レンズ製造方法、眼鏡用レンズ製造方法及び蒸着装置
【課題】レンズに蒸着処理を施す前処理工程の時間を短縮して、レンズの生産性を向上させる。
【解決手段】イオンビームを発生するイオン源部と、蒸着原料を気化させる加熱部とを制御する制御部を備えた蒸着装置で、蒸着によりレンズの表面に膜を形成するレンズ製造方法であって、制御部が加熱部を起動させて蒸着原料を加熱し、不要なガスを気化させて排出するガス出し処理と、イオン化ガス供給部にイオン化ガスを発生させてレンズへ供給させるイオン化ガス前処理と、を含み、前記制御部は、ガス出し処理とイオン化ガス前処理を並列的に実行し、かつ、イオン化ガス前処理の完了する時点を、ガス出し処理の完了時点またはガス出し処理の完了時点以降に設定する。
【解決手段】イオンビームを発生するイオン源部と、蒸着原料を気化させる加熱部とを制御する制御部を備えた蒸着装置で、蒸着によりレンズの表面に膜を形成するレンズ製造方法であって、制御部が加熱部を起動させて蒸着原料を加熱し、不要なガスを気化させて排出するガス出し処理と、イオン化ガス供給部にイオン化ガスを発生させてレンズへ供給させるイオン化ガス前処理と、を含み、前記制御部は、ガス出し処理とイオン化ガス前処理を並列的に実行し、かつ、イオン化ガス前処理の完了する時点を、ガス出し処理の完了時点またはガス出し処理の完了時点以降に設定する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、計算機により加工装置を制御するレンズの製造システムに関し、特に、レンズに薄膜を蒸着する製造システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
眼鏡用レンズの製造においては、レンズに複数の薄膜を形成し、反射防止などの光学特性の改善や撥水性などの機能を付与する多層コート技術が適用されるものがある。特に、プラスチック製レンズ等の光学部材への反射防止膜の形成は、反射防止膜が無機酸化物からなる多層蒸着膜である場合、真空蒸着装置を用いて行われる。この反射防止膜の上に撥水膜を蒸着により形成する場合では、反射防止膜と撥水膜の形成を連続して行う真空蒸着装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
上記蒸着装置では、反射防止膜等の蒸着処理を開始する前に、真空ポンプを作動させて蒸着室の減圧を開始し、所定の真空度になると蒸着室内に設置されている蒸着原料を加熱して不純物などの余分な成分を気化させて除去するガス出し処理を行った後に、蒸着室内に設置されているイオン銃にイオン化ガス（不活性ガス、酸素など）を供給しながらイオン銃を起動（通電開始）し、発生したイオンビームをレンズに供給する照射するイオン銃前処理（以下、イオンビーム前処理ともいう）を行っている。これらガス出し処理とイオン銃前処理が完了した後に、蒸着原料を気化させ、イオンビームを照射しながら蒸着を行っていた。
【特許文献１】特開２００６−７０２９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来例では、蒸着原料の不要な成分を排出するガス出し処理と、レンズに形成される膜の耐久性（膜の密着性等）を向上させるためにレンズ表面にイオンビームを照射するイオン銃前処理（イオンビーム前処理）を順次行っていたため、レンズを加工装置へ投入してから次の投入までのサイクルタイムは長くなるという問題があった。
【０００５】
すなわち、上記従来例のガス出し処理では、蒸着装置内の真空度を監視しながら処理を実行し、真空度（蒸着室内の気圧）が所定値以下になって向上したら、蒸着原料の加熱を開始する。そして、加熱された蒸着原料の気化の開始を、真空度が低下したことに基づいて判定し、所定時間を超えて加熱しても真空度が低下しない場合には、蒸着原料がセットされていない等の不具合があると判定して処理を中断していた。なお、蒸着室内の真空度の低下とは、蒸着室内の気圧の上昇であり、蒸着室内の真空度の向上（上昇）とは、蒸着室内の気圧の低下（減少）である。（以下、蒸着室の真空度のことを単に「気圧」とも記す。）
また、上記従来例のイオン銃前処理でも、蒸着装置内の気圧を監視しながら処理を実行しており、イオン銃へのイオン化ガスの供給は気圧が所定値よりも低下してから開始し、イオン化ガスの流量が所定値になった後、イオン銃シャッタを開いてイオン銃を起動（通電開始）している。イオン銃の起動後は、気圧が所定値よりも上昇すると、イオン銃などが損傷する恐れがあるため気圧を監視して、イオン銃の通電制御を行っていた。
【０００６】
上記従来例のガス出し処理とイオン銃前処理を、単に並列的に実行してサイクルタイムを短縮しようとすると、２つの処理の時間が異なる場合には、ガス出し処理が完了する前にイオン銃前処理が完了する場合があり、レンズに形成される膜の耐久性が低下する、という問題があった。
【０００７】
さらに、上記従来例のガス出し処理とイオン銃前処理を並列的に行って蒸着処理の前工程に要するサイクルタイムを短縮しようとすると、蒸着原料の気化による気圧の上昇と、イオン銃からガスの放出による気圧の上昇が重畳し、気圧の上昇の原因を特定するのが難しい、という問題があった。
【０００８】
さらに、ガス出し処理中の蒸着原料の気化による気圧の上昇は、蒸着原料が正常に加熱されているかどうか判断する上で重量な情報であり、上記のように蒸着原料の気化による気圧の上昇と、イオン銃からガスの放出による気圧の上昇が重畳すると、蒸着原料の気化による気圧の上昇の時期や上昇の程度を把握することが難しい、という問題があった。
【０００９】
そこで本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、レンズに蒸着処理を施す前処理工程の時間を短縮して、レンズの生産性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、蒸着室内に保持されたレンズの表面に蒸着原料を気化させて蒸着させることにより膜を生成するレンズ成膜方法であって、前記蒸着室には、蒸着原料を加熱する加熱部と、イオンビームを発生させてレンズに照射するイオン源部が設けられており、前記蒸着を開始する前に、前記蒸着原料を前記加熱部によって加熱して不要な成分を気化させて排出するガス出し工程と、前記イオン源部にイオン化ガスを供給し、この供給されたイオン化ガスからイオンビームを発生させて前記レンズ表面に照射するイオンビーム前処理工程と、を行ない、前記ガス出し工程と前記イオンビーム前処理工程を並列的に実行し、かつ、前記イオンビーム前処理工程の完了する時点を、前記ガス出し工程の完了する時点以降に設定する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、蒸着原料のガス出し処理とイオンビーム前処理とを同時に実行し、イオンビーム前処理の完了時点をガス出し処理の完了時点以降に設定するので、ガス出し処理中の不要ガスによるレンズの汚れをイオンビームの照射によって防止することができる。これにより、生産性を向上させながらもレンズに形成する膜の耐久性を確保することが可能となる。
【００１２】
さらに、イオン化ガス導入処理（以下、単にガス導入処理ともいう）による気圧上昇後にガス出し処理による気圧上昇が生じるように設定することで、ガス導入処理による気圧上昇と、ガス出し処理における蒸着原料からの不要ガスの発生による気圧上昇とを区別することができ、ガス出し処理とイオンビーム前処理とを同時に実行する場合であっても気圧の低下の原因を容易に特定することができ、制御の精度を確保することができる。
【００１３】
さらに、ガス導入処理による気圧上昇後にガス出し処理による気圧上昇が生じるように設定するか、または、ガス出し処理による気圧上昇後にガス導入処理による気圧上昇が生じるように設定することで、蒸着原料の気化の時期や程度を把握することができ、ガス出し処理とイオンビーム前処理とを同時に実行する場合であっても蒸着原料の加熱が正常に行なわれているかどうかを確認することができ、また、これにより制御の精度を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００１５】
図１は、眼鏡用プラスチックレンズに反射防止膜や撥水コート等の薄膜を連続的に形成する連続型真空蒸着装置１に、本発明を適用した一例を示す。この連続型真空蒸着装置１は、成型された眼鏡用レンズ（以下、単にレンズとする）を、真空蒸着室内で蒸着物質を蒸着させて反射防止膜や撥水膜等を連続的に形成するものである。
【００１６】
図１は、連続型真空蒸着装置１の概要を示す概略図である。この連続型真空蒸着装置１には、レンズ２０を加熱する予熱室１００と、反射防止膜をレンズ２０に形成する第１蒸着室２００と、反射防止膜を形成したレンズ２０に撥水膜等を形成する第２蒸着室３００を備えている。また、予熱室１００、第１蒸着室２００、第２蒸着室３００は、所定の気圧の真空になるようにそれぞれに図示しない真空装置が配設される。
【００１７】
連続型真空蒸着装置１におけるレンズ２０の加工の概略について説明する。
【００１８】
まず、複数のレンズ２０を円盤状のコートドーム２に配置し、１ロットを構成する。そして、コートドーム２は予熱室１００の開閉台１０３上に支持された支持台１０１に乗せられる。支持台１０１を上昇させて予熱室１００の底部からコートドーム２を予熱室１００に移動する。支持台１０１の上昇が完了すると、支持台１０１の下部を支持する開閉台１０３で予熱室１００の底部が封止される。また、コートドーム２の上部は連続型真空蒸着装置１の支持台１０１に設けられた図示しない搬送手段５００に支持されて、予熱室１００から第１蒸着室２００を経て第２蒸着室３００まで移動可能となっている。また、搬送手段５００に支持された状態のコートドーム２は、図示しないアクチュエータにより回転可能となっている。
【００１９】
予熱室１００には、制御装置１２によって駆動されるヒータ（ハロゲンヒータなど）１０２によりコートドーム２のレンズ２０を予熱する。予熱が完了すると、制御装置１２は搬送手段５００を駆動してコートドーム２を第１蒸着室２００へ移動する。
【００２０】
第１蒸着室２００では、複数の蒸着原料４１、４２を加熱源としての電子銃３０、３１で加熱し、蒸着原料４１、４２を蒸発（気化）させてレンズ２０に反射防止膜等の所定の膜を形成する。さらに、第１蒸着室２００には、レンズ２０に形成する膜の強度や密着性を向上させるため、イオンビームをレンズに照射するするイオン源としてのイオン銃１４を備える。なお、電子銃３０、３１の駆動や蒸着原料４１、４２の選択は、制御装置１２によって制御される。また、第１蒸着室２００には、薄膜の形成状況を監視するための光学式膜厚計１０が備えられ、監視結果は制御装置１２へ送られて電子銃３０、３１の制御などを行う。なお、蒸着原料が一つの場合には、電子銃３０または３１のいずれか一方を作動させればよい。また、イオン銃１４は、イオン銃前処理でレンズ２０にイオンビームを照射することで、レンズ２０に形成される膜のはく離強度（または膜の密着性）を向上させて、膜の耐久性を向上させる。
【００２１】
反射防止膜の形成が完了すると、制御装置１２は搬送手段５００を駆動してコートドーム２を第２蒸着室３００へ移動する。
【００２２】
第２蒸着室３００には、昇降可能な開閉台３０３上にコートドーム２を支持する支持台３０１が移動可能に配置される。第１蒸着室２００から移動してきたコートドーム２は、搬送手段５００により第２蒸着室３００に移動する。
【００２３】
開閉台３０３上には、制御装置１２によって制御されるヒータ（ハロゲンヒータなど）３０２と、ヒータ３０２により加熱される蒸着原料３４０が配置され、コートドーム２に配置されたレンズ２０に撥水膜を形成する。
【００２４】
レンズ２０に撥水膜の形成が完了すると、コートドーム２が支持台３０１に支持された状態で支持台３０１の下部を支持する開閉台３０３が下降して全工程の加工が完了する。この後、コートドーム２は支持台３０１から移動し、コートドーム２上のレンズ２０は次工程へ運ばれる。
【００２５】
なお、上記では第１蒸着室２００で反射防止膜を、第２蒸着室３００で撥水膜を形成したが、蒸着原料４１、４２、３４０を変更することにより、任意の薄膜を蒸着することができる。また、第１蒸着室２００では、同時に２つの蒸着原料４１、４２を蒸発させるだけでなく、電子銃３０、３１の一方のみを作動させて、一つの蒸着原料による蒸着を行っても良い。また、この例では第２蒸着室にコートドーム２を取り出すための開閉機構を設けているが、第２蒸着室に開閉機構を設けずに、開閉機構を備えた真空室をさらに設けて、第２蒸着室からその真空室にコートドーム２を移動させた後、その真空室からコートドーム２を取り出すようにしてもよい。また、この例は連続して配置された蒸着室が二つの場合であるが、三つ以上であっても良い。
【００２６】
次に、図２は第１の成膜室となる第１蒸着室２００と制御装置１２を示す。
【００２７】
第１蒸着室２００内では、予熱室１００から移動してきたコートドーム２が支持台に設けられた搬送手段５００により所定の位置である第１蒸着室２００内の上部に位置決めされる。
【００２８】
第１蒸着室２００の上部には、所定の位置に薄膜の形成状況を検出する光学式膜厚計１０が設置され、光学式膜厚計１０を構成するモニターガラス５１は、第１蒸着室２００内の所定の位置に配置されて、蒸着原料４１、４２の蒸気を受けることが可能となっている。
【００２９】
第１蒸着室２００の下部には、蒸着原料（成膜材料）４１、４２を収装するルツボやハースで構成される容器４０を有するハース部４００と、容器の蒸着原料４１、４２に電子ビームを当てて気化させる電子銃３０、３１と、蒸着原料４１、４２の蒸気を選択的に遮断するシャッタ５と、蒸着した薄膜の強度や膜質（緻密性など）を改善するため、供給されたイオン化ガス（不活性ガス、酸素など）からイオンビームを発生させ放出するイオン銃１４と、イオン銃１４にイオン化ガスを供給するガス供給装置（ガスユニット）１５、ガス供給装置１５からイオン銃１４に供給されるイオン化ガスの流量を計測する流量計１５０等が設けられている。なお、イオン銃１４には、イオン銃１４本体を保護するためのシャッタ（イオン銃シャッタ）１４１が設けられており、シャッタ１４１を開いたときにイオンビームを照射することができる。
【００３０】
なお、シャッタ５及びシャッタ１４１にはアクチュエータ（図示省略）が設けられ、後述の制御装置１２によって制御される。また、蒸着原料４１、４２は異なる種類の物質で、例えば、蒸着原料４１が低屈折率物質で、蒸着原料４２が高屈折率物質である。
【００３１】
上部のコートドーム２の近傍には、コートドーム２に保持された被成膜体としてのレンズ２０の温度を計測するための基板温度計６が設けられ、さらに、第１蒸着室２００内の気圧（真空度）を計測するための真空計７及び第１蒸着室２００内を減圧するための真空装置８が設けられている。また、コートドーム２に保持されたレンズ２０を加熱するためのヒータ９が設けられている。なお、ヒータ９はハロゲンヒータなどで構成される。
【００３２】
さらに、第１蒸着室２００の外部上方には、コートドーム２の所定の位置に設定されたモニターガラス５１の反射率を測定する光学式膜厚計１０が設けられている。光学式膜厚計１０は膜厚モニター１１を介して制御装置１２に接続され、光学式膜厚計１０からは光量データ（光量値）として、照射光の光量に対する反射光の光量の比が出力される。なお、光学式膜厚計１０及び膜厚モニター１１の構成は、特開２００１−１１５２６０号公報や特開２００３−２０２４０４号公報の構成と同様である。
