【課題】 例えば大曲率、大口径の部材に対しても均一の膜厚の膜を形成しうる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】 本発明の真空蒸着装置であって、部材１０を支持するとともに、前記部材１０をその中心を通る第１軸１４の回りに自転させ、かつ前記第1軸１４とは異なる第２軸１５の回りに公転させる機構２０と、前記第２軸１５から距離をおいて配置され、膜を形成するための蒸着粒子を発生する蒸発源１２と、前記機構２０により自転及び公転される部材１０と前記蒸発源１２との間に配置され、当該自転及び公転されている部材１０に対する蒸着粒子の付着を遮蔽するｎ個（ただし、ｎは２以上の整数）の遮蔽板１７と、を備え、前記ｎ個の遮蔽板１７のそれぞれが前記自転及び公転されている部材１０に対する蒸着粒子の付着を遮蔽する量をＡｉ（ただし、ｉ＝１〜ｎ）とするとき、Ａｉのそれぞれが式Ａｉ＝（Ａ１＋Ａ２＋・・・＋Ａｎ）×（１／ｎ±１／５ｎ）を満たす。 （もっと読む）

【課題】遮蔽体を利用して容易に膜厚分布の制御が可能なマグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタ装置は、基板保持部１１と、基板保持部１１に対向して設けられる板状のターゲット１２の被スパッタ面１２ａの反対面に対向しつつ回転可能に設けられ、その回転中心Ｃ１に対して偏心した位置に中心Ｃ２を有する電子の周回軌道２０を被スパッタ面１２ａの近傍に生じさせるマグネット１３と、ターゲット１２と基板１０との間に設けられ、基板１０側からターゲット１２を見た平面視で電子の周回軌道２０の一部を遮蔽しつつ電子の周回軌道２０との相対位置は変えずに、マグネット１３と同期して回転する遮蔽体１４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜する膜の組成及び基板サイズによらず、面内方向の組成等の膜特性を高度に均一化することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いた気相成長法により基板Ｂ上にターゲットＴの構成元素を含む膜を成膜するに際して、少なくとも基板Ｂの外周から基板Ｂの側方に１０ｍｍ離れた位置までの電位を基板Ｂと同電位に調整する、及び／又は基板Ｂを基板Ｂと同電位に調整された壁面１０Ｓで囲む。 （もっと読む）

【課題】精度よくアライメントできるアライメント装置及びアライメント方法並びにそれらを用いて高精度に蒸着できる有機ＥＬデバイス製造装置及び成膜装置を提供することである。
または、アライメントに必要な駆動部等を大気側に配置することで真空内の粉塵や発熱を低減した生産性の高い、あるいは、保守性を高めて稼働率の高い有機ＥＬデバイス製造装置及び成膜装置を提供することである。
【解決手段】シャドウマスクはアライメント用の貫通孔を有し、アライメント部は、前記貫通孔の一端側から光を入射する光源と前記他端を撮像する撮像手段とを有するアライメント光学系と、前記撮像手段の出力に基づいてアライメントを行なう制御部とを有することを特徴とする。さらに、上記特徴に加え、前記貫通孔は前記シャドウマスクの前後に貫通した孔であり、前記アライメント光学系は前記少なくとも前記基板への処理時に前記貫通孔への処理材の付着を遮蔽する遮蔽手段を有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、装置チャージ−ディスチャージロック内の圧力を大気圧から大気圧より低い移送圧力に下げるための方法に関し、前記ロックは、少なくとも１つの基板が大気圧で配置されるチャンバを備え、前記方法は、ポンピングレートが限定されている一次ポンプを使用して、前記チャンバのターボ分子ポンピングを隔離しながら大気圧から第１の特性閾値への第１の一次ポンピングが実行される第１のステップ１０１と、ターボ分子ポンピングの隔離を維持しながら前記第１のステップの場合より速く第２の特性閾値への第２の一次ポンピングが実行される、前記第１のステップ１０１に続く第２のステップ１０２と、第１のポンピングから上流で前記ターボ分子ポンピングを使用して第２のポンピングが実行され、一次ポンプチャンバが隔離される、前記第２のステップ１０２に続く第３のステップ１０３とを備える。本発明はまた、本方法を実装するための装置に関する。
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【課題】良好な特性の多結晶シリコン膜を短時間に形成できる多結晶シリコン膜の形成方法、形成装置及びそれにより形成された多結晶シリコン膜が形成された基板を提供する。
【解決手段】シリコン蒸発源１５の加熱によりシリコン微粒子を生成し、次に、シリコン微粒子を移送し、超音速フリージェットＪの気流に乗せて真空チャンバー３０中に噴出して、真空チャンバー３０中に配置された基板３３上に物理蒸着させ、シリコン微粒子からなる多結晶シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】透明導電性酸化物からなる電極は半導体装置の作成工程中に加わる加熱処理により結晶化し易い。結晶化により表面凹凸が大きくなった電極を用いた薄膜素子は、短絡が起こり易く、素子の信頼性が低下してしまう。加熱処理しても結晶化が進まない透光性を有する導電性酸窒化物およびその作成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】水素原子を不純物添加したインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸窒化物が３５０℃で加熱しても結晶化しない透光性を有する導電膜であることを見いだし、課題の解決に至った。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着法を採用し、安定した膜厚分布が得られるインライン蒸着装置、有機ＥＬ装置の製造装置、有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例のインライン蒸着装置としての有機蒸着部は、減圧可能なチャンバーとしての有機蒸着室１２５と、有機蒸着室１２５内において基板Ｗを所定の搬送方向に搬送する基板搬送経路１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃと、基板Ｗの搬送方向に複数の蒸着室１２５ｅとを有し、それぞれの蒸着室１２５ｅにおいて、基板搬送経路１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃの数を３本とするとき、３＋１個の蒸着源１１０を搬送方向に直交する方向において、基板搬送経路１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃの直下を避けた位置に等間隔に設けた。 （もっと読む）

