【課題】基板をマスクに押圧する際、基板とマスクの面方向の位置ずれが少なく、寸法精度の良好な画像パターンを形成することのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、真空チャンバー５内に配備された、基板１とマスク２との位置合わせを行う位置合わせ機構（不図示）と、押圧体３の一端に配備された低摩擦部材３ｂによって基板１をマスク２に押圧する押圧機構を備えている。位置合わせ機構によりとマスク２の位置合わせを行った後に、押圧機構によりマスク２の反対側から基板１に押圧体３の低摩擦部材３ｂを接触させて押圧する。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュの低減化を図り、製品歩留まりを向上させることができ、かつ、電子ビーム溶解に要する時間の短縮も可能にした蒸着材料を用いた光学薄膜並びに光学部品を提供する。
【解決手段】蒸着材料を溶解蒸発せしめ蒸発した蒸着材成分を基板表面に蒸着させて蒸着膜として形成された光学薄膜において、上記蒸着材料は、形状が球体または楕円体である多数の蒸着材粒子からなり、この蒸着材粒子の赤道部に、外方向に突出する突起部が形成されており、上記蒸着材粒子を平面に投影したときに形成される投影像に外接する正円の面積をＡとし、上記投影像に内接する正円の面積をＢとした場合に、Ａ／Ｂで表される形状係数が１以上５以下である蒸着材粒子の割合が９０質量％以上であり、上記蒸着材粒子の粒径が０．５ｍｍ〜３０ｍｍの範囲にある一方、上記基板１枚当りの蒸着膜中に混入した直径５μｍ以上のスプラッシュ個数が、基板１枚あたり平均３．８個以下であることを特徴とする光学薄膜である。 （もっと読む）

【課題】 成膜方法及び成膜装置に関し、ＦＣＡ法により成膜する際に、成膜レートを維持しつつ、被成膜基板上に付着するマクロパーティクル数を低減する。
【解決手段】 成膜原料のプラズマを発生するプラズマ発生部と、成膜原料を用いて被膜が形成される被成膜基板を内部に保持する成膜室と、プラズマを、プラズマ発生部から成膜室へ誘導する誘導管と、誘導管の内側に配置され、プラズマが通過可能な開口を有するパーティクル阻止部材とを有する成膜装置を用いて、プラズマ発生部においてプラズマを発生させるとともに、プラズマ発生部とパーティクル阻止部材との間に設置された電極に電圧を印加して、プラズマを開口に集め、開口を通過したプラズマにより被成膜基板上に被膜を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】 基本的にはＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 抵抗率が０．８〜１０×１０^-3Ωｃｍ程度の高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有し、且つ絶縁性酸化物を含有する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ含有量を減らすことができ、しかも、導電性などの膜特性がＩＴＯ膜に匹敵するレベルにまで改良された透明導電膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分とする焼結体であって、ＳｎモルとＺｎモルの和に対するＳｎモルの比（Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ））が０．７以上０．９以下の範囲である焼結体をターゲットとして用い、物理的成膜法により支持体上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の製造方法。Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分とする透明導電膜であって、ＳｎモルとＺｎモルの和に対するＳｎモルの比（Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ））が０．８以上０．９以下の範囲であり、しかも非晶質膜であることを特徴とする透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】陽極電極層からのホ−ル注入時のエネルギ−障壁を低減する新しい構成のホ−ル注入層を陽極電極層に接する層に設け、低電圧駆動化と素子の駆動安定性を付与することを実現する。
【解決手段】陽極電極層と、陽極電極層と対向して配置された陰極電極層と、陽極電極層と陰極電極層との間に位置する、陽極電極層に接するホ−ル注入層及び少なくとも一層の発光層と、を有し、陽極電極層と陰極電極層の少なくとも一方は透明であり、ホ−ル注入層は、ダメージ低減層として機能し、金属酸化物と有機化合物との混合膜を含み、混合膜は共蒸着によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、内部応力が小さい酸化亜鉛薄膜を提供することを課題とする。
【解決手段】透明基材上に蒸着プロセスを経て形成される酸化亜鉛薄膜であり、該薄膜はＣｕＫα線を用いたＸ線回折法により酸化亜鉛の（００２）面からの回折線が得られ、最大ピーク強度Ｉｆ（ｃｐｓ：酸化亜鉛）を膜厚（ｎｍ）と透明基材が示すハローの最大ピーク強度Ｉｓ（ｃｐｓ：透明基材）とで除した数が０．１５以下とすることとし、さらに該薄膜の波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．９８以下とすること。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により防湿膜を蒸着する際、蛍光体層13に塵埃等が付着しにくいシンチレータパネル11の製造方法を提供する。
【解決手段】シンチレータパネル11の蛍光体層13を下向きとして、基板12の周辺部を支持台21の複数の支持針24により支持する。この支持状態で、ＣＶＤ法により基板12および蛍光体層13の表面全体を覆う防湿膜を蒸着する。防湿膜の蒸着後に、支持台21の支持針24上からシンチレータパネル11を外す。 （もっと読む）