【００３３】
制御装置１２は、シーケンサユニットと、このシーケンサユニットに指令を送るＣＰＵ（プロセッサ）、メモリ、ディスク装置などから構成されるコンピュータを含み、後述するように、制御装置１２は、予熱室１００、第１蒸着室２００、第２蒸着室３００の各機器の制御を後述するように行う。
【００３４】
制御装置１２には各機器へ指令を送るためのキーボードやマウスなどを含む入力部１２ａが接続されるとともに、上述の電子銃３０、３１、シャッター５、真空装置８、ヒータ９、イオン銃１４、シャッタ１４１、ガス供給装置１５等の制御対象と、基板温度計６、真空計７、光学式膜厚計１０（膜厚モニタ１１）、流量計１５０等のセンサが接続されており、制御装置１２は、各センサからの入力情報等に基づいて上記制御対象を制御する。さらに制御装置１２には、予熱室１００のヒータ１０２、第２蒸着室３００のヒータ３０２、予熱室１００から第１蒸着室２００を経て第２蒸着室３００までを結ぶ搬送手段５００、予熱室１００及び第２蒸着室３００の開閉台１０３、３０３の昇降装置（図示省略）がそれぞれ接続される。また、制御装置１２には、各蒸着装置の動作状態などを表示するための表示装置（図示省略）を備える。
【００３５】
制御装置１２は、真空計７の情報に基づいて真空装置８や電子銃３０、３１及びイオン銃１４を制御し、第１蒸着室２００内を所定の気圧の真空にする。また、制御装置１２は、基板温度計６の情報に基づいてヒータ９を制御して被成膜体であるレンズ２０を所定の温度にする。そして、制御装置１２は、上記光学式膜厚計１０のモニターガラス５１に形成された薄膜の時々刻々の光学膜厚に依存する時々刻々の光量値が、基準光量値データ格納手段に格納されている値と等しくなるように、電子銃３０、３１に印加する電力（電流及び／又は電圧）を制御する場合もある。また、形成する薄膜の種類や気化させる蒸着原料４１、４２の種類に応じて、イオン銃１４へのイオン化ガスの供給とイオンビームの照射を行う。
【００３６】
ここで、コートドーム２は、レンズ２０に反射防止膜等が蒸着されるように、レンズ２０を保持する保持手段である。そして、複数のレンズ２０が同時に蒸着できるよう、円形をしており、コートドーム２は所定の曲率を有している。また、コートドーム２は、図示しないアクチュエータにより回転可能となっており、主には、蒸着室で加熱されて飛散する蒸発物の分布のばらつきを低減させるために回転する。
【００３７】
電子銃３０、３１は、容器に収納された蒸着原料(物質)４１、４２を蒸着原料４１、４２の溶融温度まで加熱することにより、蒸発させて、レンズ２０及びモニターガラス５１に蒸着原料（物質）を蒸着・堆積させて薄膜を形成する。
【００３８】
容器４０は、蒸着物質４１、４２を保持するために用いられる水冷式のルツボやハースライナである。
【００３９】
シャッター５は、蒸着を開始するとき開き、または終了するときに閉じるように制御されるもので、薄膜の制御を行いやすくするものである。ヒータ９は、レンズ２０に蒸着される薄膜の密着性などの物性を出すため、レンズ２０を適切な温度に加熱する加熱手段である。
【００４０】
光学式膜厚計１０は、表面に透明薄膜を形成した透明基体に光を照射すると、薄膜表面からの反射光と透明基体表面からの反射光とが両者の位相差によって干渉をおこす現象を利用したものである。すなわち、上記位相差が薄膜の屈折率及び光学膜厚によって変化し、干渉の状態が変化して反射光の光量が薄膜の屈折率及び光学膜厚に依存して変化する。なお、反射光が変化すれば必然的に透過光も変化するので、透過光の光量を計測することによっても同様のことができるが、以下では反射光を用いた場合を説明する。
【００４１】
光学式膜厚計１０は、上記コートドーム２のほぼ中心部に保持されたモニターガラス５１に所定の波長の光を照射し、その反射光を測定する。モニターガラス５１に形成される薄膜は、各レンズ２０に形成される薄膜に従属しているとみることができるので、各レンズ２０に形成される薄膜を推測できる（再現できる）情報を得ることができる。モニタガラス５１に形成される膜厚の測定については、特開２００３−２０２４０４号公報などと同様であり、受光センサが検出した光量のピークの数に基づいて、膜厚の増大（成膜の進行）を検出することができる。
【００４２】
次に、蒸着原料４１、４２を選択するハース部４００について、図３を参照しながら説明する。
【００４３】
第１蒸着室２００では、仕様の異なる薄膜を形成可能とするため、蒸着原料を電子銃３０、３１の照射位置に設定するハース部４００では、複数種の蒸着原料を選択可能にしている。
【００４４】
すなわち、蒸着原料４１、４２を収容する容器４０は、円盤状のホルダ４１１に複数配置される。ホルダ４１１は回転可能に構成されており、モータなどのハースアクチュエータ４１０によって駆動される。ハースアクチュエータ４１０は制御装置１２によって駆動され、各容器４０には予め設定した蒸着原料４１、４２が収容されており、制御装置１２はロットに応じた蒸着原料４１、４２を収容した容器４０が電子銃３０、３１の照射位置となるようハースアクチュエータ４１０を駆動する。こうして、形成する薄膜の仕様（種類）に応じて任意の蒸着原料４１、４２を自動的に選択することができる。
【００４５】
次に、制御装置１２で実行されるソフトウェアの構成について図４を参照しながら説明する。
【００４６】
制御装置１２には、コンピュータが含まれており、このコンピュータでは、マルチタスクＯＳ１２１が実行されており、このＯＳ１２１上で予熱室１００、第１蒸着室２００、第２蒸着室３００の制御を行う連続蒸着処理６００を行なうプログラムが実行される。なお、ここではＯＳ１２１をプリエンプティブなマルチタスクＯＳとする。
【００４７】
連続蒸着処理６００では、予熱室１００のヒータ１０２の制御を行う予熱室処理６１０と、第１蒸着室２００の各機器の制御を行う第１蒸着室処理６２０と、第２蒸着室３００のヒータ３０２を制御する第２蒸着室処理６３０及び搬送手段５００を制御する処理（図示省略）が含まれる。ここでは搬送手段５００を制御する搬送処理が、バックグラウンドで実行されるものとし、常時各処理を監視してコートドーム２の移動を制御する。
【００４８】
予熱室処理６１０と、第２蒸着室処理６３０及び搬送手段５００については、上記従来例と同様であるので、以下の説明では第１蒸着室処理６２０を中心に説明する。
【００４９】
図５は、連続蒸着処理６００の全体の処理を示し、コートドーム２の移動に応じた処理の流れを示している。
【００５０】
まず、予熱室１００にコートドーム２がセットされると、ヒータ１０２でコートドーム２上のレンズ２０を所定時間予熱する予熱処理６１１が実行される。
【００５１】
予熱処理後、コートドーム２は第１蒸着室２００に移動し、第１蒸着室処理６２０のガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２からなる蒸着前処理が並列的に実行される。
【００５２】
ガス出し処理６２１は、予め蒸着原料４１、４２を気化させて不要な成分を除去するものである。また、イオン銃前処理（イオンビーム前処理）６２２は、イオン銃（イオン源部）１４へイオン化ガスを供給し、ガスの流量が所定値になると、イオン銃１４のシャッタ１４１を開いてイオン銃１４を起動（通電開始）させ、第１蒸着室２００のレンズ２０の表面に、発生したイオンビームを照射して、形成される膜の耐久性を確保する前処理を行うものである。
【００５３】
なお、ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２からなる蒸着前処理を開始する直前には、コートドーム２のレンズ２０に施す蒸着の仕様やレンズ２０の種類などに応じて、所定の蒸着原料４１、４２を収容した容器４０が、電子銃３０、３１の照射位置へ来るようにハースアクチュエータ４００を駆動し、蒸着の仕様やレンズ２０の種類などに応じた電子銃３０、３１の出力設定や、形成する薄膜に応じた光学式膜厚計１０の設定など、加工条件の設定と各機器の設定状態の確認を行う準備処理が行われる。
【００５４】
ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２からなる蒸着前処理工程が完了すると、成膜処理６２３を起動して、レンズ２０に所定の薄膜（反射防止膜）が形成されていく。
【００５５】
レンズ２０に第１の薄膜の形成が完了すると、成膜処理６２３は完了して終了処理６２４が起動する。終了処理６２４は、第１蒸着室２００の各機器を停止あるいはリセット、第１蒸着室での処理結果の登録・保存などを行うものである。終了処理６２４が完了すると、搬送処理によりコートドーム２は第１蒸着室２００から第２蒸着室３００へ移動される。なお、上記６２１〜６２４の処理が第１蒸着室処理６２０を構成する。また、蒸着完了後、次の蒸着対象となるレンズが取り付けられたコートドーム２が予熱室より第１蒸着室に搬送されてくる。
【００５６】
第２蒸着室３００においても、上記第１蒸着室処理６２０と同様に、前処理６３１、成膜処理６３２、終了処理６３３からなる第２蒸着室処理６３０が実行される。
【００５７】
この第２蒸着室処理６３０では、制御対象がヒータ３０２である点が第１蒸着室処理６２０と異なり、その他は第１蒸着室処理６２０と同様にして行われる。この第２蒸着室処理６３０は、ヒータ３０２の起動・停止が主体であり、特開２００３−１４９０４号と同様であるので、詳細については省略する。
【００５８】
上記連続蒸着処理６００では、各処理６１０〜６３３が１ドーム毎に順次行われ、レンズ２０の薄膜形成が行われる。本実施形態の場合は３つの処理室があるので、それぞれの処理室で異なるドームの処理が並列的に進行している。
【００５９】
次に、第１蒸着室処理６２０で行われる蒸着前処理の詳細について、図６を参照しながら以下に説明する。なお、上述の各種設定などの準備処理については、前記従来例と同様であるので、ここでは詳述しないが、以下の蒸着前処理は、上記準備処理が完了した後に開始される。
【００６０】
蒸着前処理は、ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２を同時に開始して、並列的に処理が行われる。すなわち、制御装置１２のＯＳ１２１は、ガス出し処理６２１のスレッドと、イオン銃前処理６２２のスレッドを発行し、ＣＰＵは複数のスレッドを並列的に実行する。
【００６１】
まず、ガス出し処理６２１の詳細について説明し、次に、イオン銃前処理６２２の詳細について説明する。
【００６２】
ガス出し処理６２１では、ハース部４００のシャッタ５を閉鎖した状態で実行する。まず、制御装置１２は、真空計７から気圧を取得し、第１蒸着装置２００内の気圧が所定値Ａ以下であるか否かを判定し、所定値Ａを超える場合には気圧が所定値Ａ以下となるまで待機する（Ｓ１）。また、真空装置８は、予め作動を開始しており、所定の気圧の真空となるように制御装置１２によって制御される。
【００６３】
第１蒸着装置２００内の気圧が所定値Ａ以下であれば、ステップＳ２へ進み、蒸着原料４１、４２の予備加熱を行うガス出し工程１（予備ガス出し工程または予備加熱工程ともいう）を開始する。ガス出し工程１では、制御装置１２が電子銃３０、３１を起動して蒸着原料４１、４２の予備加熱を所定時間ｘまで実施する。このガス出し工程１では電子銃３０、３１のスキャンする範囲を広く設定して、蒸着原料４１、４２全体を暖めるように加熱する。また、電子銃３０、３１の出力は、予め設定された値であり、制御装置１２は、蒸着原料毎に予め設定された所定時間ｘまで蒸着原料４１、４２の予備加熱を行う。予備加熱を行う時間は、蒸着原料４１、４２の種類毎に予め設定されたものであり、例えば、４０秒〜６０秒に設定される。制御装置１２は、時間をカウントして所定時間ｘが経過すると予備加熱を終了し、電子銃の照射条件設定（スキャン範囲、パワーなど）を後術するステップＳ４のガス出し工程２（本ガス出し工程）と同じ条件に変更してステップＳ３へ進む。
【００６４】
ステップＳ３では、制御装置１２が真空計７から気圧を取得して、気圧が上昇しているか否かを確認する気圧上昇確認工程を行なう。すなわち、電子銃３０、３１による予備加熱によって蒸着原料４１、４２の溶融が開始し、本ガス出し工程と同じ加熱条件での加熱による蒸着原料４１、４２の気化によって気圧が上昇したかを判定する。なお、気圧確認工程における加熱を単にガス出し確認加熱と言う。ガス出し確認加熱によって蒸着原料４１、４２から不要ガスが発生していない場合には、ハース部４００の所定の位置に蒸着原料４１、４２がセットされていないことや、電子銃３０、３１が正しく照射されていないことが推測されるので、予備加熱終了後（ガス出し確認加熱開始後）所定時間内（例えば１分間）に気圧が所定値Ｂ以上にならなければ、制御装置１２のエラーの発生を表示して、処理を中断することができる。
【００６５】
一方、予備加熱終了後（ガス出し確認加熱開始後）所定時間内に気圧が所定値Ｂを超えて、蒸着原料４１、４２からの不要ガスの発生が確認された場合には、その確認された時点でステップＳ４の処理へ進む。
【００６６】
ステップＳ４では、蒸着原料４１、４２を加熱し、不要な成分を気化させて真空装置８から第１蒸着装置２００外部へ排出するガス出し工程２（本ガス出し工程）を所定時間ｙまで実行する。すなわち、ステップＳ３で蒸着原料４１、４２の気化を確認（気圧上昇を確認）した時点から所定時間ｙをカウントする。このガス出し工程２では、蒸着原料４１、４２の不要な成分の気化を促進させるため、電子銃３０、３１が蒸着原料４１、４２を加熱する条件設定を予備加熱の時の加熱条件設定から変更して加熱する（以下このステップ４における加熱を本ガス出し加熱と記し、気圧上昇確認工程から本ガス出し工程までの加熱を本加熱と言う）。すなわち、制御装置１２は、電子銃３０、３１のスキャンの範囲を狭く設定して、蒸着原料４１、４２を集中的に加熱することで不要な成分を確実に気化させる。この加熱条件変更は、電子銃３０、３１のパワーアップによって行なっても良く、好ましくは、電子銃３０，３１のスキャン範囲を狭くすることとパワーアップすることの併用である。このガス出し工程２は、蒸着原料４１、４２の種類に応じた所定時間ｙまで実行する。この所定時間ｙは、制御装置１２に予め設定されたもので、蒸着原料４１、４２の種類に応じた値であり、例えば、４０秒〜６０秒などの値である。なお、この本ガス出し加熱の加熱条件は、前記したとおり、既にステップＳ２の終了時点で同じ加熱条件に変更され、ステップＳ３のガス出し確認加熱の条件と同じであり、ステップＳ３から継続して行なわれる。制御装置１２は、時間をカウントして所定時間ｙが経過するとステップＳ５へ進む。
【００６７】
ステップＳ５では、所定時間ｙが経過して蒸着原料４１、４２の不要な成分をガス出し処理によって除去したので、制御装置１２は電子銃３０、３１の出力を低下（または停止）させて蒸着原料４１、４２の加熱を終了する。
【００６８】
次に、ステップＳ６では、制御装置１２が真空計７から気圧を取得し、電子銃３０、３１による加熱の終了により、気圧が所定値Ｃ以下に低下したことを確認する。すなわち、蒸着原料４１、４２からの不要ガスの発生が停止し、真空装置８の継続的な運転によって、気圧が所定値Ｃ以下に向上するまで待機する。気圧が所定値Ｃ以下になると、ガス出し処理６２１を終了する。
