【課題】 高い撥水撥油性を有する均一な膜を形成するための表面処理方法を提供する。
【解決手段】 炭素数１〜５のフルオロアルキル基または分子量3000以下のパーフルオロポリエーテル基を有するフッ素化合物を含んでなる表面処理剤を気相中で基板表面に堆積することを特徴とする、表面処理された撥水撥油性基板の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウエハのメタル製膜時のメタル非製膜面の損傷を防止し、ウエハ表面の汚染の低減も図ることのできる粘着フィルムに関する。 ガス透過度が５．０ｃｃ／ｍ^２・ｄａｙ・ａｔｍ以下であるフィルムが少なくとも１層積層された基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された粘着フィルムで、メタル非製膜面を保護することにより、溶剤による洗浄工程を省くことができ、更にメタル非製膜面の汚染性の低減も図ることのでき、生産性、作業性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 位相差素子として用いた場合に、光線透過率の低下、リターデイション値の変化など、品質の低下を引き起こすことがなく、しかも、極めて簡単にかつ効率良く製造することのできる斜め蒸着膜素子を提供する。
【解決手段】 斜め蒸着膜素子は、石英ガラス等からなる透明なガラス基板２１と、ガラス基板２１の上に形成された斜め蒸着膜層とを備える。前記斜め蒸着膜層は、急傾斜の第１種の斜め蒸着膜２２（傾斜角６０°以上）と緩傾斜の第２種の斜め蒸着膜２３（傾斜角２５°以下）とが交互に形成されてなる多層膜からなる。緩傾斜の第２種の斜め蒸着膜２３は、イオンアシスト蒸着によって形成される。 （もっと読む）

【課題】小型の放射線画像情報記録読取装置に適用するに好適な、消去光量が少ないＩＰ（放射線画像変換パネル）を提供することにある。
より具体的には、少ない消去光量で短時間に、かつ、低コストで消去することができるＩＰを提供することにある。
【解決手段】気相堆積法により形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルであって、前記蛍光体層が柱状結晶構造を有し、かつ、この柱状結晶構造の占める前記蛍光体層中の相対密度が６０〜７０％の範囲にあることを特徴とする放射線像変換パネル。
前記蛍光体層はアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体、より好ましくはセシウムハライド系輝尽性蛍光体からなることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 基板処理中の基板の温度上昇を簡素な方法で抑制する。
【解決手段】 真空容器１２内で基板２２に対して成膜処理を行う方法である。この方法は、基板２２の上面に、熱容量を増加させるための熱容量増加シート４６を載置する載置工程と、熱容量増加シート４６が載置された基板２２を処理領域Ｓに搬入する搬入工程と、処理領域Ｓにおいて基板２２の下面に成膜処理を施す処理工程と、処理領域Ｓにおいて処理された基板２２を処理領域から搬出する搬出工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】柱状結晶からなる蛍光体層の柱状構造を損傷することなく、蛍光体層の厚みの均一性およびその表面の平坦度を向上させた放射線像変換パネル用蛍光体層の製造方法、およびこの蛍光体層を有する放射線像変換パネルを提供すること。
【解決手段】気相堆積法により柱状結晶からなる蛍光体層を基板上に形成する成膜工程と、形成された前記蛍光体層の表面を研磨する研磨工程とを有する放射線像変換パネルの蛍光体層の製造方法であって、前記研磨工程は、研磨材料を所定の基準面との間に所定の間隔を以って配設した状態で、前記研磨材料と前記基板とを相対的に移動させることにより、前記蛍光体層の表面を所定の厚みだけ研磨する工程であり、かつ、この研磨工程を複数回に分けて行うことにより、当該蛍光体層の表面における平面度を所望の値にすることを特徴とする蛍光体層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】第１の磁極が第２の磁極を囲んでいる平面マグネトロン用のマグネット装置を提供すること。
【解決手段】このマグネット装置は、特定の値だけターゲットに対して長さ方向に直線的に移動し、同じ値だけ反対方向に戻る。ある態様の場合には、その他に垂直方向にも移動する。このマグネット装置は、Ｎ極とＳ極がインターロックし、波形のレーストラックが形成されるように設計されている。これにより全ターゲット面から均一なスパッタを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマスパッタリングによる薄板の表面処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理部材に対してプラズマ処理を施す表面処理装置において、被処理部材(150)が縦置きで搬送されるチャンバ(40)と、チャンバ内に搬送される被処理部材(150)の表裏面とそれぞれ対向し、該被処理部材の両側に対称となるように配置される、少なくとも該被処理部材と対向する表面にターゲット材料を有する少なくとも一組のスパッタカソード(410,410)と、各スパッタカソードの裏面側にそれぞれ配置されて被処理部材の延在方向に移動可能なマグネット(420,420)と、チャンバ内にプロセスガスを導入するガス供給手段と、スパッタカソードと被処理部材間にプラズマを発生させるプラズマ電源と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
酸化物磁性薄膜中の粒子の径をナノレベルで制御する。
【解決手段】
スパッタリングによって基板上に酸化物磁性薄膜を形成する際に、基板温度を所定の範囲内で制御することにより、酸化物磁性粒子の径をナノレベルで制御し、所望の粒径のナノ粒子が存在する酸化物磁性薄膜を得る。特に、スピネル系フェライト焼結体ターゲットを用い、基板温度を２００℃〜７００℃の間で制御することにより、数ｎｍ〜数十ｎｍの間での粒径制御が可能となる。粒径制御されたフェライト薄膜は、高周波帯域用の電磁干渉抑制体などの用途に適用できる。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジストを塗布したマスクブランクスにおいて、レジストパターン形成後パターン底部に発生する裾引き状突起部の発生を抑えることのできるマスクブランクス等を提供する。
【解決手段】遮光性膜３上に電子線露光用化学増幅型レジスト膜４を形成し、レジストパターン４ａを形成する際に、少なくとも前記遮光性膜３の表面近傍の膜密度よりも高い膜密度を有し、前記レジスト膜４の失活を抑制する失活抑制膜（図示せず）が形成されていることを特徴とするマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲット、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法をそれぞれ提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットの構成を、ルテニウム（Ｒｕ）と、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、ランタン（Ｌａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）から選ばれる少なくとも一種とを含有するルテニウム化合物からなり、焼結密度が９５％以上であり、酸素（Ｏ）の含有量が２０００ｐｐｍ以下、炭素（Ｃ）の含有量が２００ｐｐｍ以下とする。このターゲットを用いて基板１上の多層反射膜２の上にルテニウム化合物保護膜６を形成して多層反射膜付き基板３０を得る。この多層反射膜付き基板３０のルテニウム化合物保護膜６上に吸収体膜を形成して反射型マスクブランクとする。また、この反射型マスクブランクの吸収体膜にパターンを形成して反射型マスクを得る。 （もっと読む）