物理的蒸着装置は、側壁を有する真空チャンバと、陰極と、無線周波数電源と、基板支持体と、陽極と、シールドと、を含む。陰極は、真空チャンバ内にあり、ターゲットを含むように構成される。無線周波数電源は、陰極に電力を印加するように構成される。基板支持体は、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁から電気的に絶縁される。陽極は、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁と電気的に接続される。シールドは、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁と電気的に接続され、環状体と環状体から延びる複数の同心環状突起とを含む。
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【課題】ペロブスカイト型の酸素イオン伝導体から構成されて酸素イオン伝導性がより一層向上し得るセラミック膜材を提供すること。
【解決手段】本発明により提供される酸素イオン伝導性セラミック膜材の製造方法は、所定の結晶面に配向した基板を用意する工程と、一般式：Ａ_１−ｘＡｅ_ｘＢＯ_３−δ（ただし、Ａは、Ｌｎ（ランタノイド）から選択される少なくとも１種の元素であり、Ａｅは、Ｓｒ、ＢａおよびＣａからなる群から選択される１種または２種以上の元素であり、Ｂは、ペロブスカイト型構造を構成し得る１種または２種以上の金属元素であり、０≦ｘ≦１であり、δは電荷中性条件を満たすように定まる値である。）で表わされるペロブスカイト型のセラミック膜を構成するための原料を用意する工程と、蒸着法により上記基板の結晶面上にセラミック膜を結晶配向させた状態で形成する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】ニオブ酸リチウムカリウムナトリウムなどの薄膜圧電体表面の平坦性の向上が図れる薄膜圧電体付き基板、薄膜圧電体素子、薄膜圧電体デバイスおよび薄膜圧電体付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の表面に形成される酸化膜と、酸化膜上に形成される下部電極層２と、下部電極層２上に形成されるペロブスカイト型の圧電体層３とを有する薄膜圧電体付き基板であって、圧電体層３は、（Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ）ＮｂＯ_３（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦０.２，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）であり、下部電極層２は、所定方向に配
向して形成され、圧電体層３を下部電極層２に対し所定方向に配向させている。 （もっと読む）

【課題】 工程を煩雑なものとすることなく、かつ産業廃棄物として取扱いが煩雑なものとなる酸洗用の薬液等を使用することなく、本来は難めっき性の材質でありかつ難はんだ付け性の材質であるＡｌやＡｌ合金からなる基材の表面に良好なはんだ濡れ性を付与してなる、表面処理済アルミニウム板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金からなる金属基材１の表面上に、その金属基材１の表面側から順に、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）のいずれかを主成分とするバリア層２と、パラジウム（Ｐｄ）を主成分とするはんだ添加層３とを形成する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも低コンタクト抵抗を十分かつ確実に示す表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．０５〜１．０原子％、Ｎｉ、Ａｇ、ＣｏおよびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種を０．０３〜２．０原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を０．０５〜０．５原子％含有し、かつ、前記Ａｌ合金膜中に、長径２０ｎｍ以上のＧｅ含有析出物が１００μｍ²当たり５０個以上存在することを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子の電極に薄膜を形成する薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】無機膜形成装置は、処理チャンバ、処理チャンバ内において複数の水晶振動子９の第１電極９１および第２電極９２に処理蒸気を付与する処理蒸気付与部、および、処理チャンバの底部に設けられて複数の水晶振動子９の下方から処理チャンバ内のガスを排気する排気部を備える。無機膜形成装置では、水晶振動子９の第１電極９１および第２電極９２の斜め上方にそれぞれ位置する処理蒸気付与部の噴出口１４３４ｂ，１４３４ａから、第１電極９１および第２電極９２に向けて処理蒸気が噴出される。これにより、第１電極９１および第２電極９２の表面に薄膜を形成する際に、第１電極９１および第２電極９２以外の部位に処理蒸気が付与されることを抑制することができ、両電極以外の部位に処理材料が付着することを抑制することができる。 （もっと読む）

