【課題】粉末状の有機ＥＬ材料は取り扱うが難しく、大気に曝すと、すぐに特性が劣化してしまう。
【解決手段】粉末状の有機ＥＬ材料１２を、ガラス製のアンプル１３に封入してなる有機ＥＬ素子用材料１１の形態で、有機ＥＬ材料を取り扱う。そして、真空蒸着装置を用いて素子形成用基板上に有機層を形成する場合は、その有機ＥＬ素子用材料１１を蒸着源に投入した後、真空チャンバ内を減圧する過程で、アンプル１３を内外圧力差により開裂させ、これによって露出した有機ＥＬ材料１２を加熱して蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】この酸化亜鉛焼結体をスパッタリングターゲットに用いて抵抗率が低く、かつ耐候性の高い電極を得る。
【解決手段】この電極の耐候性として、６０℃で９０％ＲＨの湿度下に晒した場合の、抵抗率の変化を測定した。前記と同様のスパッタリングターゲットを用いた場合の（ａ）膜厚が２００ｎｍの場合、（ｂ）膜厚が１００ｎｍの場合と、（ｃ）ＣｅＯ_２添加が無い場合で膜厚が１００ｎｍの場合、の３種類についての測定結果を図６に示す。初期値は６〜７×１０^−４Ω・ｃｍ程度であり、充分に小さいが、ＣｅＯ_２が無添加の場合（ｃ）には、徐々に抵抗率が上昇し、２００時間経過後には２０Ω・ｃｍ以上にまで上昇する。これに対して、ＣｅＯ_２が添加された（ａ）（ｂ）の場合にはその上昇は大きく抑制され、特に膜厚が２００ｎｍの場合には１０００時間経過後にも１０^−３Ω・ｃｍ以下の小さな抵抗率が維持されている。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法等により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】スパッタ法により、基板上にＰｂを含むペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜を成膜する際、成膜温度Ｔｓ（℃）と、基板の表面電位Ｖsub（Ｖ）とが、それぞれ下記式（１）及び（２）を満たす成膜条件下で成膜する。
４００≦Ｔｓ（℃）≦５５０・・・（１）
−１０≦Ｖsub（Ｖ）＜１００・・・（２） （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの電気的特性を高精度かつ簡便に評価し得る手段を提供する。
【解決手段】ウエーハ面上に蒸着パターンを形成するための蒸着用マスク。少なくとも１つの貫通孔１を有する厚みが１μｍ以上５０μｍ以下のマスク層１を有し、上記マスク層１上に、該マスク層１が有する貫通孔１を塞ぐことなく磁性マスク２を有する。上記蒸着用マスクを使用する蒸着パターン作製方法。前記マスクを使用する半導体ウェーハ評価用試料の作製方法。前記方法によって半導体ウェーハ表面上に金属パターンを作製し、作製された金属パターンを介して半導体ウェーハの電気的特性を測定する半導体ウェーハの評価方法。前記評価方法を使用する半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜特性及び接着性が改善が可能な基板構造形成方法及びこれを用いて形成された基板構造を提供する
【解決手段】基板構造を形成する方法は、基板１０をエッチングして垂直面５１を有するエッチング部５０を形成する段階と、基板１０の全面上にまたは基板１０に部分的に拡散物質層６０を形成する段階と、拡散物質層６０を熱処理して、一部が上記エッチング部５０の表面の下へと拡散したシード層６０’を形成する段階、及びシード層６０’上に金属層７０を形成する段階とを含む。上記方法によれば、シード層６０’によって基板１０のエッチング部５０の表面特性が改善されることもあるので、エッチング部５０の垂直面５１に接着性に優れ且つ均一な厚さの金属層７０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質皮膜であるＴｉＡｌＮや酸化物皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】基材の表面に形成される硬質皮膜であって、（Ｔｉ_ａＡｌ_ｂＳｉ_ｃ）Ｏ_ｘからなり、０．３≦ａ≦０．７、０．３≦ｂ≦０．７、０≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０．