【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素群から選ばれた１種の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】ＺｎＯ粉末１１と、希土類元素群から選ばれた１種の元素を含む希土類元素酸化物粉末１２との混合粉末を用い、メカニカルアロイング処理することにより得られた平均粒径０．０５〜２μｍの複合粉末１３から第１造粒粉末１４を作製し、或いはこの複合粉末１３を仮焼、解砕して固溶体化を促進した複合仮焼粉末１８から第２造粒粉末１９を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１６又は２２を作製する。 （もっと読む）

【課題】蒸着材に用いられるＺｎＯ焼結体において、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、蒸着膜の組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】バレルスパッタリング法により、ＺｎＯ粉末１１の表面を、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物１３で被覆して粒状体１４とする。粒状体１４又はこれを仮焼後に解砕して得る仮焼粉末１９を用いて、第１造粒粉末１５又は第２造粒粉末２１を作製し、成形、焼結を経て、ＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１７又は２３を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】平均粒径が０．１〜１０μｍのＺｎＯ原料粉末１５を移動状態にし、このＺｎＯ粉末に平均粒径が０．０５〜５μｍで希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末１１を含むコーティング液１４を噴霧又は噴射し、その表面に厚さが０．０５〜５μｍの被覆層を形成して粒状体１９とする。粒状体１９又はこの粒状体を仮焼後に解砕して得られた仮焼粉末２４を用いて、第１造粒粉末２０又は第２造粒粉末２９を作製し、成形、焼結を経て、ＺｎＯ焼結体２２又は３２からなるＺｎＯ蒸着材を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】ＺｎＯ粉末１１と、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物粉末１２との混合粉末を用い、メカニカルアロイング処理することにより得られた平均粒径０．０５〜２μｍの複合粉末１３から第１造粒粉末１４を作製し、或いはこの複合粉末１３を仮焼、解砕して固溶体化を促進した複合仮焼粉末１８から第２造粒粉末１９を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１６又は２２を作製する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物の導電性を向上させ、且つ湿熱耐久性に優れる透明電極を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とする透明導電酸化物中に導電性ドーピング剤として酸化ニオブ（ＩＩ）、酸化ニオブ（ＩＶ）、酸化ニオブ（Ｖ）のいずれかを０．５〜１０．０ｗｔ％含有する。さらに二酸化珪素を０．５〜３．０ｗｔ％含有させることで湿熱耐久性がさらに向上する。これらの透明導電性酸化物を透明電極層とすることで、導電性・透明性・湿熱耐久性に優れた透明電極付き基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】アニールなしで実用上問題ない抵抗値を実現するとともに、対エッチング性および光の透過性も良好な、透明導電膜付き基板、並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】透明な基板１０と、基板１０上に形成された透明導電膜とを有する透明導電膜付き基板であって、前記透明導電膜は、前記基板１０面上に、第１の金属酸化物膜２０と、銀（Ａｇ）合金膜３０と、第２の金属酸化物膜４０と、が順に積層された３層を少なくとも有する。銀合金膜３０は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）及び白金（Ｐｔ）のうち少なくとも１種と、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジウム（Ｎｄ）及びガドリニウム（Ｇｄ）のうち少なくとも１種と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】焼結体の表面を除いた内部の色むらを抑制した複合酸化物焼結体を提供することである。
【解決手段】酸化亜鉛と、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｃから選ばれる元素の酸化物を少なくとも１種以上含む複合酸化物焼結体において、当該焼結体の焼き上がり面を除去した焼結体表面部と焼結体中心部とのＣＩＥ１９７６空間で測定されるＬ^＊ａ^＊ｂ^＊色差：ΔＥ^＊が３．０以下である、色むらの少ない、放電特性等の安定性に優れた複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】工程を簡素化することが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜１３の上に、チャネル形成予定領域３１Ａ、ソース電極形成予定領域３２ＳＡおよびドレイン電極形成予定領域３２ＤＡを含む形状の酸化物半導体膜３０を、その全体がチャネル形成予定領域３１Ａのキャリア密度と同じキャリア密度を有するように形成する。チャネル形成予定領域３１Ａの上に、伝熱を抑えるマスク３３を形成し、酸化物半導体膜３０を大気中で１００℃以上２００℃以下の温度で加熱する。チャネル形成予定領域３１Ａは、マスク３３により伝熱が抑えられ、加熱前のキャリア密度が維持されたチャネル領域となる。一方、酸化物半導体膜３０のマスク３３で覆われていない領域は、加熱により酸素欠損などが生じて、高キャリア密度・低抵抗のソース電極領域およびドレイン電極領域となる。 （もっと読む）

