【課題】成膜速度が速いため、製造時間が短くなり、製造コストを低減することができる酸化物超電導線材用の２軸配向薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１０上に積層される中間層２０（薄膜）であって、該中間層２０上に希土類系酸化物超電導層３０が積層される酸化物超電導線材用の２軸配向薄膜を、２軸配向性を有するシーライト構造の酸化物から形成する。この基材１０上に積層される２軸配向性を有する薄膜はイオンビームアシスト蒸着法により積層される。中間層２０は、シーライト構造を有するＹＮｂＯ_４，ＧｄＮｂＯ_４の１種から形成される。 （もっと読む）

【課題】領域選択成長技術を適用して、均一性のある微細構造を生産できる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板が搭載される試料ホルダ４０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるため基板の温度を所定の範囲に加熱する加熱器５０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるための少なくとも１つ以上の第１の開口部と、当該１つ以上の第１の開口部の外側に複数の第２の開口部を有するマスク１０と、マスク１０が搭載されるマスクホルダ２０と、を備える微細構造素子製造装置。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉウエハ等の半導体基板上に形成された特に高アスペクト比の穴に、バリア層やＡｌ層等となるターゲット材料を成膜した際に、穴の側壁面及び底面をターゲット材料で完全に覆うことを可能にすることにより、スパイクの発生や導通不良の発生を防止することが可能な、半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の絶縁層２に穴３を形成する。ターゲット５と半導体基板１との距離を第１の値Ｌ２とする第１のスパッタリングによってターゲット材料５ａを穴３に成膜し、上記距離を第１の値Ｌ２よりも小さい第２の値Ｌ１とする第２のスパッタリングにより、ターゲット材料５ａを穴３に成膜する。第１のスパッタリングは異方性スパッタリングであり、第２のスパッタリングは等方性スパッタリングである。また、第１のスパッタリングはロングスロースパッタである。 （もっと読む）

【課題】膜厚が極めて薄く耐熱性に優れた透明電極、透明導電性基板および透明タッチパネルを提供する。
【解決手段】基板（Ｃ）上に、酸化インジウムを主成分とする結晶性透明導電膜（Ａ）と酸化インジウムを主成分とする非晶質性透明導電膜（Ｂ）がスパッタリング法によって順次形成された積層構造の透明電極であって、結晶性透明導電膜（Ａ）は膜厚が５〜４０ｎｍであり、非晶質透明導電膜（Ｂ）は膜厚が２〜１０ｎｍであり、表面抵抗が７０〜３０００Ω／□であることを特徴とする透明電極；前記透明電極が、透明基板の表面に形成されてなる透明導電性基板；前記透明導電性基板を用いて得られた透明タッチパネルなどによって提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同時スパッタ数の多い多元スパッタリング装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態では、基板とターゲット電極との間に、第１及び第２のシャッター板を設け、該シャッター板によって対象となるターゲットと基板との間を遮断してプリスパッタ工程を行う。また、本スパッタ工程に移行する際に、第１及び第２のシャッター板を適宜回転させて、該シャッター板に設けた貫通孔を重ねることで対象となるターゲットと基板との間を開放して本スパッタ工程を行う。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法により従来よりもバリア性が高い無機層を成膜すること。
【解決手段】無機層を成膜する面の面積がａ（単位：ｃｍ²）である支持体を、容積が１００ａ（単位：ｃｍ³）以下である第１真空槽へ搬入して真空状態とし、真空状態を維持したまま支持体を第２真空槽へ搬送して、第２真空槽内にて支持体上に無機層を真空成膜する。 （もっと読む）

【課題】被処理体がクランプリング部材と接触していても、被処理体の面内温度の均一性を高くして、熱処理の面内均一性を向上させることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器４内にて被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すために被処理体を載置するための載置台構造において、内部に被処理体を加熱する加熱手段３８が収容された透明材料よりなる載置台３２と、載置台の上面に設けられると共に、その直径が載置台の直径よりも小さく設定されて上面に被処理体を直接的に載置するための不透明材料よりなる均熱板４２と、 載置台の周辺部の上方に昇降可能に設けられて、被処理体を載置台側へ押し付けるための不透明材料よりなるクランプリング部材５０を有するクランプ機構４８とを備える。 （もっと読む）