【００６９】
次に、ガス出し処理６２１と並列的に実行されるイオン銃前処理６２２について説明する。
【００７０】
制御装置１２は、ガス出し処理６２１のステップＳ１と同期して、真空計７から気圧を取得し、第１蒸着装置２００内の気圧が所定値Ａ以下であるか否かを判定し、所定値Ａを超える場合には気圧が所定値Ａ以下となるまで待機する（Ｓ１１）。このステップＳ１１は、ガス出し処理６２１のステップＳ１と同期して実行され、ステップＳ１と同様に、気圧が所定値Ａ以下であることを確認する。ここで、気圧の所定値Ａは、蒸着原料４１、４２の気化が可能で、イオン銃１４の起動が可能な値であり、予め設定した値である。気圧が所定値Ａを超える場合には、上記ステップＳ１と同様に、気圧が所定値Ａ以下となるまで待機する。なお、このステップＳ１１は、直接気圧を確認する代わり、ステップＳ１の気圧確認工程が完了していることを確認することで同期させても良い。
【００７１】
第１蒸着装置２００内の気圧が所定値Ａ以下であれば、ステップＳ１２へ進み、イオン銃１４の起動を行う準備として、イオン銃１４にイオン化ガス（例えば、不活性ガス、酸素）の供給を開始する。
【００７２】
ステップＳ１２では、制御装置１２がガス供給装置１５からイオン銃１４へのイオン化ガスの供給を開始させる。この時点でイオン銃１４は起動させない。制御装置１２は、ガス供給装置１５に予め設定した流量を指令し、イオン銃１４へイオン化ガスの供給を開始させる。制御装置１２は、流量計１５０でイオン化ガスの流量が所定値で安定したことを確認すると、その流量でのイオン化ガスの供給を継続し、ステップＳ３の気圧上昇確認工程と同期してステップ１３に進む。イオン化ガスの供給によって、イオン銃１４を通ってイオン化ガスが第１蒸着装置２００内に流出するため、気圧は上昇するが、ハース部４００の蒸着原料４１、４２は予備加熱の段階であるため、気圧の上昇の原因は、イオン銃１４へのイオン化ガスの供給であることが特定できる。
【００７３】
次に、ステップＳ１３では、ガス出し処理６２１のステップＳ２で設定した所定時間ｘが経過するまで待機してから、制御装置１２は第１蒸着装置２００内の気圧が上昇しているか否かを確認する。このステップＳ１３の処理はガス出し処理６２１のステップＳ３と同期して行われる。あるいは、イオン銃前処理６２２が、ガス出し処理６２１のステップＳ３から割り込みを受けてステップＳ１３を実行するようにしてもよい。所定時間ｘの初期段階では、イオン銃１４へのイオン化ガスの供給によって第１蒸着装置２００内の気圧が上昇し、所定時間ｘの終盤では蒸着原料４１、４２の予備加熱による気化の開始によって気圧が少し上昇し、ステップ３のガス出し確認加熱によって気圧はさらに上昇する。予備加熱終了後（ガス出し確認加熱開始後）所定時間内に気圧が所定値Ｂ以上にならなければ、ステップＳ３に示した蒸着原料４１、４２のセットミスか、電子銃３０，３１が正しく照射されていないこと等が推定されるため、制御装置１２は表示装置にエラーを出力し、処理を中断する。なお、このステップＳ１３は、直接気圧を確認する代わり、ステップＳ３の気圧上昇確認工程が完了していることを確認することで同期させても良い。
【００７４】
ステップＳ１３で、気圧が所定値Ｂを超えて悪化していれば、ステップＳ１４へ進む。ステップＳ１４では、イオン銃１４へ電力を供給して起動するとともに起動確認を行なう。
このステップＳ１４の工程（イオンビーム銃起動・確認工程）は、イオン銃をパワーオンするイオン銃起動工程と、所定の電流及び電圧にするとともに電流及び電圧が所定値になったことを確認するイオン銃加速工程とからなる。イオン銃加速工程で電流及び電圧が所定値になったことを確認すると起動が完了したものとしてステップ１５に進む。
次に、ステップＳ１５では、イオン銃１４の起動が完了した時点から所定時間Ｑ３の期間でイオン銃１４からイオンビームをレンズ２０に照射してレンズの前処理を実施する前処理工程を行なう。このイオン銃１４による前処理の期間Ｑ３では、イオン銃１４の動作状態を監視し、動作状態（電圧や電流値）に異常があれば、表示装置にエラーを表示してイオン銃前処理６２２を再起動する。ステップS１５中に再起動が生じた場合は、再起動前の照射時間と再起動完了後の照射時間の合計の時間を所定時間Ｑ３とする。なお、イオン銃起動工程から前処理工程終了までの工程をイオンビーム照射工程という。
【００７５】
所定時間Ｑ３が経過すると、ステップＳ１６へ進み、制御装置１２はイオン銃前処理６２２の終了処理を行う。この終了処理では、イオン銃１４をパワーオフ（供給電圧〇Ｖ）し、シャッタ１４１を閉じ、ガス供給装置１５からのイオン化ガスの供給停止を行う。ただし、成膜処理６２３において、イオン銃１４による成膜のアシストを行う場合には、ガス供給装置１５からのイオン化ガスの供給を継続し、イオン銃１４への電力をアシスト条件値へ変更する。
【００７６】
以上のように、ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２が並列的に実行され、これらの２つの処理が完了した時点で蒸着前処理が完了し、図５に示した成膜処理６２３を開始することができる。
【００７７】
次に、ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２からなる蒸着前処理のタイミングについて、図７を参照しながら詳述する。
【００７８】
時刻Ｔ０で蒸着前処理を開始すると、ガス出し処理６２１では気圧の確認処理（例えば数秒間）が行われた後に、ステップＳ２の予備加熱（ガス出し工程１、図中予備ガス出し工程）が開始される。イオン銃前処理６２２でも同様に、気圧の確認処理（同期処理。例えば数秒間）が行われた後に、ステップＳ１２のイオン銃１４へのイオン化ガスの供給が開始される。
【００７９】
ガス出し処理６２１のガス出し工程１は、気圧のチェック完了（時刻Ｔ１）から所定時間ｘが経過する時刻Ｔ４まで行われる。一方、イオン銃前処理６２２では、気圧のチェック完了（時刻Ｔ１）から時刻Ｔ３までの時間ｐでイオン化ガスのガス供給開始・確認工程が行われる。制御装置１２がガス供給装置１５へ所定の流量でイオン化ガスの供給を指令してからイオン銃１４へ実際に供給される不活性ガスの流量が安定するまでには時間を要し、上記ステップＳ１２で所定の流量を確認（第１次確認処理）するまでの時間をＰ１（完了時刻Ｔ２）とし、第１次確認処理後、流量が指定した値で安定したかどうかを確認（第２次確認処理）するまでの時間をＰ２（完了時刻Ｔ３）とする。この時刻Ｔ３でイオン銃前処理６２２のステップＳ１２が完了し、その流量でのイオン銃１４へのイオン化ガスの供給が前記前処理工程が終了するまで継続される。なお、前記第２次確認処理の工程終了後からイオン銃起動・確認工程開始までの間（時刻Ｔ３からＴ５）をガス供給待機工程と言い、前記ガス供給開始確認工程の開始から前記ガス供給待機工程の終了までの間（時刻Ｔ１からＴ５）をガス導入工程という。ステップＳ１２のイオン化ガスの供給開始確認工程は、時間Ｐ１とＰ２を加算した時間ｐを要する。したがって、気圧確認工程から第２次確認処理工程までの時間は、時間ｐに気圧チェックを行う時間（数秒）を加えた時間Ｐの期間で実行される。また、ガス出し処理６２１の前半（気圧上昇確認工程開始前）は、ガス出し工程１（予備ガス出し工程）の所定時間ｘに気圧のチェックを行う時間（数秒）を加えた時間Ｘの期間で実行される。ガス供給開始・確認工程における第１次確認処理に要する時間Ｐ１は、例えば８秒であり、第２次確認処理に要する時間Ｐ２は、例えば５秒であり、ステップＳ１２で要する時間Ｐは、例えば、１３秒となり、ガス出し工程１の所定時間ｘの４０〜６０秒よりも短い時間の場合を示す。
【００８０】
ガス出し工程１が完了する時刻Ｔ４では、蒸着前処理の後半の処理が開始される。ガス出し処理６２１のガス出し工程２（本ガス出し工程）は、気圧上昇確認工程において気圧上昇のチェック完了（時刻Ｔ５）から所定時間ｙが経過する時刻Ｔ８まで行われる。
【００８１】
一方、イオン銃前処理６２２では、時刻Ｔ５の気圧上昇確認工程における気圧上昇のチェック完了から時刻Ｔ６までの時間Ｑ１でイオン銃１４の起動工程が行われる。そして、イオン銃１４の起動工程が完了すると、時刻Ｔ６〜Ｔ７の時間Ｑ２でイオン銃１４の加速工程が実施されて、ステップＳ１４の工程が完了する（時刻Ｔ７）。加速工程が完了すると時刻Ｔ７から所定時間Ｑ３が経過する時刻Ｔ８までの期間で、イオンビームをレンズ２０へ照射する前処理工程を実行する。ここで、イオン銃前処理６２２の後半の処理の各時間は、気圧上昇確認工程の時間は、例えば２〜３秒、イオン銃１４の起動工程の時間Ｑ１は、例えば８秒、イオン銃１４の加速工程の時間Ｑ２は、例えば、８秒で、前処理の時間Ｑ３は、例えば４５秒とする。したがって、イオン銃前処理６２２の後半の全体に要する時間Ｑは、気圧チェックの時間＋Ｑ１＋Ｑ２＋Ｑ３の６３〜６４秒となる。
【００８２】
一方、ガス出し処理６２１の後半の全体の処理に要する時間Ｙは、気圧のチェックに要する数秒と、ガス出し工程２の所定時間ｙの和であり、気圧チェックの時間が２〜３秒、所定時間ｙが６０秒であれば、全体の処理時間Ｙは６２〜６３秒となり、イオン銃前処理６２２の後半の処理時間Ｑとほぼ等しくなる。
【００８３】
以上のようなタイミングで、ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２を並列的に実行すると、第１蒸着装置２００内の気圧の変化は、図８で示すようになる。図８は、蒸着前処理の期間の気圧と、イオン銃１４への供給電圧と、電子銃３０、３１への供給電流と、時刻の関係を示す。
【００８４】
時刻Ｔ０で気圧のチェックを開始し時刻Ｔ１で気圧のチェックが完了すると、イオン銃前処理６２２のイオン化ガスの供給が開始され、イオン銃１４から流出するイオン化ガスによって気圧は上昇する。このとき、ガス出し処理６２１も並行して行われるが、電子銃３０、３１のスキャン範囲が広く、予備加熱の初期段階であるので蒸着原料４１、４２から不要ガスはほとんど発生していない。
【００８５】
したがって、時刻Ｔ０〜Ｔ４の蒸着前処理の前半（気圧上昇確認工程開始前）では、蒸着原料４１、４２の予備加熱とイオン銃１４へのイオン化ガスの供給を組み合わせることで、気圧の上昇の原因がイオン銃１４への不活性ガスの供給であることを特定でき、それぞれ気圧を監視するガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２を並列して処理を実行することができる。
【００８６】
蒸着前処理の後半（気圧上昇確認工程開始後）となる時刻Ｔ４からは、気圧上昇のチェックが完了した後に、ガス出し処理６２１では蒸着原料４１、４２から不要ガスを発生させるガス出し工程２（本ガス出し工程）と、イオン銃前処理６２２では、イオン銃１４の起動処理と前処理が並列的に実行される。
【００８７】
ガス出し処理６２１では、ガス出し工程１終了時（時刻Ｔ４）に電子銃３０、３１のスキャン範囲を狭めているので、時刻Ｔ４からＴ５の気圧チェック工程中および時刻Ｔ５からＴ８のガス出し工程２中に蒸着原料４１、４２が集中的に加熱され不要ガスを発生する。蒸着原料４１、４２は、ガス出し工程１の予備加熱によって溶融しているので、気圧チェック工程の開始直後から不要ガスを発生させることができる。
【００８８】
一方、イオン銃前処理６２２では、気圧上昇のチェックを行った後に、時刻T５からイオン銃をパワーオンするイオン銃起動開始工程を実行し、次に時刻Ｔ６からイオン銃を所定の電流及び電圧にするイオン銃加速工程を実行する。イオン銃の電流電圧が所定値になったことを確認したらイオン銃起動・確認工程を終了し、時刻Ｔ７からはその所定値を維持して、イオン銃１４に供給されているイオン化ガスからイオンビームを発生させてレンズ２０に照射する前処理を処理時間Ｑ３が経過するまで行う。このイオン銃１４の起動開始からイオン銃前処理終了までの間のイオン銃の電圧変動は図中一点鎖線で示されている。
【００８９】
ステップＳ１２のイオン化ガス供給開始・確認工程の終了（時刻Ｔ３）からステップＳ１５のイオン銃前処理工程終了（時刻Ｔ８）までの間は、イオン銃１４へのイオン化ガスの流量は一定である。したがって、蒸着前処理の後半では、気圧が変動する要因は、ガス出し処理６２１の気圧上昇確認工程及びガス出し工程２による不要ガスの発生であることが特定できる。また、不要ガスの発生開始時期及びその程度も把握できる。
【００９０】
このように、時刻Ｔ４〜Ｔ８の蒸着前処理の後半では、蒸着原料４１、４２の不要ガスの発生とイオン銃１４の起動及び前処理を組み合わせることで、気圧の上昇の原因が蒸着原料４１、４２から発生する不要ガスであることを特定でき、また、不要ガスの発生時期や程度も把握できるので、気圧を監視する必要があるガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２を並列して処理を実行することができる。また、イオンビーム照射工程の完了時期を本ガス出し工程の完了時期と同じかあるいは後に設定することによりガス出し処理中の不要ガスによるレンズの汚れをイオンビームによって防止することができ、膜の耐久性を確保することができる。
【００９１】
以上のように、気圧を監視する必要がある複数の処理を並列的に実行するにあたって、イオン銃１４へのイオン化ガスの供給開始と蒸着原料４１、４２の予備加熱を並列的に実行し、イオン化ガス供給が安定し、気圧の変動がおさまった後に、蒸着原料４１、４２からの不要ガスを発生させて気圧の上昇を確認し、その後、ガス出し工程２とイオン銃１４の起動及び前処理を並列的に実行することで、処理の実行中に気圧が変動した要因を的確に把握することが可能となる。つまり、イオン銃１４へのイオン化ガスの供給開始からガス出し工程２を開始するまで時間を空け、この間にイオン化ガスの流量を一定にするとともに、このイオン化ガス供給と並列的に蒸着原料４１、４２の予備加熱を行うことで、イオン化ガス供給による気圧の変動を特定可能とし、また、蒸着原料４１，４２から不要ガスが発生することによる気圧の変動を特定可能としている。特に、２つの蒸着前処理を同時に実行している場合であっても蒸着原料４１，４２からの不要ガス発生の時期や程度を把握できるため、蒸着原料の加熱が正常に行なわれているかどうかを確認でき、不要ガス発生の時期や程度の情報を用いての制御も可能になる。
【００９２】
そして、これら２つの蒸着前処理を同時に実行することで、成膜処理６２３を開始するまでの時間を大幅に短縮することが可能となって、レンズ２０に膜を形成する蒸着装置の生産性を大幅に向上させることができる。
【００９３】
＜並列処理のスケジューリング＞
次に、ガス出し処理６２１の前半の気圧確認工程とガス出し工程１を合わせた処理時間Ｘ、後半の気圧上昇確認工程とガス出し工程２を合わせた処理時間Ｙ、
イオン銃前処理６２２の前半の気圧確認工程とガス供給・確認工程を合わせた処理時間Ｐ、後半の気圧上昇確認工程とイオン銃起動・確認工程と前処理工程を合わせた処理時間Ｑは、レンズ２０に形成する膜の種類などに応じて変化する。つまり、ガス出し処理６２１の処理時間Ｘ、Ｙ、イオン銃前処理６２２の処理時間Ｐ、Ｑの時間の長さによって、ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２を並列で処理する際に、各工程のタイミングを調整しなければ前記課題で述べたように製造上の問題が生じる。そこで、本発明では、ガス出し処理６２１の前半工程及び後半工程、並びに、イオン銃前処理６２２の前半工程と後半工程の実行タイミングを最適化する。