【解決手段】物理的蒸着装置は、側壁を有する真空チャンバ、カソード、高周波電源、基板支持体、シールド及びアノードを含む。カソードは真空チャンバ内にあり、スパッタリングターゲットを含むように構成される。高周波電源はカソードに電力を印加するように構成される。基板支持体は真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁から電気的に絶縁される。シールドは真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁に電気的に接続される。アノードは真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁に電気的に接続される。アノードは環状体と当該環状体から内向きに突出する環状フランジとを含み、プラズマ生成用のターゲットの下の体積を画定するように環状フランジは配置される。 （もっと読む）

【課題】
Ｎｉ−Ｍｏ系合金ターゲット板を用いたスパッタリングにおいて、スパッタリング時間の増加に伴うＮｉ−Ｍｏを含んだパーティクルの発生を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】
Ｎｉ−Ｍｏ系合金のスパッタリングターゲット板であって、前記スパッタリングターゲット板の板面の表面から厚さ方向に１０μｍの位置におけるＮｉ濃度及びＭｏ濃度をそれぞれ質量％でＮｉ（１０）及びＭｏ（１０）とし、表面から厚さ方向に１００μｍの位置におけるＮｉ濃度、Ｍｏ濃度を質量％でＮｉ（１００）及びＭｏ（１００）として、次式の関係を満たすことを特徴とするＮｉ−Ｍｏ系合金スパッタリングターゲット板。
−２．０≦ΔＮｉ≦０．２、 −０．２≦ΔＭｏ≦２．０
且つ、
−０．２≦ΔＮｉ＋ΔＭｏ≦０．２
ここで、ΔＮｉ＝Ｎｉ（１０）−Ｎｉ（１００）、ΔＭｏ＝Ｍｏ（１０）−Ｍｏ（１００）
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【課題】マイクロ波周波数帯用途に適した低損失のバラクタ・シャント・スイッチを提供する。
【解決手段】ゼロ・バイアスおよび２０ＧＨｚにおいて０．０２５未満の非常に低い損失タンジェント、および４．３：１という高い誘電同調性のナノ組織Ｂａ_ｘＳｒ_{（１−ｘ）}ＴｉＯ_３（ＢＳＴ）薄膜を、サファイア基板１００上に得ることができる。ゼロ・バイアスにおけるバラクタの大きなキャパシタンスが、入力信号を接地に分路させて、出力への伝送はＯＦＦ状態となる。約１０Ｖのバイアス電圧を印加すると、キャパシタンスを極小値に低下して、出力への最大伝送が可能となり、ＯＮ状態となる。バラクタ・シャント・スイッチ１０のマイクロ波スイッチング性能は、マイクロ波およびミリメートル波周波数において、ＲＦ ＭＥＭＳと比肩することができ、その他の応用分野には、チューナブル・フィルタ、移相回路、およびインピーダンス整合回路が含まれる。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】ＺｎＯ原料粉末１２と希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末１３との原料混合粉末１４を用い、ドクターブレード法により得られたグリーンシートから、グリーン単層体１９或いはグリーン積層体２０又は２９を作製し、これを焼成後に粉砕して混成粉末２５又は３１を作製する。この混成粉末を用いて造粒粉末を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材３４を作製する。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク等の基板を搬送し、基板処理を施して大量に生産する基板処理システムのスループット及び生産性の向上のため、各処理チャンバにおける処理時間（タクトタイム）を短縮する。
【解決手段】基板搬送装置は、ゲートバルブを介して連結されたチャンバと、前記ゲートバルブを開状態にして前記チャンバ間でキャリアを搬送路に沿って搬送する搬送機構と、前記キャリアが前記チャンバの停止位置に到達する前に前記キャリアを検知するセンサと、前記センサからの検知信号に基づき前記ゲートバルブの閉動作を開始するよう制御する制御器とを有する。 （もっと読む）

【課題】装置全体の小型化を図れ、また効率的な処理を行えるマルチチャンバ式のスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明のスパッタ成膜装置は、基板保持具に対して基板Ｗの脱着が行われる脱着機構１６と、基板Ｗに対して前処理が行われる前処理室３４と、基板Ｗに対してスパッタ成膜処理が行われる複数の成膜室３５ａ〜３５ｄとを備え、それぞれの成膜室３５ａ〜３５ｄ内には基板Ｗを静電吸着した状態で回転可能な静電チャックテーブル６２が設けられ、一つの成膜室につき複数のスパッタ源５１が設けられ、それぞれのスパッタ源５１には静電吸着面６２ａに対して傾斜した状態で対向するターゲット５０が装着され、それぞれの成膜室３５ａ〜３５ｄ内には複数のスパッタ源５１のうちの少なくとも１つを成膜室内の放電空間に対して遮蔽可能なシャッター６５が設けられている。 （もっと読む）