【課題】加圧エアーにより弁体を開閉するエアー駆動装置に加圧エアー及び電気を供給する小型化された連結部品を提供する。
【解決手段】エアー駆動装置３００に使用する連結部品６００は、内部で分岐することにより一の入口に対して複数の出口を持つ空間が形成された中間継手６０５と、中間継手６０５の入口ｉｎに取り付けられ、エアー駆動装置３００と連通する第１の継手６１０と、中間継手６０５の複数の出口ｏｕｔのうち、第１の出口ｏｕｔ１に取り付けられ、中間継手６０５及び第１の継手６１０を経由して加圧エアーをエアー駆動装置３００に供給するエアー供給経路Ｐａを形成する第２の継手６１５と、中間継手６０５の第２の出口ｏｕｔ２に取り付けられ、エアー供給経路Ｐａの少なくとも一部を利用して配線されたヒーター線Ｌをエアー供給経路Ｐａの気密を保ちながら貫通させる第３の継手６２０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】時間の経過に伴なってターゲット部材の一定のスパッタ速度を提供し、かつ変動しないプロセス条件を作ることのできるプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上部電極２、下部電極３、ガス導入口、真空排気口を有する反応容器１と、ターゲット２ａと、複数のマグネット４と、マグネット支持金属シート９と、金属シートを上部電極の中心軸に沿う方向に移動させる移動機構（１３，１４，２２）と、ｒｆ電源（１５）と、移動機構の移動条件を決める電気回路（２５）とを備える。電気回路は、上部電極の自己バイアス電圧をモニタし、複数のマグネットを、スパッタプロセスによる時間の経過に伴ってエロージョンを受けるターゲット部材の表面上で一定磁界を維持するようターゲット平面に垂直に移動させる。 （もっと読む）

【課題】品質に優れ、平坦で厚い化合物半導体を成長させるための方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥを利用し、ナノ構造層を使用して高品質の平坦かつ厚い化合物半導体（１５）を異種基板（１０）上に成長させる。半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。化合物半導体の厚膜（１５）又はウェハは、ＨＶＰＥを使用したエピタキシャル横方向成長によってナノ構造（１２）上に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、ＤｙおよびＥｒから選ばれる少なくとも１種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、かつ第２の元素としてＣを第１の元素に対して1.8原子ppm〜1630原子ppmの範囲で含み、残部がＡｌからなるスパッタターゲットを作製するにあたって、第１の元素を配合したＡｌを溶解した後、急冷凝固法により第１の元素とＡｌの金属間化合物が均一分散されたインゴットを作製する。このインゴットに熱間加工または冷間加工および機械加工を行ってスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高いシリコン層を形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、シリコンの結晶粒を含むシリコン層を備える基板の製造方法である。この製造方法は、Ｙ₂Ｏ₃の含有率が６モル％以上であるイットリア安定化ジルコニア層１２を基材１１上に形成する第１の工程と、イットリア安定化ジルコニア層１２上に気相堆積法によってシリコン薄膜１６を形成する第２の工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ゲートバルブを介して接続されたチャンバの間をキャリアが通過する際のキャリアに加わる衝撃を緩和することを可能としたインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】ゲートバルブ７０ａを介して接続された複数のチャンバ７０ｂ，７０ｃと、複数のチャンバ７０ｂ，７０ｃ内で成膜対象となる基板８０を保持するキャリア２５と、キャリア２５を複数のチャンバ７０ｂ，７０ｃの間で順次搬送させる搬送機構とを備え、各チャンバ７０ｂ，７０ｃ内には、水平軸回りに回転自在に支持された複数のベアリング７５がキャリア２５の搬送方向に並んで設けられ、これら複数のベアリング７５の上をキャリア２５が移動可能とされており、なお且つ、ゲートバルブ７０ａを介して接続されたチャンバ７０ｂ，７０ｃのそれぞれ入側と出側に位置するベアリング７５ａ，７５ｂは、緩衝機構を有する支軸に回転自在に取り付けられている。 （もっと読む）