【００９４】
このため、上記図７に示したタイミングの他の例を図９（Ａ）〜（Ｄ）にて検討する。
【００９５】
なお、以下では、上述の処理時間Ｘ、Ｙ、Ｐ、Ｑを、予備ガス出し処理時間Ｘ、本ガス出し処理時間Ｙ、イオン銃ガス導入処理時間Ｐ、イオン銃起動前処理時間Ｑとし、処理時間Ｘ中の処理をガス出し前半処理、処理時間Ｙ中の処理をガス出し後半処理、処理時間Ｐ中の処理をイオン銃前半処理、処理時間Ｑ中の処理をイオン銃後半処理とする。
【００９６】
図９（Ａ）は、イオン銃起動前処理時間Ｑが本ガス出し処理時間Ｙ以上の場合である。この場合は、
時刻Ｔ４からガス出し後半処理とイオン銃後半処理を同時に開始する。すなわち、時刻Ｔ４から気圧上昇確認工程を開始し、気圧上昇確認工程完了時点（時刻Ｔ５）に、ガス出し工程２とイオン銃起動開始工程を同時に開始する。イオン銃起動前処理時間Ｑ≧本ガス出し処理時間Ｙであるので、本ガス出し処理が完了した時点まで、または、本ガス出し処理が完了した後も、イオン銃後半処理（前処理工程）によるイオンビームの照射が行われるので、気化した蒸着原料４１、４２の不純物によってレンズ２０が汚れるのをイオンビームによって防止して、レンズ２０に形成される膜を安定させることができる。すなわち、イオンビームを照射する前処理工程を、少なくとも本ガス出し工程が完了する時点まで行うことで、レンズ２０が不要ガスによって汚れるのを防ぎ、レンズ２０に形成される膜を安定させて、眼鏡用のレンズ２０の反射防止膜などの薄膜の耐久性を向上させることができる。
【００９７】
なお、イオン銃起動前処理時間Ｑ＝本ガス出し処理時間Ｙの場合は、上記図７と同様のタイミングとなる。
【００９８】
図９（Ｂ）は、イオン銃起動前処理時間Ｑが本ガス出し処理時間Ｙ未満で、かつ、本ガス出し処理時間Ｙがイオン銃ガス導入処理時間Ｐとイオン銃起動前処理時間Ｑの和以下の場合である。
【００９９】
この場合も、上記図９（Ａ）と同様に、本ガス出し工程が完了する時点まで、イオン銃による前処理工程を行ってレンズ２０が不要ガスで汚れるのを防ぎ、形成される膜を安定させる。このため、時刻Ｔ４から気圧上昇確認工程を開始し、気圧上昇確認工程完了時点（時刻Ｔ５）に、本ガス出し工程を開始し、時刻Ｔ４から、処理時間Ｙから処理時間Ｑを差し引いた差分Ｗが経過した時点からイオン銃後半処理を開始すればよい。なお、この場合のステップＳ１３の気圧上昇確認工程は、ステップＳ３の処理が完了していることを確認して気圧上昇を確認しても良いし、ステップＳ４のガス出し工程が実行中であること確認してもよい。なお、上記図９（Ａ）と同様に、本ガス出し工程が完了する時点で、イオンビームを照射する前処理工程が継続していても良いため、イオン銃起動前処理を開始する差分Ｗは、処理時間Ｙと処理時間Ｑの差分よりも大きければよく、その場合はガス出し後半処理が完了した後、イオン銃後半処理が完了することになる。
【０１００】
図９（Ｃ）は、イオン銃ガス導入処理時間Ｐとイオン銃起動前処理時間Ｑの和が本ガス出し処理時間Ｙ未満の場合である。この場合の制御の一例を図１０のフローチャートに示す。
【０１０１】
この場合は、ガス出し後半処理の期間内にイオン銃前半処理とイオン銃後半処理を実施することができる。イオン銃後半処理を開始する時刻は、処理時間Ｙと処理時間Ｑの差分Ｗ以上の値を時刻Ｔ４に加えた値とする。これにより、本ガス出し工程が完了する時点で、イオン銃による前処理工程完了または継続するので、レンズ２０が不要ガスで汚れるのを防止して、レンズ２０に形成される膜を安定させることが可能となる。この場合のフローチャートを図１０に示す。この場合は、ステップＳ２１の気圧確認はステップＳ１の処理が完了していることを確認して気圧確認をしており、ステップＳ２３の気圧上昇確認は、ステップＳ３の処理が完了していることを確認して気圧上昇を確認しても良いし、ステップＳ４のガス出し工程が実行中であること確認してもよい。なお、イオン銃前半処理を時刻Ｔ０から初めても良い。
【０１０２】
図９（Ｄ）は、イオン銃ガス導入処理時間Ｐとイオン銃起動前処理時間Ｑの和が本ガス出し処理時間Ｙ未満で、かつ、イオン銃ガス導入処理時間Ｐが予備ガス出し処理時間Ｘよりも大きい場合である。
【０１０３】
予備ガス出し工程と本ガス出し工程は気圧上昇確認工程を挟んで連続して行う必要がある。すなわち、予備ガス出し工程で蒸着原料４１、４２を全体的に暖めてから、本ガス出し処理で電子銃３０、３１のスキャン範囲を狭めることでエネルギ密度を上げて加熱し、不要ガスを発生させるため、蒸着原料４１、４２の冷却を防ぐ必要がある。このため、予備ガス出し工程の開始をガス供給開始確認工程よりも遅らせて、予備ガス出し工程と本ガス出し工程が気圧上昇確認工程を挟んで連続するように設定する。このため、ガス供給開始確認工程の開始時刻Ｔ０から予備ガス出し工程の開始を遅延させる時間Ｗ１は、イオン銃ガス導入処理時間Ｐから予備ガス出し処理時間Ｘを差し引いた値以上とする。これにより、予備ガス出し工程の完了は、ガス供給開始確認工程の完了以降となり、予備ガス出し処理と本ガス出し処理を連続して実施できる。
【０１０４】
一方、イオン銃による前処理工程は、上述のように少なくとも本ガス出し工程の完了時点まで実施する。このため、ガス出し後半処理の開始時刻Ｔ４からイオン銃後半処理を遅延させる時間Ｗ２は、本ガス出し処理時間Ｙからイオン銃起動前処理時間Ｑを差し引いた値以上とする。これにより、イオン銃による前処理工程の完了は、本ガス出し工程の完了以降となり、レンズ２０が不要ガスで汚れるのを防止しして、レンズ２０に形成する膜を安定させることが可能となる。
【０１０５】
以上のように、異なる２つの処理（ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２）を並列的に実行し、生産性を向上させながらも製品の品質も確保するには、制御装置１２はイオン銃起動前処理の完了時刻をガス出し処理の完了時刻と同時またはそれ以降に設定すると本ガス出し処理中の不要ガスによるレンズ２０の汚れをイオンビームの照射によって防止することができる。さらに、予備加熱と本加熱が連続するように設定しているので、これにより、生産性を向上させながらも眼鏡用のレンズ２０に形成する膜の耐久性を確保することが可能となる。
【０１０６】
さらに、図７、図８で示したように、前記ガス導入工程において、イオン化ガスの供給開始後に所定の流量で安定したことを確認した後に、蒸着原料を本加熱するようにスケジュールすることで、気圧の上昇の要因が予備ガス出し処理とイオン銃ガス導入処理の何れにあるかを容易に特定することが可能となる。
【０１０７】
なお、上記実施形態では、連続型真空蒸着装置１に本発明を適用した一例を示したが、一つの蒸着室を備える蒸着装置に適用することができる。
【０１０８】
また、上記実施形態では、レンズ２０の蒸着前処理として、イオン銃１４によりイオンビームを供給する例を示したが、プラズマ銃を用いるようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
以上のように、本発明によれば、基本的な成膜条件手法を変えることなくレンズの蒸着工程にサイクルタイムの短縮を実現できるので、生産性に優れた眼鏡用レンズの製造システムに、しかも直ちに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の一実施形態を示し、連続型真空蒸着装置の概略図。
【図２】第１蒸着室の概略図。
【図３】ハース部の概略図。
【図４】制御装置のソフトウェア構成を示すブロック図。
【図５】連続蒸着処理における制御の流れを示すフローチャート。
【図６】制御装置で行われる第１蒸着室処理に含まれる蒸着前処理の一例を示すフローチャートで、ガス出し処理とイオン銃前処理の関係を示す。
【図７】ガス出し処理とイオン銃前処理の処理のタイミングを示すタイムチャート。
【図８】蒸着前処理の期間の気圧と、イオン銃への供給電圧と、電子銃への供給電流と、時刻の関係を示すグラフ。
【図９】ガス出し処理とイオン銃前処理の処理のタイミングを示すタイムチャートで、（Ａ）は本ガス出し処理時間Ｙ≦イオン銃起動前処理時間Ｑの場合を示し、（Ｂ）はイオン銃起動前処理時間Ｑ＜本ガス出し処理時間Ｙ≦（イオン銃ガス導入処理時間Ｐ＋イオン銃起動前処理時間Ｑ）の場合を示し、（Ｃ）は（イオン銃ガス導入処理時間Ｐ＋イオン銃起動前処理時間Ｑ）＜本ガス出し処理時間Ｙの場合を示し、（Ｄ）は（イオン銃ガス導入処理時間Ｐ＋イオン銃起動前処理時間Ｑ）＜本ガス出し処理時間Ｙで、かつ、イオン銃ガス導入処理時間Ｐ＞予備ガス出し処理時間Ｘの場合を示す。
【図１０】図９（Ｃ）の例の場合の制御装置で行われる第１蒸着室処理に含まれる蒸着前処理の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１１】
１ 連続型真空蒸着装置
８ 真空装置
１２ 制御装置
１４ イオン銃
１５ ガス供給装置
２０ レンズ
３０、３１ 電子銃
４１、４２ 蒸着原料
【技術分野】
【０００１】
本発明は、計算機により加工装置を制御するレンズの製造システムに関し、特に、レンズに薄膜を蒸着する製造システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
眼鏡用レンズの製造においては、レンズに複数の薄膜を形成し、反射防止などの光学特性の改善や撥水性などの機能を付与する多層コート技術が適用されるものがある。特に、プラスチック製レンズ等の光学部材への反射防止膜の形成は、反射防止膜が無機酸化物からなる多層蒸着膜である場合、真空蒸着装置を用いて行われる。この反射防止膜の上に撥水膜を蒸着により形成する場合では、反射防止膜と撥水膜の形成を連続して行う真空蒸着装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
上記蒸着装置では、反射防止膜等の蒸着処理を開始する前に、真空ポンプを作動させて蒸着室の減圧を開始し、所定の真空度になると蒸着室内に設置されている蒸着原料を加熱して不純物などの余分な成分を気化させて除去するガス出し処理を行った後に、蒸着室内に設置されているイオン銃にイオン化ガス（不活性ガス、酸素など）を供給しながらイオン銃を起動（通電開始）し、発生したイオンビームをレンズに供給する照射するイオン銃前処理（以下、イオンビーム前処理ともいう）を行っている。これらガス出し処理とイオン銃前処理が完了した後に、蒸着原料を気化させ、イオンビームを照射しながら蒸着を行っていた。
【特許文献１】特開２００６−７０２９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来例では、蒸着原料の不要な成分を排出するガス出し処理と、レンズに形成される膜の耐久性（膜の密着性等）を向上させるためにレンズ表面にイオンビームを照射するイオン銃前処理（イオンビーム前処理）を順次行っていたため、レンズを加工装置へ投入してから次の投入までのサイクルタイムは長くなるという問題があった。
【０００５】
すなわち、上記従来例のガス出し処理では、蒸着装置内の真空度を監視しながら処理を実行し、真空度（蒸着室内の気圧）が所定値以下になって向上したら、蒸着原料の加熱を開始する。そして、加熱された蒸着原料の気化の開始を、真空度が低下したことに基づいて判定し、所定時間を超えて加熱しても真空度が低下しない場合には、蒸着原料がセットされていない等の不具合があると判定して処理を中断していた。なお、蒸着室内の真空度の低下とは、蒸着室内の気圧の上昇であり、蒸着室内の真空度の向上（上昇）とは、蒸着室内の気圧の低下（減少）である。（以下、蒸着室の真空度のことを単に「気圧」とも記す。）
また、上記従来例のイオン銃前処理でも、蒸着装置内の気圧を監視しながら処理を実行しており、イオン銃へのイオン化ガスの供給は気圧が所定値よりも低下してから開始し、イオン化ガスの流量が所定値になった後、イオン銃シャッタを開いてイオン銃を起動（通電開始）している。イオン銃の起動後は、気圧が所定値よりも上昇すると、イオン銃などが損傷する恐れがあるため気圧を監視して、イオン銃の通電制御を行っていた。
【０００６】
上記従来例のガス出し処理とイオン銃前処理を、単に並列的に実行してサイクルタイムを短縮しようとすると、２つの処理の時間が異なる場合には、ガス出し処理が完了する前にイオン銃前処理が完了する場合があり、レンズに形成される膜の耐久性が低下する、という問題があった。
【０００７】
さらに、上記従来例のガス出し処理とイオン銃前処理を並列的に行って蒸着処理の前工程に要するサイクルタイムを短縮しようとすると、蒸着原料の気化による気圧の上昇と、イオン銃からガスの放出による気圧の上昇が重畳し、気圧の上昇の原因を特定するのが難しい、という問題があった。
【０００８】
さらに、ガス出し処理中の蒸着原料の気化による気圧の上昇は、蒸着原料が正常に加熱されているかどうか判断する上で重量な情報であり、上記のように蒸着原料の気化による気圧の上昇と、イオン銃からガスの放出による気圧の上昇が重畳すると、蒸着原料の気化による気圧の上昇の時期や上昇の程度を把握することが難しい、という問題があった。
【０００９】
そこで本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、レンズに蒸着処理を施す前処理工程の時間を短縮して、レンズの生産性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、蒸着室内に保持されたレンズの表面に蒸着原料を気化させて蒸着させることにより膜を生成するレンズ成膜方法であって、前記蒸着室には、蒸着原料を加熱する加熱部と、イオンビームを発生させてレンズに照射するイオン源部が設けられており、前記蒸着を開始する前に、前記蒸着原料を前記加熱部によって加熱して不要な成分を気化させて排出するガス出し工程と、前記イオン源部にイオン化ガスを供給し、この供給されたイオン化ガスからイオンビームを発生させて前記レンズ表面に照射するイオンビーム前処理工程と、を行ない、前記ガス出し工程と前記イオンビーム前処理工程を並列的に実行し、かつ、前記イオンビーム前処理工程の完了する時点を、前記ガス出し工程の完了する時点以降に設定する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、蒸着原料のガス出し処理とイオンビーム前処理とを同時に実行し、イオンビーム前処理の完了時点をガス出し処理の完了時点以降に設定するので、ガス出し処理中の不要ガスによるレンズの汚れをイオンビームの照射によって防止することができる。これにより、生産性を向上させながらもレンズに形成する膜の耐久性を確保することが可能となる。
【００１２】
さらに、イオン化ガス導入処理（以下、単にガス導入処理ともいう）による気圧上昇後にガス出し処理による気圧上昇が生じるように設定することで、ガス導入処理による気圧上昇と、ガス出し処理における蒸着原料からの不要ガスの発生による気圧上昇とを区別することができ、ガス出し処理とイオンビーム前処理とを同時に実行する場合であっても気圧の低下の原因を容易に特定することができ、制御の精度を確保することができる。
【００１３】
