【課題】書き込み性能と熱揺らぎ耐性とを両立させることが可能な磁気記録媒体及び磁気記録装置を提供すること。
【解決手段】基材１と、基材１の上に形成された下地層１２と、下地層１２の上に形成され、異方性磁界がH_k1で磁化曲線の反転部の傾きがα₁である垂直磁気異方性を有する主記録層７と、主記録層７の上又は下に該主記録層７に接して形成され、異方性磁界がH_k2で磁化曲線の反転部の傾きがα₂である書き込み補助層８とを有し、異方性磁界H_k1、H_k2と傾きα₁、α₂とが、それぞれH_k2＜H_k1及びα₂＞α₁を満たすことを特徴とする磁気記録媒体１１による。 （もっと読む）

【課題】複数種の元素を蒸着させて薄膜を形成する際の元素の再蒸発に起因する膜欠陥を抑制する。
【解決手段】複数の蒸着源、5、6、7、8a、8b を備え、これらからの元素の蒸気を基板4の一主面上に供給して薄膜を形成する成膜装置において、第一の仕切板15と、第二の仕切板16とを設け、前記複数の蒸着源5,6,7,8a,8bは、第一区間14aにSe、Cu、Ga、Inの蒸気を供給し、第二区間14bに再蒸発しやすい元素Seの蒸気をさらに追加して供給するように配列する。基板4を高温下におく成膜工程だけでなく徐冷工程でもSeを常に過剰に供給することにより、形成されるCIGS膜からのSeの再蒸発を防止し、膜欠陥を抑えることができる。CIGS膜は、膜欠陥を抑えることで、太陽電池として機能させたときに高変換効率を実現できる。 （もっと読む）

ライナーを含むスパッタリングチャンバを提供する。ライナーは、チャンバの内部表面からスパッタコーティング（オーバーコート）が剥落することを低減することに適している。ライナーは、チャンバの選択された内部表面に隣接して搭載することができる。ライナーは取り外し可能であることが好ましい。また、本発明のライナーを用いたスパッタリング方法を提供する。 （もっと読む）

【解決課題】 反射層を構成する銀合金であって、長期の使用によっても反射率を低下させること無く機能することのできる反射層用の材料を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、添加元素としてインジウム及び錫を含み、残部が銀からなる反射膜用の銀合金であって、添加元素であるインジウム及び錫の一部又は全部が内部酸化されてなる銀合金である。この添加元素の濃度は、０．１〜２．０重量％が好ましく、この範囲で反射率の低下を抑制することができる。また、反射層の熱伝導率を考慮すれば、添加元素の濃度を更に限定し、０．１〜０．５重量％とすることで高熱伝導率の反射層とすることができる。 （もっと読む）

【課題】基材を搬送台に配置した状態でプラズマ処理を施した後、物理的気相蒸着法により二層以上の金属膜を順次成膜する成膜処理を経て基材の表面に金属膜を形成するにあたり、同一の搬送台を繰り返し用いてもプラズマ処理中に搬送台の表面に堆積した金属膜からスパッタリングによる金属原子の基材表面への付着を抑制することができる金属膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基材１を保持した導電体からなる搬送台２をプラズマ処理用の保持電極３上に配置して、前記保持電極３と対向電極４との間に電圧を印加することにより基材１表面にプラズマ処理を施す工程と、前記搬送台２に基材１を保持した状態でこの基材１に対して物理的気相蒸着法により二層以上の金属膜７を順次形成する工程とを含む。前記プラズマ処理を施す工程において前記搬送台２と対向電極３との間に、前記搬送台２上の前記基材１が配置されていない部位を遮蔽する遮蔽体８を配設する。 （もっと読む）

