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Fターム[4K029AA24]の内容

物理蒸着 (93,067) | 基体 (14,066) | 形状 (5,788) |  (3,910)

Fターム[4K029AA24]に分類される特許

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【課題】基板表面に対してターゲット表面を任意の角度で傾斜することができ、材料に適した傾斜角度を見出し、良質の薄膜を再現性良く作製し、生産に結びつけることができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ11内に配置されたターゲット電極12及び基板ホルダ13と、ターゲット電極12に保持されたターゲット14と、基板ホルダ13に保持された基板15と、真空チャンバ11の内外に跨り且つ軸線O1を中心として回転可能な導入パイプ16と、導入パイプ16の先端とターゲット電極12とを接続すると共にターゲット14を基板15に対して傾斜状態で対向させるエルボパイプ17と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、膜質の向上を図りつつ、長時間にわたり連続して成膜作業を行うことを可能とする成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置1は、真空容器10内でプラズマビームPにより成膜材料Maを蒸発させ、被処理物としての基板11に付着させて膜を生成する成膜装置であって、成膜材料Maを保持すると共に、プラズマビームPを誘導する主陽極3と、主陽極3を囲むように配置されると共に、主陽極3によるプラズマビームPの誘導を補助する環状の補助陽極4と、補助陽極4の位置を調整する位置調整装置6と、を備え、真空容器10は、真空容器10の内外を連通させる貫通孔10f〜10jを有しており、位置調整装置6は、貫通孔10f〜10jを通じて、真空容器10の外側から補助陽極4の位置を調整するための調整部70と、貫通孔のシール性を維持するベローズ80とを有する。 (もっと読む)


【課題】大口径で貫通転位の少ないGaN系半導体基板、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】GaNテンプレート基板10は、ZnO単結晶基板11と、この基板11の裏面11aと側面11bに形成された保護膜12と、ZnO単結晶基板11の表面11cに形成された界面層13と、界面層上に形成されたZnO単結晶基板11と格子整合するInGaN層14と、InGaN層上に形成された数μm以上の厚いGaN層15と、を備える。転位密度の小さいZnO単結晶基板11に格子整合して成長されたInGaN層14を有するInGaN/ZnO複合基板を下地としてGaN層15が成長されているので、GaN層15の貫通転位密度が大幅に低減されている。GaN層15を成長する際に、ZnO単結晶基板11がアンモニアによって破壊されるのを保護膜12により抑制でき、InGaN層やGaN層へのZn,Oの混入を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】ルテニウムターゲットを代替することができ、かつ、安価なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】PdとWを主要成分として含有するPd−W系スパッタリングターゲットとし、該ターゲットの構造を、Wを1〜22at%含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなるPd−W合金マトリックス中に、平均粒径5〜40μmのW粒子が分散した構造とし、ターゲット全体に対するWの含有量が15〜50at%となるようにする。 (もっと読む)


【課題】材料の無駄を減らし利用効率を向上させ、かつ被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成する成膜方法を提供することを課題の一とする。また、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高精細な発光装置を低コストで作製することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に光吸収層及び材料層が形成された成膜用基板に、基板を透過させて光吸収層に光を照射することによって、選択的に材料層に含まれる材料を、対向して配置された被成膜基板へ成膜する。光吸収層を選択的に形成することによって、被成膜基板に成膜される膜は、光吸収層のパターンを反映した微細なパターンで選択的に成膜することができる。材料層の形成は、基板及び光吸収層上に、有機化合物材料を含む粉体を散布し、加熱処理によって固定させて行う。 (もっと読む)


【課題】蒸着膜の欠陥を抑えることが可能な蒸着装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板11に蒸着材料を蒸着させる蒸着装置1であって、蒸着材料を収容する坩堝21と、該坩堝21を加熱する加熱手段30と、坩堝21内の純度の低い蒸着材料から発生する可能性のあるスプラッシュを帯電させ、被処理基板11に到達する前に捕捉するために、坩堝21の開口部29近傍に設けられ帯電された帯電部材40とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ターゲットから発生する高周波ノイズの影響を抑えた高周波スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 被スパッタ面が処理チャンバー1内に露出したターゲット3は、高周波電源4によって高周波電圧が印加されてスパッタされる。ターゲット3の背後には絶縁部材30を介してベース板33が設けられ、ターゲット3とベース板33の間の空間に冷却機構8によって純水が供給されて冷却される。ベース板33は、10オーム以下の容量性インピーダンスとなるよう軸対称に配置された複数のコンデンサ36を介して接地されている。ターゲット3とベース板33の間に設けられた磁石ユニット5を回転させる回転機構7に対しては、ベース板33がシールドとなり、ターゲット3からの高周波ノイズが遮断される。 (もっと読む)