さらに、ガス導入処理による気圧上昇後にガス出し処理による気圧上昇が生じるように設定するか、または、ガス出し処理による気圧上昇後にガス導入処理による気圧上昇が生じるように設定することで、蒸着原料の気化の時期や程度を把握することができ、ガス出し処理とイオンビーム前処理とを同時に実行する場合であっても蒸着原料の加熱が正常に行なわれているかどうかを確認することができ、また、これにより制御の精度を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００１５】
図１は、眼鏡用プラスチックレンズに反射防止膜や撥水コート等の薄膜を連続的に形成する連続型真空蒸着装置１に、本発明を適用した一例を示す。この連続型真空蒸着装置１は、成型された眼鏡用レンズ（以下、単にレンズとする）を、真空蒸着室内で蒸着物質を蒸着させて反射防止膜や撥水膜等を連続的に形成するものである。
【００１６】
図１は、連続型真空蒸着装置１の概要を示す概略図である。この連続型真空蒸着装置１には、レンズ２０を加熱する予熱室１００と、反射防止膜をレンズ２０に形成する第１蒸着室２００と、反射防止膜を形成したレンズ２０に撥水膜等を形成する第２蒸着室３００を備えている。また、予熱室１００、第１蒸着室２００、第２蒸着室３００は、所定の気圧の真空になるようにそれぞれに図示しない真空装置が配設される。
【００１７】
連続型真空蒸着装置１におけるレンズ２０の加工の概略について説明する。
【００１８】
まず、複数のレンズ２０を円盤状のコートドーム２に配置し、１ロットを構成する。そして、コートドーム２は予熱室１００の開閉台１０３上に支持された支持台１０１に乗せられる。支持台１０１を上昇させて予熱室１００の底部からコートドーム２を予熱室１００に移動する。支持台１０１の上昇が完了すると、支持台１０１の下部を支持する開閉台１０３で予熱室１００の底部が封止される。また、コートドーム２の上部は連続型真空蒸着装置１の支持台１０１に設けられた図示しない搬送手段５００に支持されて、予熱室１００から第１蒸着室２００を経て第２蒸着室３００まで移動可能となっている。また、搬送手段５００に支持された状態のコートドーム２は、図示しないアクチュエータにより回転可能となっている。
【００１９】
予熱室１００には、制御装置１２によって駆動されるヒータ（ハロゲンヒータなど）１０２によりコートドーム２のレンズ２０を予熱する。予熱が完了すると、制御装置１２は搬送手段５００を駆動してコートドーム２を第１蒸着室２００へ移動する。
【００２０】
第１蒸着室２００では、複数の蒸着原料４１、４２を加熱源としての電子銃３０、３１で加熱し、蒸着原料４１、４２を蒸発（気化）させてレンズ２０に反射防止膜等の所定の膜を形成する。さらに、第１蒸着室２００には、レンズ２０に形成する膜の強度や密着性を向上させるため、イオンビームをレンズに照射するするイオン源としてのイオン銃１４を備える。なお、電子銃３０、３１の駆動や蒸着原料４１、４２の選択は、制御装置１２によって制御される。また、第１蒸着室２００には、薄膜の形成状況を監視するための光学式膜厚計１０が備えられ、監視結果は制御装置１２へ送られて電子銃３０、３１の制御などを行う。なお、蒸着原料が一つの場合には、電子銃３０または３１のいずれか一方を作動させればよい。また、イオン銃１４は、イオン銃前処理でレンズ２０にイオンビームを照射することで、レンズ２０に形成される膜のはく離強度（または膜の密着性）を向上させて、膜の耐久性を向上させる。
【００２１】
反射防止膜の形成が完了すると、制御装置１２は搬送手段５００を駆動してコートドーム２を第２蒸着室３００へ移動する。
【００２２】
第２蒸着室３００には、昇降可能な開閉台３０３上にコートドーム２を支持する支持台３０１が移動可能に配置される。第１蒸着室２００から移動してきたコートドーム２は、搬送手段５００により第２蒸着室３００に移動する。
【００２３】
開閉台３０３上には、制御装置１２によって制御されるヒータ（ハロゲンヒータなど）３０２と、ヒータ３０２により加熱される蒸着原料３４０が配置され、コートドーム２に配置されたレンズ２０に撥水膜を形成する。
【００２４】
レンズ２０に撥水膜の形成が完了すると、コートドーム２が支持台３０１に支持された状態で支持台３０１の下部を支持する開閉台３０３が下降して全工程の加工が完了する。この後、コートドーム２は支持台３０１から移動し、コートドーム２上のレンズ２０は次工程へ運ばれる。
【００２５】
なお、上記では第１蒸着室２００で反射防止膜を、第２蒸着室３００で撥水膜を形成したが、蒸着原料４１、４２、３４０を変更することにより、任意の薄膜を蒸着することができる。また、第１蒸着室２００では、同時に２つの蒸着原料４１、４２を蒸発させるだけでなく、電子銃３０、３１の一方のみを作動させて、一つの蒸着原料による蒸着を行っても良い。また、この例では第２蒸着室にコートドーム２を取り出すための開閉機構を設けているが、第２蒸着室に開閉機構を設けずに、開閉機構を備えた真空室をさらに設けて、第２蒸着室からその真空室にコートドーム２を移動させた後、その真空室からコートドーム２を取り出すようにしてもよい。また、この例は連続して配置された蒸着室が二つの場合であるが、三つ以上であっても良い。
【００２６】
次に、図２は第１の成膜室となる第１蒸着室２００と制御装置１２を示す。
【００２７】
第１蒸着室２００内では、予熱室１００から移動してきたコートドーム２が支持台に設けられた搬送手段５００により所定の位置である第１蒸着室２００内の上部に位置決めされる。
【００２８】
第１蒸着室２００の上部には、所定の位置に薄膜の形成状況を検出する光学式膜厚計１０が設置され、光学式膜厚計１０を構成するモニターガラス５１は、第１蒸着室２００内の所定の位置に配置されて、蒸着原料４１、４２の蒸気を受けることが可能となっている。
【００２９】
第１蒸着室２００の下部には、蒸着原料（成膜材料）４１、４２を収装するルツボやハースで構成される容器４０を有するハース部４００と、容器の蒸着原料４１、４２に電子ビームを当てて気化させる電子銃３０、３１と、蒸着原料４１、４２の蒸気を選択的に遮断するシャッタ５と、蒸着した薄膜の強度や膜質（緻密性など）を改善するため、供給されたイオン化ガス（不活性ガス、酸素など）からイオンビームを発生させ放出するイオン銃１４と、イオン銃１４にイオン化ガスを供給するガス供給装置（ガスユニット）１５、ガス供給装置１５からイオン銃１４に供給されるイオン化ガスの流量を計測する流量計１５０等が設けられている。なお、イオン銃１４には、イオン銃１４本体を保護するためのシャッタ（イオン銃シャッタ）１４１が設けられており、シャッタ１４１を開いたときにイオンビームを照射することができる。
【００３０】
なお、シャッタ５及びシャッタ１４１にはアクチュエータ（図示省略）が設けられ、後述の制御装置１２によって制御される。また、蒸着原料４１、４２は異なる種類の物質で、例えば、蒸着原料４１が低屈折率物質で、蒸着原料４２が高屈折率物質である。
【００３１】
上部のコートドーム２の近傍には、コートドーム２に保持された被成膜体としてのレンズ２０の温度を計測するための基板温度計６が設けられ、さらに、第１蒸着室２００内の気圧（真空度）を計測するための真空計７及び第１蒸着室２００内を減圧するための真空装置８が設けられている。また、コートドーム２に保持されたレンズ２０を加熱するためのヒータ９が設けられている。なお、ヒータ９はハロゲンヒータなどで構成される。
【００３２】
さらに、第１蒸着室２００の外部上方には、コートドーム２の所定の位置に設定されたモニターガラス５１の反射率を測定する光学式膜厚計１０が設けられている。光学式膜厚計１０は膜厚モニター１１を介して制御装置１２に接続され、光学式膜厚計１０からは光量データ（光量値）として、照射光の光量に対する反射光の光量の比が出力される。なお、光学式膜厚計１０及び膜厚モニター１１の構成は、特開２００１−１１５２６０号公報や特開２００３−２０２４０４号公報の構成と同様である。
【００３３】
制御装置１２は、シーケンサユニットと、このシーケンサユニットに指令を送るＣＰＵ（プロセッサ）、メモリ、ディスク装置などから構成されるコンピュータを含み、後述するように、制御装置１２は、予熱室１００、第１蒸着室２００、第２蒸着室３００の各機器の制御を後述するように行う。
【００３４】
制御装置１２には各機器へ指令を送るためのキーボードやマウスなどを含む入力部１２ａが接続されるとともに、上述の電子銃３０、３１、シャッター５、真空装置８、ヒータ９、イオン銃１４、シャッタ１４１、ガス供給装置１５等の制御対象と、基板温度計６、真空計７、光学式膜厚計１０（膜厚モニタ１１）、流量計１５０等のセンサが接続されており、制御装置１２は、各センサからの入力情報等に基づいて上記制御対象を制御する。さらに制御装置１２には、予熱室１００のヒータ１０２、第２蒸着室３００のヒータ３０２、予熱室１００から第１蒸着室２００を経て第２蒸着室３００までを結ぶ搬送手段５００、予熱室１００及び第２蒸着室３００の開閉台１０３、３０３の昇降装置（図示省略）がそれぞれ接続される。また、制御装置１２には、各蒸着装置の動作状態などを表示するための表示装置（図示省略）を備える。
【００３５】
制御装置１２は、真空計７の情報に基づいて真空装置８や電子銃３０、３１及びイオン銃１４を制御し、第１蒸着室２００内を所定の気圧の真空にする。また、制御装置１２は、基板温度計６の情報に基づいてヒータ９を制御して被成膜体であるレンズ２０を所定の温度にする。そして、制御装置１２は、上記光学式膜厚計１０のモニターガラス５１に形成された薄膜の時々刻々の光学膜厚に依存する時々刻々の光量値が、基準光量値データ格納手段に格納されている値と等しくなるように、電子銃３０、３１に印加する電力（電流及び／又は電圧）を制御する場合もある。また、形成する薄膜の種類や気化させる蒸着原料４１、４２の種類に応じて、イオン銃１４へのイオン化ガスの供給とイオンビームの照射を行う。
【００３６】
ここで、コートドーム２は、レンズ２０に反射防止膜等が蒸着されるように、レンズ２０を保持する保持手段である。そして、複数のレンズ２０が同時に蒸着できるよう、円形をしており、コートドーム２は所定の曲率を有している。また、コートドーム２は、図示しないアクチュエータにより回転可能となっており、主には、蒸着室で加熱されて飛散する蒸発物の分布のばらつきを低減させるために回転する。
【００３７】
電子銃３０、３１は、容器に収納された蒸着原料(物質)４１、４２を蒸着原料４１、４２の溶融温度まで加熱することにより、蒸発させて、レンズ２０及びモニターガラス５１に蒸着原料（物質）を蒸着・堆積させて薄膜を形成する。
【００３８】
容器４０は、蒸着物質４１、４２を保持するために用いられる水冷式のルツボやハースライナである。
【００３９】
シャッター５は、蒸着を開始するとき開き、または終了するときに閉じるように制御されるもので、薄膜の制御を行いやすくするものである。ヒータ９は、レンズ２０に蒸着される薄膜の密着性などの物性を出すため、レンズ２０を適切な温度に加熱する加熱手段である。
【００４０】
光学式膜厚計１０は、表面に透明薄膜を形成した透明基体に光を照射すると、薄膜表面からの反射光と透明基体表面からの反射光とが両者の位相差によって干渉をおこす現象を利用したものである。すなわち、上記位相差が薄膜の屈折率及び光学膜厚によって変化し、干渉の状態が変化して反射光の光量が薄膜の屈折率及び光学膜厚に依存して変化する。なお、反射光が変化すれば必然的に透過光も変化するので、透過光の光量を計測することによっても同様のことができるが、以下では反射光を用いた場合を説明する。
【００４１】
光学式膜厚計１０は、上記コートドーム２のほぼ中心部に保持されたモニターガラス５１に所定の波長の光を照射し、その反射光を測定する。モニターガラス５１に形成される薄膜は、各レンズ２０に形成される薄膜に従属しているとみることができるので、各レンズ２０に形成される薄膜を推測できる（再現できる）情報を得ることができる。モニタガラス５１に形成される膜厚の測定については、特開２００３−２０２４０４号公報などと同様であり、受光センサが検出した光量のピークの数に基づいて、膜厚の増大（成膜の進行）を検出することができる。
【００４２】
次に、蒸着原料４１、４２を選択するハース部４００について、図３を参照しながら説明する。
【００４３】
第１蒸着室２００では、仕様の異なる薄膜を形成可能とするため、蒸着原料を電子銃３０、３１の照射位置に設定するハース部４００では、複数種の蒸着原料を選択可能にしている。
【００４４】
すなわち、蒸着原料４１、４２を収容する容器４０は、円盤状のホルダ４１１に複数配置される。ホルダ４１１は回転可能に構成されており、モータなどのハースアクチュエータ４１０によって駆動される。ハースアクチュエータ４１０は制御装置１２によって駆動され、各容器４０には予め設定した蒸着原料４１、４２が収容されており、制御装置１２はロットに応じた蒸着原料４１、４２を収容した容器４０が電子銃３０、３１の照射位置となるようハースアクチュエータ４１０を駆動する。こうして、形成する薄膜の仕様（種類）に応じて任意の蒸着原料４１、４２を自動的に選択することができる。
【００４５】
次に、制御装置１２で実行されるソフトウェアの構成について図４を参照しながら説明する。
【００４６】
制御装置１２には、コンピュータが含まれており、このコンピュータでは、マルチタスクＯＳ１２１が実行されており、このＯＳ１２１上で予熱室１００、第１蒸着室２００、第２蒸着室３００の制御を行う連続蒸着処理６００を行なうプログラムが実行される。なお、ここではＯＳ１２１をプリエンプティブなマルチタスクＯＳとする。
【００４７】
連続蒸着処理６００では、予熱室１００のヒータ１０２の制御を行う予熱室処理６１０と、第１蒸着室２００の各機器の制御を行う第１蒸着室処理６２０と、第２蒸着室３００のヒータ３０２を制御する第２蒸着室処理６３０及び搬送手段５００を制御する処理（図示省略）が含まれる。ここでは搬送手段５００を制御する搬送処理が、バックグラウンドで実行されるものとし、常時各処理を監視してコートドーム２の移動を制御する。
【００４８】
予熱室処理６１０と、第２蒸着室処理６３０及び搬送手段５００については、上記従来例と同様であるので、以下の説明では第１蒸着室処理６２０を中心に説明する。
【００４９】
図５は、連続蒸着処理６００の全体の処理を示し、コートドーム２の移動に応じた処理の流れを示している。
【００５０】
まず、予熱室１００にコートドーム２がセットされると、ヒータ１０２でコートドーム２上のレンズ２０を所定時間予熱する予熱処理６１１が実行される。
【００５１】
予熱処理後、コートドーム２は第１蒸着室２００に移動し、第１蒸着室処理６２０のガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２からなる蒸着前処理が並列的に実行される。
【００５２】
ガス出し処理６２１は、予め蒸着原料４１、４２を気化させて不要な成分を除去するものである。また、イオン銃前処理（イオンビーム前処理）６２２は、イオン銃（イオン源部）１４へイオン化ガスを供給し、ガスの流量が所定値になると、イオン銃１４のシャッタ１４１を開いてイオン銃１４を起動（通電開始）させ、第１蒸着室２００のレンズ２０の表面に、発生したイオンビームを照射して、形成される膜の耐久性を確保する前処理を行うものである。
【００５３】
