【課題】圧電体におけるヒステリシス特性の２つの抗電界が両方とも正電界側とすることができ、かつ応力を生じさせることなく、膜厚を２μｍ超にすることができ、圧電特性に優れた鉛含有ペロブスカイト型酸化物膜、その作製方法、このような酸化物膜からなる圧電体を用いる圧電素子、およびこれを用いる液体吐出装置を提供する。
【解決手段】鉛含有ペロブスカイト型酸化物膜は、（１００）および／または（００１）配向を主成分とし、かつ鉛を主成分とし、膜厚が、２μｍ超であり、ヒステリシス特性における２つの坑電界が、いずれも正であることにより、または、これに加えさらに、酸化物膜に含有されるカチオンのうちの鉛以外のカチオンに対する鉛のモル比を表す鉛量が、１．０７以上であり、Ｘ線回析のθ／２θ測定において実質的に不純物相を含まない。 （もっと読む）

【課題】高いフォトマスクの重ね合わせ精度を要求されるフォトマスクに好適な基板セットを提供すること。
【解決手段】本発明の基板セットは、露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクを作製するためのマスクブランクで使用される基板を複数枚セットとしたマスクブランク用基板セットであって、複数枚セットで用いられる基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状が中央で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなるような凸形状であり、前記主表面の中央部を含む１４２ｍｍ角の領域における平坦度が０．３μｍ以下であり、基準基板の基準主表面に対してフィティングを行ったときの差が４０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 安価な方法で高密度かつ均一な組織の円筒型の酸化物焼結ターゲット材を得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化物粉末を含むスラリーを円筒形状の吸水型に注入した後、前記吸水型の円筒内壁にスラリーを沈降させながら吸水型の中心線を回転軸心として回転速度３０ｒｐｍ以下で回転させことにより円筒形状の酸化物成形体を得、次いで前記酸化物成形体を焼結して円筒型酸化物焼結体を得る円筒型酸化物焼結ターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット交換後、可及的速やかに製品へのスパッタリングによる成膜処理が行い得るスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１内にターゲット５を配置した後、真空チャンバを真空引きし、不活性ガスを導入して低真空領域に保持し、真空チャンバを加熱してベーキングする工程と、低真空領域から高真空領域まで更に真空引きする工程と、高真空領域に達すると、真空チャンバ内にスパッタガスを導入すると共にターゲットに電力投入し、ターゲットの積算電力が所定値に達するまでターゲットをプレスパッタする工程とを備える。そして、プレスパッタ後に、前記ターゲットに対向する位置に基板を搬送し、前記基板への成膜処理を開始する。 （もっと読む）

【課題】複数の異なる材料からなる蒸発源に対して複数の圧力勾配型Ａｒプラズマガンからのプラズマビームを照射することにより、所望特性の物理蒸着膜を得る成膜方法および装置を提供する。
【解決手段】複数の異なる材料からなる蒸発源のそれぞれに対して、複数の蒸発用圧力勾配型Ａｒプラズマガンからのプラズマビームを照射して、蒸発源を粒子として蒸発・プラズマ化し、所望の成分組成、均質性、結晶形態、密着性、強度・硬度等を備えた物理蒸着膜を基板表面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】サセプタに付着する膜の密着性を上げることで、発塵を防ぐ表面処理方法を提供する。
【解決手段】表面処理方法は、ＳｉＯ₂あるいはＳｉＣを用いて、ＳｉＯ₂を主成分とするサセプタの表面をブラスト処理する工程（Ｈ）と、そのサセプタ表面をエッチングする工程（Ｉ）とを備える。サセプタは、サセプタ本体と、サセプタ本体の上に設けられ、基板よりも一回り小さいサイズで形成され、サセプタの一部分として、基板を下から支える段差部とを備え、マスキングする工程において、段差部がマスキングされ、基板の端部とサセプタ本体との間の導通が防止され得ることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 インライン方式でも使用することができ、更に、熱伝導ガスを用いずに比較的小さい押し付け力、例えば、基板の自重程度の押し付け力で基板と基台間の接触熱抵抗を下げること。
【解決手段】 基板保持装置は、基台と、基台の第一の面に載置される粘着性のある熱伝導シートと、熱伝導シートのプラズマに晒される部分を覆うフィルムと、熱伝導シートの基台と反対側の面に配置された基板を熱伝導シートに押し付ける機構と有する。 （もっと読む）

