の表面に乾式メッキ処理によりトップコート層を形成する工程とを有したコーティング方法にすることによって、全ての処理をドライプロセス化する。 （もっと読む）

【課題】有機電界発光素子などに有機薄膜や導電層を形成するために用いられる薄膜蒸着用マスク及びこれを用いた有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース部材１１と；ベース部材を厚さ方向に貫通し、所定の長さを有して第１方向に延びる複数のスリット１３と；複数のスリットのうち第１方向と所定の角度を有する第２方向において最外側に位置する最外郭のスリット１４と、最外郭のスリットに隣接するリブ１６との間に設けられるリブ支持部１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、（ＡｌＧａＩｎ）Ｎの光電子デバイス及び電子デバイスのための基材として好適な、高い品質の（ＡｌＧａＩｎ）Ｎ構造物及びそのような構造物を形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る方法は、半導体構造物を分子線エピタキシー反応槽内で処理すること；基材上にＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ａｓ（０≦ｘ＋ｙ≦１）及びＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ｐ（０≦ｘ＋ｙ≦１）のうち少なくとも１つを含むぬれ層を成長させること；上記ぬれ層をインシチューアニーリング（ｉｎ−ｓｉｔｕ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）すること；付加的なリン又はヒ素の流体と共に、プラズマ励起された窒素を窒素源として用いて、上記ぬれ層上に第１のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；上記第１のＡｌＧａＩｎＮ層の上に、窒素源としてアンモニアを用いて第２のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；を含む。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜で被覆保護された導電性基板を提供する。
【解決手段】保護基板は、導電性の基板１５と、該基板１５の表面を被覆するダイヤモンドライクカーボン層からなる保護膜５０と、保護膜５０中に分散される導電性の炭素粒子１５であって、１５基板に接触する接触部と、保護膜から表出する表出部とを有する炭素粒子Ｃと、を備える。かかる保護基板は、基板洗浄工程、炭素粒子スパッタ工程、ダイヤモンドライクカーボン層形成工程及び表面層除去工程を経て形成される。基板洗浄工程、炭素粒子スパッタ工程及びダイヤモンドライクカーボン層形成工程は、同一のマグネトロンスパッタ装置において連続して実行できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造歩留まりを低下させるドロップレットは発生を低減し、同時に良好な結晶性を有する化合物エピタキシャル層の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上に化合物エピタキシャル層を形成する方法であって、（ａ）前記ＺｎＯ基板の成長面が、｛０００１｝面となす角度が１０°以上であり、（ｂ）化合物エピタキシャル層を形成するための元素の全て、または一部を、基板上の成長面に間欠的に供給し、その際に、間欠的な供給シーケンスにおける任意の供給継続時間Ｔｏｎ（ｓｅｃ）と、次の元素供給までの供給休止時間Ｔｏｆｆ（ｓｅｃ）が、
１×１０^−６ ｓｅｃ ≦ Ｔｏｆｆ ≦ １×１０^−２ ｓｅｃ
１×１０^−６ ｓｅｃ ≦ Ｔｏｎ ≦ １×１０^−２ ｓｅｃ
を満たすように供給して結晶成長する。 （もっと読む）