なお、ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２からなる蒸着前処理を開始する直前には、コートドーム２のレンズ２０に施す蒸着の仕様やレンズ２０の種類などに応じて、所定の蒸着原料４１、４２を収容した容器４０が、電子銃３０、３１の照射位置へ来るようにハースアクチュエータ４００を駆動し、蒸着の仕様やレンズ２０の種類などに応じた電子銃３０、３１の出力設定や、形成する薄膜に応じた光学式膜厚計１０の設定など、加工条件の設定と各機器の設定状態の確認を行う準備処理が行われる。
【００５４】
ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２からなる蒸着前処理工程が完了すると、成膜処理６２３を起動して、レンズ２０に所定の薄膜（反射防止膜）が形成されていく。
【００５５】
レンズ２０に第１の薄膜の形成が完了すると、成膜処理６２３は完了して終了処理６２４が起動する。終了処理６２４は、第１蒸着室２００の各機器を停止あるいはリセット、第１蒸着室での処理結果の登録・保存などを行うものである。終了処理６２４が完了すると、搬送処理によりコートドーム２は第１蒸着室２００から第２蒸着室３００へ移動される。なお、上記６２１〜６２４の処理が第１蒸着室処理６２０を構成する。また、蒸着完了後、次の蒸着対象となるレンズが取り付けられたコートドーム２が予熱室より第１蒸着室に搬送されてくる。
【００５６】
第２蒸着室３００においても、上記第１蒸着室処理６２０と同様に、前処理６３１、成膜処理６３２、終了処理６３３からなる第２蒸着室処理６３０が実行される。
【００５７】
この第２蒸着室処理６３０では、制御対象がヒータ３０２である点が第１蒸着室処理６２０と異なり、その他は第１蒸着室処理６２０と同様にして行われる。この第２蒸着室処理６３０は、ヒータ３０２の起動・停止が主体であり、特開２００３−１４９０４号と同様であるので、詳細については省略する。
【００５８】
上記連続蒸着処理６００では、各処理６１０〜６３３が１ドーム毎に順次行われ、レンズ２０の薄膜形成が行われる。本実施形態の場合は３つの処理室があるので、それぞれの処理室で異なるドームの処理が並列的に進行している。
【００５９】
次に、第１蒸着室処理６２０で行われる蒸着前処理の詳細について、図６を参照しながら以下に説明する。なお、上述の各種設定などの準備処理については、前記従来例と同様であるので、ここでは詳述しないが、以下の蒸着前処理は、上記準備処理が完了した後に開始される。
【００６０】
蒸着前処理は、ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２を同時に開始して、並列的に処理が行われる。すなわち、制御装置１２のＯＳ１２１は、ガス出し処理６２１のスレッドと、イオン銃前処理６２２のスレッドを発行し、ＣＰＵは複数のスレッドを並列的に実行する。
【００６１】
まず、ガス出し処理６２１の詳細について説明し、次に、イオン銃前処理６２２の詳細について説明する。
【００６２】
ガス出し処理６２１では、ハース部４００のシャッタ５を閉鎖した状態で実行する。まず、制御装置１２は、真空計７から気圧を取得し、第１蒸着装置２００内の気圧が所定値Ａ以下であるか否かを判定し、所定値Ａを超える場合には気圧が所定値Ａ以下となるまで待機する（Ｓ１）。また、真空装置８は、予め作動を開始しており、所定の気圧の真空となるように制御装置１２によって制御される。
【００６３】
第１蒸着装置２００内の気圧が所定値Ａ以下であれば、ステップＳ２へ進み、蒸着原料４１、４２の予備加熱を行うガス出し工程１（予備ガス出し工程または予備加熱工程ともいう）を開始する。ガス出し工程１では、制御装置１２が電子銃３０、３１を起動して蒸着原料４１、４２の予備加熱を所定時間ｘまで実施する。このガス出し工程１では電子銃３０、３１のスキャンする範囲を広く設定して、蒸着原料４１、４２全体を暖めるように加熱する。また、電子銃３０、３１の出力は、予め設定された値であり、制御装置１２は、蒸着原料毎に予め設定された所定時間ｘまで蒸着原料４１、４２の予備加熱を行う。予備加熱を行う時間は、蒸着原料４１、４２の種類毎に予め設定されたものであり、例えば、４０秒〜６０秒に設定される。制御装置１２は、時間をカウントして所定時間ｘが経過すると予備加熱を終了し、電子銃の照射条件設定（スキャン範囲、パワーなど）を後術するステップＳ４のガス出し工程２（本ガス出し工程）と同じ条件に変更してステップＳ３へ進む。
【００６４】
ステップＳ３では、制御装置１２が真空計７から気圧を取得して、気圧が上昇しているか否かを確認する気圧上昇確認工程を行なう。すなわち、電子銃３０、３１による予備加熱によって蒸着原料４１、４２の溶融が開始し、本ガス出し工程と同じ加熱条件での加熱による蒸着原料４１、４２の気化によって気圧が上昇したかを判定する。なお、気圧確認工程における加熱を単にガス出し確認加熱と言う。ガス出し確認加熱によって蒸着原料４１、４２から不要ガスが発生していない場合には、ハース部４００の所定の位置に蒸着原料４１、４２がセットされていないことや、電子銃３０、３１が正しく照射されていないことが推測されるので、予備加熱終了後（ガス出し確認加熱開始後）所定時間内（例えば１分間）に気圧が所定値Ｂ以上にならなければ、制御装置１２のエラーの発生を表示して、処理を中断することができる。
【００６５】
一方、予備加熱終了後（ガス出し確認加熱開始後）所定時間内に気圧が所定値Ｂを超えて、蒸着原料４１、４２からの不要ガスの発生が確認された場合には、その確認された時点でステップＳ４の処理へ進む。
【００６６】
ステップＳ４では、蒸着原料４１、４２を加熱し、不要な成分を気化させて真空装置８から第１蒸着装置２００外部へ排出するガス出し工程２（本ガス出し工程）を所定時間ｙまで実行する。すなわち、ステップＳ３で蒸着原料４１、４２の気化を確認（気圧上昇を確認）した時点から所定時間ｙをカウントする。このガス出し工程２では、蒸着原料４１、４２の不要な成分の気化を促進させるため、電子銃３０、３１が蒸着原料４１、４２を加熱する条件設定を予備加熱の時の加熱条件設定から変更して加熱する（以下このステップ４における加熱を本ガス出し加熱と記し、気圧上昇確認工程から本ガス出し工程までの加熱を本加熱と言う）。すなわち、制御装置１２は、電子銃３０、３１のスキャンの範囲を狭く設定して、蒸着原料４１、４２を集中的に加熱することで不要な成分を確実に気化させる。この加熱条件変更は、電子銃３０、３１のパワーアップによって行なっても良く、好ましくは、電子銃３０，３１のスキャン範囲を狭くすることとパワーアップすることの併用である。このガス出し工程２は、蒸着原料４１、４２の種類に応じた所定時間ｙまで実行する。この所定時間ｙは、制御装置１２に予め設定されたもので、蒸着原料４１、４２の種類に応じた値であり、例えば、４０秒〜６０秒などの値である。なお、この本ガス出し加熱の加熱条件は、前記したとおり、既にステップＳ２の終了時点で同じ加熱条件に変更され、ステップＳ３のガス出し確認加熱の条件と同じであり、ステップＳ３から継続して行なわれる。制御装置１２は、時間をカウントして所定時間ｙが経過するとステップＳ５へ進む。
【００６７】
ステップＳ５では、所定時間ｙが経過して蒸着原料４１、４２の不要な成分をガス出し処理によって除去したので、制御装置１２は電子銃３０、３１の出力を低下（または停止）させて蒸着原料４１、４２の加熱を終了する。
【００６８】
次に、ステップＳ６では、制御装置１２が真空計７から気圧を取得し、電子銃３０、３１による加熱の終了により、気圧が所定値Ｃ以下に低下したことを確認する。すなわち、蒸着原料４１、４２からの不要ガスの発生が停止し、真空装置８の継続的な運転によって、気圧が所定値Ｃ以下に向上するまで待機する。気圧が所定値Ｃ以下になると、ガス出し処理６２１を終了する。
【００６９】
次に、ガス出し処理６２１と並列的に実行されるイオン銃前処理６２２について説明する。
【００７０】
制御装置１２は、ガス出し処理６２１のステップＳ１と同期して、真空計７から気圧を取得し、第１蒸着装置２００内の気圧が所定値Ａ以下であるか否かを判定し、所定値Ａを超える場合には気圧が所定値Ａ以下となるまで待機する（Ｓ１１）。このステップＳ１１は、ガス出し処理６２１のステップＳ１と同期して実行され、ステップＳ１と同様に、気圧が所定値Ａ以下であることを確認する。ここで、気圧の所定値Ａは、蒸着原料４１、４２の気化が可能で、イオン銃１４の起動が可能な値であり、予め設定した値である。気圧が所定値Ａを超える場合には、上記ステップＳ１と同様に、気圧が所定値Ａ以下となるまで待機する。なお、このステップＳ１１は、直接気圧を確認する代わり、ステップＳ１の気圧確認工程が完了していることを確認することで同期させても良い。
【００７１】
第１蒸着装置２００内の気圧が所定値Ａ以下であれば、ステップＳ１２へ進み、イオン銃１４の起動を行う準備として、イオン銃１４にイオン化ガス（例えば、不活性ガス、酸素）の供給を開始する。
【００７２】
ステップＳ１２では、制御装置１２がガス供給装置１５からイオン銃１４へのイオン化ガスの供給を開始させる。この時点でイオン銃１４は起動させない。制御装置１２は、ガス供給装置１５に予め設定した流量を指令し、イオン銃１４へイオン化ガスの供給を開始させる。制御装置１２は、流量計１５０でイオン化ガスの流量が所定値で安定したことを確認すると、その流量でのイオン化ガスの供給を継続し、ステップＳ３の気圧上昇確認工程と同期してステップ１３に進む。イオン化ガスの供給によって、イオン銃１４を通ってイオン化ガスが第１蒸着装置２００内に流出するため、気圧は上昇するが、ハース部４００の蒸着原料４１、４２は予備加熱の段階であるため、気圧の上昇の原因は、イオン銃１４へのイオン化ガスの供給であることが特定できる。
【００７３】
次に、ステップＳ１３では、ガス出し処理６２１のステップＳ２で設定した所定時間ｘが経過するまで待機してから、制御装置１２は第１蒸着装置２００内の気圧が上昇しているか否かを確認する。このステップＳ１３の処理はガス出し処理６２１のステップＳ３と同期して行われる。あるいは、イオン銃前処理６２２が、ガス出し処理６２１のステップＳ３から割り込みを受けてステップＳ１３を実行するようにしてもよい。所定時間ｘの初期段階では、イオン銃１４へのイオン化ガスの供給によって第１蒸着装置２００内の気圧が上昇し、所定時間ｘの終盤では蒸着原料４１、４２の予備加熱による気化の開始によって気圧が少し上昇し、ステップ３のガス出し確認加熱によって気圧はさらに上昇する。予備加熱終了後（ガス出し確認加熱開始後）所定時間内に気圧が所定値Ｂ以上にならなければ、ステップＳ３に示した蒸着原料４１、４２のセットミスか、電子銃３０，３１が正しく照射されていないこと等が推定されるため、制御装置１２は表示装置にエラーを出力し、処理を中断する。なお、このステップＳ１３は、直接気圧を確認する代わり、ステップＳ３の気圧上昇確認工程が完了していることを確認することで同期させても良い。
【００７４】
ステップＳ１３で、気圧が所定値Ｂを超えて悪化していれば、ステップＳ１４へ進む。ステップＳ１４では、イオン銃１４へ電力を供給して起動するとともに起動確認を行なう。
このステップＳ１４の工程（イオンビーム銃起動・確認工程）は、イオン銃をパワーオンするイオン銃起動工程と、所定の電流及び電圧にするとともに電流及び電圧が所定値になったことを確認するイオン銃加速工程とからなる。イオン銃加速工程で電流及び電圧が所定値になったことを確認すると起動が完了したものとしてステップ１５に進む。
次に、ステップＳ１５では、イオン銃１４の起動が完了した時点から所定時間Ｑ３の期間でイオン銃１４からイオンビームをレンズ２０に照射してレンズの前処理を実施する前処理工程を行なう。このイオン銃１４による前処理の期間Ｑ３では、イオン銃１４の動作状態を監視し、動作状態（電圧や電流値）に異常があれば、表示装置にエラーを表示してイオン銃前処理６２２を再起動する。ステップS１５中に再起動が生じた場合は、再起動前の照射時間と再起動完了後の照射時間の合計の時間を所定時間Ｑ３とする。なお、イオン銃起動工程から前処理工程終了までの工程をイオンビーム照射工程という。
【００７５】
所定時間Ｑ３が経過すると、ステップＳ１６へ進み、制御装置１２はイオン銃前処理６２２の終了処理を行う。この終了処理では、イオン銃１４をパワーオフ（供給電圧〇Ｖ）し、シャッタ１４１を閉じ、ガス供給装置１５からのイオン化ガスの供給停止を行う。ただし、成膜処理６２３において、イオン銃１４による成膜のアシストを行う場合には、ガス供給装置１５からのイオン化ガスの供給を継続し、イオン銃１４への電力をアシスト条件値へ変更する。
【００７６】
以上のように、ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２が並列的に実行され、これらの２つの処理が完了した時点で蒸着前処理が完了し、図５に示した成膜処理６２３を開始することができる。
【００７７】
次に、ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２からなる蒸着前処理のタイミングについて、図７を参照しながら詳述する。
【００７８】
時刻Ｔ０で蒸着前処理を開始すると、ガス出し処理６２１では気圧の確認処理（例えば数秒間）が行われた後に、ステップＳ２の予備加熱（ガス出し工程１、図中予備ガス出し工程）が開始される。イオン銃前処理６２２でも同様に、気圧の確認処理（同期処理。例えば数秒間）が行われた後に、ステップＳ１２のイオン銃１４へのイオン化ガスの供給が開始される。
【００７９】
ガス出し処理６２１のガス出し工程１は、気圧のチェック完了（時刻Ｔ１）から所定時間ｘが経過する時刻Ｔ４まで行われる。一方、イオン銃前処理６２２では、気圧のチェック完了（時刻Ｔ１）から時刻Ｔ３までの時間ｐでイオン化ガスのガス供給開始・確認工程が行われる。制御装置１２がガス供給装置１５へ所定の流量でイオン化ガスの供給を指令してからイオン銃１４へ実際に供給される不活性ガスの流量が安定するまでには時間を要し、上記ステップＳ１２で所定の流量を確認（第１次確認処理）するまでの時間をＰ１（完了時刻Ｔ２）とし、第１次確認処理後、流量が指定した値で安定したかどうかを確認（第２次確認処理）するまでの時間をＰ２（完了時刻Ｔ３）とする。この時刻Ｔ３でイオン銃前処理６２２のステップＳ１２が完了し、その流量でのイオン銃１４へのイオン化ガスの供給が前記前処理工程が終了するまで継続される。なお、前記第２次確認処理の工程終了後からイオン銃起動・確認工程開始までの間（時刻Ｔ３からＴ５）をガス供給待機工程と言い、前記ガス供給開始確認工程の開始から前記ガス供給待機工程の終了までの間（時刻Ｔ１からＴ５）をガス導入工程という。ステップＳ１２のイオン化ガスの供給開始確認工程は、時間Ｐ１とＰ２を加算した時間ｐを要する。したがって、気圧確認工程から第２次確認処理工程までの時間は、時間ｐに気圧チェックを行う時間（数秒）を加えた時間Ｐの期間で実行される。また、ガス出し処理６２１の前半（気圧上昇確認工程開始前）は、ガス出し工程１（予備ガス出し工程）の所定時間ｘに気圧のチェックを行う時間（数秒）を加えた時間Ｘの期間で実行される。ガス供給開始・確認工程における第１次確認処理に要する時間Ｐ１は、例えば８秒であり、第２次確認処理に要する時間Ｐ２は、例えば５秒であり、ステップＳ１２で要する時間Ｐは、例えば、１３秒となり、ガス出し工程１の所定時間ｘの４０〜６０秒よりも短い時間の場合を示す。
【００８０】
