【課題】 マスククランプの移動量を複数に分割するマスククランプの移動機構およびこの機構を備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】 マスククランプ２０の移動機構は、有機ＥＬ素子を製造するための成膜装置におけるマスククランプ２０の移動機構であって、有機材料１２の蒸発源１４に対向して配設され、基板とマスク３４とが重ね合わされるチャック１６と、先端部２０ａを鉤型に形成してなるとともに、チャック１６に重ね合わされたマスク３４を前記先端部２０ａで保持するマスククランプ２０と、前記基板クランプ１８を移動させる伸縮手段２２とを備え、前記伸縮手段２２は、第１伸縮手段２４を装置本体１１に配設するとともに、伸縮動作をなす第１ロッドを板部材２３に接続し、第２伸縮手段２６を前記板部材２３に配設するとともに、伸縮動作をなす第２ロッドを前記基板クランプ１８の基端部に接続または接触させてなる構成である。 （もっと読む）

【課題】 自重による撓みを容易に防止することができるマスク、マスクの製造方法、またこれらのマスクを用いた成膜装置等を提案することを目的とする。
【解決手段】 被成膜基板に対して第一パターンを有する薄膜を形成するためのマスクＭであって、第一パターンに対応する開口部２２を有する非磁性体基板Ｓと、非磁性体基板Ｓ上に第二パターンを有して配置された磁性体膜２８と、を備える。
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【課題】 電子ビーム蒸着による金属薄膜の形成において、２次電子等の被成膜面への到達を防止すると共に、陽イオンの被成膜面への到達を防止して、金属薄膜が帯電状態になることを回避する。
【解決手段】 基板１の被成膜面１ａに電子ビーム蒸着によってＡｌ等の金属薄膜を形成する成膜装置であって、成膜源２内に収容された金属材料３に電子ビーム発生器（電子銃）より電子ビームＥ_Ｂを照射させる電子ビーム照射手段４を備えると共に、成膜源２への電子ビーム照射によって発生する電子Ｅｓ及び陽イオンＰｏの進行軌道を被成膜面１ａへ到達しないように変更する電荷軌道変更手段５を備えている。 （もっと読む）

【課題】 マスクを基板に近づけても、マスクと基板との位置関係を維持するマスク保持機構および成膜装置を提供する。
【解決手段】 マスク保持機構は、成膜装置のチャック１４に装着保持されている基板に被せられるマスク２４のマスク保持機構であって、前記マスク２４は、磁性体で形成されてなり、前記チャック１４の前記基板を保持するチャック面と反対側に、磁石１６を点状に配設した構成である。そして前記磁石１６は、格子を形成する格子点に配設された構成にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 ２次電子等の被成膜面への到達を防止する磁場を設けた電子ビーム蒸着による金属薄膜の形成において、形成された金属薄膜の帯電状態を適正な状態にする。
【解決手段】 基板１の被成膜面１ａに電子ビーム蒸着によって金属薄膜を形成する成膜装置であって、成膜源２内に収容された金属材料３に電子ビーム発生器４より電子ビームＥ_Ｂを照射させてこれを溶解し、発生した金属蒸気が基板１の被成膜面１ａに蒸着して金属薄膜が形成される。成膜源２へ電子ビーム５を照射することによって成膜源２から被成膜面１ａに向かう負電荷Ｅ_Ｓを防止するように、被成膜面１ａと成膜源２との間に被成膜面１ａと平行な磁場Ｍを形成する磁場形成手段５（磁石５Ａ，５Ｂ）を備え、被成膜面１ａ周辺の正電荷をモニタする電荷モニタ手段６と、電荷モニタ手段６のモニタ結果に基づいて被成膜面に形成される金属薄膜の電荷状態を調整する電荷調整手段（負電荷発生手段７又は磁場調整手段８）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明では、レーザ洗浄処理機能を薄膜形成装置に一体化することでシリコン基板の再汚染を防止できコンパクトな構造を備えた薄膜形成装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】真空チャンバ２内の上部にシリコン基板６を担持した支持テーブル３を配置し、下部にはスパッタリング装置７を配置する。真空チャンバ２の側壁部には、斜め下向きにレーザ導入筒部１４が設けられており、レーザ照射部１６から発振されるレーザ光はレーザ導入筒部１４を通って洗浄領域に配置されたシリコン基板６の下面に照射され、洗浄処理が行われる。洗浄処理されたシリコン基板６は、支持テーブル３を駆動装置５により回転させて薄膜形成領域に配置され、スパッタリング装置７による薄膜形成が行われる。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で、異常放電などを引き起こすことなく、１枚のガラス基板から複数枚のパネルを安定に調製することを可能にする、基板へのスパッタ薄膜の形成方法および当該方法を実施するための搬送キャリアを提供すること。
【解決手段】 搬送キャリアを、四角形状の枠体と、枠体の対向する枠辺と枠辺の間に、枠体との間で絶縁した状態で、その両端を枠体の各枠辺と弾性部材を介して連結することでテンションを付加して架設した薄体状部材とから構成し、複数本の薄体状部材に、基板が搬送キャリアに載置されている状態を形成するための保持部材としての機能、および／または、基板における２つ以上のスパッタ薄膜形成領域を画定するためのマスク部材としての機能を担わせる。 （もっと読む）

