【課題】Ａｌ−Ｃｕ合金内においてＣｕ（溶質元素）を均一に分散させ、かつ、析出するＣｕの粒子をより微細にするための均質化方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ−Ｃｕ合金に対して、２００℃以上、３５０℃以下の温度で４〜１４時間加熱した後、冷却する均質化処理を行う。Ａｌ−Ｃｕ合金からスパッタリングターゲットを製造する場合には、Ａｌ−Ｃｕ合金（スラブ）を熱処理炉に入れて、本発明に係る均質化処理を施した後、一対の圧延ローラ１０・１０を備えた圧延機を用いて当該Ａｌ−Ｃｕ合金に圧延処理（冷間圧延）を行って圧延板に加工する。次いで、当該圧延板を熱処理炉に入れて再加熱処理（焼き鈍し処理・歪み取り処理）を施して目的の圧延板を形成した後、打ち抜き加工等を施して、円盤状のスパッタリングターゲット１１…を製造する。 （もっと読む）

【課題】レアメタルであるインジウムの使用量を削減でき、さらには、高い電気伝導性、十分な耐薬品性を備える透明導電膜付き基板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板の少なくとも一方の面に透明導電膜を備える透明導電膜付き基板であって、該透明導電膜が前記基板側から順に酸化亜鉛からなる第１の薄膜層とスズを含むインジウム酸化物からなる第２の薄膜層とを備えることを特徴とする透明導電膜付き基板とした。また、基板上に酸化亜鉛からなる第１の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程と、該第１の薄膜層上にスズを含むインジウム酸化物からなる第２の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程とを順に備えることを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】再現性や生産性を向上させ、蒸着量の調節が容易な蒸着装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板１１を搬送させる搬送手段を備え、被処理基板１１に蒸着材料を蒸着させる蒸着装置１であって、蒸着材料を収容する坩堝２１〜２３と、該坩堝２１〜２３を加熱する加熱手段３０と、坩堝２１〜２３の開口部２９に設けられ、被処理基板１１の搬送方向に開口部２９の開口面積が制御された開口制御部４１〜４３とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決課題】真空蒸着の際に、真空蒸着装置の真空度が落ち難く、且つ、スプラッシュ量が少ない酸化タンタル蒸着材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｔａ_２Ｏ_５相とＴａ_２Ｏ相とを含有する酸化タンタル蒸着材。Ｔａ_２Ｏ_５を、真空雰囲気下で電子ビーム溶解法によって溶解して、酸化タンタル蒸着材を得ることを特徴とする酸化タンタル蒸着材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面に対してターゲット表面を任意の角度で傾斜することができ、材料に適した傾斜角度を見出し、良質の薄膜を再現性良く作製し、生産に結びつけることができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１１内に配置されたターゲット電極１２及び基板ホルダ１３と、ターゲット電極１２に保持されたターゲット１４と、基板ホルダ１３に保持された基板１５と、真空チャンバ１１の内外に跨り且つ軸線Ｏ１を中心として回転可能な導入パイプ１６と、導入パイプ１６の先端とターゲット電極１２とを接続すると共にターゲット１４を基板１５に対して傾斜状態で対向させるエルボパイプ１７と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、膜質の向上を図りつつ、長時間にわたり連続して成膜作業を行うことを可能とする成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置１は、真空容器１０内でプラズマビームＰにより成膜材料Ｍａを蒸発させ、被処理物としての基板１１に付着させて膜を生成する成膜装置であって、成膜材料Ｍａを保持すると共に、プラズマビームＰを誘導する主陽極３と、主陽極３を囲むように配置されると共に、主陽極３によるプラズマビームＰの誘導を補助する環状の補助陽極４と、補助陽極４の位置を調整する位置調整装置６と、を備え、真空容器１０は、真空容器１０の内外を連通させる貫通孔１０ｆ〜１０ｊを有しており、位置調整装置６は、貫通孔１０ｆ〜１０ｊを通じて、真空容器１０の外側から補助陽極４の位置を調整するための調整部７０と、貫通孔のシール性を維持するベローズ８０とを有する。 （もっと読む）