本発明は、薄膜被覆技術に有用な新しいプラズマ源を提供し、更にプラズマ源の使用方法を提供する。より具体的には、本発明は、プラズマ強化化学蒸着に有用な線状及び二次元のプラズマをそれぞれ生成する、新しい線状及び二次元のプラズマ源を提供する。また、本発明は、薄膜被覆を形成する方法及びそのような方法による被覆効率を向上させる方法を提供する。
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プラズマ促進物理蒸着反応器において、ワークピース全体にわたる堆積速度の半径方向分布の均一性を、ＲＦおよびＤＣ電力の両方をターゲットに印加し、ＲＦおよびＤＣ電力の電力レベルを別個に調整することによって向上させる。さらなる最適化は、ターゲットの上の磁石の高さを調整すること、ターゲットの上の磁石の軌道運動の半径を調整すること、および角度をつけたターゲットのエッジ面を設けることによって得られる。
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【課題】酸化物半導体を形成する際に、ノジュールやアーキング等を発生しない酸化物焼結体を製造する方法、及びスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】少なくともインジウム化合物及び亜鉛化合物を含む原料を混合する工程（Ａ）と、
工程（Ａ）で得られる混合物を成形する工程（Ｂ）と、
工程（Ｂ）で得られる成形体を、８００℃以上１２００℃未満の温度帯域まで加熱した後、１時間以上保持する工程（Ｃ）と、
工程（Ｃ）後の成形体を１２００℃以上で焼結させる工程（Ｄ）を含む、酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高温高湿下で蛍光体柱状結晶が外部保護膜に刺さりにくく、当該蛍光体柱状結晶から外部保護膜への光の拡散が抑制されることで、Ｘ線診断画像において高い鮮鋭性を確保できる放射線画像変換パネルを提供する。更に、当該放射線画像変換パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体柱状結晶とそれを被覆する外部保護膜を具備した放射線画像変換パネルにおいて、当該蛍光体柱状結晶の先端部の形状が、外部保護膜に対して、（ａ）凸な曲面、（ｂ）平面、又は（ｃ）９０度以上の角度（鈍角）となっていることを特徴とする放射線画像変換パネル。 （もっと読む）

【課題】例えば銅などの高融点材料を含む原料粉体を加熱して得られる気体を用いてウェハにこの銅膜を成膜するにあたって、原料粉体中の化合物中に含まれる有機物などの不純物が銅膜に取り込まれることを抑えると共に、簡便に固体状の原料粉体から気体が得られるようにして原料粉体のコストを抑えること。
【解決手段】固体状の原料粉体を貯留する原料貯留部から粉体導入路を介してキャリアガスと共にこの原料粉体を処理容器へと供給し、この粉体導入路に介設された粉体気化部において原料粉体をプラズマ化して気体状の原料を得る。 （もっと読む）

【課題】インライン式スパッタ装置で発生するパーティクルを抑制する。
【解決手段】基板１１を移動させながら成膜するスパッタ装置１０において、雰囲気制御が可能な成膜室１４と、該成膜室１４内に配置した前記基板１１にスパッタ法により所定材料の膜を形成するためのスパッタ源１８と、前記基板１１を支持、搬送する支持体（基板ホルダ１２、支持体軸１５）と、成膜室１４外から成膜室１４内の前記支持体に磁力を介して運動伝達する磁気運動伝達機構を備える。成膜室の外側から支持体を移動させることができ、前記支持体の移動に伴うパーティクルの発生を抑え、基板が汚染されるのを防止する。さらに支持体軸を磁力を介して直線運動させるものとすれば、ローラや歯車などの回転体を用いず、支持体により基板を移動でき、搬送時のパーティクルを極力少なくする。 （もっと読む）