【課題】予め定めた加速エネルギで加速されなくなったイオンの被成膜物品への接触による膜密着性低下、膜質悪化等の不良膜形成が抑制され、それだけ所望の良好な膜を形成できる膜形成方法及び該方法の実施に用いることができる膜形成装置を提供する。
【解決手段】成膜室１内のホルダ２に被成膜物品Ｗを支持させ、プラズマ生成部（例えばアーク蒸発源４及びガス供給装置５を含むプラズマ生成部）にてプラズマを生成し、該プラズマ中のイオンをイオン加速装置６により物品Ｗへ向け加速照射し、該イオン加速照射工程を１回又は２回以上実施して物品Ｗに膜形成する膜形成方法及びこれを実施する装置Ａ。物品Ｗへのイオン加速照射工程では、イオン加速エネルギが予め定めた基準加速エネルギよりも、予め定めた基準時間を超えて連続的に低くなると、プラズマの物品Ｗとの接触を予め定めた時間断つ。 （もっと読む）

【課題】物理蒸着法による薄膜の形成時において、処理室内に堆積する膜のクラックの発生を防止し生産性を向上させることが可能な成膜方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、物理蒸着法により処理室内において被蒸着物上に薄膜を形成する成膜方法において、内部応力が引張応力及び圧縮応力のうちのいずれか一方を示す第１の膜を形成する第１の成膜工程と、内部応力が、引張応力及び圧縮応力のうちの前記第１の膜が示す方とは異なる方を示す第２の膜を形成する第２の成膜工程と、を同一の前記処理室内において交互に実施することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反応容器内で成長結晶が昇華することを効果的に抑制可能であり、また成長結晶の冷却後に該成長結晶にクラック等が生じることをも効果的に抑制可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶の製造装置１は、原料４にレーザ光を照射することで原料を昇華させることが可能なレーザ光源６と、レーザ光源６から出射されるレーザ光を透過させて容器内部に導入可能なレーザ導入窓５を有し、昇華した原料を再結晶化させる下地基板３を保持可能な反応容器２と、下地基板３を加熱することが可能なヒータ７とを備える。反応容器２内の原料４にレーザ光を照射して加熱することで昇華させ、昇華した原料を下地基板３上で再結晶化させて化合物半導体単結晶を成長させ、その後にレーザ光を利用して化合物半導体単結晶を下地基板３から分離する。 （もっと読む）

【課題】搬送トレイに搭載された複数の基板の位置ずれを低減できるアンロードチャンバ及びその運転方法を提供する。
【解決手段】アンロードチャンバ３は、複数の基板Ｗ，・・・が二次元状に配列搭載された搬送トレイＴを減圧状態で搬入しチャンバ内を昇圧可能なアンロードチャンバ３であり、減圧状態から昇圧させるための気体吹出し装置１５を備えている。この気体吹出し装置１５は、複数の基板Ｗ，・・・それぞれに対向するように二次元状に配置された複数の気体吹出し口１８，・・・を有している。このため、気体吹出し口１８から吹き出される気体の気流と搬送トレイＴとで仮想的な保持機構を形成することができ、各基板Ｗ，・・・の位置ずれを低減できる。このような位置ずれの低減により、下流工程での基板Ｗの取り上げ等の設備における安定性も向上する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基材を部分的に発色させたパターンを形成することができる透光性部材、時計、および透光性部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】カバーガラス１０は、サファイアガラスからなる透明な基材１１を備えている。基材１１の表面には、基材１１が赤色に発色して形成された発色部１２１と、無色透明な無色部１２２と、により、パターン部１２が形成されている。カバーガラス１０は、金属イオンおよび半金属イオンのうちいずれか一つを基材の一部に注入するイオン注入工程と、基材の熱処理を行う熱処理工程と、を実施することによって製造される。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法。 （もっと読む）