【課題】従来に比してヒステリシスの偏り、非対称性が小さく、圧電定数がプラス方向で大きく良好な特性を持ち、正電圧印加（正電界印加状態）でも大きな変位が得られ、正常に駆動させることができ、汎用の駆動ＩＣを用いることができる鉛含有圧電膜、その作製方法、これを用いる圧電素子およびこれを用いる液体吐出装置を提供する。
【解決手段】鉛を含有する圧電膜であり、その膜厚が、３μｍ以上であり、ｄ３１（＋）／ｄ３１（−）＞０．５であり、ｄ３１（＋）＞１００ｐｍ／Ｖであり、好ましくは、圧電膜中の鉛量が１．０３以下である。なお、ｄ３１（＋）およびｄ３１（−）は、それぞれ圧電膜に上部および下部電極を形成して上部電極に正電圧および負電圧を印加した時に測定される圧電膜の圧電定数である。 （もっと読む）

【課題】洗浄によって基板表面に付着した異物を、薄膜形成前に除去することにより、良好な膜質を有する光学フィルターの製造方法を提供する。
【解決手段】水分を含んだ溶液を用いて基板Ｓを洗浄する洗浄工程Ｐ１と、洗浄工程Ｐ１によって洗浄された基板Ｓの表面を酸素ガスのプラズマによりプラズマ処理する前処理工程Ｐ３と、前処理工程Ｐ３によってプラズマ処理された基板Ｓの表面に薄膜を形成する薄膜形成工程（Ｐ４，Ｐ５）と、を行うことで、基板表面に付着した異物を効果的に除去することができる。また、前処理工程Ｐ３では、プラズマを発生させる領域に酸素ガスのみが導入され、且つ、導入される酸素ガス流量は、薄膜形成工程で導入される酸素ガス流量よりも多くすることで、洗浄工程において基板Ｓの表面にＯＨ基結合を介して付着した異物を、薄膜形成工程（Ｐ４，Ｐ５）の前に効果的に取り除き、膜抜け部の発生を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】ソース電極層及びドレイン電極層表面に酸化物や汚染物の皮膜が生じたまま、その上に酸化物半導体層を形成すると、ソース電極層またはドレイン電極層と酸化物半導体膜との接触面に電気的に高抵抗な界面が形成され、半導体素子のオン電流が抑制されてしまう。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層の表面をプラズマでスパッタリング処理し、当該ソース電極層及びドレイン電極層を大気にさらすことなく、当該ソース電極層及びドレイン電極層上に連続してＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化マグネシウム焼結体を蒸着材として成膜する際にエネルギー効率が高く、かつ成膜時のスプラッシュ発生を抑止することが可能な酸化マグネシウム焼結体を提供する。
【解決手段】水銀圧入式細孔分布測定により計測した見掛け密度と細孔容積が、下記a1〜e1点を順に結ぶ範囲内にあることを特徴とする酸化マグネシウム焼結体。当該焼結体はプラズマディスプレイパネルの保護膜用蒸着材として好適に利用できる。
a1点：見掛け密度3.26g/cm³，細孔容積0.00cm³/g
b1点：見掛け密度3.58g/cm³，細孔容積0.04cm³/g
c1点：見掛け密度3.58g/cm³，細孔容積0.05cm³/g
d1点：見掛け密度1.80g/cm³，細孔容積0.05cm³/g
e1点：見掛け密度1.80g/cm³，細孔容積0.00cm³/g （もっと読む）

【課題】
アウトガスや配管の疲労損傷の問題を払拭できる、あるいは、真空排気の必要のない真空内配線・配管機構を有する信頼性の高い有機ＥＬデバイス製造装置及び成膜装置を提供することである。
【解決手段】
本発明は、複数の真空チャンバと、前記複数の真空チャンバ内のうち少なくとも一つの真空チャンバ内に移動部を有し、蒸着材料を基板に蒸着する有機ＥＬデバイス製造装置あるいは成膜装置において、前記中空のリンク内に前記移動部への配線または流体を流す配管のうち少なくとも一方を敷設し、一端を大気に開放し、他端を前記移動部に接続した真空内配線・配管機構を有することを特徴とする （もっと読む）

【課題】可視光領域における低反射特性と電気的な低抵抗特性とを兼ね備え、低コスト化と環境負荷低減が可能な反射防止膜を提供することを提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る反射防止膜１は、透明性基板１５上に形成された反射防止膜１であって、膜厚２５ｎｍにおいて波長５５０ｎｍの透過率が１０％未満であり、主成分がＡｌであるＡｌ系膜２ｂと、Ａｌ系膜２ｂの上層、又は／及び下層に形成され、膜厚２５ｎｍにおいて波長５５０ｎｍの透過率が１０％以上であり、かつ、主成分がＡｌであり、添加物として少なくともＮ元素を含むＡｌ系Ｎ含有膜２ａとを備える。そして、反射防止膜１の比抵抗値が１．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下であり、Ａｌ系Ｎ含有膜２ａ面の可視光領域における反射率を５０％以下とする。 （もっと読む）

