【課題】混晶状態のＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v結晶を実現するとともに加工性の容易なＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材１０ａの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、Ｓｉ基板１１が準備される。そして、パルスレーザー堆積により、Ｓｉ基板１１上にＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層１２（０＜ｖ＜１、０＜ｗ＜１、０＜ｘ＜１、０＜ｖ＋ｗ＋ｘ＜１）が成長される。 （もっと読む）

【課題】高度の結晶性を有し、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ素子等を得る。
【解決手段】サファイア基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、該サファイア基板表面にシード層としてスパッタ法で堆積されたＡｌＮ結晶膜を有し、そのＡｌＮ結晶膜は、結晶粒界の間隔が２００ｎｍ以上であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。好適には、ＡｌＮ結晶膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が２Å以下であるのが好適である。さらに、ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量は５原子％以下である。 （もっと読む）

本発明は、蒸気分配器（３）によって基板（４）をコーティングするための装置に関する。この蒸気分配器（３）は、入口（５）を介して蒸発器るつぼ（７）と接続されている。少なくとも１つのバルブ（１３）がるつぼ（７）と入口（５）の間に配置されている。蒸発器るつぼ（７）は、真空バルブ（１１）によって排気又は注入可能なチャンバ（１２）内に位置している。
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【課題】成膜速度の調整を、容易・確実・安価に行うことの可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、基板を設置する基板設置テーブルと、基板に蒸着するための物質を収納可能な空間をもつ蒸着源２と、前記物質を溶融・蒸発させるための熱を与える加熱手段と、前記空間を覆うように配置され、互いに異なる開口面積をもつ複数の第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２をもつ蓋２Ｆと、これら第１及び第２領域（Ｒ１，Ｒ２）のうち、一方の領域を前記基板に対して開くとき、他方の領域を閉じるシャッタ３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】転写層となる材料層が余分に蒸着されるのを防ぐと共に所望の蒸着パターンを形成することができる蒸着用基板を用いることにより、蒸着材料の利用効率を高めるだけでなく、蒸着パターンを形成する上での精度を高めることができる発光装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】蒸着用基板である第１の基板に、マスク基板である第２の基板を介して第１の光（レーザ光）を照射することにより、第１の基板上の材料層をパターン形成する蒸着用基板の作製方法である。また、上述した方法によりパターン形成された材料層を有する第１の基板に第２の光を照射することにより、材料層を被成膜基板である第２の基板上に蒸着させることが可能な発光装置の作製方法である。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】酸素含有量が均一なバリア膜を形成する。
【解決手段】本発明のターゲット１１１は酸素と銅とを含有している。当該ターゲット１１１をスパッタリングして形成されるバリア膜２５は、原子組成がターゲット１１１と略等しくなるので、バリア膜２５中の酸素含有量を厳密に制御することが可能であり、しかも、バリア膜２５中の酸素の面内分布が均一になる。酸素と銅を含有するバリア膜２５はシリコン層やガラス基板への密着性が高い上に、シリコン層へ銅が拡散しないから、薄膜トランジスタ２０の、ガラス基板やシリコン層に密着する電極に適している。 （もっと読む）

【課題】比較的大きい表面凹凸が形成される磁気記録層上であっても、ＦＣＶＡ法により、ステップカバレッジ、および、耐食性・耐摩耗性に優れた磁気記録媒体用薄膜を成膜できる。
【解決手段】回転駆動機構部およびチルト機構部が制御ユニット４０に制御されることにより、基板ホルダー２０および記録媒体用基板２８’の傾斜角θが、成膜中、保護層の膜厚の増大に応じて最小傾斜角度から最大傾斜角度まで連続的に変化する。 （もっと読む）

Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆを含み、Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆ原子の全体含有量対比Ｈｆ原子含有量の組成比が２〜１６ａｔ％である酸化物半導体及びこれを備える薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制するとともに、加工性の容易なＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材１０ａの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、Ｓｉ基板１１が準備される。そして、Ｓｉ基板上にＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層（０＜ｖ＜１、０＜ｗ＜１、０＜ｘ＜１、０＜ｖ＋ｗ＋ｘ＜１）１２を５５０℃未満の温度で成長される。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理を適用した場合でも十分に低い電気抵抗率を示すと共に、直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ耐食性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｃｏを０．０５〜０．５原子％、およびＧｅを０．２〜１．０原子％含み、かつＡｌ合金膜中のＣｏ量とＧｅ量が下記式（１）を満たすことを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。
［Ｇｅ］≧−０．２５×［Ｃｏ］＋０．２ …（１）
（式（１）中、［Ｇｅ］はＡｌ合金膜中のＧｅ量（原子％）、［Ｃｏ］はＡｌ合金膜中のＣｏ量（原子％）を示す） （もっと読む）

【課題】 プラズマに接触する一対の電極に所定の周波数でバイポーラパルス状に電力供給するバイポーラパルス電源を、ブリッジ回路のスイッチング素子のスイッチング損失が軽減でき、高機能スイッチング素子を用いることなく、高い耐久性を達成できるようにする。
【解決手段】 バイポーラパルス電源は、直流電力供給源１からの正負の直流出力端に接続されたスイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ４から構成されるブリッジ回路２２と、ブリッジ回路の各スイッチング素子のオン、オフの切換えを制御する制御手段とを備える。直流電力供給源からの正負の直流出力間に出力短絡用のスイッチング素子ＳＷ０を設け、この出力短絡用のスイッチング素子の短絡状態で制御手段によりブリッジ回路の各スイッチング素子の切換えを行う。 （もっと読む）

【課題】 複数枚のターゲットを並設し、この並設したターゲットに、複数台のバイポーラパルス電源を介してバイポーラパルス状に電力投入してスパッタリング法を実施する際に、簡単な制御でスイッチングノイズの影響を受け難くしてターゲットに精度よく投入電力できるようにする。
【解決手段】 対をなすターゲット毎に、直流電力供給源からの正負の直流出力端に接続したブリッジ回路５２の各スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ４のオン、オフを切換えてバイポーラパルス状に電力供給し、各ターゲットをスパッタリングするスパッタリング方法において、前記直流電力供給源からの正負の直流出力間に設けた出力短絡用スイッチング素子ＳＷ０の短絡状態で前記スイッチング素子のオン、オフの切換えを行うと共に、出力短絡用スイッチング素子の切換えのタイミングをブリッジ回路毎に相互にずらす。 （もっと読む）

【課題】高度の結晶性を有し、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ素子等を得る。
【解決手段】サファイア基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、該サファイア基板表面にシード層としてＡｌＮ結晶膜を有し、そのＡｌＮ結晶膜は、その縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。好適には、ＡｌＮ結晶膜は、その平面ＴＥＭ写真の２００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されない。さらに、ＡｌＮ結晶膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が２Å以下であるのが好適である。ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量は５原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】発光強度が、粒径によらず、ほぼ均一で高い発光が得られる半導体ナノ粒子含有膜及び半導体ナノ粒子を提供する。また、当該半導体ナノ粒子を用いた生体物質標識剤を提供する。
【解決手段】スパッタ法により形成された半導体ナノ粒子含有膜であって、膜厚が０．５〜１０μｍであり、当該膜内に、結晶化した半導体ナノ粒子が、５．０×１０^６〜１．０×１０^８個／μｍ^３含有されていることを特徴とする半導体ナノ粒子含有膜及びそれから分取り出された半導体ナノ粒子。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法で形成したＤＬＣ膜よりも緻密であり、かつパーティクルを必要十分なレベルまで低減したテトラヘドラル・アモルファス・カーボン（ｔａ−Ｃ）膜を主体とする磁気記録媒体用保護膜、および該保護膜を有する磁気記録媒体の提供。
【解決手段】陰極ターゲットとしてガラス状炭素を用いたフィルタード・カソーディック・アーク法によって形成されるｔａ−Ｃ膜を主体とする磁気記録媒体用保護膜。基体と、磁気記録層と、ｔａ−Ｃ膜を主体とする保護膜とを有する磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を蒸発材料とする金属酸化膜の蒸着方法に関するものであり、特にプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）の保護膜の形成に関するもので、保護膜としての＜１１１＞配向したＭｇＯ膜の成膜速度を早くして、生産性の向上とパネル特性の向上を図る。
【解決手段】金属酸化物を蒸発材料とする蒸着方法において、前記蒸発材料の加熱手段として電子銃を使用し、該電子銃からの電子ビームを絞り、該電子ビームの直径をもとに蒸発材料への電子ビームの照射面積に合わせて、電子ビームの揺動波形を制御することを特徴とする金属酸化膜の蒸着方法であり、走査電極、維持電極、誘電体層及び保護膜から成る前面基板とアドレス電極、バリアリブ及び蛍光体からなる背面基板から構成されているプラズマディスプレイの保護膜であるＭｇＯ膜の成膜速度が速くなり、かつ良好なパネル特性が得られた。 （もっと読む）