８≦［ｘ／（２ａ＋１．５ｂ＋２ｃ）］≦１．２を満たすことを特徴とする硬質皮膜、または、（Ｔｉ_ａＣｒ_ｄＡｌ_ｂＳｉ_ｃ）Ｏ_ｘからなり、０．０５≦ａ≦０．４、０．１≦ｄ≦０．８５、０≦ｂ≦０．７、０≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、０．８≦［ｘ／（２ａ＋１．５ｄ＋１．５ｂ＋２ｃ）］≦１．２満たすことを特徴とする硬質皮膜（ａ，ｄ，ｂ，ｃはＴｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉの原子比を示し、ｘはＯの原子比を示す。） （もっと読む）

【課題】耐酸性に優れ、かつ接触抵抗が低い燃料電池用金属セパレータおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る燃料電池用金属セパレータ１は、表面が平面の金属基材２、または、表面の少なくとも一部に凹形状のガス流路が形成される金属基材２を用いて製造された燃料電池用金属セパレータであって、金属基材２の表面に、Ｎｂ、Ｔａから選択される１種以上の非貴金属を含んでなる耐酸性金属皮膜３と、この耐酸性金属皮膜３の上にＡｕ、Ｐｔから選択される１種以上の貴金属、および、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａから選択される１種以上の非貴金属を含んでなる導電性合金皮膜４と、を有する構成とした。また、本発明に係る燃料電池用金属セパレータの製造方法は、耐酸性金属皮膜を成膜する工程Ｓ１と、導電性合金皮膜を成膜する工程Ｓ２と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子％でＧｅ：２０．２〜２４．２％、Ｓｂ：２０．２〜２４．２％含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する相変化膜形成用スパッタリングターゲットであって、その曲げ強度が１１０ＭＰａ以上あるパーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法であって、このターゲットは合金インゴットを粉砕することにより得れられた合金粉砕粉末を不活性ガスのプラズマ中に曝して合金粉末の表面を活性化し、この表面を活性化した合金粉末を使用して加圧焼結することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面被覆切削工具の寿命を長期化させることができる表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】基材の表面上に第１被覆層と第２被覆層とが交互に積層されてなる表面被覆層を含んでいる。第１被覆層には、Ａ層とＢ層とが交互に１層以上積層されており、Ａ層はＡｌとＣｒとを含む窒化物からなりＣｒの原子数の比は０．１よりも大きく０．４以下であり、Ｂ層はＡｌとＴｉとを含む窒化物からなりＴｉの原子数の比は０．２以上０．６以下である。第２被覆層には、Ｃ層とＤ層とが交互にそれぞれ１層以上積層されており、Ｃ層はＴｉとＳｉとを含む窒化物からなりＳｉの原子数の比は０．０５よりも大きく０．３以下であり、Ｄ層はＴｉとＣｒとを含む窒化物からなりＣｒの原子数の比は０．０５以上０．３以下である表面被覆切削工具である。 （もっと読む）

【課題】 潮解が抑制されたプロトン伝導体の製造方法および燃料電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 プロトン伝導体（３０）の製造方法は、物理蒸着法を用いて、ＡサイトがＳｎを含みかつＢサイトがＰであるＡＢ_２Ｏ_７型の電解質からなるプロトン伝導体を成膜する工程、を含む。