【課題】蒸発速度、成膜速度を向上して製造コストを低減する。
【解決手段】ＺｎＯ蒸着材は、ＺｎＯの多孔質焼結体からなり、その焼結体が０．１〜５００μｍの範囲の平均気孔径を有する。その多孔質焼結体は３〜５０％の範囲の気孔率を有することが好ましく、１〜５００μｍの範囲の平均結晶粒径を有する粒子の焼結体であることが更に好ましい。その製造方法は、純度が９９．０％以上あって平均粒径が０．１〜１０μｍであるＺｎＯ粉末とバインダと有機溶媒とを混合してＺｎＯ粉末の濃度が４５〜７５重量％のスラリーを調製する工程と、そのスラリーに気体を吹込んで混入することによりガス含有スラリーを得る工程と、そのガス含有スラリーを噴霧乾燥して平均粒径が５０〜３００μｍの造粒粉末を得る工程と、その造粒粉末を成形して成形体を得る工程と、その成形体を所定の温度で焼結してＺｎＯ多孔質焼結体を得る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜を良好に行うために適切な位置で静電気除去を行うことができるプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、該基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置１において、基材１００を巻き掛けて搬送する第１成膜ロール６１と、第１成膜ロール６１と対向して配置された第２成膜ロール６２と、第１成膜ロール６１に巻き掛けた基材１００の第２成膜ロール６２に面する面を基材の成膜面１００ａとして、成膜面１００ａに帯電する静電気を除去する静電気除去装置と、を備え、第１成膜ロール６１と第２成膜ロール６２との間隙は、成膜面１００ａ上にプラズマＣＶＤ成膜を行う成膜空間であり、静電気除去装置は、成膜空間に対し、基材１００の搬送方向の上流側に設けられた第１静電気除去装置８１を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物は湿熱耐久性に劣り、湿熱耐久性を向上しようとすると抵抗率が高くなる、すなわち導電性が悪くなるという課題があった。
【解決手段】基板上に形成された透明電極であって、この透明電極が酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物を有し、かつ当該透明導電性酸化物は、さらに酸化ケイ素および１３族元素の酸化物を透明導電性酸化物に対してそれぞれ１〜４重量％含有することを特徴とする透明電極。
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【課題】安定した、高い発光効率の赤色発光が得られるＥｕドープＺｎＯ膜形成方法を提供する。
【解決手段】まず、第１工程で、Ｈ₂Ｏガスを導入するスパッタ法で、基板１０１の上に、ＥｕがドープされたＺｎＯからなる薄膜１０２を形成する。次に、第２工程で、薄膜を加熱する。Ｈ₂Ｏガスを用いているので、形成される膜にはＨ原子も導入されるようになる。この結果、主に６２０ｎｍ付近で発光するＥｕを添加したＺｎＯを形成できるようになり、Ｅｕを添加したＺｎＯで、高い発光効率で安定した赤色発光が得られるようになる。 （もっと読む）

【課題】薄い膜厚（２００ｎｍ以下）で抵抗率が低いＺｎＯ系薄膜を、安定したＤＣスパッタで得られるＺｎＯ系ターゲットを提供すること、およびそれを用いて形成される抵抗の低いＺｎＯ系透明導電膜を提供すること。
【解決手段】Ｚｎを含む酸化物相と、ＡｌおよびＴｉを含む金属間化合物相と、を備え、前記酸化物相中に前記金属間化合物相が分散していることを特徴とするＺｎＯ系スパッタリングターゲットにより、前記課題を解決したものである。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな駆動方法を提供する。また、新たな駆動方法により、メモリ素子への書き込み電位のばらつきを低減し、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の駆動方法において、書き込み電位を段階的に上昇させて、同時に読み出し電流を確認し、読み出し電流の結果を書き込み電位に利用して書き込みを行う。つまり、正しい電位で書き込みが行われたか確認しながら書き込みを行うことで、信頼性の高い書き込みを行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第１酸化物粉末と第２酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、第１酸化物粉末がＹ₂Ｏ₃粉末であって、第１酸化物粉末の第１酸化物純度が９８％以上であり、第２酸化物粉末はＺｎＯ、ＭｇＯ及びＣａＯからなる群より選ばれた１種の粉末又は２種以上の混合粉末であって、第２酸化物粉末の第２酸化物純度が９８％以上であり、蒸着材が第１酸化物粒子と第２酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第１酸化物と第２酸化物との比率が５〜８５：９５〜１５であり、かつ、ペレットの塩基度が０．