【課題】エネルギーおよび設備投資を可能な限り低く抑えつつ高品質な表面電極膜と、反射層が白色材料層で構成される場合に高品質な裏面電極膜を提供する。
【解決手段】透明基板１と、透明基板１に蒸着される透明なドープ酸化亜鉛表面電極膜２と、半導体膜３と、任意に設けられるドープ酸化亜鉛裏面電極膜４と、光の入射側ｈｖと反対側の裏面に設けられた反射層５とを含む薄膜ソーラーモジュールにおいて、ドープ酸化亜鉛表面電極膜２および／またはドープ酸化亜鉛裏面電極膜４のドーパント量を、透明基板１から半導体膜３に向けてと半導体膜３から反射層５に向けてそれぞれ減少させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は結晶性に優れたＴｉＮ系セラミック膜を提供することを課題とする。
【解決手段】蒸着プロセスを経て形成されるセラミック積層膜であり、該セラミック積層膜は基材上に、下地膜、窒化チタン膜、が順次積層されてなるものであり、上記下地膜は酸化亜鉛を主成分とする膜であり、上記下地膜の膜厚は１〜１５０ｎｍ、上記窒化チタン膜の膜厚は１〜５００００ｎｍであることを特徴とし、また、上記窒化チタン膜はＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定において、４２°付近に窒化チタンの（２００）面に帰属される回折線が検出されること。 （もっと読む）

【課題】現状のＬＣＤ製造プロセスにおけるＩＴＯ透明電極形成技術をＺｎＯ系に適用した場合の膜厚が２００ｎｍ程度より薄くなるに伴って、電気的特性が膜厚に大きく依存する（膜厚の減少に伴って抵抗率が大幅に増加する）こと解決する酸化亜鉛系透明導電膜製造技術並びに成膜に使用する焼結体ターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】酸化亜鉛系透明導電膜の直流マグネトロンスパッタ成膜プロセスにおいて、成膜の開始（初期）段階は、その後に続く通常の直流マグネトロンスパッタ成膜プロセスとは異なる条件下で成膜を開始することにより、膜の最低抵抗率特性が大幅に改善できることを見出した。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性に優れた複合フィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層を有する第一のガスバリアフィルムと、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層を有する第二のガスバリアフィルムと、前記第一のガスバリアフィルムと第二のガスバリアフィルムの間に設けられた接着層とを有し、該接着層が、ドライラミネート用の接着剤と金属アルコキシドを含んでいる、複合フィルム。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反射色調を調整することが可能な低放射膜を提供することを課題とする。
【解決手段】基材上に蒸着プロセスによって形成される低放射膜であり、該低放射膜は、誘電体層とＡｇを主成分とする金属層とが、交互に２ｎ＋１層（ｎは１以上の整数）積層されてなる積層構造を有しており、上記金属層はＡｒと酸素とを含む混合ガスを用いて形成されるものであり、該混合ガスは酸素／（Ａｒ＋酸素）×１００で表される酸素濃度が０．５〜１３体積％であること。 （もっと読む）

【課題】成長させた酸化亜鉛系半導体の不純物濃度を低減できる酸化亜鉛系基板を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系基板２は、ＩＶ族元素であるＳｉ、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂの不純物濃度が、１×１０^１７ｃｍ^−３以下の条件を満たす。より好ましくは、酸化亜鉛系基板２は、Ｉ族元素であるＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＦｒの不純物濃度が、１×１０^１６ｃｍ^−３以下の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスとして問題なく動作させるために、少なくとも機能的な働きを行うＺｎＯ系半導体層にアルカリ金属が達するのを防止することができるＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系基板中に存在するアルカリ金属の濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３以下に形成されているので、このＺｎＯ系基板上に結晶成長されるＺｎＯ系半導体に対してアルカリ金属の偏析を防止することができる。また、基板中のリチウム濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３を越えるＺｎＯ系基板であっても、その上に形成するＺｎＯ膜の膜厚を５０ｎｍ以上にすることで、このＺｎＯ膜よりも後に形成されるＺｎＯ系半導体層へのアルカリ金属の偏析を防止することができる。 （もっと読む）