燃料電池（１００）の製造方法は、物理蒸着法を用いて、ＡサイトがＳｎを含みかつＢサイトがＰであるＡＢ_２Ｏ_７型の電解質からなるプロトン伝導体（１３０）を第１電極（１１０）上に成膜する成膜工程と、成膜工程後にプロトン伝導体のアノードと反対側の面に第２電極（１４０）を配置する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】化合物膜の結晶欠陥を低減することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明は、複数の薄膜形成方式で順次化合物膜を堆積させる薄膜形成装置であり、この薄膜形成装置は、対向する二つの第一ターゲット４Ａ、４Ｂと、これらの第一ターゲット４Ａ、４Ｂの対向方向とほぼ垂直方向から第一ターゲット４Ａ、４Ｂの対向空間１０に臨む高密度ラジカル源５と、この高密度ラジカル源５と異方向から第一ターゲット４Ａ、４Ｂの対向空間１０に臨む基材ホルダ６とを備え、各第一ターゲット４Ａ、４Ｂの背面には、第一ターゲット４Ａ、４Ｂの対向方向に磁界を発生させる磁石７を有し、第一の薄膜形成方式では、各第一ターゲットに負電圧または交番電圧を印加して、基材ホルダ６に設置される基材８に化合物膜が形成されるものとした。これにより本発明は、第一の薄膜形成方式で初期層を形成でき、化合物膜の結晶欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】構造及び組成を制御することが可能な、イオンビームスパッタ法によるリチウム複合酸化物薄膜の製造方法、及び、当該製造方法によりリチウム複合酸化物薄膜を製造する工程を有する、電極体の製造方法を提供する。
【解決手段】リチウム及び遷移金属を含有するリチウム複合酸化物を有するターゲット2にイオンビーム3を照射し、ターゲットから飛び出したスパッタ粒子を基板４に堆積させることにより、リチウム複合酸化物薄膜５を製造する方法において、イオンビームの正反射方向に基板４’を配置した場合の成膜速度を１とするとき、成膜速度が０．４以下となる位置に基板４が配置される、リチウム複合酸化物薄膜の製造方法とし、当該製造方法によってリチウム複合酸化物薄膜を製造する工程を有する、電極体の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、被成膜物における未成膜部分を低減させることができる成膜装置の支持機構を提供する。
【解決手段】成膜面Ｗａが下方に向けられた状態にガラス基板Ｗを支持して成膜面Ｗａに成膜物質を付着堆積させる成膜装置１におけるガラス基板Ｗの搬送トレイ４０であって、成膜面Ｗａと同等以上の広さの開口部４２を内部に有する枠体４３と、枠体４３の内方に備えられ、開口部４２の周方向における縦断面を上方から下方に向けて狭めるテーパー状支持部４４とを備え、このテーパー状支持部４４のテーパー側面４４ｂは、成膜面Ｗａを囲むガラス基板Ｗの稜線Ｗｂに線接触するようになっている。このようなテーパー側面４４ｂを有するテーパー状支持部４４によってガラス基板Ｗを支持することにより、ガラス基板Ｗの未成膜部分が低減できる。 （もっと読む）

【課題】 基板ホルダーが移動しても、整合状態が大きく変化することなく、インピーダンスの整合状態が維持されることを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、本願に係わる基板処理装置は、処理チャンバー、前記処理チャンバー内に位置し、基板を保持するための基板ホルダー、前記基板ホルダーに高周波電力を供給するための高周波電源、前記基板ホルダーと前記高周波電源との電気的に間に位置する整合器及び前記基板ホルダーと前記整合器を一体に移動させる移動機構を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】微細な開口部、かつ高アスペクト比を持つトレンチ又はホール内を金属材料で埋め込む方法の提供。
【解決手段】円筒状トリガ電極１３と蒸発材料部材１２ａを有する円柱状カソード電極１２とが、円筒状絶縁碍子１５を介して同軸状に隣接して固定されて配置され、カソード電極の周りに同軸状にアノード電極１１が離間して配置されている同軸型真空アーク蒸着源１を用い、トリガ電極とカソード電極との間にトリガ放電を発生させ、カソード電極とアノード電極との間に間欠的にアーク放電を誘起させ、蒸発材料部材から生成される荷電粒子を真空チャンバー内に放出させ、トレンチ又はホール内へ金属材料を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】レンズに蒸着処理を施す前処理工程の時間を短縮して、レンズの生産性を向上させる。