【課題】 ワーク搬送手段との間でワークを搬入出する際に発生する大気開放時間を、適正に制御可能な真空処理システムを提供する。
【解決手段】 真空処理システム１００は、内部を減圧可能な真空槽１０と、前記真空槽１０の内部に空気を導入するための開閉手段１３と、前記真空槽１０との間でワーク１６を搬入出するワーク搬送手段２０、３０と、を備え、減圧状態にある前記真空槽１０の内部と前記ワーク搬送手段２０、３０との間で、前記ワーク１６を前記真空槽１０に搬入または前記真空槽１０から搬出する際に、前記ワーク搬送手段２０、３０と前記真空槽１０との間の前記ワーク１６の搬送状況に基づいて、前記開閉手段１３を開いて前記真空槽内部に空気が導かれるシステムである。 （もっと読む）

【課題】蒸着時における加熱温度及び蒸発速度の制御を正確且つ応答性良く行うことが可能な有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明の有機材料用蒸発源３は、所定の有機材料を収容する収容凹部３３ａを有する蒸発用容器３３と、有機材料を加熱するための高周波誘導用のコイル５０からなる加熱部とを備えている。蒸発用容器３３の収容凹部３３ａは、開口側に向って開口形状が漸次大きくなるように略断面円錐形状に形成されている。蒸発用容器３３の収容凹部３３ａの表面には、当該蒸発材料１０の含浸を防止するための含浸防止部が設けられている。含浸防止部は、例えば薄膜のコーティングにより形成する。 （もっと読む）

【課題】 少ない装置かつ簡単な製造工程で電子素子の表面に種子層を形成することのできる電子素子めっき種子層の製造方法を提供する。
【解決手段】 ガイド板で一つ以上の電子素子を挟持板の挟持孔に導入する。各挟持孔は、電子素子の両端を挟持板から露出させるように電子素子をしっかりと挟持する弾性部材を有する。最後に、半導体製造工程（例えば、スパッタリング法や、蒸着法等）を以ってめっき用種子層として電子素子の両端の表面に金属フィルムを形成する。 （もっと読む）

【課題】 予め得られた膜厚分布情報を有効に利用して、均一膜等の所望の膜厚分布を的確に得ることができるレーザアブレーション装置およびレーザアブレーション法による成膜方法を提供すること。
【解決手段】 レーザアブレーション装置１は、複数の試験位置の各々において、予工程にて試験用基板上にそれぞれ堆積された膜厚から得られた単位時間当たりの膜厚分布情報を制御手段７０の記憶部に記憶する。そして、本工程では、ターゲット移動機構５２とレーザ光移動機構６８とを駆動してターゲット２０及びレーザ光出射部６０を、膜厚分布情報に基づいて選択された本工程位置と対応する位置に向け、第１の方向Ｅに沿って移動させる。その後、膜厚分布情報に基づいて設定された設定時間だけ、ターゲット２０にレーザ光を照射して、基板２０上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム蒸着法をはじめとする真空蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶ＭｇＯ蒸着材であって、蒸着時の成膜速度を低減することなく、スプラッシュの発生を防止し、優れた膜特性例えばＰＤＰ用保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。
【解決手段】 酸化マグネシウム単結晶よりなる蒸着材であって、前記蒸着材の最大投影面の円相当径をＤ（ｍ）、前記最大投影面に垂直方向の厚みをｔ（ｍ）、蒸着材の体積をＶ（ｍ^３）としたときに、Ｄ／ｔが４以上、ｔが０．４×１０^−３ｍ以上、Ｖが５×１０^−９ｍ^３以上であり、かつ、前記最大投影面の合計面積の９０％以上が、（１００）面、（１１０）面、及び（１１１）面の少なくとも１種で構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】 蒸発材料の放出量の計測を精度よく行うことにより、被蒸着部材に成膜される膜厚を正確に検出することができる蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１主誘導管２１から分岐されて第１主誘導管２１内の第１蒸発材料の一部を監視用として取り出す第１監視用誘導管２２と、第１監視用誘導管２２の第１蒸発材料の飛翔経路Ｎ１上に設けられて膜厚を検出する第１蒸発レート検出センサ８を備えることにより、第１監視用誘導管２２から放出される密度の高い第１蒸発材料を安定して検出することができ、第１主誘導管２１からガラス基板１に放出される第１蒸発材料の変動量を正確に把握することができるため、第１蒸発材料の蒸発レートを精度よく計測することができ、したがってガラス基板１に成膜される膜厚を正確に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】 焼成処理後に、スパッタ膜の中央領域にクラックや剥離が生じることを抑制した薄膜サーミスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】 表面にＳｉＯ_２層３が形成されたシリコン基板２の中央領域に対して引張応力を付与した状態でＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４あるいはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系複合金属酸化物膜をスパッタ成膜し、前記引張応力を開放した後に焼成する。 （もっと読む）