【課題】プロセスの再現性を向上させることが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１では、基板１１上に、ゲート絶縁膜１３を間にして、ゲート電極１２と酸化物半導体膜１５とが設けられ、この酸化物半導体膜１５に接してソース電極１４Ａおよびドレイン電極１４Ｂが配設されている。酸化物半導体膜１５を、ＤＣスパッタ法を用いて成膜すると共に、その際のＤＣパワーをキャリア密度Ｄに応じて設定する。ＤＣパワーとキャリア密度Ｄとの間の比例関係を利用することにより、キャリア密度を制御し易くなる。酸素分圧の調節によってキャリア密度を制御する場合に比べ、制御結果がＭＦＣ等の他の機器の精度に左右されにくくなる。 （もっと読む）

【課題】プロセスの再現性を向上させることが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１では、基板１１上に、ゲート絶縁膜１３を間にして、ゲート電極１２と酸化物半導体膜１５とが設けられ、この酸化物半導体膜１５に接してソース電極１４Ａおよびドレイン電極１４Ｂが配設されている。酸化物半導体膜１５を、ＤＣスパッタ法を用いて成膜すると共に、その際の直流電圧Ｖdcをキャリア密度Ｄに応じて設定する。直流電圧Ｖdcとキャリア密度Ｄとの間の比例関係を利用することにより、キャリア密度Ｄを制御し易くなる。酸素分圧の調節によってキャリア密度を制御する場合に比べ、制御結果がＭＦＣ等の他の機器の精度に左右されにくくなる。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】ＺｎＯ原料粉末１２と希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末１３との原料混合粉末１４を用い、ドクターブレード法により得られたグリーンシートから、グリーン単層体１９或いはグリーン積層体２０又は２９を作製し、これを焼成後に粉砕して混成粉末２５又は３１を作製する。この混成粉末を用いて造粒粉末を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材３４を作製する。 （もっと読む）