ガス出し工程１が完了する時刻Ｔ４では、蒸着前処理の後半の処理が開始される。ガス出し処理６２１のガス出し工程２（本ガス出し工程）は、気圧上昇確認工程において気圧上昇のチェック完了（時刻Ｔ５）から所定時間ｙが経過する時刻Ｔ８まで行われる。
【００８１】
一方、イオン銃前処理６２２では、時刻Ｔ５の気圧上昇確認工程における気圧上昇のチェック完了から時刻Ｔ６までの時間Ｑ１でイオン銃１４の起動工程が行われる。そして、イオン銃１４の起動工程が完了すると、時刻Ｔ６〜Ｔ７の時間Ｑ２でイオン銃１４の加速工程が実施されて、ステップＳ１４の工程が完了する（時刻Ｔ７）。加速工程が完了すると時刻Ｔ７から所定時間Ｑ３が経過する時刻Ｔ８までの期間で、イオンビームをレンズ２０へ照射する前処理工程を実行する。ここで、イオン銃前処理６２２の後半の処理の各時間は、気圧上昇確認工程の時間は、例えば２〜３秒、イオン銃１４の起動工程の時間Ｑ１は、例えば８秒、イオン銃１４の加速工程の時間Ｑ２は、例えば、８秒で、前処理の時間Ｑ３は、例えば４５秒とする。したがって、イオン銃前処理６２２の後半の全体に要する時間Ｑは、気圧チェックの時間＋Ｑ１＋Ｑ２＋Ｑ３の６３〜６４秒となる。
【００８２】
一方、ガス出し処理６２１の後半の全体の処理に要する時間Ｙは、気圧のチェックに要する数秒と、ガス出し工程２の所定時間ｙの和であり、気圧チェックの時間が２〜３秒、所定時間ｙが６０秒であれば、全体の処理時間Ｙは６２〜６３秒となり、イオン銃前処理６２２の後半の処理時間Ｑとほぼ等しくなる。
【００８３】
以上のようなタイミングで、ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２を並列的に実行すると、第１蒸着装置２００内の気圧の変化は、図８で示すようになる。図８は、蒸着前処理の期間の気圧と、イオン銃１４への供給電圧と、電子銃３０、３１への供給電流と、時刻の関係を示す。
【００８４】
時刻Ｔ０で気圧のチェックを開始し時刻Ｔ１で気圧のチェックが完了すると、イオン銃前処理６２２のイオン化ガスの供給が開始され、イオン銃１４から流出するイオン化ガスによって気圧は上昇する。このとき、ガス出し処理６２１も並行して行われるが、電子銃３０、３１のスキャン範囲が広く、予備加熱の初期段階であるので蒸着原料４１、４２から不要ガスはほとんど発生していない。
【００８５】
したがって、時刻Ｔ０〜Ｔ４の蒸着前処理の前半（気圧上昇確認工程開始前）では、蒸着原料４１、４２の予備加熱とイオン銃１４へのイオン化ガスの供給を組み合わせることで、気圧の上昇の原因がイオン銃１４への不活性ガスの供給であることを特定でき、それぞれ気圧を監視するガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２を並列して処理を実行することができる。
【００８６】
蒸着前処理の後半（気圧上昇確認工程開始後）となる時刻Ｔ４からは、気圧上昇のチェックが完了した後に、ガス出し処理６２１では蒸着原料４１、４２から不要ガスを発生させるガス出し工程２（本ガス出し工程）と、イオン銃前処理６２２では、イオン銃１４の起動処理と前処理が並列的に実行される。
【００８７】
ガス出し処理６２１では、ガス出し工程１終了時（時刻Ｔ４）に電子銃３０、３１のスキャン範囲を狭めているので、時刻Ｔ４からＴ５の気圧チェック工程中および時刻Ｔ５からＴ８のガス出し工程２中に蒸着原料４１、４２が集中的に加熱され不要ガスを発生する。蒸着原料４１、４２は、ガス出し工程１の予備加熱によって溶融しているので、気圧チェック工程の開始直後から不要ガスを発生させることができる。
【００８８】
一方、イオン銃前処理６２２では、気圧上昇のチェックを行った後に、時刻T５からイオン銃をパワーオンするイオン銃起動開始工程を実行し、次に時刻Ｔ６からイオン銃を所定の電流及び電圧にするイオン銃加速工程を実行する。イオン銃の電流電圧が所定値になったことを確認したらイオン銃起動・確認工程を終了し、時刻Ｔ７からはその所定値を維持して、イオン銃１４に供給されているイオン化ガスからイオンビームを発生させてレンズ２０に照射する前処理を処理時間Ｑ３が経過するまで行う。このイオン銃１４の起動開始からイオン銃前処理終了までの間のイオン銃の電圧変動は図中一点鎖線で示されている。
【００８９】
ステップＳ１２のイオン化ガス供給開始・確認工程の終了（時刻Ｔ３）からステップＳ１５のイオン銃前処理工程終了（時刻Ｔ８）までの間は、イオン銃１４へのイオン化ガスの流量は一定である。したがって、蒸着前処理の後半では、気圧が変動する要因は、ガス出し処理６２１の気圧上昇確認工程及びガス出し工程２による不要ガスの発生であることが特定できる。また、不要ガスの発生開始時期及びその程度も把握できる。
【００９０】
このように、時刻Ｔ４〜Ｔ８の蒸着前処理の後半では、蒸着原料４１、４２の不要ガスの発生とイオン銃１４の起動及び前処理を組み合わせることで、気圧の上昇の原因が蒸着原料４１、４２から発生する不要ガスであることを特定でき、また、不要ガスの発生時期や程度も把握できるので、気圧を監視する必要があるガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２を並列して処理を実行することができる。また、イオンビーム照射工程の完了時期を本ガス出し工程の完了時期と同じかあるいは後に設定することによりガス出し処理中の不要ガスによるレンズの汚れをイオンビームによって防止することができ、膜の耐久性を確保することができる。
【００９１】
以上のように、気圧を監視する必要がある複数の処理を並列的に実行するにあたって、イオン銃１４へのイオン化ガスの供給開始と蒸着原料４１、４２の予備加熱を並列的に実行し、イオン化ガス供給が安定し、気圧の変動がおさまった後に、蒸着原料４１、４２からの不要ガスを発生させて気圧の上昇を確認し、その後、ガス出し工程２とイオン銃１４の起動及び前処理を並列的に実行することで、処理の実行中に気圧が変動した要因を的確に把握することが可能となる。つまり、イオン銃１４へのイオン化ガスの供給開始からガス出し工程２を開始するまで時間を空け、この間にイオン化ガスの流量を一定にするとともに、このイオン化ガス供給と並列的に蒸着原料４１、４２の予備加熱を行うことで、イオン化ガス供給による気圧の変動を特定可能とし、また、蒸着原料４１，４２から不要ガスが発生することによる気圧の変動を特定可能としている。特に、２つの蒸着前処理を同時に実行している場合であっても蒸着原料４１，４２からの不要ガス発生の時期や程度を把握できるため、蒸着原料の加熱が正常に行なわれているかどうかを確認でき、不要ガス発生の時期や程度の情報を用いての制御も可能になる。
【００９２】
そして、これら２つの蒸着前処理を同時に実行することで、成膜処理６２３を開始するまでの時間を大幅に短縮することが可能となって、レンズ２０に膜を形成する蒸着装置の生産性を大幅に向上させることができる。
【００９３】
＜並列処理のスケジューリング＞
次に、ガス出し処理６２１の前半の気圧確認工程とガス出し工程１を合わせた処理時間Ｘ、後半の気圧上昇確認工程とガス出し工程２を合わせた処理時間Ｙ、
イオン銃前処理６２２の前半の気圧確認工程とガス供給・確認工程を合わせた処理時間Ｐ、後半の気圧上昇確認工程とイオン銃起動・確認工程と前処理工程を合わせた処理時間Ｑは、レンズ２０に形成する膜の種類などに応じて変化する。つまり、ガス出し処理６２１の処理時間Ｘ、Ｙ、イオン銃前処理６２２の処理時間Ｐ、Ｑの時間の長さによって、ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２を並列で処理する際に、各工程のタイミングを調整しなければ前記課題で述べたように製造上の問題が生じる。そこで、本発明では、ガス出し処理６２１の前半工程及び後半工程、並びに、イオン銃前処理６２２の前半工程と後半工程の実行タイミングを最適化する。
【００９４】
このため、上記図７に示したタイミングの他の例を図９（Ａ）〜（Ｄ）にて検討する。
【００９５】
なお、以下では、上述の処理時間Ｘ、Ｙ、Ｐ、Ｑを、予備ガス出し処理時間Ｘ、本ガス出し処理時間Ｙ、イオン銃ガス導入処理時間Ｐ、イオン銃起動前処理時間Ｑとし、処理時間Ｘ中の処理をガス出し前半処理、処理時間Ｙ中の処理をガス出し後半処理、処理時間Ｐ中の処理をイオン銃前半処理、処理時間Ｑ中の処理をイオン銃後半処理とする。
【００９６】
図９（Ａ）は、イオン銃起動前処理時間Ｑが本ガス出し処理時間Ｙ以上の場合である。この場合は、
時刻Ｔ４からガス出し後半処理とイオン銃後半処理を同時に開始する。すなわち、時刻Ｔ４から気圧上昇確認工程を開始し、気圧上昇確認工程完了時点（時刻Ｔ５）に、ガス出し工程２とイオン銃起動開始工程を同時に開始する。イオン銃起動前処理時間Ｑ≧本ガス出し処理時間Ｙであるので、本ガス出し処理が完了した時点まで、または、本ガス出し処理が完了した後も、イオン銃後半処理（前処理工程）によるイオンビームの照射が行われるので、気化した蒸着原料４１、４２の不純物によってレンズ２０が汚れるのをイオンビームによって防止して、レンズ２０に形成される膜を安定させることができる。すなわち、イオンビームを照射する前処理工程を、少なくとも本ガス出し工程が完了する時点まで行うことで、レンズ２０が不要ガスによって汚れるのを防ぎ、レンズ２０に形成される膜を安定させて、眼鏡用のレンズ２０の反射防止膜などの薄膜の耐久性を向上させることができる。
【００９７】
なお、イオン銃起動前処理時間Ｑ＝本ガス出し処理時間Ｙの場合は、上記図７と同様のタイミングとなる。
【００９８】
図９（Ｂ）は、イオン銃起動前処理時間Ｑが本ガス出し処理時間Ｙ未満で、かつ、本ガス出し処理時間Ｙがイオン銃ガス導入処理時間Ｐとイオン銃起動前処理時間Ｑの和以下の場合である。
【００９９】
この場合も、上記図９（Ａ）と同様に、本ガス出し工程が完了する時点まで、イオン銃による前処理工程を行ってレンズ２０が不要ガスで汚れるのを防ぎ、形成される膜を安定させる。このため、時刻Ｔ４から気圧上昇確認工程を開始し、気圧上昇確認工程完了時点（時刻Ｔ５）に、本ガス出し工程を開始し、時刻Ｔ４から、処理時間Ｙから処理時間Ｑを差し引いた差分Ｗが経過した時点からイオン銃後半処理を開始すればよい。なお、この場合のステップＳ１３の気圧上昇確認工程は、ステップＳ３の処理が完了していることを確認して気圧上昇を確認しても良いし、ステップＳ４のガス出し工程が実行中であること確認してもよい。なお、上記図９（Ａ）と同様に、本ガス出し工程が完了する時点で、イオンビームを照射する前処理工程が継続していても良いため、イオン銃起動前処理を開始する差分Ｗは、処理時間Ｙと処理時間Ｑの差分よりも大きければよく、その場合はガス出し後半処理が完了した後、イオン銃後半処理が完了することになる。
【０１００】
図９（Ｃ）は、イオン銃ガス導入処理時間Ｐとイオン銃起動前処理時間Ｑの和が本ガス出し処理時間Ｙ未満の場合である。この場合の制御の一例を図１０のフローチャートに示す。
【０１０１】
この場合は、ガス出し後半処理の期間内にイオン銃前半処理とイオン銃後半処理を実施することができる。イオン銃後半処理を開始する時刻は、処理時間Ｙと処理時間Ｑの差分Ｗ以上の値を時刻Ｔ４に加えた値とする。これにより、本ガス出し工程が完了する時点で、イオン銃による前処理工程完了または継続するので、レンズ２０が不要ガスで汚れるのを防止して、レンズ２０に形成される膜を安定させることが可能となる。この場合のフローチャートを図１０に示す。この場合は、ステップＳ２１の気圧確認はステップＳ１の処理が完了していることを確認して気圧確認をしており、ステップＳ２３の気圧上昇確認は、ステップＳ３の処理が完了していることを確認して気圧上昇を確認しても良いし、ステップＳ４のガス出し工程が実行中であること確認してもよい。なお、イオン銃前半処理を時刻Ｔ０から初めても良い。
【０１０２】
図９（Ｄ）は、イオン銃ガス導入処理時間Ｐとイオン銃起動前処理時間Ｑの和が本ガス出し処理時間Ｙ未満で、かつ、イオン銃ガス導入処理時間Ｐが予備ガス出し処理時間Ｘよりも大きい場合である。
【０１０３】
予備ガス出し工程と本ガス出し工程は気圧上昇確認工程を挟んで連続して行う必要がある。すなわち、予備ガス出し工程で蒸着原料４１、４２を全体的に暖めてから、本ガス出し処理で電子銃３０、３１のスキャン範囲を狭めることでエネルギ密度を上げて加熱し、不要ガスを発生させるため、蒸着原料４１、４２の冷却を防ぐ必要がある。このため、予備ガス出し工程の開始をガス供給開始確認工程よりも遅らせて、予備ガス出し工程と本ガス出し工程が気圧上昇確認工程を挟んで連続するように設定する。このため、ガス供給開始確認工程の開始時刻Ｔ０から予備ガス出し工程の開始を遅延させる時間Ｗ１は、イオン銃ガス導入処理時間Ｐから予備ガス出し処理時間Ｘを差し引いた値以上とする。これにより、予備ガス出し工程の完了は、ガス供給開始確認工程の完了以降となり、予備ガス出し処理と本ガス出し処理を連続して実施できる。
【０１０４】
一方、イオン銃による前処理工程は、上述のように少なくとも本ガス出し工程の完了時点まで実施する。このため、ガス出し後半処理の開始時刻Ｔ４からイオン銃後半処理を遅延させる時間Ｗ２は、本ガス出し処理時間Ｙからイオン銃起動前処理時間Ｑを差し引いた値以上とする。これにより、イオン銃による前処理工程の完了は、本ガス出し工程の完了以降となり、レンズ２０が不要ガスで汚れるのを防止しして、レンズ２０に形成する膜を安定させることが可能となる。
【０１０５】
以上のように、異なる２つの処理（ガス出し処理６２１とイオン銃前処理６２２）を並列的に実行し、生産性を向上させながらも製品の品質も確保するには、制御装置１２はイオン銃起動前処理の完了時刻をガス出し処理の完了時刻と同時またはそれ以降に設定すると本ガス出し処理中の不要ガスによるレンズ２０の汚れをイオンビームの照射によって防止することができる。さらに、予備加熱と本加熱が連続するように設定しているので、これにより、生産性を向上させながらも眼鏡用のレンズ２０に形成する膜の耐久性を確保することが可能となる。
【０１０６】
さらに、図７、図８で示したように、前記ガス導入工程において、イオン化ガスの供給開始後に所定の流量で安定したことを確認した後に、蒸着原料を本加熱するようにスケジュールすることで、気圧の上昇の要因が予備ガス出し処理とイオン銃ガス導入処理の何れにあるかを容易に特定することが可能となる。
【０１０７】
なお、上記実施形態では、連続型真空蒸着装置１に本発明を適用した一例を示したが、一つの蒸着室を備える蒸着装置に適用することができる。
【０１０８】
また、上記実施形態では、レンズ２０の蒸着前処理として、イオン銃１４によりイオンビームを供給する例を示したが、プラズマ銃を用いるようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
以上のように、本発明によれば、基本的な成膜条件手法を変えることなくレンズの蒸着工程にサイクルタイムの短縮を実現できるので、生産性に優れた眼鏡用レンズの製造システムに、しかも直ちに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の一実施形態を示し、連続型真空蒸着装置の概略図。
【図２】第１蒸着室の概略図。
【図３】ハース部の概略図。
【図４】制御装置のソフトウェア構成を示すブロック図。
【図５】連続蒸着処理における制御の流れを示すフローチャート。
【図６】制御装置で行われる第１蒸着室処理に含まれる蒸着前処理の一例を示すフローチャートで、ガス出し処理とイオン銃前処理の関係を示す。