【課題】 水分や不純物等の浸入を防止することが可能な、液晶装置６０を提供する。
【解決手段】 基板本体１０Ａの表面に突起８１が形成され、その表面に倣って形成された無機配向膜１６の表面に凸部８２が形成され、また基板本体２０Ａの表面に溝９１が形成され、その表面に倣って形成された無機配向膜２２の表面に凹部９２が形成され、そして凸部８２および凹部９２の表面にシール材１９が配設されて、液晶層５０が封止されている構成とした。 （もっと読む）

【課題】 基板の変形を極力抑えることができる金属膜又は金属酸化膜の成膜方法、すなわち基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 金属膜又は金属酸化膜を備えた基板の製造方法であって、加熱雰囲気中で基板上に金属又は金属酸化物を一定の厚みに付着させてから、加熱により該基板が一定以上変形する前に該基板の温度を低下させることを繰り返して、所定の厚みまで該金属又は金属酸化物を厚膜化させること特徴とする、基板の製造方法により解決する。 （もっと読む）

【課題】 処理チャンバ内部の寸法を小さくせずに、外形寸法の拡大を抑え、かつ重量の軽減を図る。
【解決手段】 真空チャンバ１０の本体１０ａの長手方向の側壁６１ａ，６１ｂの壁厚Ｌ_１は、側壁６２ａ，６２ｂの壁厚Ｌ_２に比べて小さく形成され、蓋体１０ｂの上部側壁６３ａ，６３ｂの壁厚は、上部側壁６４ａ，６４ｂの壁厚に比べて小さく形成されている。使用時には、側壁６１ａ，６１ｂおよび上部側壁６４ａ，６４ｂの強度を補うため、補強板９０ａ〜９０ｄが着脱可能に外付けされる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜の絶縁性を向上させる。
【解決手段】 半導体基板の主面側に形成された絶縁膜１０を有し、該絶縁膜が、金属酸化物からなる複数の粒状絶縁領域１１と、隣接する粒状絶縁領域間に形成された非晶質絶縁物からなる粒間絶縁領域１２と、から構成され、粒状絶縁領域は、金属酸化物の結晶を少なくとも含んで構成され、粒間絶縁領域は、シリコン、酸素及び金属酸化物を構成する金属元素を少なくとも含んだ非晶質絶縁物で構成されている。 （もっと読む）