低抵抗率および高移動度を持つ安定したｐ型ＺｎＯ薄膜を成長させるための方法が、提供される。本方法は、ｎ型Ｌｉ−Ｎｉ共ドープＺｎＯターゲットをチャンバー中に提供することと、基板をチャンバー中に提供することと、ターゲットをアブレーションして薄膜を基板に形成することとを含む。
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【課題】本発明は、スパッタリング法で基板上にセラミック薄膜を形成する方法に関し、簡単で汎用性があるセラミック薄膜の結晶性を向上させる方法を提供することを課題とする。
【解決手段】真空成膜法による基材表面上への結晶性セラミック薄膜の形成方法であり、該方法は、種結晶層を形成する工程１、該種結晶層上に結晶性セラミック層を形成する工程２を有し、前記種結晶層は酸化亜鉛又は酸化亜鉛化合物よりなる層であり、前記結晶性セラミック層は、ＭｘＯｙ（Ｍは金属元素、Ｏは非金属元素、ｘ及びｙは１以上の整数）で表される立方晶系の金属化合物の層であり、なおかつ該金属化合物は、該金属化合物の格子定数をａ_１（ｎｍ）、前記種結晶層の格子定数の内ａ軸の格子定数をａ_２（ｎｍ）とした時、｜ａ_２−（√２／２）ａ_１｜／ａ_２×１００で表される値が１５％以下であることを特徴とする結晶性セラミック薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】成膜時にスプラッシュ現象などが発生せず、放電を安定させることができ、しかも機械的強度が高く、自動搬送時などに破損しにくい酸化亜鉛系焼結体タブレットを提供する。
【解決手段】常圧焼結体タブレットを、圧力１×１０^-3Ｐａ以下の真空中にて、９００℃〜１３００℃の温度で還元処理することにより、その相対密度が５０〜７０％でありながら、圧縮強さが１５０ＭＰａ以上であり、かつ、表面と内部における比抵抗がそれぞれ１×１０²Ω・ｃｍ以下、特にガリウムを含む酸化亜鉛系焼結体タブレットにおいては１×１０^-2Ω・ｃｍ以下であって、表面と内部の酸化亜鉛濃度差が０．５質量％以下である構造を実現する。 （もっと読む）

【課題】従来の方法に比べて低電流で蒸着することができ、低エネルギー化を図ることが可能であり、成膜ダメージを低減し、かつ基材への輻射熱の低減が可能な、プラズマ蒸着方法及び該方法により形成された蒸着膜を提供する。
【解決手段】蒸着材を用いてプラズマ蒸着法により基材上に蒸着膜を成膜するためのプラズマ蒸着方法において、プラズマ放電電流を１〜３０アンペア／分の範囲内の一定勾配αで４０〜１２０アンペアの範囲内のＡ値まで増加させることにより蒸着材の昇華を開始させ、続いてＡ値よりも低い電流値である１０〜８０アンペアの範囲内のＢ値まで低下させて基材への蒸着膜の成膜を継続することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、低放射層；及び前記低放射層上に形成された誘電体層を含み、放射率が０．０１〜０．３で、可視光透過率が７０％以上の低放射ガラス及びその製造方法に関するものである。本発明によると、放射性能に優れると同時に、高い可視光透過率を表す低放射ガラスを提供できる。また、本発明によると、上記のような低放射ガラスの製造工程を簡素化でき、初期投資費用を節減できる。 （もっと読む）

【課題】ガリウムがドーピングされた酸化亜鉛系伝導体の固溶限界を増加させ、これを通じて、電子濃度・移動度および電気伝導度を向上させるところにある。
【解決手段】ＺｎＯに、ＧａとともにＭｎをコドーピングしてストレスを緩和させることにより、ＺｎＯ内でのガリウムの固溶限界を増加させ、これを通じて、ＧＺＯの電子濃度、移動度および電気伝導度を向上させ、耐湿性などの安定性（ｓｔａｂｉｌｉｔｙ）を向上させることができる。好ましくは、前記Ｇａは０．０１〜１０ａｔ％、前記Ｍｎは０．０１〜５ａｔ％の濃度でドーピングされる。より好ましくは、前記Ｇａは２〜８ａｔ％、前記Ｍｎは０．１〜２ａｔ％の濃度でドーピングされる。さらにより好ましくは、前記Ｇａは４〜６ａｔ％、前記Ｍｎは０．２〜１．５ａｔ％の濃度でドーピングされる。前記酸化亜鉛系伝導体は、太陽電池の電極、ＬＣＤのようなディスプレイ装置の電極などに使用される透明伝導体とすることができる。 （もっと読む）

【課題】透明な薄膜を堆積し、パターン構造を直接堆積する方法を提供する。
【解決手段】透明な薄膜を堆積し、パターン構造を直接堆積する方法であって、パルスレーザ源を提供し、前記パルスレーザ源が出射するレーザ１を透明な基板３を介してターゲット５上に集光させて、前記レーザのエネルギーを使用して前記ターゲットの部分を融除又は蒸発させ、前記基板を前記ターゲットに対して並進運動させる、前記融除又は蒸発された前記ターゲットの材料が前記基板上に堆積し、前記基板上にパターン構造を形成できるようにする。 （もっと読む）