【課題】セラミック体の温度分布を均一化することができる静電チャックを提供すること。
【解決手段】発熱体１９は、アルミベース９の貫通孔３３のセラミック体７側の投影領域Ｔを避けるように配置されている。詳しくは、発熱体１９は、円形の投影領域Ｔよりも径方向に１ｍｍ以上広い領域（大投影領域ＤＴ）内を避けるように配置されている。また、発熱体１９は、投影領域Ｔの上下方向では、左右方向に直線状に伸びているが、投影領域Ｔの左右方向では、投影領域Ｔの近傍にて左右対称に（投影領域Ｔ側を凸にして）略Ｕ字状に曲がって、投影領域Ｔと重ならないように配置されている。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ内の基板ステージ１２に対向させて設けたターゲット４１ｃを有するスパッタリング成膜手段４と、化学的成膜手段３とを設けると共に、ターゲットが存する第１空間１１ａと基板ステージが存する第２空間１１ｂとに仕切る仕切り板５を設ける。ターゲットを、このターゲットの水平方向の位置の変更を可能とする移動手段４１ａに装着し、仕切り板の所定の位置にターゲットが臨む開口部５１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬディスプレイに用いられた場合に、素子としての寿命を十分に長くでき、且つ、基板のフレキシビリティ性、基板の耐久性や強度を同時に十分満足できる有機ＥＬディスプレイ用の基板を提供する。特に、ＩＴＯ膜の膜質を改善して、素子としての寿命を１０万時間を越えるようにできる有機ＥＬディスプレイデバイス用の基板を提供する。
【解決手段】 透明フレキシブル基材にＩＴＯ層からなる電極層を配設し、その水蒸気透過率が、１×１０^-2 g/ ｍ²/day 以下であるフレキシブル透明電極基板であって、ＩＴＯ層は、Ｘ線回折法における、その（２２２）面に相当する２θピークの積分強度Ａと（２１１）面に相当する２θピークの積分強度Ｂとの積分強度比Ａ／Ｂが３．０以上であり、且つ、その（２２２）面に相当する２θピークの積分強度Ａと（４００）面に相当する２θピークの積分強度Ｃとの積分強度比Ａ／Ｃが３未満である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、１５ｃｍ角程度の小さな基板から３０ｃｍ以上の大きな基板に対して、基板内の膜厚分布が良好であり、且つステップカバレッジの悪化によるピンホールが生じにくい蒸着膜を、蒸着材料の利用効率が高く形成することを課題としたものである。
【解決手段】
該蒸着ボートの蒸発孔を２つ以上の直径の異なる同心円の円周上に配置し、且つ、該蒸着ボートの両端の電極板部から通電し、容器部を加熱することにより該容器部内の蒸着材料を蒸発させ、基板上に薄膜形成を行なう蒸着方法であって、蒸発孔を配置した２つ以上の円周の少なくとも一つが基板に内接する円を垂直投影したときの円周上または円周内側にあり、且つ、少なくとも一つが基板に外接する円を垂直投影したときの円周上または円周外側にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
異常放電の発生を低減することができるスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明の一態様にかかるスパッタ成膜装置は、チャンバー１１内でターゲット１４を用いて基板１６に成膜するスパッタ成膜装置であって、基板１６と対向配置され、電圧が印加されるターゲット１４と、基板１６に対応する開口部２７を有し、基板１６のターゲット１４側に配置され、基板１６を保持する導電性の基板ホルダ１２と、基板ホルダ１２の基板１６側の面に形成された絶縁体２３とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】 除電完了前の半導体基板がピンによって押し上げられることを抑制できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】表面に半導体基板１を静電吸着するステージ２２と、ステージ２２の表面から出没できるように設けられ、半導体基板１を上方に持ち上げる、接地された導電性のピン部材３２と、ピン部材の下端に設けられたバネ部材３２ａと、バネ部材３２ａを介してピン部材３２を支持し、上下に移動することによりピン部材３２を上下させるピン台座３４と、ピン台座３４を、ピン部材３２が半導体基板１に押し付けられる位置で一時的に静止させて半導体基板１の除電を行った後、更にピン台座１を上方に移動させる制御部６０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 エアロゾル内における微粒子の粒径分布及び濃度を均一化する。
【解決手段】 ターゲット材料Ｔをレーザー照射によりアブレーションすることで微粒子ｓを生成し、生成した微粒子ｓをキャリアガスＧ中に分散させてエアロゾル化し、このエアロゾルＡを基材Ｂに吹き付けることによって、微粒子ｓが衝突した基材表面に構造物を形成する。 （もっと読む）

【課題】真空中で塗膜される基板上でマスクを容易に配設、除去および位置決めするためのプロセス」および装置を提供する。
【解決手段】基板キャリア（２）上に基板（３）を供給し、第１の移動装置によっていくつかの座標内で移動可能な保持部材（８）上の電磁石（７）によってマスク（６）を保持し、マスク（６）と基板（３）の、特に横方向の相互の位置を検出し、マスク（６）を基板とほぼ平行に移動するように互いに位置調整し、第１の移動装置によって保持部材（８）をマスクがほぼ基板に垂直に移動するように移動させ、かつ／または第２の移動装置、特に持ち上げ装置によって基板キャリア（２）をマスク（６）方向に移動させることによってマスクを基板に密着させ、電磁石（７）を不作動化し、基板キャリアの磁石（４）によって基板（３）上のマスク（６）を保持することを特徴とする。 （もっと読む）