支持体（１０）上に感光性高分子材料の層（１１）の形成、高分子層の一部に化学的な変性を引き起こすために高分子層の選択的露光、高分子層の上記のようにして露光された部分又は上記のようにして露光されなかった部分の１方のみを溶媒で除き、そうして高分子層内の空洞（１２、１２’・・・）の形成、上記空洞の底部および残りの高分子上に陰極析出によりゲッタ材料の薄い層（１３）の形成、そして支持体表面の上に少なくとも１つのゲッタ材料蒸着層（１３１、１３１’、・・・、２０）を残して、第１溶媒で除かれなかった高分子部分を第２溶媒により除く、各工程を含む小型ゲッタ蒸着層の形成方法が記載される。同様に、本発明はこの方法によって得られた小型ゲッタ蒸着層に関する。
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【課題】 ハンドオーバ時に短時間および小消費電力でスキャンを行うことができる移動機を提供する。
【解決手段】 スパッタリング装置１０は、真空容器１２内に、基板支持部１８、ターゲット２０、磁石２２が配置されている。基板Ｗに対向して配置された平板状のターゲット２０が設けられている。ターゲット２０の基板Ｗに対向する面とは反対側の面に対向して複数の磁石２２が配置されている。それぞれの磁石２２はその外郭がターゲット２０に対向する面において正方形をなしている。これにより、ドリフトする電子３０が加速される距離が同等になり、電子３０の速度に不均一が生じ難い。そのため、ターゲット２０がスパッタされる度合いも均一となり、成膜もより均一に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】コストを抑えながら、メディアのデータ記憶能力を向上させ、正確なデータ位置制御を維持し、かつメディア・データの解像度を向上させるパターンド・メディア・インプリント・マスタを作製する装置、システム、および方法を提供する。
【解決手段】基板１０２および蒸着マスク１１０は、蒸着プロセスの間、基板および蒸着マスクが一体の要素として作用するように、間にあるスペーシング要素１０８によって固定的に取り付けられる。蒸着マスク１１０は、リソグラフィ・プロセスによって生成された複数の開口１１２を包含する。材料は、固有の蒸着角度で配向された１を越える蒸着源３００から、蒸着マスク１１０を介して基板上に蒸着される。従って、得られる基板１０２の蒸着パターンは、蒸着マスク開口１１２の密度よりも高い密度を示す一方で、蒸着パターンの歪みが回避される。 （もっと読む）

【課題】 真空容器の真空状態を維持したまま膜厚分布の経時変化を補正できる膜厚補正機構、成膜装置、及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜装置１は、真空容器１０と、被処理物１１をＸ軸方向に搬送する搬送機構３と、搬送機構３に対しＺ軸方向に配置されて成膜材料Ｍａを保持する主陽極４と、膜厚補正板８とを有する。膜厚補正板８は、真空容器１０における搬送機構３と主陽極４との間の開口部１０ｇに設けられ、Ｘ軸方向における開口部の幅Ｗ（Ｙ）をＹ軸方向に沿って変化させることにより、成膜材料粒子Ｍｂに対する被処理物１１の暴露時間をＹ軸方向に沿って変化させる。また、膜厚補正板８は、主板８ａと、Ｙ軸方向における主板８ａの両端に配置された端板８ｂとを有し、端板８ｂは、主板８ａとは独立してＸ軸方向に移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の向上したプラスチック製眼鏡レンズを提供すること。
【解決手段】レンズ基材と、レンズ基材の物体側の面及び眼球側の面に反射防止膜を備え、物体側の面に備えられた反射防止膜が圧縮応力を有し、かつ眼球側の面に備えられた反射防止膜が、物体側の面に備えられた反射防止膜に比べ小さい圧縮応力を有することを特徴とする。圧縮応力が高いと耐熱性は高くなるが、生産性を低下させる。そのため物体側の面は高い圧縮応力を持つ反射防止膜を形成し、眼球側の面は物体側の面に比べ小さい圧縮応力を有する反射防止膜を形成することによって、耐熱性と生産性を両立することができる。 （もっと読む）