【課題】大口径で貫通転位の少ないＧａＮ系半導体基板、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮテンプレート基板１０は、ＺｎＯ単結晶基板１１と、この基板１１の裏面１１ａと側面１１ｂに形成された保護膜１２と、ＺｎＯ単結晶基板１１の表面１１ｃに形成された界面層１３と、界面層上に形成されたＺｎＯ単結晶基板１１と格子整合するＩｎＧａＮ層１４と、ＩｎＧａＮ層上に形成された数μｍ以上の厚いＧａＮ層１５と、を備える。転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。ＧａＮ層１５を成長する際に、ＺｎＯ単結晶基板１１がアンモニアによって破壊されるのを保護膜１２により抑制でき、ＩｎＧａＮ層やＧａＮ層へのＺｎ，Ｏの混入を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ルテニウムターゲットを代替することができ、かつ、安価なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ＰｄとＷを主要成分として含有するＰｄ−Ｗ系スパッタリングターゲットとし、該ターゲットの構造を、Ｗを１〜２２ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＰｄ−Ｗ合金マトリックス中に、平均粒径５〜４０μｍのＷ粒子が分散した構造とし、ターゲット全体に対するＷの含有量が１５〜５０ａｔ％となるようにする。 （もっと読む）

【課題】材料の無駄を減らし利用効率を向上させ、かつ被成膜基板に微細なパターンの薄膜を形成する成膜方法を提供することを課題の一とする。また、このような成膜方法を用いて発光素子を形成し、高精細な発光装置を低コストで作製することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に光吸収層及び材料層が形成された成膜用基板に、基板を透過させて光吸収層に光を照射することによって、選択的に材料層に含まれる材料を、対向して配置された被成膜基板へ成膜する。光吸収層を選択的に形成することによって、被成膜基板に成膜される膜は、光吸収層のパターンを反映した微細なパターンで選択的に成膜することができる。材料層の形成は、基板及び光吸収層上に、有機化合物材料を含む粉体を散布し、加熱処理によって固定させて行う。 （もっと読む）

【課題】蒸着膜の欠陥を抑えることが可能な蒸着装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板１１に蒸着材料を蒸着させる蒸着装置１であって、蒸着材料を収容する坩堝２１と、該坩堝２１を加熱する加熱手段３０と、坩堝２１内の純度の低い蒸着材料から発生する可能性のあるスプラッシュを帯電させ、被処理基板１１に到達する前に捕捉するために、坩堝２１の開口部２９近傍に設けられ帯電された帯電部材４０とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットから発生する高周波ノイズの影響を抑えた高周波スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 被スパッタ面が処理チャンバー１内に露出したターゲット３は、高周波電源４によって高周波電圧が印加されてスパッタされる。ターゲット３の背後には絶縁部材３０を介してベース板３３が設けられ、ターゲット３とベース板３３の間の空間に冷却機構８によって純水が供給されて冷却される。ベース板３３は、１０オーム以下の容量性インピーダンスとなるよう軸対称に配置された複数のコンデンサ３６を介して接地されている。ターゲット３とベース板３３の間に設けられた磁石ユニット５を回転させる回転機構７に対しては、ベース板３３がシールドとなり、ターゲット３からの高周波ノイズが遮断される。 （もっと読む）

【課題】
シートプラズマのシート形状を維持しつつ、シートプラズマの形状を調整できるシートプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係るシートプラズマ成膜装置１は、カソード１１を有するとともに円柱状のプラズマＰを出射するプラズマガン２と、円柱状のプラズマＰを挟んでシートプラズマＰを形成する永久磁石対７と、シートプラズマＰが導入されシートプラズマＰをその厚み方向に挟むようにターゲット１３と基板１４とが対向して配置される成膜室８と、シートプラズマＰが収束するアノード１２と、成膜室８に電流磁界を形成してシートプラズマＰをカソード１１側からアノード１２側へ輸送する電磁コイル５、６と、電流磁界が形成されると磁化されて成膜室８内に磁場を形成する磁性部材９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着の際に、スプラッシュ量が少ない金属酸化物蒸着材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化タンタルまたは酸化ニオブの粉末またはペレットを、真空雰囲気下または不活性ガス雰囲気下で、電子ビーム溶解法またはアーク溶解法により溶解し、次いで、粉砕および篩別する。そして粒径０．５ｍｍ以上の金属酸化物粉末と、粒径０．５ｍｍ未満の金属酸化物粉末を混合し、粒径０．５ｍｍ未満の金属酸化物粉の含有量が１５質量％以下となるように調整した金属酸化物蒸着材。 （もっと読む）