多層被膜を基板の上に堆積するツール。１つの構成では、本ツールは、圧力または温度が制御された環境の少なくとも一つの下で動作するインライン有機材料堆積ステーションを含む。別の構成では、それはさらに、インライン式およびクラスタツールの両方の特徴構造を組み込む複合設計である。この後者の構成では、堆積ステーションの少なくとも１つが無機層を堆積するように構成され、他方で、少なくとも１つの他の堆積ステーションが有機層を堆積するように構成される。本ツールは特に、多層被膜を個別基板の上に堆積することばかりでなく、フレキシブル基板の上に配置された環境に敏感なデバイスをカプセル封じすることにも適切である。安全システムが、本ツールに対する有機材料の分配を監視するために含まれ得る。
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【課題】スパッタターゲットに使用することができ、スパッタして薄膜を形成することができる、多重成分の酸化物を含有する合金を提供する。
【解決手段】基板201、及び基板201上に形成されたデータ記録薄膜層206を含む磁気記録媒体である。上記データ記録薄膜層206は、コバルト(Co)、白金(Pt)、及び多重成分の酸化物で構成される。この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有している。さらに、上記多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性、又は10^-6m³/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びている。また、上記多重成分の酸化物は、5.0を越える誘電率を持っている。さらに、スパッタターゲットは、クロム(Cr)及び／又はホウ素(B)を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】粉体状のターゲット材料を用いたスパッタ法において、長時間の連続稼動によっても、常に一定で安定した膜厚および成膜レートを得ることが可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空を維持することが可能な真空槽と、真空槽内にあり基板を載置する基板保持台と、基板保持台と対向して設置され、粉状のターゲット材料を保持する容器を載置し、かつ、基板保持台に対向する面の中心軸を中心に回転するカソードと、カソードに電圧を印加する電源と、真空槽内にガスを供給しつつ排気するガス供排気手段からなる成膜装置において、基板保持台とカソードとの間には開口部を有してアースシールドが配置され、アースシールドのカソード側の表面の一部には、粉状のターゲット材料を攪拌する攪拌手段が設けられたこと。 （もっと読む）

【課題】 燐化硼素系半導体層上にIII族窒化物半導体層を接合させる際に、双方間の結合性の差異に起因して発生すると思われる不安定な接合を解消し、燐化硼素系半導体層上にIII族窒化物半導体層を安定して形成することができるようにする。
【解決手段】 本発明の積層構造体１０は、結晶からなる基板１００と、その基板１００上に設けられた燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１と、燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１の表面に接合されたIII族窒化物半導体層１０２とを備え、III族窒化物半導体層１０２は、表面の原子配列構造を（２×２）とする燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１に接合して設けられる、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 膨張黒鉛材料が備える優れた熱伝導特性を損なうことなく、黒鉛粉の落下を生じない膨張黒鉛を用いたシート材料の提供。
【解決手段】 シート状に形成された膨張黒鉛と、該膨張黒鉛のシートの少なくとも一方の面に蒸着されて形成される金属層からなることを特徴とするシート材料である。 （もっと読む）

【課題】真空塗膜プロセス、特にスクリーンやディスプレー等のような大面積を持った基板上に有機エレクトロルミネッセンス物質（ＯＬＥＤ）を微細構造化するためのプロセスのための、操作容易なマスクホルダーを提供する。
【解決手段】真空塗膜プロセスは、塗膜工程中基板（３）を受け入れる基板キャリア（２）を含み、基板キャリア（２）は１つ以上の磁石（４）を含む、また、マスク（６）は、マスクのフレームが、塗膜処理される基板に対して基板キャリアの磁石によって保持されるように、磁性体のフレームを有する。 （もっと読む）

【課題】蛍光体パネルの製造において、表面研磨によって蛍光体層の微少突起部を好適に除去することができ、これに起因する欠陥等の画質劣化の無い蛍光体パネルを製造することができ、さらに、非常に良好な効率で確実に微少突起部を除去でき、あるいは、表面研磨に起因する画質劣化も防止できる蛍光体パネルの製造方法を提供することにある。
【解決手段】第１の態様においては、蛍光体層の膜厚分布を知見し、蛍光体層の膜厚分布の小さい方向と押圧部材の延在方向とを一致させて、押圧部材で研磨部材を押圧しつつ、研磨方向に蛍光体層と研磨部材とを相対的に移動することにより、また、第２の態様においては、蛍光体層と研磨部材との相対移動距離を５０μｍ〜４００μｍ、好ましくは１００μｍ〜３００μｍとした研磨を、蛍光体層の研磨位置を変更しつつ繰り返し行うことにより、蛍光体層の表面を研磨することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）