【課題】有機電界発光表示装置の製造装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】上記有機電界発光表示装置の製造装置は、チャンバと、基板がその上面に載置するように上記チャンバ内部に配置され、所定パターンの開口が形成されているマスクと、上記マスクの下側に配置されて上記マスクの開口を通して上記基板に膜が形成されるように蒸着物質を上記マスク側に供給する蒸着物質供給源と、上記基板の底面に上記マスクが密着されるように上記基板の上面を上記マスク側に加圧し、上記基板の曲がった形状に沿って変形して上記基板の上面を加圧する基板−マスク密着ユニットとを含む。 （もっと読む）

【課題】触媒金属が、効果的に触媒活性を発現させることが可能な態様で触媒担持体に担持されている触媒材料の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】蒸着室３ａ及び３ｃ内で導電性担持体の微粒子を基板Ｗに蒸着させ、蒸着室３ｂ及び３ｄ内で触媒金属の微粒子を基板Ｗに蒸着させる。蒸着室３ａ及び３ｃの圧力を、蒸着室３ｂ及び３ｄの圧力より高くすることによって、蒸着室３ａ及び３ｃ内で蒸着される導電性担持体の微粒子相互間の結合を弱くし、蒸着室３ｂ及び３ｄ内で蒸着される触媒金属の微粒子の、導電性担持体への担持を強くする。これにより、導電性担持体に触媒対象物が浸透しやすく、触媒反応における触媒金属の凝集が発生しない触媒材料を得る。 （もっと読む）

【課題】電子伝導度が低く、全固体型リチウム二次電池の固体電解質に用いた場合に、電池の自己放電を抑制することができるLi₂S‐P₂S₅系固体電解質、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第一のLi₂S‐P₂S₅系固体電解質は、気相法により形成されており、そして、次の式を満足する。式…Li₂S‐P₂S_5-αO_βN_γ（α＝β＋(3γ/2)、但しβ又はγは0を含む）。また、第二のLi₂S‐P₂S₅系固体電解質は、気相法により形成されており、そして、化学量論組成より硫黄を0モル％超10モル％以下の範囲で過剰に含有しており、次の式を満足する。式…Li₂S‐P₂S₅‐S。これら第一及び第二のLi₂S‐P₂S₅系固体電解質は、電子伝導度が1×10^-10S/cm以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ターゲット上でのアーク放電の発生を長期的に抑制でき、かつ、速い成膜速度にて非常に薄い膜を高い面内均一性で確保できるスパッタリング方法及び装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器中に、形成したい薄膜の成分の一部または全部からなる複数のターゲットを配し、前記真空容器中にガスを導入し前記複数のターゲットのうち少なくとも一つのターゲットに電圧を印加することで真空容器中にプラズマを発生させ、絶縁物の成膜を行うスパッタリング方法において、正の逆パルスを印加する毎に周波数または印加時間の少なくとも１つを変化させる。 （もっと読む）