【課題】ＧａＮ層を表面層に有し、熱膨張によるクラックの発生の少ない半導体積層構造を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１０とその上に直接エピタキシャル成長して形成されたＩＩＩ−Ｖ族窒化物エピタキシャル層１１を有する半導体積層構造であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物エピタキシャル層１１が、組成の異なる第1層１２から第ｎ層１４からなり、ここで、ｎは、３以上の整数であり、第ｎ層１４が実質的にＧａＮからなる層である。 （もっと読む）

【課題】 電気抵抗のさらなる低減化と基板表面に対する銅薄膜の密着性の確保との両方を高いレベルで達成することができ、かつスパッタリングプロセスで用いられる金属ターゲット材のコスト削減やそれを用いたスパッタリングプロセスを中心として全体的な製造プロセスのコスト低減を達成することを可能とした、銅配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板１の表面２に、例えばＡｒガスのような不活性ガスのプラズマ４を照射することで、その表面２に改質を施して、その基板１の表面２自体における純Ｃｕに対する密着性を向上させ、その基板１の表面２の直上に、銅薄膜３をスパッタリングによって形成することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】製造過程における有機ＥＬ素子に対するダメージを抑制できる簡便な有機ＥＬ素子の製造方法、およびその製造に適した層構成を有する有機ＥＬ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】有機ＥＬ素子を構成する層を形成する工程中に、第１電極部に、陽極と有機発光層の間に配置される金属ドープモリブデン酸化物層を設ける工程と、第１および第２電極部を構成する層のうちで有機発光層が形成された後に積層される層の少なくとも一層を、下記式（１）および（２）：
加速電圧×エミッション電流÷蒸着速度＜２００００（W・sec/nm） ・・・式（１）
加速電圧＞４（ｋＶ） ・・・式（２）
の条件を満たす電子ビーム蒸着により形成する工程とを設けて、有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】カソードを収容するカソードケースの周囲にガス噴出管を配置し、プロセスガスを基板中央付近まで均一に行き渡るようにして膜厚分布を改善したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】３個のマグネトロンカソードのうち、両側のカソード５４ａ、５４ｃは角度調整可能に真空容器３２に取付けられている。真空容器３２を１×１０＾４Ｐａまで排気した後、カソードケース５０に付属するガス噴出管８２からプロセスガス（アルゴンと酸素の混合ガス）８８を導入する。合計でアルゴンガスの流量を１２０ＳＣＣＭ、酸素ガスの流量を９０ＳＣＣＭとし、真空容器内の圧力を０．７Ｐａに設定する。其々の直流電源７２からカソード５４ａ、５４ｂ、５４ｃに１ｋＷの直流電力を供給して、クロム製のターゲット７８をスパッタリングし、基板１０上に酸化クロム薄膜を形成する。２００ｎｍの膜厚を得た時に膜厚分布は±４％となった。 （もっと読む）

【課題】本発明は、（ＡｌＧａＩｎ）Ｎの光電子デバイス及び電子デバイスのための基材として好適な、高い品質の（ＡｌＧａＩｎ）Ｎ構造物及びそのような構造物を形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る方法は、半導体構造物を分子線エピタキシー反応槽内で処理すること；基材上にＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ａｓ（０≦ｘ＋ｙ≦１）及びＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ｐ（０≦ｘ＋ｙ≦１）のうち少なくとも１つを含むぬれ層を成長させること；上記ぬれ層をインシチューアニーリング（ｉｎ−ｓｉｔｕ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）すること；付加的なリン又はヒ素の流体と共に、プラズマ励起された窒素を窒素源として用いて、上記ぬれ層上に第１のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；上記第１のＡｌＧａＩｎＮ層の上に、窒素源としてアンモニアを用いて第２のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；を含む。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜で被覆保護された導電性基板を提供する。
【解決手段】保護基板は、導電性の基板１５と、該基板１５の表面を被覆するダイヤモンドライクカーボン層からなる保護膜５０と、保護膜５０中に分散される導電性の炭素粒子１５であって、１５基板に接触する接触部と、保護膜から表出する表出部とを有する炭素粒子Ｃと、を備える。かかる保護基板は、基板洗浄工程、炭素粒子スパッタ工程、ダイヤモンドライクカーボン層形成工程及び表面層除去工程を経て形成される。基板洗浄工程、炭素粒子スパッタ工程及びダイヤモンドライクカーボン層形成工程は、同一のマグネトロンスパッタ装置において連続して実行できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造歩留まりを低下させるドロップレットは発生を低減し、同時に良好な結晶性を有する化合物エピタキシャル層の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上に化合物エピタキシャル層を形成する方法であって、（ａ）前記ＺｎＯ基板の成長面が、｛０００１｝面となす角度が１０°以上であり、（ｂ）化合物エピタキシャル層を形成するための元素の全て、または一部を、基板上の成長面に間欠的に供給し、その際に、間欠的な供給シーケンスにおける任意の供給継続時間Ｔｏｎ（ｓｅｃ）と、次の元素供給までの供給休止時間Ｔｏｆｆ（ｓｅｃ）が、
１×１０^−６ ｓｅｃ ≦ Ｔｏｆｆ ≦ １×１０^−２ ｓｅｃ
１×１０^−６ ｓｅｃ ≦ Ｔｏｎ ≦ １×１０^−２ ｓｅｃ
を満たすように供給して結晶成長する。 （もっと読む）