１以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の成膜に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｇａおよび希土類元素よりなる群から選択される少なくとも一種の金属（Ｍ金属）の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄化合物は検出されるが、スピネル型化合物であるＺｎＭ_XＯ_y相およびＭ_XＯ_y相（ｘ、ｙは任意の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】汎用性の高いフレキシブル基材上にシート抵抗値が十分に小さく、湿熱条件後及び屈曲後においてもシート抵抗値の上昇が抑制できる透明導電層を具備する透明導電性フィルム及びその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた太陽電池及びエレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】フレキシブル基材１１の少なくとも片面に、（Ａ）ポリオルガノシロキサン系化合物を含有するコート材料からなるアンダーコート層１２と、（Ｂ）透明導電層１３とが順次形成された透明導電性フィルム１０とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのスイッチング特性に優れており、特に保護膜形成後も良好な特性を安定して得ることが可能な薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｚｎ、ＳｎおよびＳｉを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗で高透過性の透明導電膜積層体及びその製造方法、並びに薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明導電膜（Ｉ）上に、透明導電膜（ＩＩ）が積層された透明導電膜積層体において、透明導電膜（Ｉ）は、アルミニウム及びガリウムから選ばれる１種以上の添加元素を含み、添加元素の含有量が、−２．１８×［Ａｌ］＋１．７４≦［Ｇａ］≦−１．９２×［Ａｌ］＋６．１０で示される範囲内である。透明導電膜（ＩＩ）は、アルミニウム及びガリウムから選ばれる１種以上の添加元素を含み、添加元素の含有量が、−［Ａｌ］＋０．３０≦［Ｇａ］≦−２．６８×［Ａｌ］＋１．７４で示される範囲内である。但し、［Ａｌ］は、Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ）の原子数比（％）で表したアルミニウム含有量であり、一方、［Ｇａ］は、Ｇａ／（Ｚｎ＋Ｇａ）の原子数比（％）で表したガリウム含有量である。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第１酸化物粉末と第２酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、
第１酸化物粉末がＭｇＯ粉末であって、第１酸化物粉末の第１酸化物純度が９８％以上であり、第２酸化物粉末がＺｎＯ粉末であって、第２酸化物粉末の第２酸化物純度が９８％以上であり、蒸着材が第１酸化物粒子と第２酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第１酸化物と第２酸化物との比率が５〜８５：９５〜１５であり、かつ、ペレットの塩基度が０．１以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング成膜時のアーキングやノジュールの発生を低減すると共に高出力成膜においても高い生産性を有する高密度で、なお且つ厚肉化を可能とする酸化亜鉛系円筒ターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高温のプラズマジェット４中に酸化亜鉛粉末の昇華を抑えられる範囲内で酸化亜鉛系粉末をできるだけ長く滞在させて、その粉末の溶融度向上を図り、溶融粉末の溶着堆積後、すみやかに溶射ターゲットの表面温度を所定温度以下になるように冷却できる基板冷却配管構造を装着した溶射ガン７で酸化亜鉛系粉末を溶射する。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、金属又は合金用のエッチング液であるリン酸系エッチング液でもエッチング可能な透明導電膜が得られるターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム、錫、亜鉛、酸素を含有し、六方晶層状化合物、スピネル構造化合物及びビックスバイト構造化合物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】本発明は、導電性フィルム上に導電性酸化物とカーボン薄膜層をこの順に形成することにより、導電性およびバリア性の両立が可能となり、さらには長期使用による性能の劣化を抑制するなどといった長期耐久性に優れた、導電性バリアフィルムを作製することが可能となる。