【課題】膜材の気化によりハースに付着した成膜堆積物の再気化を抑制、または成膜堆積物がハースに堆積するのを抑制して、ワークに安定した膜特性を有する被膜を成膜することができるイオンプレーティング装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３の内部におけるハース５の露出面５ｂの表面温度を、タブレット２１の気化によりハース５の露出面５ｂに付着した成膜堆積物の再気化を抑制する第１の温度領域、または気化したタブレット２１のハース５の露出面５ｂに対する付着を抑制する第２の温度領域に制御する構成にした。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素を１種含む希土類元素酸化物粉末の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】ＺｎＯ原料粉末１２と希土類元素を１種含む希土類元素酸化物粉末１３との原料混合粉末１４を用い、ドクターブレード法により得られたグリーンシートから、グリーン単層体１９或いはグリーン積層体２０又は２９を作製し、これを焼成後に粉砕して混成粉末２５又は３１を作製する。この混成粉末を用いて造粒粉末を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材３４を作製する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング中の異常放電現象の発生を制御し、パーティクルによる歩留まり低下を抑制することができる複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】亜鉛と、酸素イオンに６配位を仮定したときのイオン半径が０．７〜１．１Åの正三価以上の価数を取り得る元素Ａ、酸素イオンに４配位を仮定したときのイオン半径が０．５〜０．７Åの正三価以上の価数を取り得る元素Ａとは異なる元素Ｍをそれぞれ少なくとも１種以上含み、Ｃｕを線源とするＸ線回折パターン（ＸＲＤ）の２Θ＝３０〜４０°の範囲内に検出される回折ピークが六方晶系ウルツ型構造に帰属される（１００）面、（００２）面、（１０１）面のみから構成されることを特徴とする複合酸化物焼結体とすることで、異常放電現象の発生を制御し、パーティクルによる歩留まり低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】密度が十分に高く、比抵抗も十分に低い酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ドーパント材料としてγ−Ａｌ₂ Ｏ₃ を用いて酸化亜鉛系スパッタリングターゲットを製造し、この酸化亜鉛系スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系透明導電膜を成膜する。γ−Ａｌ₂ Ｏ₃ は１〜３重量％含有させる。酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、酸化亜鉛粉末とγ−Ａｌ₂ Ｏ₃ 粉末とを混合し、この混合粉末を１１５０〜１３００℃で焼結することにより製造する。γ−Ａｌ₂ Ｏ₃ の粒子サイズは好ましくは０．５μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】安定した成膜レートを得ることができ、電気的パスを形成するための事前作業をすることなく安定した放電を得ることができるイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、真空チャンバ３の内部にプラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、真空チャンバ３の内部においてプラズマビームＰが照射されるハース５と、成膜用のタブレット２１をハース５から真空チャンバ３の内部に露出するように支持するタブレット支持棒２５とを備え、タブレット支持棒２５は、導電性であり、ハース５は、真空チャンバの内部においてタブレット２１と絶縁され、真空チャンバ３の外部においてハース抵抗１７を介してタブレット支持棒２５と電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマビームの照射位置の調整精度を向上させることができると共に、調整作業の作業効率を向上させることができるイオンプレーティング装置およびプラズマビーム照射位置調整プログラムを提供すること。
【解決手段】プラズマガン４と、プラズマビームＰの目標照射位置を中心として周方向に略等角度で４つの分割部１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄに分割されたハース５と、各分割部に一対一で接続されて電流を測定する４つの電流計１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄと、プラズマガン４側の磁界を形成するガン電磁石１５と、ハース５側の磁界を形成するハース電磁石２９と、ガン電磁石１５およびハース電磁石２９を制御してプラズマビームＰの照射位置を調整する位置調整部８とを備え、各分割部は互いに絶縁されており、位置調整部は、各電流計の測定値に応じてプラズマビームの照射位置を目標照射位置に近づけるように調整する構成を備えた。 （もっと読む）

【課題】例えば結晶性等の向上が図られたＺｎＯ系半導体層を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系半導体層に、１×１０^１７ｃｍ^−３〜２×１０^２０ｃｍ^−３の範囲の濃度でＭｇをドープする。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、かつ耐湿性・耐薬品性に優れた、酸化亜鉛系導電膜及び酸化インジウム系透明導電膜を積層してなる積層型透明導電膜を提供する。
【解決手段】基板上に、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜層（Ａ）と酸化インジウムを主成分とする透明導電膜層（Ｂ）とをこの順に積層してなる積層型透明導電膜において、前記透明導電膜層（Ｂ）がアモルファス構造であり、このような積層型透明導電膜は透明導電膜層（Ａ）の成膜を、１×１０^−４Ｐａ〜１．０１３×１０^５Ｐａの到達真空度にてスパッタリング法にて行うことにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】
基板の加熱温度の低い成膜条件下においても、従来の積層構造よりも低抵抗であり、かつ耐熱性・耐湿性に優れた積層型透明導電膜を提供する。
【解決手段】
基板上に、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜層（Ａ）と亜鉛、アルミニウム、インジウムおよび酸素からなり、アルミニウムがＡｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｉｎ）の原子比で２％を超え６％未満の割合で含有され、かつインジウムがＩｎ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｉｎ）の原子比で０．１％を超え１％未満の割合で含有されている酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜層（Ｂ）とをこの順に積層してなり、透明導電膜層（Ａ）の膜厚を１０ｎｍ以上とする積層型透明導電膜であり、低抵抗であり、耐湿性・耐薬品性・均等性に優れた透明導電膜となる。 （もっと読む）