【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化物焼結体および酸化物混合体を提供する。
【解決手段】酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。酸化物混合体は、実質的に酸化亜鉛と酸化チタンとからなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに用いた場合に異常放電を発生せず、比抵抗の小さな透明電極を得ることが出来る程度に緻密な酸化亜鉛系焼結体を得る。
【解決手段】低原子価チタンを２モル％超、１０モル％以下含有する酸化亜鉛焼結体であって、相対密度９５％以上で、かつ複合酸化物の含有割合が１０％以下である。この酸化亜鉛焼結体は、酸化亜鉛粉末と、亜鉛と低原子価チタンの複合酸化物粉末とを、低原子価チタンが２モル％超、１０モル％以下含有するように混合した後、成形し、次いで８００〜１５００℃の温度で焼結を行うことによって得られる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高屈折率でありかつ光メディアの保存性を十分に確保できる光メディアの干渉層をＤＣスパッタリングにより製造可能なスパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ_２と、残部のＺｎＯと、からなり、比抵抗が０．００１Ωｃｍ〜１Ωｃｍである光メディア用スパッタリングターゲットを提供する。また、４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ_２と、残部のＺｎＯと、からなる組成を有する原料粉体を不活性雰囲気中または真空中で焼成する工程を備える光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）前記の（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、４００℃以下で、活性酸素により酸化して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と、（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）を繰り返して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を積層する工程とを有するＺｎＯ系半導体層の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ＺｎＳｎＯ₃にＩｎおよび／またはＩｎ₂Ｏ₃が固溶したＩｎ／Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＳｎＯ₃固溶体を有し、Ｚｎ_xＩｎ_yＯ_z相（ｘ、ｙ、ｚは任意の正の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】良好な導電性と表面平滑性、加工性を併せ持つ酸化亜鉛系の透明導電膜を提供する。
【解決手段】基材１上に形成される透明導電性積層膜であり、該透明導電性積層膜は、周期表第III族又は第IV族の元素の化合物を含む下地膜１１と、該下地膜１１上に形成される酸化亜鉛を含む導電膜１２とを含むものであり、該導電膜１２は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法により検出される酸化亜鉛の（００２）面の回折線のうち、回折角２θが３３．００°≦２θ≦３５．００°である回折線の強度Ｉが１０００（ｃｐｓ）以下であり、該強度Ｉと該導電膜の膜厚ｔとのＩ／ｔが０〜１５．０（ｃｐｓ／ｎｍ）であることを特徴とする透明導電性積層膜。 （もっと読む）

【課題】焼成により生じる表面変質層が極力少ないＩＧＺＯ焼結体を提供する。
【解決手段】酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末、及び酸化亜鉛粉末を含む混合粉体を成形し、得られた成形体を焼成することによりＩＧＺＯ焼結体を製造するに際し、成形体の焼成は、成形体を、所定の開口部以外の部分は密閉された容器内に配置して行うようにする。さらには、該容器内に、酸化亜鉛粉末を敷いて焼成を行うようにする。これにより、焼成時において表面に生じるＩｎ_２Ｇａ_２Ｚｎ_１Ｏ_７を含む表面変質層の厚さが１ｍｍ以下となる。 （もっと読む）

【課題】実用上十分な導電性、透過率、を有し、低屈折率であり、且つ低温で成膜可能な結晶構造のＺｎＯ系透明導電膜、及び該ＺｎＯ系透明導電膜をフィルム上に成膜した透明導電膜付き基板を提供する。
【解決手段】アルミニウム又はガリウムの少なくとも一方が１から１０ｗｔ％の範囲で含まれた酸化亜鉛からなり、透明基板上に形成された透明導電膜であって、透明導電膜は、可視光域における透過率が８５％以上であり、波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．７５〜１．８０の範囲にあり、比抵抗が８．０×１０^−４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板（例えば、大面積ガラス基板）上に膜を塗布するための方法およびコータを提供する。
【解決手段】シート状基板上に薄膜を塗布するためのコータ及び、基板をコータを通って延びる基板走行路に沿って搬送するよう適合させた移送システムであり、基板移送システムは、基板走行路の所望の一部に沿って搬送される際、コーティング材料を、上方向に、ギャップを通って基板の底主面上に供給するよう適合させたコーティング材料源を有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、溶射した酸化亜鉛系円筒ターゲットの組織を汚染することなく加工して仕上げる酸化亜鉛系円筒ターゲットの製造方法を提供することにある。
【解決手段】
バッキングチューブの外周面に酸化亜鉛系粉末を溶射して酸化亜鉛系ターゲット層を形成し、該酸化亜鉛系ターゲット層を乾式で切削加工することで、溶射した酸化亜鉛系円筒ターゲットの組織を汚染することなく加工することができる。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、モリブデンおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、モリブデンが原子数比でＭｏ／（Ｚｎ＋Ｍｏ）＝０．０２以上０．１以下となるよう含有されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、少ないエネルギー消費・熱負荷で、緻密でバッキングチューブへの密着性が良好な長尺のセラミック溶射円筒ターゲットを製造する方法を提供することにある。
【解決手段】
長尺バッキングチューブを複数の溶射領域に分割して溶射する。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、ニオブおよび／またはタンタルおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、ニオブおよび／またはタンタルが原子数比でＸ／（Ｚｎ＋Ｘ）＝０．０２以上０．１以下（式中、Ｘはニオブおよび／またはタンタル）となるよう含有されている。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と成膜時に異常放電を抑制した透明導電膜の成膜を可能にするチタン（低原子価）ドープ酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を提供する。
【解決手段】低原子価酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉、またはチタン酸亜鉛化合物粉を含み、チタンの原子数の全金属原子数に対する割合が２％超１０％以下である原料粉末を用いて、真空中または不活性雰囲気中にて７００℃以上１２００℃以下の焼結温度で放電プラズマ焼結を行う。 （もっと読む）