【課題】良好なオーミック性接触が得られる裏面電極を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の面１１ａに半導体素子が形成された半導体基板１１と、半導体基板１１の第１の面１１ａと対向する第２の面１１ｂに分散して形成され、金アンチモン合金、または金ガリウム合金を主成分とする第１導電層１２と、半導体基板１１の第２の面１１ｂに第１導電層１２を覆うように形成された第２導電層１３と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜の成膜に起因するＮＤフィルタのバッチ毎の濃度のばらつきを低減する。
【解決手段】透明基板２５上に、誘電体膜であるＡｌ₂Ｏ₃膜３１ａと光吸収膜であるＴｉ_XＯ_Y膜３１ｂとを交互に成膜することにより薄膜積層体３１を形成している。この薄膜積層体３１の最上層はＴｉ_XＯ_Y膜３１ｂとし、そのＴｉ_XＯ_Y膜３１ｂ上に酸化防止膜として膜厚６．５ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃膜３２を成膜している。このＡｌ₂Ｏ₃膜３２上に、反射防止膜であるＭｇＦ₂膜３３を成膜することにより、１２層のＮＤ膜から成るＮＤフィルタ１０を構成している。 （もっと読む）

【課題】透明な基板上に光学特性に応じた膜層を形成する際に、膜厚さが漸減するグラデーション領域層を安定してバラツキなく同時に反射特性に優れた減光フィルタの提供する。
【解決手段】基板と、前記基板に異なる物質をスパッタリングして積層状に形成された金属膜層と誘電体膜層から構成されるグラデーション層を形成して成り、前記金属膜層と前記誘電体膜層は共に前記基板に対し勾配角を有し、しかも前記誘電体膜層の勾配角は前記金属膜層の前記基板との勾配角に対し小さく、且つ前記金属膜層形成領域内でほぼ均一な膜厚さを形成する。 （もっと読む）

本明細書において、プロセスチャンバで用いるためのプロセスキット・シールド、及びその使用方法が提供される。幾つかの実施形態において、プロセスキット・シールドは、第１の層と、該第１の層に結合された第２の層とを含む壁を有する本体を含み、第１の層は、処理中に該第１の層上に配置された材料を除去するために用いられる洗浄用化学物質に耐性がある第１の材料を含み、第２の層は、第１の材料とは異なり、第１の材料の熱膨張係数と実質的に類似した熱膨張係数を有する第２の材料を含む。幾つかの実施形態において、処理容積及び非処理容積を有するプロセスチャンバ内に、プロセスキット・シールドを配置することができる。プロセスキット・シールドは、処理容積と非処理容積との間に配置することができる。 （もっと読む）

【課題】低温、かつ少ない工程で、ナノドットを作製する方法、並びにこのナノドットを有する浮遊ゲートトランジスタ及びその作製方法の提供。
【解決手段】同軸型真空アーク蒸着源１を用いて、金属材料又は半導体材料から、絶縁層３４中に埋め込まれる、電荷を保持するためのナノドット３３を作製する。基板３１上に酸化物膜３２を形成する工程と、ナノドット３３を酸化物膜３２上に作製する工程と、ナノドット上に絶縁層３４を形成することでナノドットを埋め込むようにする工程と、絶縁層３４上に電極膜３５を形成する工程とを有し、かくして浮遊ゲートトランジスタが作製される。 （もっと読む）

【課題】光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体のＡｇ合金半透明反射膜およびこの半透明反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｅｕ：０．２〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成並びに素地中に平均粒径：２０μｍ以下の微細なＡｇ−Ｅｕ化合物粒が分散している組織を有する銀合金からなる光記録媒体の半透明反射膜形成用Ａｇ合金スパッタリングターゲット、この半透明反射膜形成用Ａｇ合金スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることにより得られたＥｕ：０．１超〜０．８質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる光記録媒体の半透明反射膜。 （もっと読む）