【図７】ガス出し処理とイオン銃前処理の処理のタイミングを示すタイムチャート。
【図８】蒸着前処理の期間の気圧と、イオン銃への供給電圧と、電子銃への供給電流と、時刻の関係を示すグラフ。
【図９】ガス出し処理とイオン銃前処理の処理のタイミングを示すタイムチャートで、（Ａ）は本ガス出し処理時間Ｙ≦イオン銃起動前処理時間Ｑの場合を示し、（Ｂ）はイオン銃起動前処理時間Ｑ＜本ガス出し処理時間Ｙ≦（イオン銃ガス導入処理時間Ｐ＋イオン銃起動前処理時間Ｑ）の場合を示し、（Ｃ）は（イオン銃ガス導入処理時間Ｐ＋イオン銃起動前処理時間Ｑ）＜本ガス出し処理時間Ｙの場合を示し、（Ｄ）は（イオン銃ガス導入処理時間Ｐ＋イオン銃起動前処理時間Ｑ）＜本ガス出し処理時間Ｙで、かつ、イオン銃ガス導入処理時間Ｐ＞予備ガス出し処理時間Ｘの場合を示す。
【図１０】図９（Ｃ）の例の場合の制御装置で行われる第１蒸着室処理に含まれる蒸着前処理の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１１】
１ 連続型真空蒸着装置
８ 真空装置
１２ 制御装置
１４ イオン銃
１５ ガス供給装置
２０ レンズ
３０、３１ 電子銃
４１、４２ 蒸着原料
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着室内に保持されたレンズの表面に蒸着原料を気化させて蒸着させることにより膜を生成するレンズ成膜方法であって、
前記蒸着室には、蒸着原料を加熱する加熱部と、
イオンビームを発生させてレンズに照射するイオン源部が設けられており、
前記蒸着を開始する前に、
前記蒸着原料を前記加熱部によって加熱して不要な成分を気化させて排出するガス出し工程と、
前記イオン源部にイオン化ガスを供給し、この供給されたイオン化ガスからイオンビームを発生させて前記レンズ表面に照射するイオンビーム前処理工程と、を行ない、
前記ガス出し工程と前記イオンビーム前処理工程を並列的に実行し、かつ、
前記イオンビーム前処理工程の完了する時点を、前記ガス出し工程の完了する時点以降に設定することを特徴とするレンズ成膜方法。
【請求項２】
前記ガス出し工程は、
前記蒸着原料を加熱して溶融させる予備加熱工程と、
この予備加熱工程により溶融した蒸着原料を予備加熱と異なる加熱条件で加熱して気化させる本加熱工程とからなり、
前記イオンビーム前処理工程は、
前記イオン源部へイオン化ガスの供給を開始し、所定の流量で供給を継続するガス導入工程と、
所定の流量で供給されるイオン化ガスからイオンビームを発生させてレンズ表面に照射するイオンビーム照射工程とからなり、
前記本加熱工程と前記イオンビーム照射工程は同時に行なわれる期間を有し、かつ、
前記イオンビーム照射工程の完了する時点を、前記本加熱工程の完了する時点以降に設定することを特徴とする請求項１に記載のレンズ成膜方法。
【請求項３】
前記本加熱工程は、
前記予備加熱と異なる加熱条件での加熱を開始するとともに蒸着室内の気圧上昇を確認する気圧上昇確認工程を有し、
この気圧上昇確認工程により気圧上昇を確認した時点を基に、本加熱処理の完了時点が定められることを特徴とする請求項２に記載のレンズ成膜方法。
【請求項４】
前記ガス導入工程は、
イオン化ガスの供給開始後に所定の流量で安定したことを確認する流量確認工程を有し、
この流量確認工程完了後に前記気圧上昇確認工程を開始し、
前記気圧上昇確認工程完了後に前記イオンビーム照射工程を開始することを特徴とする
請求項３に記載のレンズ成膜方法。
【請求項５】
前記ガス導入工程は、
前記気圧上昇確認工程完了後に開始することを特徴とする請求項３に記載のレンズ成膜方法。
【請求項６】
前記イオンビーム照射工程の処理時間が前記本ガス出し工程の処理時間以上の場合には、
前記流量確認工程完了後に、前記イオンビーム照射工程と前記本ガス出し工程を同時に開始することを特徴とする請求項４に記載のレンズ成膜方法。
【請求項７】
前記本ガス出し工程の処理時間が前記イオンビーム照射工程の処理時間よりも大で、かつ、前記ガス導入工程開始から前記流量確認工程完了までの処理時間と前記イオンビーム照射工程の処理時間の和が前記本ガス出し処理の処理時間以上の場合には、前記本ガス出し工程を開始した後に前記イオンビーム照射工程を開始することとを特徴とする請求項４に記載のレンズ成膜方法。
【請求項８】
前記ガス導入工程開始から前記流量確認工程完了までの処理時間が前記予備加熱工程の処理時間よりも大の場合には、前記ガス導入工程を開始した後に前記予備加熱工程を開始することを特徴とする請求項４に記載のレンズ成膜方法。
【請求項９】
前記ガス導入工程開始から前記流量確認工程完了までの処理時間と前記イオンビーム照射工程の処理時間の和が前記本ガス出し処理の処理時間未満の場合には、
前記気圧上昇確認工程完了後に前記ガス導入工程を開始することを特徴とする請求項５に記載のレンズ成膜方法。
【請求項１０】
蒸着室内に保持されたレンズの表面に蒸着原料を気化させて蒸着させることにより膜を生成する蒸着装置であって、
前記蒸着原料を加熱する加熱部と、
イオンビームを発生させてレンズに照射するイオン源部と、
前記イオン源部にイオン化ガスを供給するイオン化ガス供給部と
前記蒸着室内の気圧を測定する真空計部と、
前記真空計部から測定された気圧に関する情報を取得するとともに
前記加熱部、イオン源部、及び、イオン化ガス供給部の動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記蒸着前に、前記加熱部を制御して前記蒸着原料を加熱して不要な成分を気化させて排出させるガス出し処理と、
前記イオン化ガス供給部を制御して前記イオン源部にイオン化ガスを供給するとともに、前記イオン源部を制御してイオン化ガスからイオンビームを発生させて前記レンズ表面に照射するイオンビーム前処理と、を行ない、
前記制御部は、前記ガス出し処理と前記イオンビーム前処理を並列的に実行し、かつ、
前記イオンビーム前処理の完了する時点を、前記ガス出し工程の完了する時点以降に設定することを特徴とする蒸着装置。
【請求項１１】
前記ガス出し処理は、
前記蒸着原料を加熱して溶融させる予備加熱処理と、
この予備加熱処理により溶融した蒸着原料を予備加熱と異なる加熱条件で加熱して気化させる本加熱処理とからなり、
前記イオンビーム前処理は、
前記イオン化ガス供給部を制御して前記イオン源部へのイオン化ガスの供給を開始し、所定の流量で供給を継続するガス導入処理と、
前記イオン源部を制御して所定の流量で供給されるイオン化ガスからイオンビームを発生させてレンズ表面に照射するイオンビーム処理とからなり、
前記本加熱処理と前記イオンビーム照射処理は同時に行なわれる期間を有し、かつ、
前記イオンビーム照射処理の完了する時点を、前記本加熱処理の完了する時点以降に設定することを特徴とする請求項１０に記載の蒸着装置。
【請求項１２】
前記本加熱処理は、
前記加熱部を制御して前記予備加熱と異なる加熱条件での加熱を開始するとともに、真空計からの測定データを取得し、蒸着室内の気圧上昇を確認する気圧上昇確認処理を有し、
この気圧上昇確認処理により気圧上昇を確認した時点を基に、本加熱処理の完了時点を定めることを特徴とする請求項１１に記載の蒸着装置。
【請求項１３】
前記ガス導入処理は、
イオン化ガスの供給開始後に所定の流量で安定したことを確認する流量確認処理を有し、
この流量確認処理完了後に前記気圧上昇確認処理を開始し、
前記気圧上昇確認処理完了後に前記イオンビーム照射処理を開始することを特徴とする請求項１２に記載の蒸着装置。
【請求項１４】
前記ガス導入処理は、
前記気圧上昇確認処理完了後に開始することを特徴とする請求項１２に記載の蒸着装置。
【請求項１５】
請求項１から９のいずれかに記載のレンズ成膜方法を用いてレンズの表面に膜を形成する工程を有することを特徴とするレンズの製造方法。
【請求項１】
蒸着室内に保持されたレンズの表面に蒸着原料を気化させて蒸着させることにより膜を生成するレンズ成膜方法であって、
前記蒸着室には、蒸着原料を加熱する加熱部と、
イオンビームを発生させてレンズに照射するイオン源部が設けられており、
前記蒸着を開始する前に、
前記蒸着原料を前記加熱部によって加熱して不要な成分を気化させて排出するガス出し工程と、
前記イオン源部にイオン化ガスを供給し、この供給されたイオン化ガスからイオンビームを発生させて前記レンズ表面に照射するイオンビーム前処理工程と、を行ない、
前記ガス出し工程と前記イオンビーム前処理工程を並列的に実行し、かつ、
前記イオンビーム前処理工程の完了する時点を、前記ガス出し工程の完了する時点以降に設定することを特徴とするレンズ成膜方法。
【請求項２】
前記ガス出し工程は、
前記蒸着原料を加熱して溶融させる予備加熱工程と、
この予備加熱工程により溶融した蒸着原料を予備加熱と異なる加熱条件で加熱して気化させる本加熱工程とからなり、
前記イオンビーム前処理工程は、
前記イオン源部へイオン化ガスの供給を開始し、所定の流量で供給を継続するガス導入工程と、
所定の流量で供給されるイオン化ガスからイオンビームを発生させてレンズ表面に照射するイオンビーム照射工程とからなり、
前記本加熱工程と前記イオンビーム照射工程は同時に行なわれる期間を有し、かつ、
前記イオンビーム照射工程の完了する時点を、前記本加熱工程の完了する時点以降に設定することを特徴とする請求項１に記載のレンズ成膜方法。
【請求項３】
前記本加熱工程は、
前記予備加熱と異なる加熱条件での加熱を開始するとともに蒸着室内の気圧上昇を確認する気圧上昇確認工程を有し、
この気圧上昇確認工程により気圧上昇を確認した時点を基に、本加熱処理の完了時点が定められることを特徴とする請求項２に記載のレンズ成膜方法。
【請求項４】
前記ガス導入工程は、
イオン化ガスの供給開始後に所定の流量で安定したことを確認する流量確認工程を有し、
この流量確認工程完了後に前記気圧上昇確認工程を開始し、
前記気圧上昇確認工程完了後に前記イオンビーム照射工程を開始することを特徴とする
請求項３に記載のレンズ成膜方法。
【請求項５】
前記ガス導入工程は、
前記気圧上昇確認工程完了後に開始することを特徴とする請求項３に記載のレンズ成膜方法。
【請求項６】
前記イオンビーム照射工程の処理時間が前記本ガス出し工程の処理時間以上の場合には、
前記流量確認工程完了後に、前記イオンビーム照射工程と前記本ガス出し工程を同時に開始することを特徴とする請求項４に記載のレンズ成膜方法。
【請求項７】
前記本ガス出し工程の処理時間が前記イオンビーム照射工程の処理時間よりも大で、かつ、前記ガス導入工程開始から前記流量確認工程完了までの処理時間と前記イオンビーム照射工程の処理時間の和が前記本ガス出し処理の処理時間以上の場合には、前記本ガス出し工程を開始した後に前記イオンビーム照射工程を開始することとを特徴とする請求項４に記載のレンズ成膜方法。
【請求項８】
前記ガス導入工程開始から前記流量確認工程完了までの処理時間が前記予備加熱工程の処理時間よりも大の場合には、前記ガス導入工程を開始した後に前記予備加熱工程を開始することを特徴とする請求項４に記載のレンズ成膜方法。
【請求項９】
前記ガス導入工程開始から前記流量確認工程完了までの処理時間と前記イオンビーム照射工程の処理時間の和が前記本ガス出し処理の処理時間未満の場合には、
前記気圧上昇確認工程完了後に前記ガス導入工程を開始することを特徴とする請求項５に記載のレンズ成膜方法。
【請求項１０】
蒸着室内に保持されたレンズの表面に蒸着原料を気化させて蒸着させることにより膜を生成する蒸着装置であって、
前記蒸着原料を加熱する加熱部と、
イオンビームを発生させてレンズに照射するイオン源部と、
前記イオン源部にイオン化ガスを供給するイオン化ガス供給部と
前記蒸着室内の気圧を測定する真空計部と、
前記真空計部から測定された気圧に関する情報を取得するとともに
前記加熱部、イオン源部、及び、イオン化ガス供給部の動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記蒸着前に、前記加熱部を制御して前記蒸着原料を加熱して不要な成分を気化させて排出させるガス出し処理と、
前記イオン化ガス供給部を制御して前記イオン源部にイオン化ガスを供給するとともに、前記イオン源部を制御してイオン化ガスからイオンビームを発生させて前記レンズ表面に照射するイオンビーム前処理と、を行ない、
前記制御部は、前記ガス出し処理と前記イオンビーム前処理を並列的に実行し、かつ、
前記イオンビーム前処理の完了する時点を、前記ガス出し工程の完了する時点以降に設定することを特徴とする蒸着装置。
【請求項１１】
前記ガス出し処理は、
前記蒸着原料を加熱して溶融させる予備加熱処理と、
この予備加熱処理により溶融した蒸着原料を予備加熱と異なる加熱条件で加熱して気化させる本加熱処理とからなり、
前記イオンビーム前処理は、
前記イオン化ガス供給部を制御して前記イオン源部へのイオン化ガスの供給を開始し、所定の流量で供給を継続するガス導入処理と、
前記イオン源部を制御して所定の流量で供給されるイオン化ガスからイオンビームを発生させてレンズ表面に照射するイオンビーム処理とからなり、
前記本加熱処理と前記イオンビーム照射処理は同時に行なわれる期間を有し、かつ、
前記イオンビーム照射処理の完了する時点を、前記本加熱処理の完了する時点以降に設定することを特徴とする請求項１０に記載の蒸着装置。
【請求項１２】
前記本加熱処理は、
前記加熱部を制御して前記予備加熱と異なる加熱条件での加熱を開始するとともに、真空計からの測定データを取得し、蒸着室内の気圧上昇を確認する気圧上昇確認処理を有し、
この気圧上昇確認処理により気圧上昇を確認した時点を基に、本加熱処理の完了時点を定めることを特徴とする請求項１１に記載の蒸着装置。
【請求項１３】
前記ガス導入処理は、
イオン化ガスの供給開始後に所定の流量で安定したことを確認する流量確認処理を有し、
この流量確認処理完了後に前記気圧上昇確認処理を開始し、
前記気圧上昇確認処理完了後に前記イオンビーム照射処理を開始することを特徴とする請求項１２に記載の蒸着装置。
【請求項１４】
前記ガス導入処理は、
前記気圧上昇確認処理完了後に開始することを特徴とする請求項１２に記載の蒸着装置。
【請求項１５】
請求項１から９のいずれかに記載のレンズ成膜方法を用いてレンズの表面に膜を形成する工程を有することを特徴とするレンズの製造方法。
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１】
【公開番号】特開２００９−２４２８９２（Ｐ２００９−２４２８９２Ａ）
【公開日】平成２１年１０月２２日（２００９．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−９２４２９（Ｐ２００８−９２４２９）
【出願日】平成２０年３月３１日（２００８．３．３１）
【出願人】（０００１１３２６３）ＨＯＹＡ株式会社 (3,820)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月２２日（２００９．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月３１日（２００８．３．３１）
【出願人】（０００１１３２６３）ＨＯＹＡ株式会社 (3,820)
【Ｆターム（参考）】
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