【解決手段】イオンビームを発生するイオン源部と、蒸着原料を気化させる加熱部とを制御する制御部を備えた蒸着装置で、蒸着によりレンズの表面に膜を形成するレンズ製造方法であって、制御部が加熱部を起動させて蒸着原料を加熱し、不要なガスを気化させて排出するガス出し処理と、イオン化ガス供給部にイオン化ガスを発生させてレンズへ供給させるイオン化ガス前処理と、を含み、前記制御部は、ガス出し処理とイオン化ガス前処理を並列的に実行し、かつ、イオン化ガス前処理の完了する時点を、ガス出し処理の完了時点またはガス出し処理の完了時点以降に設定する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ極めて薄いバッファ層を用いて、工業的に安定でかつ低コストで、基板と格子定数の異なる良質の薄膜を形成した半導体基板を提供すること。
【解決手段】基板１は、格子定数ｘを有するものである。第１の半導体層２は、基板１上に形成され、格子定数ｙを有し、少なくともＳｂを含んでいる。第２の半導体層３は、第１の半導体層２上に形成され、格子定数ｙからｚまで格子定数を段階的又は連続的に変化させものである。第３の半導体層４は、第２の半導体層３上に形成され、格子定数ｚを有するものある。これらの格子定数の関係は、ｘ＜ｚ＜ｙの関係を有している。基板１上に格子定数の異なる薄膜を形成する際に、まずＳｂを含む半導体を形成し、その上層に格子定数を変化させるためのバッファ層を形成することで、従来に比べ薄いバッファ層で結晶欠陥のない薄膜形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】結晶の対称性のミスマッチが無い半導体基板を高スループットかつ低コストで製造することが可能な半導体基板の製造方法、半導体基板、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板を用いることにより、サファイア基板やＳｉＣ基板を用いる場合に比べて製造コストを格段に低下させることができる。また、従来のＳｉ基板の（１００）面ではなく、Ｓｉ基板の（１１０）面に１３族窒化物を成長させることにより、結晶の対称性のミスマッチを解消することができる。さらに、パルススパッタ堆積法によって１３族窒化物を成長させるので、例えば１２インチ以上の大面積の基板においても製造することができ、高いスループットで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ−Ｃｕ合金内においてＣｕ（溶質元素）を均一に分散させ、かつ、析出するＣｕの粒子をより微細にするための均質化方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ−Ｃｕ合金に対して、２００℃以上、３５０℃以下の温度で４〜１４時間加熱した後、冷却する均質化処理を行う。Ａｌ−Ｃｕ合金からスパッタリングターゲットを製造する場合には、Ａｌ−Ｃｕ合金（スラブ）を熱処理炉に入れて、本発明に係る均質化処理を施した後、一対の圧延ローラ１０・１０を備えた圧延機を用いて当該Ａｌ−Ｃｕ合金に圧延処理（冷間圧延）を行って圧延板に加工する。次いで、当該圧延板を熱処理炉に入れて再加熱処理（焼き鈍し処理・歪み取り処理）を施して目的の圧延板を形成した後、打ち抜き加工等を施して、円盤状のスパッタリングターゲット１１…を製造する。 （もっと読む）

【課題】レアメタルであるインジウムの使用量を削減でき、さらには、高い電気伝導性、十分な耐薬品性を備える透明導電膜付き基板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板の少なくとも一方の面に透明導電膜を備える透明導電膜付き基板であって、該透明導電膜が前記基板側から順に酸化亜鉛からなる第１の薄膜層とスズを含むインジウム酸化物からなる第２の薄膜層とを備えることを特徴とする透明導電膜付き基板とした。また、基板上に酸化亜鉛からなる第１の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程と、該第１の薄膜層上にスズを含むインジウム酸化物からなる第２の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程とを順に備えることを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法とした。 （もっと読む）