【解決手段】導電性フィルム上の少なくとも１面に、導電性酸化物層とカーボン薄膜層がこの順に形成されていることを特徴とする、導電性バリアフィルムを用いる。 （もっと読む）

【課題】加工後に熱処理等を行わなくとも形状精度のよいスパッタリングターゲットが得られ、ＤＣスパッタリング法でも連続的に安定放電が可能で、適切な絶縁性を有する透明性膜が得られる酸化亜鉛焼結体を提供する。
【解決手段】亜鉛以外の金属含有量が０．１重量％未満、ＢＥＴ比表面積が２〜２０ｍ^２／ｇ、粉末かさ密度０．５〜１．８ｇ／ｃｍ^３の酸化亜鉛粉末を成形し、焼成する際に、焼結温度が９００〜１２５０℃、酸素が１０体積％以下の不活性雰囲気下でガス流量パラメータが８０００以上で焼成することにより、亜鉛以外の金属含有量が０．１重量％未満、２５℃での体積抵抗が１．０×１０^５Ωｃｍ以下の酸化亜鉛焼結体を製造し、それをスパッタリングターゲットとして用いて、ＤＣスパッタリング法により透明性膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング装置において、スパッタリングターゲットのパーティクルの発生を抑える。
【解決手段】ＺｎＯからなり、マグネトロンスパッタに用いられるＺｎＯ系の酸化物ターゲットであって、表面１０ａが、表面粗さがＲａ４．０μｍ以下であってスパッタされるエロージョン領域２０と、スパッタされない非エロージョン領域２１とに設定され、この非エロージョン領域２１が、エロージョン領域２０から離間するとともにその表面粗さがＲａ５．０μｍ〜８．０μｍである第１非エロージョン領域２１ａと、第１非エロージョン領域２１ａとエロージョン領域２０との間の領域であってその表面粗さがＲａ４．０μｍ以下であり、エロージョン領域２０の周囲に５〜１５ｍｍの幅で設けられている第２非エロージョン領域２１ｂとに設定されている。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング装置において、スパッタリングターゲットのパーティクルの発生を抑える。
【解決手段】ＺｎＯにＡｌ₂Ｏ₃を０．１〜３．０ｗｔ％またはＧａ₂Ｏ₃を０．５〜６．０ｗｔ％添加してなり、マグネトロンスパッタに用いられるＡＺＯ系またはＧＺＯ系の酸化物ターゲットであって、表面１０ａが、表面粗さがＲａ１．０μｍ以下であってスパッタされるエロージョン領域２０と、スパッタされない非エロージョン領域２１とに設定され、この非エロージョン領域２１が、エロージョン領域２０から離間するとともにその表面粗さがＲａ３．０μｍ〜６．０μｍである第１非エロージョン領域２１ａと、第１非エロージョン領域２１ａとエロージョン領域２０との間の領域であってその表面粗さがＲａ１．０μｍ以下であり、エロージョン領域２０の周囲に５〜１５ｍｍの幅で設けられている第２非エロージョン領域２１ｂとに設定されている。 （もっと読む）

【課題】表面に写る反射像が不鮮明に見える現象が抑制され、良好な外観を有する合わせガラスを得ることができる赤外線反射フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】透明樹脂フィルム２上に赤外線反射膜３を構成する複数の構成膜のうち最初に成膜される１つの構成膜３（１）を０．５０Ｐａ以上の圧力下で真空成膜する工程と、前記最初の構成膜が成膜された透明樹脂フィルムを１．０×１０^−３Ｐａ以下の高真空下で３０秒以上保持する工程と、前記高真空下での保持が行われた透明樹脂フィルム２に前記複数の構成膜の残りの構成膜３（２）〜３（Ｎ）を真空成膜して赤外線反射フィルム１とする工程とを有する赤外線反射フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】トランジスタのチャネル形成領域となる酸化物半導体膜を、２００℃を超える温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、前記酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を０．５個／ｎｍ^３以下とすることができる。酸化物半導体を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動要因となる水素、水、水酸基または水素化物などの水素原子を含む物質が、酸化物半導体膜へ混入するのを防止することにより、酸化物半導体膜を高純度化および電気的にｉ型（真性）化することができる。 （もっと読む）