マイクロ波源の可動位置及びマイクロ波源へのパルス状電力などの付加的な処理パラメータを導入して、マイクロ波源の支援により作動範囲及び処理ウィンドウを拡大することにより、向上した膜特性を実現するためのシステムを開示する。同軸マイクロ波アンテナを用いてマイクロ波を放射して、物理的気相成長（ＰＶＤ）又は化学的気相成長（ＣＶＤ）システムを支援する。システムは同軸マイクロ波アンテナを処理チャンバの内部で使用してもよく、この同軸マイクロ波アンテナは、基板と、スパッタリングターゲット、平面状容量生成プラズマ源、又は誘導結合源のようなプラズマ源との間で移動できるようになっている。マイクロ波プラズマ源だけが存在している特別な場合では、マイクロ波アンテナの位置は基板に対して移動できる。プラズマ源に隣接した同軸マイクロ波アンテナは、より均一にイオン化を促進することができるとともに、大面積全体を覆って実質的に均一な堆積を可能にする。
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【課題】装置小型化やコスト削減化に伴い、カソード面に対するアノード面の面積比率が小さくなり、さらに処理の高速化により、短期間でアノード面のすべてを絶縁膜が覆ってしまい、アノード面への電子の流れが阻害されて放電が安定に持続しなくなってしまうことを防止することにより、安定した放電を長時間にわたって持続可能なスパッタ装置を提供する。
【解決手段】アノード体１３及びターゲット１１によって囲まれる放電空間に臨んでターゲット１１に対向される成膜対象物に絶縁膜をスパッタ成膜するスパッタ装置であって、アノード体１３の内壁面の放電空間に対する露出面を遮蔽体１４により変化させる。 （もっと読む）

【課題】正方晶系の結晶構造を有する膜厚５００ｎｍ以上の、（００１）単一配向の機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体を提供する。
【解決手段】機能性酸化物構造体１は、基板１０上に、膜厚が５００ｎｍ以上の正方晶系の結晶系を有する機能性酸化物膜３０が成膜されたものであって、機能性酸化物膜３０が、（００１）単一配向の結晶配向性を有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】基板上にマイクロパターンを高精度にかつ容易に形成することを可能とするマイクロパターンの製造方法を得る。
【解決手段】 マイクロパターンが上面６ａに形成される基板６と、前記マイクロパターンに対して反転されたパターン形状を有するフィルム状パターニング材１Ａとを用意する工程と、前記フィルム状パターニング材１Ａを前記基板６の上面に積層する工程と、前記フィルム状パターニング材１Ａが積層された基板６の上面に被パターニング材料７を塗布する工程と、前記基板６の上面６ａから前記フィルム状パターニング材１Ａを除去して、前記フィルム状パターニング材１Ａと反転されたマイクロパターンとなるように前記被パターニング材料７をパターニングし、それによって、被パターニング材料７からなるマイクロパターン７Ａを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来の技術に比し、透明導電膜の膜特性を改良し得る結晶膜を得ることのできる透明導電性結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分とする酸化物を用いて、物理的成膜法により、基板温度が５５０℃以上の温度の基板に成膜することを特徴とする透明導電性結晶膜の製造方法。酸化物が、Ａｌおよび／またはＳｂのドーピング元素を、さらに含有する前記の製造方法。結晶膜が、スピネル型結晶膜である前記の製造方法。酸化物が、焼結体ターゲットである前記の製造方法。物理的成膜法が、スパッタリング法である前記の製造方法。前記の製造方法により得られる透明導電性結晶膜。 （もっと読む）

【課題】ヨーク部分の厚みを必要最小限に抑えた着脱式磁石ユニットを提供することを課題とする。
【解決手段】マグネトロンスパッタ装置用磁石ユニット２０は、各々が貫通孔３０ａを有する複数の磁石組立体３０を有する。磁石組立体３０は、貫通孔３０ａに挿通されたねじ４０によりベースプレート３２にねじ止め固定される。ベースプレート３２の磁石組立体３０が取り付けられた面の全体にわたって所定のパターンで複数のねじ穴３４が形成される。 （もっと読む）