【課題】
シートプラズマのシート形状を維持しつつ、シートプラズマの形状を調整できるシートプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係るシートプラズマ成膜装置1は、カソード11を有するとともに円柱状のプラズマPを出射するプラズマガン2と、円柱状のプラズマPを挟んでシートプラズマPを形成する永久磁石対7と、シートプラズマPが導入されシートプラズマPをその厚み方向に挟むようにターゲット13と基板14とが対向して配置される成膜室8と、シートプラズマPが収束するアノード12と、成膜室8に電流磁界を形成してシートプラズマPをカソード11側からアノード12側へ輸送する電磁コイル5、6と、電流磁界が形成されると磁化されて成膜室8内に磁場を形成する磁性部材9と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】真空蒸着の際に、スプラッシュ量が少ない金属酸化物蒸着材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化タンタルまたは酸化ニオブの粉末またはペレットを、真空雰囲気下または不活性ガス雰囲気下で、電子ビーム溶解法またはアーク溶解法により溶解し、次いで、粉砕および篩別する。そして粒径0.5mm以上の金属酸化物粉末と、粒径0.5mm未満の金属酸化物粉末を混合し、粒径0.5mm未満の金属酸化物粉の含有量が15質量%以下となるように調整した金属酸化物蒸着材。 (もっと読む)


【課題】安価な材料から成り、しかも光輝性、高電気抵抗、及び高電波透過性を有し、ミリ波対応型の樹脂成型品に適用可能な高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂基材と、前記樹脂基材の表面に形成されたAl及びMgを含む高抵抗金属薄膜とを備え、前記高抵抗金属薄膜は、前記樹脂基材表面に層状に形成された酸化物層と、前記酸化物層の表面に孤立した島状に形成された金属粒子と、前記金属粒子の表面及び粒子間に形成された酸化物被膜とを備えた高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料。金属Al領域と金属Mg領域に分割されたターゲットを用いて、パルスレーザーデポジション法により、樹脂基材表面にAl及びMgを含む高抵抗金属薄膜を形成する薄膜形成工程を備えた高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング膜の成膜レートを低下させずに、ターゲットのスパッタリング時に生じるターゲット材料の凝集を適切かつ容易に抑制できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置100は、基板34Bおよびターゲット35Bを格納する真空成膜室30と、カソードユニット41を有して、カソードユニット41およびアノードA間の放電により、真空成膜室30内にプラズマ27を形成可能なプラズマガン40と、プラズマガン40に電力を供給するプラズマガン電源50と、ターゲット35Bにバイアス電圧を印加するバイアス電源52と、を備え、プラズマ27中の荷電粒子によりスパッタリングされたターゲット35Bの材料が基板34Bにおいて凝集を起こさないよう、プラズマの放電電流IDがプラズマガン電源50を用いて調整され、かつ、バイアス電圧VBがバイアス電源52を用いて調整されている。 (もっと読む)


【課題】結晶の対称性のミスマッチが無い半導体基板を高スループットかつ低コストで製造することが可能な半導体基板の製造方法、半導体基板、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】Si基板を用いることにより、サファイア基板やSiC基板を用いる場合に比べて製造コストを格段に低下させることができる。また、従来のSi基板の(100)面ではなく、Si基板の(110)面に13族窒化物を成長させることにより、結晶の対称性のミスマッチを解消することができる。さらに、パルススパッタ堆積法によって13族窒化物を成長させるので、例えば12インチ以上の大面積の基板においても製造することができ、高いスループットで製造することができる。 (もっと読む)