本発明は、サンプル（２）の表面にターゲット（３）の材料を蒸着する方法に関するものであり、ターゲットの表面にレーザービーム又は電子ビーム（７）を照射して、ターゲット材料粒子のプルーム（９）を生成させるステップと、ターゲット材料粒子がサンプルの表面に蒸着されるように、プルーム近傍にサンプル（２）を位置させるステップと、粒子が蒸着されるサンプルの表面に対して垂直な回転軸（１）回りに、サンプルを回転させるステップと、プルームが前記回転軸に対して半径方向に移動するように、ターゲットの表面に沿ってレーザービームを移動させるステップと、可変周波数で、レーザービームのパルスを発するステップと、を有している。
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【課題】耐熱性に優れた圧電デバイス及びその製造方法並びに電子機器を提供する。
【解決手段】圧電デバイス（角速度センサ素子３１）は、第１の電極膜３４ａと第２の電極膜３４ｂの間に配置された圧電膜３３を備える。圧電膜３３は、化学式Ｐｂ_１＋Ｘ（Ｚｒ_ＹＴｉ_１−Ｙ）Ｏ_３＋Ｘ（０≦Ｘ≦０．３、０≦Ｙ≦０．５５）で表され、Ｘ線回折法により測定されたパイロクロア相のピーク強度がペロブスカイト相の（１００）、（００１）、（１１０）、（１０１）及び（１１１）の各面方位におけるピーク強度の総和に対して１０％以下である。圧電膜３３の膜厚は４００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。これにより、高温下で圧電特性が劣化しない、耐熱性が飛躍的に向上した圧電デバイスを得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】セパレータと電極間で発生する接触抵抗が低く、耐食性に優れており、かつ低コストの燃料電池セパレータを提供する。
【解決手段】ステンレス鋼からなる基材の表面を窒化処理することにより得られる燃料電池セパレータであって、基材の表面から深さ方向に連続して存在する窒化層を備え、窒化層は、最表面に外部方向に突出する粒状の析出物と、窒化層内に高沸点金属部を有する。 （もっと読む）

【課題】強誘電性能に優れた新規組成のペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物は、下記一般式で表されるものである。（Ａ_ａ，Ｂ_ｂ）（Ｃ_ｃ，Ｄ_ｄ，Ｘ_ｘ）Ｏ_３（Ａ：Ａサイト元素である。Ａ＝Ｂｉ、０＜ａ。Ｂ：１種又は複数種のＡサイト元素である。０≦ｂ＜１．０。Ｃ：Ｂサイト元素である。Ｃ＝Ｆｅ、０＜ｃ＜１．０。Ｄ：１種又は複数種のＢサイト元素である。０≦ｄ＜１．０。０＜ｂ＋ｄ。Ｘ：１種又は複数種のＢサイト元素である。ＣとＤの化学式上の平均価数よりも化学式上の平均価数が大きい元素である。０＜ｘ＜１．０。（Ａサイトの化学式上の平均価数）＋（Ｂサイトの化学式上の平均価数）＞６．０。Ｏ：酸素。Ａサイト元素とＢサイト元素と酸素のモル比は１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系ターゲットを使用し、酸素ガス、水素ガス、水蒸気の群から選択される２種または３種を含む反応性ガス中の各々のガスの比を変化させてスパッタすることにより、屈折率の異なる複数の屈折率層を積層し、所望の反射防止性能を得ることが可能な酸化亜鉛系の反射防止膜の成膜方法及び反射防止膜並びに成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の反射防止膜の成膜方法は、ガス導入手段３５を用いて、成膜室２３内を酸素ガス、水素ガス、水蒸気の群から選択される２種または３種を含む第１の反応性ガス雰囲気として第１の酸化亜鉛系薄膜を成膜し、次いで、この成膜室２３内を酸素ガス、水素ガス、水蒸気の群から選択される２種または３種を含みかつ第１の反応性ガスと異なる組成の第２の反応性ガス雰囲気として第１の酸化亜鉛系薄膜上に第２の酸化亜鉛系薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体、ターゲット組成の再現性が高いスパッタリングターゲット、大面積均一性、再現性の高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｉｎ（インジウム）元素と、Ｓｎ（錫）元素と、６周期までの、３Ａ族元素、４Ａ族元素、５Ａ族元素、６Ａ族元素、７Ａ族元素、８族元素及びＳｎより原子番号の小さい４Ｂ族から選択される１種以上の元素Ｘを含む酸化物半導体。 （もっと読む）

【課題】結晶性を向上するＡｌＮ結晶の製造方法、ＡｌＮ基板の製造方法および圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ結晶１０の製造方法は、ＡｌＮ下地基板１１を準備する工程と、ＡｌＮ下地基板１１上にＡｌＮ結晶１０を成長する工程と、ＡｌＮ結晶１０からＡｌＮ下地基板１１を分離する工程とを備えている。ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０の一方は、２８０ｎｍ以下の波長の光に対して吸収係数が１００ｃｍ^-1以上である。ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０の他方は、２２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の波長の少なくとも一部の波長域の光に対して吸収係数が１００ｃｍ^-1未満である。上記分離する工程では、ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０のうち吸収係数が低い他方側から光を照射する。 （もっと読む）