【課題】対象物の所望の領域に簡単に金属膜を成膜することができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着装置１に、金属を収納する金属収納器と、金属収納器に収納された金属を加熱して金属蒸気を発生させるヒータと、金属蒸気を送出する送出口９において開口するとともに金属蒸気を送出口９まで誘導する中空部を形成され、中空部に面する内表面部が金属蒸気の蒸着を抑制する蒸着抑制材により形成された蒸気誘導器４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】極めて微細なパターンを形成できるフォトマスクブランク及びそのフォトマスクブランクに微細パターンを形成したフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に少なくとも２層からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、前記遮光膜は、タンタル窒化物を主成分とし、キセノンを含む材料からなる遮光層と、該遮光層の上面に積層されるタンタル酸化物を主成分とし、アルゴンを含む材料からなる反射防止層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、被成膜物における未成膜部分を低減させることができる成膜装置の支持機構を提供する。
【解決手段】成膜面Ｗ１ａが下方に向けられた状態にガラス基板Ｗ１を支持して成膜面Ｗ１ａに成膜物質を付着堆積させる成膜装置１におけるガラス基板Ｗ１の搬送トレイ４０であって、成膜面Ｗ１ａと同等以上の広さを有する開口部４２を内部に備えると共に開口部４２を囲む外枠４３から構成される枠体４４と、外枠４３から内に突出してガラス基板Ｗ１を複数の箇所で支持すると共に、複数の箇所を結んで形成される領域Ｒ１内にガラス基板Ｗ１の重心Ｇが位置するように配置された複数のワイヤー状の線状支持部材４５，・・・とを備える。このようなワイヤー状の線状支持部材４５でガラス基板Ｗ１を支持することにより、ガラス基板Ｗ１の未成膜部分が低減される。 （もっと読む）

【課題】Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト化合物の結晶配向性を改善し、光電変換効率の向上を図ることが可能なＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型薄膜系太陽電池およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に少なくとも、積層構造の金属裏面電極１０と、ｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型化合物半導体５とが順次積層され、更に透明電極７が積層されてなるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型薄膜系太陽電池であり、積層構造の金属裏面電極１０の少なくとも、ｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型化合物半導体５に接する層が体心立方構造を有し、その結晶配向性が主として（００２）配向を有し、かつ、その体心立方構造のａ軸の格子定数が面内方向で異なった値を持つことを特徴とするＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型薄膜系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】装置の簡素化及びメンテナンスの容易化を図った上で、パーティクルの発生を防ぐことができるスパッタ装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】キャリア５０には、キャリア５０の外周部分から基板Ｗの外周部分を覆うように防着板７０が着脱可能に設けられ、防着板７０はチャンバ２２内で着脱されるとともに、チャンバ２２内を循環するように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

複数のパルスで陽極とターゲット間に電力を印加することによってＴａＮ層（４）を被着し、ターゲットから基板（２）へ反応的にＴａをスパッタしてＴａNシード層（４）を形成する方法から成る。Ｔａ層（５）は複数のパルスにおける電力を印加すると共に、前記基板（２）を支持するペデスタルに高い周波数信号を印加することによって前記ＴａＮシード層（４）の上に被着され、前記基板（２）に隣接した自己バイアス場を生成する金属化構造体（１）を被着する方法。
（もっと読む）

【課題】任意の基材の表面に、水に対する高い濡れ性を付与する方法を提供する。
【解決手段】本発明の基材表面の超親水化方法は、基材の表面を超親水化させる方法であって、斜め蒸着法によって、該基材の表面に該表面からの仰角が９０度未満で突出した斜め柱状構造体の集合層を形成させる。 （もっと読む）