【課題】酸化物半導体ＴＦＴの電気的特性及び安定性を向上することが可能な、薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体ＴＦＴ１０は、基板１１と、基板１１上に設けられたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び露出された基板１１上に設けられたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上のゲート電極１３に対向する位置に設けられ、Ｚｎの濃度勾配を持つＨｆＩｎＺｎＯ系酸化物半導体からなる酸化物半導体層１７と、酸化物半導体層１７の両側からゲート絶縁膜上に延びるソース及びドレインと、を備える。 （もっと読む）

【課題】膜表面に発現した光触媒作用を速やかに消失させることができる光触媒性薄膜を表層に有する太陽電池モジュール用カバーを提供する。
【解決手段】太陽電池カバー１００は、透光性基板１０２と、発熱層としての透明導電膜１０４と、光触媒性薄膜１０６とを積層して構成され、光触媒性薄膜１０６は、成膜プロセス領域で、チタンで構成されたターゲットをスパッタし、膜原料物質を付着させるスパッタ工程と、反応プロセス領域で、少なくとも反応性ガスのプラズマを膜原料物質に接触させ第１の薄膜を生成する反応工程と、成膜プロセス領域と反応プロセス領域の間で第１の薄膜が形成された基板を移動させ、スパッタ工程及び反応工程を複数回繰り返し第２の薄膜を形成する薄膜堆積工程と、第２の薄膜に対し、不活性ガスを反応性ガスの導入流量と少なくとも同一流量で積極的に混合した混合ガスのプラズマを接触させるプラズマ後処理工程によって形成される。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウムドープされた酸化亜鉛で基板をコーティングする方法であって、固体ターゲットのアトマイゼーションによって、酸化亜鉛、またはドープされた、特にアルミニウムドープされた酸化亜鉛を含有する５ｎｍ〜４００ｎｍ厚の核形成層を基板表面上に形成するステップと、アルミニウムドープされた酸化亜鉛を含有し、核形成層上に準エピタキシャルで継続成長するトップ層を形成するステップと、トップ層を湿式化学エッチングするステップとを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】有機電界発光素子の製造方法において、孔や溝などの欠陥がない封止膜形成に要する時間を短くして、製造コスト上昇を抑えることが可能な封止膜形成方法を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング法により基板上に封止性能を有す窒化膜を形成しつつ、同時に基板に負のＲＦ電圧（バイアス）を印加することで、基材に異物が付着した場合においても、孔や溝などの欠陥を生じることなく、短時間での封止膜形成が可能になる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置等に用いられ、特に、太陽電池に用いられるのに好適な透明導電膜を提供するとともに、この透明導電膜を用いた太陽電池さらにはこの透明導電膜を形成するのに適したスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】金属成分元素の含有割合が、原子比で、Ａｌ：０．７〜７％、Ｍｇ：１０〜２５％、Ｇａ：０．０１５〜０．０８５％、残部ＺｎのＡｌ−Ｍｇ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物からなり、耐湿性に優れた透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属酸化物の焼結体を含み、その金属酸化物の焼結体の含有水素濃度が、たとえば、１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満と低いスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することで、Ｈ_２Ｏに代表される水素原子を含む化合物、もしくは水素原子等の不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を成膜する。また、この酸化物半導体膜をトランジスタの活性層として適用する。 （もっと読む）

【課題】 健全な板状成形体を容易に得ることができる泥漿鋳込み成形体の製造方法および泥漿鋳込み装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、壁面部材と底板と上蓋とで板状の成形室が形成され、前記壁面部材は液体吸収性を有し、且つ対向する一対の壁面部材により板厚相当の間隙が確保される成形型に、前記底板に連通するスラリー導入路からスラリー導入し、前記成形室をスラリーで満たし、次いで前記上蓋に連通するスラリー導出路からスラリーを導出させ、上蓋の上方に設けたスラリー溜によりスラリーを保持しつつ、前記壁面部材にスラリーの液体を吸収させて成形する泥漿鋳込み成形体の製造方法と泥漿鋳込み装置である。特に板状セラミックスターゲットの製造に好適である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ式の蒸着法により蒸着膜を成膜する際、特に蒸着材の昇華が始まる初期段階において、従来よりも低エネルギーでの成膜を実現し得る蒸着材の製造方法及び該方法により製造された蒸着材を提供する。
【解決手段】蒸着材１０の表面に突起１１を１又は２以上形成する第５工程を含み、突起１１の蒸着材１０表面から最大高さが１〜５ｍｍであって、突起１１の蒸着材１０表面から突出する部分の最大幅が１〜５ｍｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＤＣスパッタリングでも高抵抗なＺｎＯ膜を作製可能なＺｎＯターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＺｎＯターゲットが、ＺｎＯを主成分とし、不可避不純物が０．１質量％以下であり、ＺｎＯ粒子の平均粒径が、１５μｍから１００μｍである。このＺｎＯターゲットの作製方法は、ＺｎＯ粉末を、３．０ｇ／ｃｍ^３以上の密度に成形して成形体とする工程と、成形体を、１２００℃から１５００℃の焼結温度で焼成して焼結体とする工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。さらにＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子比が下記の式を満たす、酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。０．２０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．７００．０１≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．５００．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６０ （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率の太陽電池、光センサーや撮像素子等の光電変換装置を提供すること。
【解決手段】高周波成分をカットした直流電力印加の下でのＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）ターゲットへのＤＣ印加と導電性基板への高周波印加とによりＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜を成膜し、該Ｃｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜上に、高周波成分をカットした直流電力印加の下でのＩｎターゲットへのＤＣ印加と導電性基板への高周波印加とによりＩｎ膜をＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜上に積層成膜する工程を有する光電変換装置の製法。 （もっと読む）