【課題】
クラスタ構造を有し、ライン長を短くできる、あるいは、スペース効率のよい有機ＥＬデバイス製造装置または同製造方法あるいは成膜装置または成膜方法を提供することである。
【解決手段】
蒸着材料を基板に蒸着する処理部を具備する真空処理チャンバと、前記基板を搬入または搬出する受渡室と、前記基板を前記受渡室と前記複数の処理部との間を搬送する搬送手段とを具備する真空チャンバであるクラスタを複数直列に設け、前記処理部を一つの前記真空処理チャンバあるいは複数の前記真空処理チャンバに複数設け、前記複数の処理部のうち少なくとも２つ以上の処理部を前記搬送手段の片側に隣接して配置し、基板を搬入ロード室から搬入し、前記各クラスタを介して、搬出ロード室へと搬送する途中で前記搬送基板の搬送角度を補正する。 （もっと読む）

【課題】周辺表面を汚染もしくは乱さずに、スパッタリングした銅シード層を堆積させて、所望の形状に刻設する方法を提供する。
【解決手段】底部５１６と、側壁５１４と、上側開口５２６とを有する複数の凹状のデバイス特徴を含む基板上に銅シード層を堆積させる方法であって、ａ）基板表面からのスパッタリングを引き起こす態様において前記凹状のデバイス特徴の基板表面に衝突することなく前記銅シード層の第１の部分を前記基板上にスパッタ堆積するステップと、ｂ）前記銅シード層の第２の部分を前記基板上にスパッタ堆積すると同時に、銅シード層の前記第１の部分の少なくとも一部を、前記複数の凹状のデバイス特徴のそれぞれの底部から対応する側壁へと再配分するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、低抵抗な膜を得るためのスパッタリング用ターゲットおよびそれを用いて形成される透明導電膜及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 酸化亜鉛、酸化アルミニウム及びフッ素を含有し、前記フッ素の量が全原子数に対して０．１原子％以上０．５原子％未満であるスパッタリング用ターゲット。また、酸化亜鉛、酸化アルミニウム及びフッ化アルミニウムを含有し、フッ素の量が全原子数に対して０．１原子以上０．５原子％未満であるターゲットを使用し、スパッタリングにより基板上に透明導電膜を形成する透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、透明導電膜及びそれを備えた透明電極に関する。より詳しくは、表面に凹凸が形成された酸化亜鉛系透明導電膜に関し、前記凹凸は、稜線部が突出部の突出方向に弧を描くか、または、突出部の先端が頂点を有する場合は、該頂点を中心に２つの稜線部のなす角が９０゜以上の鈍角である突出部を含む。本発明の透明導電膜は、湿式エッチング工程を必要とせず、スパッタリング工程のみで形成される。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化固定層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する
ことを特徴とする磁気抵抗素子の製造法。 （もっと読む）

【課題】
搬送チャンバを小型化できる、生産性の高い、あるいは、稼働率の高い有機ＥＬデバイス製造装置または成膜装置あるいはシャドウマスク交換装置または同交換方法を提供することである。
【解決手段】
本発明は、真空チャンバであって、基板とシャドウマスクとの位置合せを行い、真空チャンバ内で蒸発源内の蒸着材料を基板に蒸着する真空蒸着チャンバと大気雰囲気部とに隣接し、前記２つの隣接部を介して前記真空蒸着チャンバに前記シャドウマスクを搬入出する手段を有するシャドウマスク交換室を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板やＳｉ系下地膜との密着性やバリア性に優れた配線膜を形成するための酸素を含有したＣｕ合金ターゲットに関して、ターゲット中に存在する酸素を均一に分散させたスパッタリングターゲットの製造方法およびその製造方法で作製されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸素含有雰囲気中で加熱処理して酸素導入したＣｕ粉末と、Ｃｕよりも酸化物形成自由エネルギーが小さい元素から選ばれる少なくとも1種類以上の添加元素粉末とを混合した後に加圧焼結し、Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素を０．０５〜１０原子％含有するとともに、酸素を５．０原子％以上かつＣｕと添加元素が形成する酸化物の化学量論量以下含有するスパッタリングターゲット素材を得るスパッタリングターゲットの製造方法である。 （もっと読む）