【課題】導電性、透明性、耐環境変動性において良好な特性を示す透明電極付き基板を提供すること。
【解決手段】基材上に少なくとも１層からなる酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を有する透明電極付き基板であって、上記透明導電性酸化物層が基材に対してｃ軸配向した結晶構造を有しており、更に上記透明導電性酸化物層中に水素がドーピングされている基板、並びに基材上に少なくとも１層からなる酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を有する透明電極付き基板の製造方法であって、上記透明導電性酸化物層がプラズマ放電を利用したスパッタリングにより製膜され、且つスパッタリング時のキャリアガスとして、アルゴン及び水素を必須とし、さらに酸素、二酸化炭素から選択される１種以上を添加したものを使用し、且つ全キャリアガス中に水素が２〜３０体積％、酸素及び／又は二酸化炭素が１〜３０体積％含有されている基板の製造方法。 （もっと読む）

真空室内で回転するマグネトロンを用いて基板に成膜する方法であって、基板の運搬方向にマグネトロンに沿って基板を通過させて、マグネトロンと接続されたターゲットから放出される材料を用いて、場合によっては、その材料を真空室内に有る反応ガスと反応させて、成膜する方法に関し、ターゲットの回転に対して動作点を安定化させることによって、基板上の膜の均質性を改善することを課題とする。本課題は、ターゲットの回転によって引き起こされる第一のプロセスパラメータの周期的な変化を第二のプロセスパラメータの所定の大きさの周期的な変化によって補正することと、回転数の異なる二つのマグネトロンを配備することの一方又は両方によって解決される。
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【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】ＺｎＯ粉末のＺｎＯ純度が９８％以上であり、ＣｅＯ₂粉末のＣｅＯ₂純度が９８％以上であり、蒸着材がＺｎＯ粒子とＣｅＯ₂粒子を含有するペレットからなり、蒸着材に含まれるＣｅＯ₂粒子の平均粒径が０．０５〜５μｍであり、蒸着材中のＣｅ元素の含有量が２０質量％を超え８０質量％以下であることを特徴とする。薄膜シートは、第１基材フィルム上にＺｎ元素とＣｅ元素を含む薄膜を形成してなり、薄膜中のＣｅ元素の含有量が２０質量％を超え８０質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】割れや反りを発生させることなく、高密度かつ低抵抗の大型の酸化亜鉛系焼結体を提供する。
【解決手段】Ｄ５０が１μｍ以下、Ｄ９０が１．５μｍ以下である酸化亜鉛粉末と、Ｄ５０が１μｍ以下、Ｄ９０が１μｍ〜１０μｍである酸化ガリウム粉末とを、質量比で（９０〜９９.９）：（０．１〜１０）の割合で混合し、冷間成形し、得られた成形体を、焼結炉内容積１ｍ³当たり１０〜２００Ｌ／分の割合で空気または酸素を導入しながら８００℃まで加熱し、８００℃から焼結温度まで０．３〜３℃／分で昇温し、１２００〜１４００℃の焼結温度に１０〜２０時間保持して焼結させ、主平面の面積が４５０００ｍｍ²以上である場合に、該主平面を面積７５００ｍｍ²ごとに分割したときの焼結体密度のばらつきが±０．０４ｇ／ｃｍ³の範囲内となる高密度かつ低抵抗の焼結体。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を保ちながら品質の高い膜を基材上に形成することができるイオンプレーティング方法および装置、およびイオンプレーティングによるガスバリア膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１２内に設置された被イオンプレーティング用基材１３に対して蒸着材料２０を蒸着するイオンプレーティング装置１０は、蒸着材料２０を収納するるつぼ１９と、真空チャンバ１２内に昇華ガス２５を導入するガス導入部２４と、昇華ガス２５をプラズマ化させる圧力勾配型のプラズマガン１１と、プラズマ化された昇華ガス２５がるつぼ１９に収納された蒸着材料２０に照射されるよう磁場を発生させる磁場機構５とを備えている。このうちプラズマガン１１はガス導入部２４に設けられており、磁場機構５はプラズマガン１１と真空チャンバ１２との間に設けられている。また、昇華ガス２５は、キセノンガス２６とアルゴンガス２７とを含んでいる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種の酸化物をベースとする少なくとも１層の透明でかつ導電性の薄膜層により第一面が被覆された基材を得る方法であって、下記工程：
前記少なくとも１層の薄膜層を前記基材上に堆積させること、
少なくとも１つの寸法が１０ｃｍを超えない前記少なくとも１層の薄膜層の領域に焦点が合わされた、波長が５００〜２０００ｎｍである放射線を用いて前記少なくとも１層の薄膜層を照射する熱処理工程に前記少なくとも１層の薄膜層を付し、ここで、前記放射線を前記少なくとも１層の薄膜層に対面して配置されている少なくとも１つの放射線デバイスにより送達させ、所望の表面を処理するように前記放射線デバイスと前記基材とを相対的に移動させ、前記少なくとも１層の薄膜層の抵抗率が前記熱処理の間に低減される、熱処理工程に付すこと、
を含む方法に関する。
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