【課題】耐還元性に優れた半導体薄膜及びその製造方法、チャネル層上に酸素透過性膜等のバッファー層を設けなくても安定したＴＦＴ特性が得られる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】１種以上のアモルファス金属酸化物を含有し、前記金属酸化物の少なくとも一部の金属原子にＯＨ基が結合している半導体薄膜。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率で、かつ、抵抗率の膜厚依存性及び基板上での抵抗率分布が少ない酸化亜鉛を母材とする透明導電膜およびその製造用技術並びに薄膜製造用酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明のある態様の酸化亜鉛系透明導電膜は、実質的に亜鉛、ガリウム、スズおよび酸素からなり、ガリウムをＧａ／（Ｚｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）の原子比で１％を超え８％未満の割合で含有し、且つスズをＳｎ／（Ｚｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）の原子比で０．１％を超え１％未満の割合で含有する。 （もっと読む）

【課題】
優れたガスバリア性と透明導電性を有し、高温高湿度環境下においてもシート抵抗値が低く、耐折り曲げ性及び導電性に優れる透明導電性フィルム、その製造方法、この透明導電性フィルムからなる電子デバイス用部材、並びに電子デバイスを提供する。
【解決手段】
基材層、ガスバリア層及び透明導電体層を有する透明導電性フィルムであって、前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなり、表面から深さ方向に向かって、層中における酸素原子の存在割合が漸次減少し、炭素原子の存在割合が漸次増加する領域（Ａ）を有し、前記領域（Ａ）が、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が２０〜５５％、炭素原子の存在割合が２５〜７０％、ケイ素原子の存在割合が５〜２０％である部分領域（Ａ１）と、酸素原子の存在割合が１〜１５％、炭素原子の存在割合が７２〜８７％、ケイ素原子の存在割合が７〜１８％である部分領域（Ａ２）とを含むものであることを特徴とする透明導電性フィルム；その製造方法；この透明導電性フィルムからなる電子デバイス用部材；並びに電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置を実現する成膜装置を提供することを課題の一とする。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことの出来る成膜装置を提供することを課題の一とする。また、上記成膜装置を用いて安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板の搬送機構と、搬送機構が送る基板の進行方向に沿って、酸化物半導体を成膜する第１の成膜室と、第１の熱処理を行う第１の加熱室とを有し、基板は、該基板の成膜面と鉛直方向との成す角が１°以上３０°以内に収まるよう保持され、大気に曝すことなく、基板に第１の膜を成膜した後に第１の熱処理を施すことのできる成膜装置を用いて、酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】蒸発速度、成膜速度を向上して製造コストを低減する。
【解決手段】ＺｎＯ蒸着材は、ＺｎＯの多孔質焼結体からなり、その焼結体が０．１〜５００μｍの範囲の平均気孔径を有する。その多孔質焼結体は３〜５０％の範囲の気孔率を有することが好ましく、１〜５００μｍの範囲の平均結晶粒径を有する粒子の焼結体であることが更に好ましい。その製造方法は、純度が９９．０％以上あって平均粒径が０．１〜１０μｍであるＺｎＯ粉末とバインダと有機溶媒とを混合してＺｎＯ粉末の濃度が４５〜７５重量％のスラリーを調製する工程と、そのスラリーに気体を吹込んで混入することによりガス含有スラリーを得る工程と、そのガス含有スラリーを噴霧乾燥して平均粒径が５０〜３００μｍの造粒粉末を得る工程と、その造粒粉末を成形して成形体を得る工程と、その成形体を所定の温度で焼結してＺｎＯ多孔質焼結体を得る工程とを有する。 （もっと読む）