【課題】強度の高い酸化インジウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有する焼結体の製造において、製造に用いるＺｎＯ粉末の出発原料又は解砕後の最大粒径を３μｍ以下に抑えることにより、焼結体中の結晶のグレインサイズを均一化とし、結晶のグレインサイズの短径を３μｍ〜５μｍ、長径を５μｍ〜１０μｍである焼結体。 （もっと読む）

【課題】高さ寸法が比較的高くかつ相対密度が抑制された酸化亜鉛系酸化物ペレットを歩留まりよく量産可能な製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉を湿式混合かつ噴霧乾燥して第一造粒粉を製造する第一工程、第一造粒粉を仮焼して仮焼粉を製造する第二工程、仮焼粉と未仮焼原料粉を湿式混合かつ噴霧乾燥して第二造粒粉を製造する第三工程、第二造粒粉を加圧して圧粉体を製造する第四工程、圧粉体を破砕して成形体用粉末を製造する第五工程、成形体用粉末を加圧成形して成形体を製造する第六工程、成形体を焼成して酸化亜鉛系酸化物ペレットを製造する方法であって、第四工程の第二造粒粉に対する加圧条件を50MPa以上150MPa以下に設定して第五工程で製造される成形体用粉末の嵩密度が1.4g/cm³以上2.0g/cm³以下となるようにし、第六工程の成形体用粉末に対する加圧条件が100MPa以上200MPa以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】これまでの基板上に形成された透明電極付き基板では、表面粗さは基板に依存しており、基板上に形成される下地層や透明電極では表面粗さを制御できなかった。この為、透明電極付き基板のミクロンオーダー以下の凹凸の制御ができず、光学設計にも限界があった。
【解決手段】下地層の一部または全部が粒子状の酸化ケイ素からなる層を用いることで、ナノレベルの凹凸の制御ができ、酸化ケイ素の屈折率とナノレベルの凹凸形状により光学特性を大きく向上することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制することが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた膜の製造方法を提供する。またそのようなターゲットとして使用可能な複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主として亜鉛、元素Ｍ（Ｍはアルミニウム及び／またはガリウム）、チタン及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、原子比が、
（Ｍ＋Ｔｉ）／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００４〜０．０６
Ｍ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０５８
Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０５８
であり、焼結体が主として酸化亜鉛を含有し平均粒径が２０μｍ以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子、及び元素Ｍおよびチタンを含有し平均粒径が５μｍ以下のＺｎＴｉＯ_３型類似構造を有する粒子等からなる。その焼結体をターゲットとして用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】量産時の連続スパッタリング工程においても、非エロージョン部に堆積した付着膜がターゲット表面から剥がれにくく、ノジュールやアーキングの生じにくい焼結体ターゲットの提供。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットにおいて、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、ｃ軸配向した酸化亜鉛を主成分とした薄膜が膜厚２０ｎｍ以上のシード膜として形成されていることを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲット；酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットの製造方法において、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、組成が、該焼結体ターゲットの組成と実質的に同じであるシード膜形成用ターゲットを用いて、スパッタリング法で、ｃ軸配向した酸化亜鉛を主成分としたシード膜を２０ｎｍ以上の厚さに成膜することを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲットの製造方法などによって提供。 （もっと読む）

【課題】電圧降下を防止して、輝度の均一性が改善された有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板上に形成されている第１電極１２と、第１電極上に形成されている発光層１５と、発光層上に形成されている第２電極１７とを含み、第２電極は、半透過導電層及び導電性酸化物層を含む。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いて信頼性の高い表示装置を作製することを課題の一つとする。
【解決手段】非晶質の酸化物半導体を用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層と金属材料で形成されるソース電極層及びドレイン電極層のそれぞれの間には、結晶領域を有する酸化物導電層が形成されている。これにより、酸化物半導体層とソース電極層及びドレイン電極層間の接触抵抗を低減することができ、電気特性が良好な薄膜トランジスタ及び、それを用いた信頼性の高い表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が非常に低く、耐湿熱性試験後の比抵抗の変化率が極めて小さくて耐湿熱性に優れた酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛にガリウムおよびインジウムを含有させた焼結体からなる透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜であって、ガリウム元素とインジウム元素の質量比率（Ｉｎ／Ｇａ）は０．０１以上０．６以下、且つ、ウルツ鉱型単一相の結晶構造を有するものであり、透明導電性薄膜は、耐湿熱性を損なう原因となる格子間亜鉛及び亜鉛欠損を減少させ、可視光に対する吸収係数αを小さくし、吸収係数が極小となる波長領域を視感度に有効な５００〜６００ｎｍにシフトさせたものである。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ膜等の金属膜の成膜を行う際、ターゲットに生じるノジュールや屑の堆積等の問題を改善した熱線遮蔽積層膜を提供すること。
【解決手段】基体上に蒸着プロセスを経て形成される熱線遮蔽積層膜であり、該熱線遮蔽積層膜は、基体上に、少なくとも透明酸化物膜層、貴金属膜層、貴金属保護膜層、が順次積層されて成り、上記透明酸化物膜層はＺｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜（ｘ、ｙ、ｚは正の有理数）を有し、該Ｚｎ_ｘＳｎ_ｙＯ_ｚ膜は該膜に含まれるＳｎとＺｎとのＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）で表される値が５〜２０ｗｔ％であり、上記貴金属膜層はＡｇ膜もしくはＡｇを主成分とする膜から成ることを特徴とする。 （もっと読む）