【課題】Al−Cu合金内においてCu(溶質元素)を均一に分散させ、かつ、析出するCuの粒子をより微細にするための均質化方法を提供する。
【解決手段】Al−Cu合金に対して、200℃以上、350℃以下の温度で4〜14時間加熱した後、冷却する均質化処理を行う。Al−Cu合金からスパッタリングターゲットを製造する場合には、Al−Cu合金(スラブ)を熱処理炉に入れて、本発明に係る均質化処理を施した後、一対の圧延ローラ10・10を備えた圧延機を用いて当該Al−Cu合金に圧延処理(冷間圧延)を行って圧延板に加工する。次いで、当該圧延板を熱処理炉に入れて再加熱処理(焼き鈍し処理・歪み取り処理)を施して目的の圧延板を形成した後、打ち抜き加工等を施して、円盤状のスパッタリングターゲット11…を製造する。 (もっと読む)


【課題】材料と被成膜基板との間にマスクを設けることなく、被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成する成膜方法を提供することを課題の一とする。また、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高精細な発光装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】反射層、光吸収層及び材料層が形成された成膜用基板を透過して、光吸収層にレーザ光を照射することによって材料層に含まれる材料を、対向して配置された被成膜基板へ成膜する。反射層を選択的に形成することによって、被成膜基板に成膜される膜は、反射層のパターンを反映した微細なパターンで選択的に成膜することができる。材料層の形成は、湿式法を用いて行う。 (もっと読む)


【課題】任意の基材の表面に、水に対する高い濡れ性を付与する方法を提供する。
【解決手段】本発明の基材表面の超親水化方法は、基材の表面を超親水化させる方法であって、斜め蒸着法によって、該基材の表面に該表面からの仰角が90度未満で突出した斜め柱状構造体の集合層を形成させる。 (もっと読む)


【課題】成膜材料の蒸気を放出する開口位置と基板との距離を一定に保ち、安定した成膜を行う。
【解決手段】材料収納坩堝101の有機材料106を加熱して蒸発させ、複数のノズル104から真空チャンバー内に噴出させる。成膜中にノズル104が熱膨張によって変形し、ノズル先端位置が変化して成膜が不安定になるのを防ぐために、各ノズル104に嵌合する開口部107aを有する開口制御部材107を設ける。開口制御部材107は、ノズル104等とは独立して真空チャンバー内に固定する。 (もっと読む)


【課題】過酷な環境に長期間曝されても比抵抗値および透明性が劣化することのない耐劣化性に優れた透明導電膜およびこの透明導電膜を成膜するためのターゲットを提供するものであり、この透明導電膜は液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサー、太陽電池などに用いられる。
【解決手段】Ce:0.5〜4.5質量%、Ga:0.05〜1.5質量%、Zn:73.4〜79.8質量%、残部:酸素からなり、かつCe含有量>Ga含有量となる条件を満たす成分組成を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、ナノ粒子蛍光体(ナノメートルサイズの半導体物質の蛍光体粒子)として、公知例では得られない、好適な、高輝度、単分散のシリコンナノ粒子、それを含有するシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜、シリコンナノ粒子溶液、およびシリコンナノ粒子を標識材とした分子観察方法を提供することにある。
【解決手段】半導体基板上に成膜された、シリコンナノ粒子を含有するシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜において、該シリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜の表面粗さRyが10.0nm以上100.0nm以下であることを特徴とするシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜。 (もっと読む)


【課題】基板へのダメージを低減可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】複数の凹部3は、電極2のホルダー7側の面に面して電極2に形成される。ターゲット部材6は、石英からなり、複数の凹部3の内壁と、電極2のホルダー7側の面とに沿って配置される。複数の配管4は、Arガスを複数の凹部3内の空間へ供給し、複数の配管5は、Oガスを電極2とホルダー7との間の空間に供給する。ホルダー7は、基板12を支持し、ヒーター8は、基板12の温度を昇温する。高周波電源9は、電極2とホルダー7との間に高周波電力を印加する。 (もっと読む)


【課題】耐候性、耐食性に優れたフレキシブル透明膜を簡易に形成することができる多層膜の形成方法及び多層膜を提供すること。
【解決手段】一つのスパッタリング用電極上に、異種成分からなる複数の素材を張り合わせて取り付け、前記複数の素材同士の境界の上方に分離板を設けておき、放電行いながら基板を前記ターゲット上を移動させて該基板上に多層膜を形成すること特徴とする多層膜の形成方法。 (もっと読む)


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