【課題】被蒸着体の被蒸着領域の拡大（長大）化や蒸着材料が少量である場合などに対して、容易且つ安価に対処することができる構成のるつぼを備えた真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】るつぼ２２Ａは蒸着室１６Ａ一面に広がる一体ものとし、その上面３１に、その一端から他端までの長さの１本又は複数本のスリット溝３２Ａを設け、このスリット溝３２Ａを蒸着材料（ドーパント材３０Ａなど）の収容部とする。または、るつぼを蒸着室１６Ａ一面に広がる一体ものとし、その上面に複数個の孔を設け、この孔を蒸着材料の収容部とする。更には、るつぼを複数の領域に分け、るつぼの下面側に前記領域ごとに個別の電気ヒータを配設することにより、前記領域ごとに個別に前記電気ヒータによる温度調節を可能とする。 （もっと読む）

【課題】光の透過性を維持しつつ、表面が平滑で、非晶質であり、かつ、成膜時に基板を加熱しなくても比抵抗が小さい透明導電性薄膜を提供する。
【解決手段】タングステン、亜鉛、マグネシウムを含有し、残部がインジウム、酸素および不可避的不純物からなる酸化物焼結体であって、タングステンがインジウムに対する原子数比で０．００４〜０．０３３、亜鉛がインジウムに対する原子数比で０．００５〜０．０３２、マグネシウムがインジウムに対する原子数比で０．００７〜０．０５６の割合で含有される酸化物焼結体を用いてスパッタリングターゲットを作製する。作製したスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを実施して、透明導電性薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置において、レーザ発振器や基板ホルダの位置調整を簡単にして基板を急激に加熱することを可能にする。
【解決手段】 排気系を備えた真空チャンバと、上記真空チャンバ内の蒸発源と、開口部と、この開口部を気密に塞ぐ着脱自在な蓋と、この蓋に設けたレーザ光透過窓と、上記蓋の外面に設けた半導体レーザ発振器と、上記蓋の内面に設けた基板保持部とよりなる成膜装置において、上記半導体レーザ発振器より発したレーザ光を上記レーザ光透過窓を介して上記基板保持部に保持した基板に照射せしめ、上記基板を加熱せしめることによって基板上に膜を形成する。上記基板保持部によって保持された基板と上記レーザ光透過窓間に配置されるレーザ用絞り、均熱板を有する。上記均熱板と上記レーザ光透過窓間にレーザ用絞りが配置されている。上記真空チャンバが放射温度計用の赤外線透過窓を更に有する。 （もっと読む）

【課題】 鮮鋭性ムラの極めて低減した放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 気相堆積法により支持体上に蛍光体層を形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、真空容器内に蒸発源を有する蒸着装置を用い、同心円上に並べられた複数の蒸発源を同時に蒸発させることにより、蒸着膜からなる蛍光体層を形成することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 （もっと読む）

分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、前記ＩＩＩ族元素の分子線と前記第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、前記第１のＶ族元素の供給量が前記第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して前記第１の化合物半導体層上に前記第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備えるようにした。
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【課題】 従来のバルブ装置では、バルブ軸とバルブ軸受部との摺動接触部分に生じるフリクションの低減が望まれていた。
【解決手段】 エンジンの吸気経路等に設けるバルブ装置であって、バルブ４を備えたバルブ軸５と、バルブ軸５を回動可能に保持するバルブ軸受部６とが、エステル油及び／又はエーテル油を基油とするグリースを介して摺動接触している。バルブ軸５及びバルブ軸受部６の少なくとも一方の摺動接触面に、水素含有量が２０原子％以下である硬質炭素薄膜を形成する。このようにバルブ軸５とバルブ軸受部６との摺動接触部分に硬質炭素薄膜とグリースを用いたことで、摺動接触部分のフリクションの大幅な低減を実現した。 （もっと読む）